JP2003156526A - 電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置 - Google Patents

電気的接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置

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JP2003156526A
JP2003156526A JP2001356423A JP2001356423A JP2003156526A JP 2003156526 A JP2003156526 A JP 2003156526A JP 2001356423 A JP2001356423 A JP 2001356423A JP 2001356423 A JP2001356423 A JP 2001356423A JP 2003156526 A JP2003156526 A JP 2003156526A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板の接続端子を摩耗させることなく、
半導体装置の端子と配線基板の端子とを接続する導電性
配線を太く短くできるようにする。 【解決手段】 半導体装置と配線基板の電気的接続を行
う電気的接続治具1は、板ばね状に形成された導電性配
線として、スラグ用コンタクタ1aおよびリード端子用
コンタクタ1bを有しており、該導電性配線の固定部
(例えば屈曲部1b 1)は、配線基板上の所定の配線パ
ターンと電気的に接続した状態で配線基板に固定され、
該導電性配線の自由端である可動部は、半導体装置の接
続端子と接触して電気的に接続を行うことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置と配線
基板間の電気的接続のために使用する電気的接続治具及
びこれを用いた半導体装置の特性測定装置に係るもので
あり、特に高速半導体装置、高周波半導体装置またはパ
ワー半導体装置の特性測定に好適な構造を有する電気的
接続治具及びこれを用いた半導体装置の特性測定装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話やワイヤレスLAN等の
普及により、これらの機器に使用される高周波半導体装
置の生産量は年々増加の一途をたどっている。また、こ
れらの機器の小型化、高機能化に伴い、高周波半導体装
置も小型化、高密度実装化が進められている。
【0003】図10は、携帯電話やワイヤレスLAN用
の高周波送信パワーアンプ素子に用いられている半導体
装置100の一般的な概略図を示したものである。図1
0(a)は半導体装置100の裏面、図10(b)は半
導体装置100の側面、図10(c)は図10(a)の
a−a’断面を示したものである。
【0004】高周波入出力信号線と、パワーアンプの動
作レベルを決めるバイアス設定信号(DCレベル;直流
電圧)が入力されるバイアス設定信号線とは、半導体装
置100のパッケージ樹脂部112の四方側面のリード
端子113として複数配置されており、半導体装置の小
型化に伴って、リード端子113のリード端子ピッチは
0.4mm〜0.65mm程度に微細化されている。
【0005】また、半導体装置100の内部には、半導
体チップ116が、接地されたスラグ114の上に搭載
されている。高周波入出力信号線とバイアス設定信号線
は、半導体チップ116上のパッド(図示せず)から半
導体装置100のリード端子113まで金線等のワイヤ
119aにより電気的に接続することにより構成されて
いる。
【0006】また、接地線は、半導体チップ116上の
パッド(図示せず)からスラグ114まで金線等のワイ
ヤ119bにより電気的に接続することにより構成され
ている。そして、半導体装置100は、半導体チップ1
16を保護するためにパッケージ樹脂部112で封止さ
れた構造となっている。
【0007】パッケージ樹脂部112の裏面中央に配置
されているスラグ114は、接地端子であるとともに、
半導体チップ116の自己発熱による熱を放熱するため
の放熱板を兼ねている。このような構造としている理由
は、(1)半導体チップ116からの放熱性をよくする
ため、(2)グランドインダクタンスを低減するためで
ある。いずれも半導体チップ116の特性劣化を防ぐこ
とが目的であり、そのために、半導体チップ116から
半導体装置100が実装される回路基板までの接地電極
の長さを最小限短くし、かつ、接地電極の面積が最大限
大きくなるように構成されている。
【0008】また、図11は、小型化に伴う最近の傾向
としてリードレス化された半導体装置の一例であるチッ
プサイズパッケージ(CSP)の概略図である。図11
(a)は、リードレス化された半導体装置の断面、図1
1(b)は、リードレス化された半導体装置の裏面を示
したものである。
【0009】半導体チップ116は、配線を有した基板
120(例えば、セラミック基板やポリイミド基板)の
上に搭載されており、半導体チップ116上のパッド
(図示せず)と基板120上の配線123はワイヤ11
9によって接続されている。また、基板120上の配線
123と外部接続端子121(ランドやハンダボール)
との接続は基板120を貫通するスルーホール122を
介して電気的に接続されている。パッケージサイズが小
さいことから外部接続端子121はアレイ状や千鳥状に
配設されており、外部接続端子121間のピッチは狭く
なっている。
【0010】従来、半導体装置100の特性測定を行う
場合、半導体装置100のリード端子113と回路基板
との電気的接続をとるための電気的接続治具(コンタク
タ)としては、一般的なICソケット(図示せず)に使
用されている、図12(a)(b)に示すU字型コンタ
クタ115や「ポゴピン」と呼ばれるスプリングプロー
ブピン117が使用されている。
【0011】しかしながら、U字型コンタクタ115や
スプリングプローブピン117を使用すると、電気的接
続治具(コンタクタ)とリード端子113との接触面積
が小さく、また、リード端子113から回路基板までの
信号経路が細く、かつ、長くなってしまうため、寄生イ
ンダクタンスが非常に大きくなる。このため、およそ1
00MHzを超える帯域での特性測定には、U字型コン
タクタ115やスプリングプローブピン117を使用す
ることができない。上述した携帯電話やワイヤレスLA
N用の高周波半導体装置は、1GHzを超える帯域で使
用されるものであるため、U字型コンタクタ115やス
プリングプローブピン117を使用することができない
ので、1GHzを超える帯域でも使用可能な特性測定装
置が提案されている。
【0012】その一例は、特開平5−174880に示
されている特性測定装置であり、S字型をした小型の電
気的接続治具(コンタクタ)をハウジング本体に弾性要
素2本にて保持し、これを多数並べた構造をとってい
る。この構造は、電気的接続治具(コンタクタ)の信号
経路を太く、短くすることによって寄生インダクタンス
を低減し、高周波性能を向上させたものである。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平5−1
74880に示されている特性測定装置には以下のよう
な問題点がある。
【0014】この特性測定装置では、弾性要素にて保持
されたS字型コンタクタ(電気的接続治具)が半導体装
置100のリード端子113に下から押し付けられて、
S字型コンタクタのS字上端部とリード端子113とが
接触状態となったとき、弾性要素が変形することによ
り、弾性変形の反力によって一定の接触圧を得るととも
に、S字型コンタクタの該上端部は、リード端子113
上を摺動して良好な電気的接続を得ることができる(ワ
イピング効果)。
【0015】一方、S字型コンタクタのS字下端部は、
配線基板(通常プリント基板)の接続端子の表面上を摺
動するため、接続端子の表面はわずかに削られることに
なる。半導体装置の特性評価のために、配線基板の接続
端子は繰り返し使用されることから、配線基板の接続端
子の摩耗によって、導通不良を起こす問題点がある。
【0016】また、上記のS字型コンタクタを図10に
示すような形状の高周波半導体装置の特性評価に使用し
た場合、特に、ローインダクタンスと放熱性を要求され
るスラグ114に対する接触面積を十分なものとするこ
とができない。
【0017】なぜなら、スラグ114に対し接点を形成
するとき、S字型コンタクタ1個当たりの接触面積が小
さいからであり、また、たとえS字型コンタクタを複数
使用したとしても、S字型コンタクタを配置するスペー
スに限りがあるため、使用個数もまた制限されるからで
ある。
【0018】このため、スラグ114に対するS字型コ
ンタクタの接触面積を十分大きくできないので、寄生イ
ンダクタンスを十分に下げることができず、また放熱性
も悪い。さらに、半導体装置がパワーアンプ等の発熱量
の大きい半導体装置である場合、熱がS字型コンタクタ
に伝わるためこれを保持している弾性要素が高温とな
り、その結果、弾性要素の劣化が早まり、特性測定装置
の寿命が短くなるという問題点がある。
【0019】本発明は、上述の問題点を解決するもので
あり、配線基板の接続端子を摩耗させることなく、半導
体装置の端子と配線基板の端子とを接続する導電性配線
を太く短くできる電気的接続治具及びこれを用いた半導
体装置の特性測定装置を提供するものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る電気的接続治具及びこれを用いた半導
体装置の特性測定装置は次の構成を有する。
【0021】・本発明の電気的接続治具は、半導体装置
と配線基板との電気的接続を行う電気的接続治具であっ
て、該電気的接続治具は、板ばね状に形成された導電性
配線を有しており、該導電性配線は、配線基板上の所定
の配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固
定される固定部と、半導体装置の接続端子と接触して電
気的に接続を行う可動部とを有していることを特徴とす
る。
【0022】本発明の構成によれば、電気的接続治具の
該導電性配線の固定部は、配線パターンと電気的に接続
した状態で配線基板に固定されているので、導電性配線
と配線基板とが摺動することがない。すなわち、半導体
装置と配線基板との電気的接続を、電気的接続治具を介
して行う際に、電気的接続治具が配線パターンに対し摺
動することがない。したがって、配線パターンに形成さ
れた接続端子が摩耗しない。
【0023】これにより、半導体装置と配線基板との電
気的接続を長期にわたり安定化させることができるの
で、量産のテスト工程に非常に適した構造の電気的接続
治具を提供することができる。
【0024】また、電気的接続治具の該導電性配線を板
ばね状に形成したことにより、特開平5−174880
に示されたS字型コンタクタを複数並べて導電性配線を
太くする代わりに、板ばねの幅を広く取るだけで、簡単
に導電性配線を太くすることができる。
【0025】しかも、導電性配線自体に弾性要素として
の特性を持たせたから、導電性配線を半導体装置に押し
付けて電気的接続状態を保つための弾性要素を別部材と
して設ける必要が無い。したがって、 弾性要素の経時
的な熱的劣化の問題が発生せず、さらに、電気的接続治
具の構造が簡単になる分、導電性配線の長さを必要最小
限の最短に設計することも容易となる。
【0026】これにより、半導体装置と配線基板までの
信号経路を太くかつ短くすることができるので、特に高
周波特性に悪影響を与える対接地側の電気的接続治具の
寄生インダクタンスが小さくなる。また、電気的接続治
具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うことも
できる。
【0027】なお、板ばね状に形成された導電性配線の
可動部が、半導体装置の接続端子と接触するようになっ
ているので、導電性配線に半導体装置を押し付けた際、
導電性配線のばね性によって、可動部は接続端子に対
し、電気的接続の良好な位置まで摺動するワイピング効
果を得ることもできる。
【0028】・本発明の電気的接続治具の前記導電性配
線は、絶縁性フィルムを介して多層化されるとともに、
下層の導電性配線ほど配線が長いことを特徴とする。
【0029】本発明の構成によれば、絶縁性フィルムを
介して前記導電性配線を多層化し、かつ、下層の導電性
配線ほど長くすることにより、下層の導電性配線ほど半
導体装置に形成された複数の接続端子の内、遠い位置の
接続端子に接触することができる。また、下層の導電性
配線は、上層の導電性配線の下から露出することができ
る。これとは逆に、上層の導電性配線ほど長くすると、
下層の導電性配線は、上層の導電性配線に隠れてしま
い、露出することができない。
【0030】すなわち、絶縁性フィルムを介して導電性
配線を多層化し、下層の導電性配線ほど長くすると、半
導体装置に接触できる導電性配線の数を増やすことがで
き、接続端子の数の多い半導体装置に適応することがで
きる。また、上層の導電性配線と下層の導電性配線と
は、絶縁性フィルムが介在する分、高低差を持っている
ため、互いの短絡を回避することが可能である。
【0031】これにより、より多数の接続端子を、より
多様なレイアウトで形成した半導体装置に適合した電気
的接続治具を提供することができる。
【0032】・本発明の電気的接続治具は、接地線とし
て用いる導電性配線と、信号線として用いる導電性配線
とを別の層に形成したことを特徴とする。
【0033】本発明の構成によれば、前述のように、下
層の導電性配線ほど配線を長くしているので、別々の層
に形成した接地線用導電性配線と、信号線用導電性配線
とは、配線の長さが異なり、半導体装置の異なる位置に
形成された接続端子と接続することができる。この結
果、接地線用の接続端子および信号線用の接続端子の、
それぞれの形成数および形成幅等に合わせて、接地線用
導電性配線および信号線用導電性配線を設けることが容
易となる。
【0034】・本発明の電気的接続治具は、前記絶縁性
フィルムを介して対向配置された接地線として用いる導
電性配線と信号線として用いる導電性配線とが、マイク
ロストリップ線路を形成していることを特徴とする。
【0035】本発明の構成によれば、マイクロストリッ
プ線路は半導体装置の接続端子近傍に形成される。ま
た、マイクロストリップ線路の性質として、信号線用導
電性配線の線幅と絶縁性フィルムの厚さとを調整するだ
けで、簡単に特性インピーダンスを設定することができ
る。したがって、半導体装置の接続端子近傍まで、特性
インピーダンスを一定値にしてインピーダンス整合を図
ることができる。
【0036】また、隣接する信号線用導電性配線を同層
に多数形成したとしても、マイクロストリップ線路を形
成する場合には、信号線用導電性配線から絶縁性フィル
ムを介して真下の接地線用導電性配線に向かう電気力線
が形成されるので、隣接の信号線用導電性配線の電気力
線が相互に影響を受けにくくなる。これにより、隣接す
る信号線用導電性配線間のクロストークを低減すること
ができる。
【0037】・本発明の電気的接続治具における接地線
として用いる導電性配線は、半導体装置に形成された接
地端子の形状に合わせて、幅広に形成されていることを
特徴とする。
【0038】本発明の構成によれば、半導体装置の接地
端子と導電性配線とを太い配線で接続することができ
る。これにより、電気的接続治具を半導体装置の特性測
定装置に用いる場合に、特性測定装置における電気的接
続治具の寄生インダクタンスを小さくすることができ
る。特に、高周波特性に悪影響を与える対接地側のイン
ダクタンスの低減に効果がある。さらに、電気的接続治
具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うことも
できる。
【0039】・本発明の半導体装置の特性測定装置は、
半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接続を行い、前
記半導体装置の特性測定を行う、半導体装置の特性測定
装置であって、該特性測定装置は、少なくとも、電気的
接続治具と、前記外部装置と電気的に接続された配線基
板と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを搭載する
台座と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを台座に
固定するハウジングとを有しており、前記電気的接続治
具は、上述した構成の電気的接続治具のいずれかである
ことを特徴とする。
【0040】本発明の構成によれば、上述の電気的接続
治具を介して、半導体装置と外部装置との信号経路を太
くかつ短くすることができる。また、ハウジングによ
り、電気的接続治具と配線基板とを台座に固定するの
で、導電性配線と配線基板が摺動することがなく、配線
基板の接続端子が摩耗しない。
【0041】これにより、半導体装置と配線基板までの
信号経路を太くかつ短くすることができるので、電気的
接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、半
導体装置の特性評価のために、繰り返し使用しても配線
基板の接続端子が摩耗しないので長期間使用することが
できる。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置か
らの放熱を効率よく行うこともできる。
【0042】・本発明の半導体装置の特性測定装置にお
ける前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可能な開口
部が形成されており、前記電気的接続治具の導電性配線
の可動部が該開口部内に突出していることを特徴とす
る。
【0043】本発明の構成によれば、ハウジングには開
口部が形成され、電気的接続治具の導電性配線の可動部
が該開口部内に突出しているので、被測定物である半導
体装置を該開口部内に嵌入させることにより、導電性配
線の可動部に半導体装置を当接させることができる。し
たがって、その当接部位に端子が形成された半導体装置
であれば、該開口部内に嵌入させることにより、導電性
配線を介して配線基板に電気的に接続することができ、
特性の測定を行うことができる。
【0044】このとき、前記ハウジングの開口部が半導
体装置の搭載ガイドとして作用し、特性測定装置に対す
る半導体装置の装着を確実に行うことができる。これに
より、半導体装置の端子と電気的接続治具との電気的接
続を良好に行うことができる。
【0045】・本発明の半導体装置の特性測定装置にお
ける前記台座には接地電極が形成され、前記配線基板に
は、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線
として用いる導電性配線とを電気的に接続するスルーホ
ールを有していることを特徴とする。
【0046】本発明の構成によれば、配線基板を台座に
搭載するだけで、前記台座の接地電極と前記電気的接続
治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続
するための回路を形成することができる。したがって、
配線基板に形成する配線パターンの簡素化に寄与する。
【0047】また、配線基板を搭載する台座の搭載面を
活用して、大面積の接地電極を形成することができるの
で、安定した接地を取りやすくなる効果、およびスルー
ホールの形成位置の自由度が増す効果も得られる。
【0048】なお、台座自体を導電性材料で形成すれ
ば、台座自体が接地電極となるので、別途、接地電極を
形成する手間が不要になるとともに、電気的接続治具の
導電性配線、配線基板のスルーホールを介して、半導体
装置が発する熱を効率良く台座に逃がすことができる。
【0049】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
面を用いて説明する。
【0050】(実施形態1)図1は本発明の実施形態1
に係る特性測定装置の断面図であり、図10に示す半導
体装置100の外形形状に適合する形状の特性測定装置
の一例である。特性測定装置20は、電気的接続治具1
と、特性の測定対象である半導体装置100を電気的接
続治具1に接触させる押さえノズル10と、外部端子
(例えば同軸アダプター)11と、外部端子11を介し
て外部装置(図示せず)と電気的に接続された配線基板
7と、電気的接続治具1のハウジング5と、ハウジング
5を押さえとして、電気的接続治具1と配線基板7とを
支持固定する台座6とを有している。
【0051】台座6は、半導体装置100の発生する熱
を効率よく放熱するとともに、安定した接地状態を確保
するため、アルミニウムや真鍮等の電気的及び熱的良導
体でできている。
【0052】また、外部端子11が配置された側板12
は、台座6を挟み込むとともに、配線基板7と外部端子
11とを電気的に接続している。
【0053】ハウジング5は、例えば樹脂製であり、配
線基板7及び電気的接続治具1を接触させた状態で、台
座6とともに挟持するようになっている。例えば、ハウ
ジング5と台座6とをネジ止め(図示せず)することに
より、電気的接続治具1と配線基板7を台座6に固定す
るとともに、電気的接続治具1と配線基板7との電気的
接続をおこなっている。
【0054】押えノズル10は、図5に示すように、電
気的接続治具1上に装着された半導体装置100を、電
気的接続治具1に対し適度な圧力で押し付けることで、
半導体装置100のスラグ114またはリード端子11
3と電気的接続治具1の電気的接続を行うとともに、押
えノズル10の底面に、半導体装置100のパッケージ
樹脂部112の形状に合わせて形成された凹部により、
半導体装置100と電気的接続治具1との位置合わせを
行う。
【0055】図2は本発明の実施形態1に係る特性測定
装置の接点構造を説明する図であり、図10に示した半
導体装置100の外形形状に適合する形状の電気的接続
治具1の一例を示している。また、図2(a)は電気的
接続治具の上面図、図2(b)は図2(a)のX−X’
断面図である。
【0056】電気的接続治具1は、図2(b)に示すよ
うにスラグ用コンタクタ1a(接地線として用いる導電
性配線)、下層ベースフィルム2a(絶縁性フィル
ム)、リード端子用コンタクタ1b(信号線として用い
る導電性配線)、上層ベースフィルム2b(絶縁性フィ
ルム)から構成される4層構造となっている。
【0057】各ベースフィルム2a、2bは同一形状で
あり、スラグ用コンタクタ1a及びリード端子用コンタ
クタ1bの取り付け部として、四角形の棒状部BF1
と、後述するネジ穴3及び位置決め穴4の形成部とし
て、該棒状部BF1の四隅の各々から外側へ張り出した
張り出し部BF2とを備えている。
【0058】電気的接続治具1の1層目には、半導体装
置100のスラグ114と接触する屈曲した板ばね状の
スラグ用コンタクタ1aが配置されている。スラグ用コ
ンタクタ1aは、ばねとしての特性と電気的特性の観点
から、燐青銅やベリリウム銅の表面に金めっきを施した
ものが適している。スラグ用コンタクタ1aの一端は、
下層ベースフィルム2aの棒状部BF1の裏面に接着固
定され、後述のように配線基板7に対して固定される固
定部となる一方、自由端としての他端は、棒状部BF1
内に形成された開口部の中心に向かって、やや上方にせ
り上がっている。これにより、スラグ用コンタクタ1a
の自由端は、導電性配線の可動部として、半導体装置1
00のスラグ114と接触し、電気的に接続し得る構成
となっている。
【0059】なお、スラグ114との接触面積を大きく
して、放熱特性の向上とローインダクタンス化を図るた
めに、スラグ用コンタクタ1aは、半導体装置100の
リード端子113に接触しない範囲で、できる限り幅広
に形成され、さらに、2枚のスラグ用コンタクタ1a
が、上記開口部の中心付近で向かい合わせとなるよう
に、棒状部BF1に取り付けられている。ただし、スラ
グ用コンタクタ1aの枚数は2枚に限定されるものでは
なく、リード端子用コンタクタ1bと接触しないスペー
スの範囲内で、3枚以上の複数枚を棒状部BF1に取り
付けても良い。
【0060】このように、接地線としてのスラグ用コン
タクタ1aを、板ばね状に形成することにより、スラグ
114の幅に合わせて、板ばねの幅を決めることが容易
であり、リード端子113に接触しない範囲であれば、
スラグ114の幅以上にスラグ用コンタクタ1aを幅広
にすることもでき、放熱特性の向上とローインダクタン
ス化とを充分に図ることを第1として、電気的接続治具
1を設計することができる。
【0061】2層目は、絶縁性であり、撓みに強いポリ
イミド等でできている下層ベースフィルム2aが配置さ
れており、スラグ用コンタクタ1aとリード端子用コン
タクタ1bとを分離する構造となっている。
【0062】3層目には、半導体装置100のリード端
子113のそれぞれに対応する複数本のリード端子用コ
ンタクタ1bが配置されており、下層ベースフィルム2
a及び上層ベースフィルム2bの各棒状部BF1間に接
着固定され、後述のように配線基板7に対して固定され
る固定部となる。一方、リード端子用コンタクタ1bの
自由端は、上記開口部の中心に向かってやや上方にせり
上がっている。これにより、リード端子コンタクタ1b
の自由端は、導電性配線の可動部として、スラグ用コン
タクタ1aの上方で半導体装置100のリード端子11
3と接触し、電気的に接続し得る構成となっている。
【0063】また、リード端子用コンタクタ1bの配線
基板7側の他端は、上記棒状部BF1の外縁から外方へ
突出し、該他端の下面は、1層目のスラグ用コンタクタ
1aの下面と同一平面になるように、折り曲げ加工がな
された屈曲部1b1となっている。
【0064】4層目は、絶縁性であり、撓みに強いポリ
イミド等でできている上層ベースフィルム2bが配置さ
れており、リード端子用コンタクタ1bの中央の平坦部
に上記棒状部BF1が配されて接着固定されている。
【0065】なお、スラグ用コンタクタ1aの長さは、
リード端子用コンタクタ1bの長さより長く設定されて
いる。この長さの関係と、リード端子用コンタクタ1b
が下層ベースフィルム2aによってスラグ用コンタクタ
1aから隔てられ、別々の層として高低差を持っている
こととによって、スラグ用コンタクタ1aおよびリード
端子用コンタクタ1bが、互いに短絡することなく、開
口部の中心に向かって突出できるようになっている。
【0066】ここで、スラグ用コンタクタ1aのスラグ
114との接触面と、リード端子用コンタクタ1bのリ
ード端子113との接触面とは、ほぼ同一の高さに形成
されている。これは、図10(b)に示すように、リー
ド端子113の下面とスラグ114の下面とがほぼ同一
面に揃っていることに合わせるためである。このとき、
半導体装置100がハウジング5内に装着され、押えノ
ズル10で押さえられた状態で、スラグ用コンタクタ1
aとリード端子用コンタクタ1bのばね特性を得るため
に、接触面の高さは上層ベースフィルム2bの上面の高
さより、高い位置に形成されていることが望ましい。
【0067】また、電気的接続治具1の上層に位置する
リード端子用コンタクタ1bより、下層に位置するスラ
グ用コンタクタ1aを長く形成したことにより、スラグ
用コンタクタ1aは、リード端子用コンタクタ1bと比
べて半導体装置100の中心部近くまで届くことができ
る。つまり、スラグ用コンタクタ1aおよびリード端子
用コンタクタ1bと、半導体装置100とが接触する位
置を異ならせることができる。
【0068】このように、導電性配線を絶縁性フィルム
を介して多層化した積層構造とした場合、下層の導電性
配線ほど、長く形成することによって、半導体装置10
0の底面に形成されたより多くの端子と接触することが
可能になり、半導体装置100の多様な端子レイアウト
に対応しやすくなる。
【0069】また、上層ベースフィルム2bと下層ベー
スフィルム2aの張り出し部BF2には、配線基板7お
よびハウジング5への取り付け用のネジ穴3と、ハウジ
ング5側に設けられた位置決めピン(図示せず)に適合
する位置決め穴4が設けられている。
【0070】図3は本発明の実施形態1に係る特性測定
装置の配線基板7の上面図(電気的接続治具1を搭載す
る面)である。
【0071】配線基板7(例えばプリント基板)は台座
6の上に搭載され、半導体装置100に接触する面(上
面)には配線パターンとしてメタライズ面8a、接続端
子8b、メタライズ配線8dを有している。また、台座
6に接触する面(裏面)には、安定した接地状態を確保
するため、全面メタライズ面8c(図4参照)が形成さ
れ、台座6に固定されている。
【0072】一方、配線基板7の半導体装置100が搭
載される面であって、上記棒状部BF1の内周縁より若
干外側に広い領域には、スラグ用コンタクタ1aを接地
電位に保つために上記メタライズ面8aが配設されてい
る。さらにメタライズ面8aと配線基板7の裏面の全面
メタライズ面8cとは、スルーホール9(図1、4、5
参照)により接続されている。すなわち、メタライズ面
8aは台座6と電気的に接続しており、接地されてい
る。
【0073】また、電気的接続治具1のリード端子用コ
ンタクタ1bの上記屈曲部1b1に接触するように接続
端子8b(半導体装置100に対する信号入力用及び電
源供給用)が配設されている。すなわち、接続端子8b
は、略四角状のメタライズ面8aの周囲を取り囲むよう
に、メタライズ面8aからやや離れた位置に、リード端
子用コンタクタ1bと同数配設されている。接続端子8
bからはメタライズ配線8dを介して入力側及び出力側
の外部端子(同軸アダプター)11に接続されている。
【0074】図4は本発明の実施形態1に係る特性測定
装置の測定待機状態を示す断面図である。
【0075】電気的接続治具1と回路基板7は、ハウジ
ング5と台座6に挟み込まれており、ハウジング5と台
座6とは、電気的接続治具1に形成された前記ネジ穴3
を通してネジ止めされている(図示せず)。これによ
り、電気的接続治具1のスラグ用コンタクタ1aは回路
基板7のメタライズ面8a、スルーホール9、回路基板
7の裏面の全面メタライズ面8cを介して台座6と電気
的に接続し、接地されている。同様に、電気的接続治具
1のリード端子用コンタクタ1bは回路基板7の接続端
子8b、メタライズ配線8dを介して入力側及び出力側
の外部端子(同軸アダプター)11に接続されている。
この状態が測定待機状態である。
【0076】次に、図5は本発明の実施形態1に係る特
性測定装置に半導体装置100を装着した状態を示す断
面図である。
【0077】特性測定対象である半導体装置100は、
押えノズル10の凹部により位置決めされつつ、下方に
適度な圧力で押しつけられる。半導体装置100は、ス
ラグ114とスラグ用コンタクタ1aとが接触し、リー
ド端子113とリード端子用コンタクタ1bとが接触し
た位置から、さらに0.1〜0.3mm程度下方に、押
し付けられた位置で保持される。
【0078】このとき、スラグ用コンタクタ1aとリー
ド端子用コンタクタ1bは、可動部としての自由端がそ
れぞれ下方に押されることにより板ばね状にたわみ、そ
れぞれがスラグ114とリード端子113の表面を摺動
することにより、いわゆる「ワイピング効果」で良好な
電気的接続状態を得ることができる。
【0079】一方、電気的接続治具1と配線基板7と
は、スラグ用コンタクタ1aの固定部が配線基板7のメ
タライズ面8aに固定されるとともに、リード端子用コ
ンタクタ1bの固定部である屈曲部1b1が配線基板7
の接続端子8bに固定された状態で、ハウジング5と台
座6とにより固定されているので、半導体装置100を
脱着する際に、全く可動しない。このため、配線基板7
のメタライズ面8aと接続端子8bは摩耗することがな
いので、電気的接続治具1と常に良好な電気的接続状態
を得ることができる。
【0080】また、電気的接続治具1はハウジング5と
台座6とに挟み込まれ、ネジ止めされているので、電気
的接続治具1の交換が必要となった場合には、容易に交
換可能である。
【0081】さらに、ハウジング5には、開口部が設け
られ、その開口部内壁が押えノズル10の下降を案内す
るので、半導体装置100の位置合わせを容易に行うこ
とができる。
【0082】図6は、本発明の実施形態1の特性測定装
置を用いて半導体装置の特性評価をしたときに電気的接
続治具1に働く電気力線Lを説明する図である。
【0083】電気的接続治具1は多層構造となってお
り、スラグ用コンタクタ1aを接地状態にし、その上層
に下層ベースフィルム2aを介して、リード端子用コン
タクタ1bを配置し、リード端子用コンタクタ1bを信
号線としているので、信号線の電気力線Lは、そのほと
んどが下方に位置する接地状態のスラグ用コンタクタ1
aに向かってほぼ垂直に達する。このため、隣接する信
号線間、すなわちリード端子用コンタクタ1b間におい
て、相互に電気力線Lの影響を受けることがなく、その
結果としてクロストークを低減することができる。
【0084】また、信号線であるリード端子用コンタク
タ1bの幅と、リード端子用コンタクタ1bとスラグ用
コンタクタ1aとの間、またはリード端子用コンタクタ
1bとメタライズ面8aとの間にある下層ベースフィル
ム2aの厚さを調整することにより、容易にマイクロス
トリップ線路を形成することができるので、所望の特性
インピーダンス値を得ることができる。すなわち、半導
体装置100のリード端子113近傍までインピーダン
ス整合を取って特性評価を行うことができる。
【0085】なお、マイクロストリップ線路とは、汎用
されているプリント基板やポリイミドフィルム等のシー
ト状誘電体の上下に幅の狭い帯状の導体(ストリップ導
体)と幅の広い導体とを配した構造の伝送線路のこと
で、数100MHzを超える高周波数の信号伝送に適し
ているとともに、幅の広い導体を接地電極とすることに
より、その高周波数の信号伝送のための50Ω、75Ω
等のインピーダンス整合線路を最も簡易かつ平面的に形
成できる利点を持つ。このため、現在では、マイクロス
トリップ線路は、携帯電話の実装基板やマイクロ波通信
機器など、広く工業上用いられている。
【0086】また、特性インピーダンスを50Ωの一定
値にしたマイクロストリップ線路を形成するためには、
下層ベースフィルム2aの誘電率を5、厚みをT、リー
ド端子用コンタクタ1bの幅をWとすると、W/T=
1.5程度にすれば良い。例えば、下層ベースフィルム
2aの誘電率を5、厚みを200μm、リード端子用コ
ンタクタ1bの幅を300μmにすれば、50Ωのマイ
クロストリップ線路を形成することができる。
【0087】なお、下層ベースフィルム2aまたは上層
ベースフィルム2bの絶縁性のフィルム上に、スラグ用
コンタクタ1aまたはリード端子用コンタクタ1bの導
電性配線を形成し、導電性配線の一部を折り曲げ加工す
ることは、TCP(テープキャリアパッケージ)形成技
術と同じであり、既存の技術で製造可能である。
【0088】また、本実施形態においては、絶縁性のフ
ィルムである下層ベースフィルム2aを挟んで、リード
端子用コンタクタ1bとスラグ用コンタクタ1aを配設
する構成を例に説明を行ったが、特にこれに限定するも
のではない。信号線を形成した絶縁性のフィルムを更に
多層構造とし、リード端子用コンタクタ1bを2層以上
で形成しても良い。この場合、半導体装置100のリー
ド端子113が多い場合の対応が容易になる。
【0089】さらに、リード端子用コンタクタ1bを2
層以上で形成する場合、異なるリード端子用コンタクタ
1bを形成した絶縁性フィルム層の層間にスラグ用コン
タクタ1aまたは接地線を形成した絶縁性フィルムを挟
み込んでサンドイッチ構造としても良い。
【0090】また、本実施形態では、スラグ用コンタク
タ1aはスラグ114との接触面積を大きくし、放熱性
や低インダクタンス化の効果を大きくするため、幅広の
板状の形状としたが、本実施形態で示したリード端子用
コンタクタ1bのような細長い板状のものを複数使用し
ても良い。
【0091】また、スラグ用コンタクタ1aを設けず
に、多層すべてリード端子用コンタクタ1bにしても良
い。すなわち、実施形態1では、スラグ用コンタクタ1
aを含む例で説明しているが、半導体装置がスラグ端子
を持っていない場合(GNDがリード端子)には、すべ
てリード端子用コンタクタ1bであっても良い。
【0092】(実施形態2)図9は本発明の実施形態2
に係る特性測定装置の接点構造を説明する図であり、図
7に示した半導体装置101の外形形状に適合する形状
の電気的接続治具1の一例を示している。また、図9
(a)は電気的接続治具の上面図、図9(b)は図9
(a)のZ−Z’断面図、図9(c)は図9(a)のY
−Y’断面図である。
【0093】本発明の実施形態2の電気的接続治具1
は、前述した実施形態1と比べて、導電性配線が多層化
されていない点において異なっている。
【0094】図7に示した半導体装置101の場合は、
リード端子113は、半導体装置101の四方側面のう
ち、2つの側面にのみ形成されているので、リード端子
113が形成されていない、他の2つの側面から半導体
装置101のスラグ114に接続するスラグ用コンタク
タ1aを形成する構成としている。
【0095】また、実施形態2では、スラグ用コンタク
タ1aは、スラグ端子114と略同じ幅の1枚続きの板
ばねを形成しており、スラグ用コンタクタ1aの両端が
上層ベースフィルム2bと配線基板7のメタライズ面8
aとの間に挟み込まれる構造となっている。さらに、ス
ラグ用コンタクタ1aの中央部は、上層ベースフィルム
2bの開口部の中央において山状に隆起し、板ばねの可
動部として作用しながら半導体装置101のスラグ端子
114と電気的に接続する構造となっている。
【0096】また、リード端子用コンタクタ1bは、そ
の一端は配線基板7の接続端子8bに接続されるととも
に、その接続箇所の内側では、上層ベースフィルム2b
と配線基板7の樹脂部との間に挟み込まれて固定され、
他端は自由端として、上層ベースフィルム2bの開口部
の中央の方へせり上がり、半導体装置101のリード端
子113と電気的に接続する構造となっている。
【0097】図8は本発明の実施形態2に係る特性測定
装置の配線基板7の上面図(電気的接続治具1を搭載す
る面)である。メタライズ配線8dはメタライズ面8a
の4辺のうち、2辺にのみ形成されている点と、メタラ
イズ面8aがリード端子用コンタクタ1bと短絡するこ
とのないように、対向するリード端子用コンタクタ1b
間の距離より狭い範囲に形成されている点とが、図3に
示す実施形態1の場合と異なっている。上述した以外の
構成は図3に示す実施形態1の場合と同じである。
【0098】なお、実施形態1と同様の大きさでメタラ
イズ面8aを形成し、リード端子用コンタクタ1bとメ
タライズ面8aとの間に他のベースフィルムを挟む構造
とすることによって、上述したようなマイクロストリッ
プ線路を形成してもよい。
【0099】(実施形態3)図9に示した電気的接続治
具1は、図11に示すリードレス化された半導体装置に
おいても好適である。
【0100】すなわち、図11に示すリードレス化され
た半導体装置に対して使用する場合には、リード端子用
コンタクタ1bを外部接続端子121に接続し、スラグ
用コンタクタ1aを基板120の中央部に接触させる構
成とする。
【0101】この場合、リード端子用コンタクタ1bは
外部端子用コンタクタとして、また、スラグ用コンタク
タ1aは放熱用コンタクタとして作用する。つまり、ス
ラグ用コンタクタ1aを半導体装置の基板120の中央
部と接触させることにより、半導体装置からの放熱専用
経路としてスラグ用コンタクタ1aを使用することがで
きる。
【0102】なお、本発明の特性測定装置は、被測定半
導体装置の端子と測定治具上の配線基板との電気的接続
を行うための電気的接続装置を含んで構成された測定治
具で、該電気的接続装置は絶縁性フィルムを介して多層
に形成された導電性配線層を有し、多層に形成された該
導電性配線層の一方は各々該絶縁性フィルム領域から突
き出した形状でフォーミングされ該被測定半導体装置の
端子と電気的接続するための板ばね状接続端子となり、
多層に形成された該導電性配線層の別の一方は各々該測
定治具上の配線基板と電気的接続を行うための接続端子
を形成しており、該測定治具とは該測定治具上の配線基
板と電気的接続を行うための接続端子領域で電気的接続
を行いつつ固定されていても良い。
【0103】また、本発明の特性測定装置において、配
線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は接地線であ
り、被測定半導体装置の接地端子と電気的接続されてい
る構成としても良い。
【0104】また、本発明の特性測定装置において、配
線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は面形状をした
接地面であり、被測定半導体装置の接地面と電気的に接
続されている構成としても良い。
【0105】また、本発明の特性測定装置において、板
ばね状接続端子は、被測定半導体装置の設置面に合わせ
た幅広の板ばね形状をもつ構成としても良い。
【0106】また、本発明の特性測定装置において、配
線基板と接する絶縁性フィルム上の配線は面形状をした
接地面と、この接地面とは絶縁性フィルムを介して別の
層に形成された配線とは、絶縁性フィルムを介してマイ
クロストリップ線路を形成する構成としても良い。
【0107】また、本発明の特性測定装置において、絶
縁性フィルム上の設置配線もしくは接地配線面は、接地
配線もしくは接地配線面と電気的接続する配線基板上の
接続端子部領域及び被測定半導体装置搭載領域下部に形
成されているスルーホールを介して配線基板の別の面の
導電性面と電気的に接続され、かつ、導電性面と測定治
具とは電気的に接続されている構成としても良い。
【0108】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配線基板の接続端子を摩耗させることなく、半導体装置
の端子と配線基板の端子とを接続する導電性配線を太く
短くできる。
【0109】以下、本発明による効果を請求項毎に記載
する。
【0110】・本発明の電気的接続治具は、半導体装置
と配線基板との電気的接続を行う電気的接続治具であっ
て、該電気的接続治具は、板ばね状に形成された導電性
配線を有しており、該導電性配線は、配線基板上の所定
の配線パターンと電気的に接続した状態で配線基板に固
定される固定部と、半導体装置の接続端子と接触して電
気的に接続を行う可動部とを有していることを特徴とす
る。
【0111】本発明の構成によれば、半導体装置と配線
基板との電気的接続を、電気的接続治具を介して行う際
に、電気的接続治具が配線パターンに対し摺動すること
がない。したがって、配線パターンに形成された接続端
子が摩耗しない。
【0112】これにより、半導体装置と配線基板との電
気的接続を長期にわたり安定化させることができるの
で、量産のテスト工程に非常に適した構造の電気的接続
治具を提供することができる。
【0113】また、電気的接続治具の該導電性配線を板
ばね状に形成したことにより、板ばねの幅を広く取るだ
けで、簡単に導電性配線を太くすることができる。
【0114】しかも、導電性配線自体に弾性要素として
の特性を持たせたから、導電性配線を半導体装置に押し
付けて電気的接続状態を保つための弾性要素を別部材と
して設ける必要が無い。したがって、 弾性要素の経時
的な熱的劣化の問題が発生せず、さらに、電気的接続治
具の構造が簡単になる分、導電性配線の長さを必要最小
限の最短に設計することも容易となる。
【0115】これにより、半導体装置と配線基板までの
信号経路を太くかつ短くすることができるので、特に高
周波特性に悪影響を与える対接地側の電気的接続治具の
寄生インダクタンスが小さくなる。また、電気的接続治
具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うことも
できる。
【0116】・本発明の電気的接続治具の前記導電性配
線は、絶縁性フィルムを介して多層化されるとともに、
下層の導電性配線ほど配線が長いことを特徴とする。
【0117】本発明の構成によれば、絶縁性フィルムを
介して前記導電性配線を多層化し、かつ、下層の導電性
配線ほど導電性配線を長くすることにより、下層の導電
性配線ほど半導体装置に形成された複数の接続端子の
内、遠い位置の接続端子に接触することができる。すな
わち、絶縁性フィルムを介して導電性配線を多層化し、
下層の導電性配線ほど長くすると、半導体装置に接触で
きる導電性配線の数を増やすことができ、接続端子の数
の多い半導体装置に適応することができる。また、上層
の導電性配線と下層の導電性配線とは、絶縁性フィルム
が介在する分、高低差を持っているため、互いの短絡を
回避することが可能である。
【0118】これにより、より多数の接続端子を、より
多様なレイアウトで形成した半導体装置に適合した電気
的接続治具を提供することができる。
【0119】・本発明の電気的接続治具は、接地線とし
て用いる導電性配線と、信号線として用いる導電性配線
とを別の層に形成したことを特徴とする。
【0120】本発明の構成によれば、前述のように、下
層の導電性配線ほど配線を長くしているので、別々の層
に形成した接地線用導電性配線と、信号線用導電性配線
とは、配線の長さが異なり、半導体装置の異なる位置に
形成された接続端子と接続することができる。この結
果、接地線用の接続端子および信号線用の接続端子の、
それぞれの形成数および形成幅等に合わせて、接地線用
導電性配線および信号線用導電性配線を設けることが容
易となる。
【0121】・本発明の電気的接続治具は、前記絶縁性
フィルムを介して対向配置された接地線として用いる導
電性配線と信号線として用いる導電性配線とが、マイク
ロストリップ線路を形成していることを特徴とする。
【0122】本発明の構成によれば、半導体装置の接続
端子近傍まで、特性インピーダンスを一定値にしてイン
ピーダンス整合を図ることができる。
【0123】また、マイクロストリップ線路を形成する
場合には、信号線用導電性配線から絶縁性フィルムを介
して真下の接地線用導電性配線に向かう電気力線が形成
されるので、隣接の信号線用導電性配線の電気力線が相
互に影響を受けにくくなる。これにより、隣接する信号
線用導電性配線間のクロストークを低減することができ
る。
【0124】・本発明の電気的接続治具における接地線
として用いる導電性配線は、半導体装置に形成された接
地端子の形状に合わせて、幅広に形成されていることを
特徴とする。
【0125】本発明の構成によれば、半導体装置の接地
端子と導電性配線とを太い配線で接続することができ
る。これにより、電気的接続治具を半導体装置の特性測
定装置に用いる場合に、特性測定装置における電気的接
続治具の寄生インダクタンスを小さくすることができ
る。特に、高周波特性に悪影響を与える対接地側のイン
ダクタンスの低減に効果がある。さらに、電気的接続治
具を介して半導体装置からの放熱を効率よく行うことも
できる。
【0126】・本発明の半導体装置の特性測定装置は、
半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接続を行い、前
記半導体装置の特性測定を行う、半導体装置の特性測定
装置であって、該特性測定装置は、少なくとも、電気的
接続治具と、前記外部装置と電気的に接続された配線基
板と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを搭載する
台座と、前記電気的接続治具と前記配線基板とを台座に
固定するハウジングとを有しており、前記電気的接続治
具は、上述した構成の電気的接続治具のいずれかである
ことを特徴とする。
【0127】本発明の構成によれば、上述の電気的接続
治具を介して、半導体装置と外部装置との信号経路を太
くかつ短くすることができる。また、ハウジングによ
り、電気的接続治具と配線基板とを台座に固定するの
で、導電性配線と配線基板が摺動することがなく、配線
基板の接続端子が摩耗しない。
【0128】これにより、半導体装置と配線基板までの
信号経路を太くかつ短くすることができるので、電気的
接続治具の寄生インダクタンスが小さくなる。また、半
導体装置の特性評価のために、繰り返し使用しても配線
基板の接続端子が摩耗しないので長期間使用することが
できる。さらに、電気的接続治具を介して半導体装置か
らの放熱を効率よく行うこともできる。
【0129】・本発明の半導体装置の特性測定装置にお
ける前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可能な開口
部が形成されており、前記電気的接続治具の導電性配線
の可動部が該開口部内に突出していることを特徴とす
る。
【0130】本発明の構成によれば、被測定物である半
導体装置を該開口部内に嵌入させることにより、導電性
配線の可動部に半導体装置を当接させることができる。
したがって、その当接部位に端子が形成された半導体装
置であれば、該開口部内に嵌入させることにより、導電
性配線を介して配線基板に電気的に接続することがで
き、特性の測定を行うことができる。
【0131】このとき、前記ハウジングの開口部が半導
体装置の搭載ガイドとして作用するので、半導体装置の
端子と電気的接続治具との電気的接続を良好に行うこと
ができる。
【0132】・本発明の半導体装置の特性測定装置にお
ける前記台座には接地電極が形成され、前記配線基板に
は、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具の接地線
として用いる導電性配線とを電気的に接続するスルーホ
ールを有していることを特徴とする。
【0133】本発明の構成によれば、配線基板を台座に
搭載するだけで、前記台座の接地電極と前記電気的接続
治具の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続
するための回路を形成することができる。したがって、
配線基板に形成する配線パターンの簡素化に寄与する。
【0134】また、配線基板を搭載する台座の搭載面を
活用して、大面積の接地電極を形成することができるの
で、安定した接地を取りやすくなる効果、およびスルー
ホールの形成位置の自由度が増す効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る特性測定装置の断面
図である。
【図2】上記特性測定装置の接点構造を説明する図であ
り、図2(a)は電気的接続治具の上面図、図2(b)
は図2(a)のX−X’断面図である。
【図3】上記特性測定装置の配線基板における、電気的
接続治具を搭載する面を示す上面図である。
【図4】上記特性測定装置の測定待機状態を示す要部断
面図である。
【図5】上記特性測定装置に半導体装置を装着した状態
を示す要部断面図である。
【図6】上記特性測定装置を用いて半導体装置の特性評
価をした場合に電気的接続治具に働く電気力線を説明す
る図である。
【図7】本実施形態2で特性測定対象とした半導体装置
の概略図であり、図7(a)は裏面図、図7(b)は側
面図である。
【図8】本発明の実施形態2に係る特性測定装置の配線
基板における、電気的接続治具を搭載する面を示す上面
図である。
【図9】上記実施形態2に係る特性測定装置の接点構造
を説明する図であり、図9(a)は電気的接続治具の上
面図、図9(b)は図9(a)のZ−Z’断面図、図9
(c)は図9(a)のY−Y’断面図である。
【図10】本実施形態1で特性測定対象とした半導体装
置の概略図であり、図10(a)は裏面図、図10
(b)は側面図、図10(c)はa−a’断面図であ
る。
【図11】本実施形態3で特性測定対象としたリードレ
ス化された半導体装置の概略図であり、図11(a)は
断面図、図11(b)は裏面図である。
【図12】従来の特性測定装置に使用される電気的接続
治具(コンタクタ)の形状を示す図であり、図12
(a)はU字型コンタクタ、図12(b)はスプリング
プローブピンである。
【符号の説明】
1…電気的接続治具 1a…スラグ用コンタクタ、(接地線として用いる導電
性配線) 1b…リード端子用コンタクタ、(信号線として用いる
導電性配線) 2a…下層ベースフィルム(絶縁性フィルム) 2b…上層ベースフィルム(絶縁性フィルム) 5…ハウジング 6…台座 7…配線基板 8a…メタライズ面 8b…接続端子(配線パターン) 8c…全面メタライズ面 8d…メタライズ配線(配線パターン) 9…スルーホール 10…押さえノズル 11…外部端子(同軸アダプター) 20…特性測定装置 100…半導体装置 101…半導体装置

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置と配線基板との電気的接続を行
    う電気的接続治具であって、 該電気的接続治具は、板ばね状に形成された導電性配線
    を有しており、 該導電性配線は、配線基板上の所定の配線パターンと電
    気的に接続した状態で配線基板に固定される固定部と、
    半導体装置の接続端子と接触して電気的に接続を行う可
    動部とを有していることを特徴とする電気的接続治具。
  2. 【請求項2】前記導電性配線は、絶縁性フィルムを介し
    て多層化されるとともに、下層の導電性配線ほど配線が
    長いことを特徴とする請求項1に記載の電気的接続治
    具。
  3. 【請求項3】接地線として用いる導電性配線と、信号線
    として用いる導電性配線とを別の層に形成したことを特
    徴とする請求項2に記載の電気的接続治具。
  4. 【請求項4】前記絶縁性フィルムを介して対向配置され
    た接地線として用いる導電性配線と信号線として用いる
    導電性配線とが、マイクロストリップ線路を形成してい
    ることを特徴とする請求項3に記載の電気的接続治具。
  5. 【請求項5】接地線として用いる導電性配線は、半導体
    装置に形成された接地端子の形状に合わせて、幅広に形
    成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいず
    れか1項に記載の電気的接続治具。
  6. 【請求項6】半導体装置を搭載し、外部装置と電気的接
    続を行い、前記半導体装置の特性測定を行う、半導体装
    置の特性測定装置であって、 該特性測定装置は、少なくとも、電気的接続治具と、前
    記外部装置と電気的に接続された配線基板と、前記電気
    的接続治具と前記配線基板とを搭載する台座と、前記電
    気的接続治具と前記配線基板を台座に固定するハウジン
    グとを有しており、 前記電気的接続治具は、請求項1から5のいずれか1項
    に記載の電気的接続治具であることを特徴とする半導体
    装置の特性測定装置。
  7. 【請求項7】前記ハウジングには、半導体装置を嵌入可
    能な開口部が形成されており、前記電気的接続治具の導
    電性配線の可動部が該開口部内に突出していることを特
    徴とする請求項6に記載の半導体装置の特性測定装置。
  8. 【請求項8】前記台座には接地電極が形成され、前記配
    線基板には、前記台座の接地電極と前記電気的接続治具
    の接地線として用いる導電性配線とを電気的に接続する
    スルーホールを有していることを特徴とする請求項6ま
    たは7に記載の半導体装置の特性測定装置。
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