JP7015633B2 - 電子モジュール及び電子モジュールシステム - Google Patents

電子モジュール及び電子モジュールシステム Download PDF

Info

Publication number
JP7015633B2
JP7015633B2 JP2016247378A JP2016247378A JP7015633B2 JP 7015633 B2 JP7015633 B2 JP 7015633B2 JP 2016247378 A JP2016247378 A JP 2016247378A JP 2016247378 A JP2016247378 A JP 2016247378A JP 7015633 B2 JP7015633 B2 JP 7015633B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature detection
electronic element
detection unit
temperature
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016247378A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018101710A (ja
Inventor
亮司 桑野
健一 鈴木
貴司 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2016247378A priority Critical patent/JP7015633B2/ja
Publication of JP2018101710A publication Critical patent/JP2018101710A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7015633B2 publication Critical patent/JP7015633B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、電子モジュール及び電子モジュールシステムに関する。
複数の電子素子を封止部内に有する電子モジュールが知られている。電子素子の一例としては半導体素子を挙げることができ、電子モジュールの一例としては半導体モジュールを挙げることができる。半導体モジュールとしては、基板と、基板上に設けられた複数の半導体素子と、半導体素子を覆う封止部と、を有するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2013-171852号公報
半導体素子等の電子素子の温度を検知するために、温度検知部を封止部内に設けることが考えられる。実装面積の制約から利用できるコネクタ等の接続部の端子数が限られるので、封止部内に一つの温度検知部を設け、電子素子等の配置の邪魔にならないよう端部近辺に温度検知部を設けられることが考えられる。しかしながら、一つの温度検知部では、当該温度検知部からの距離が遠い電子素子における発熱異常を迅速かつ確実に検知できない可能性がある。とりわけ、複数ある電子素子のうちのいずれの電子素子で不具合が発生するか予想できない場合には、温度検知部を適切な位置に予め配置することが難しい。また、利用できる接続部の数が設計上決まっていることが多い。
このような点に鑑み、本発明は、接続部の数を増やすことなく、電子素子における発熱異常を迅速かつ確実に検知できる電子モジュール及び電子モジュールシステムを提供する。
本発明による電子モジュールの一態様は、
接続部と、
前記接続部に接続された第一温度検知部と、
前記第一温度検知部と直列又は並列に接続された第二温度検知部と、
複数の電子素子と、
を備え、
前記第一温度検知部は第一電子素子群に含まれる前記電子素子の温度を検知するために用いられ、前記第二温度検知部は前記第一電子素子群とは異なる第二電子素子群に含まれる前記電子素子の温度を検知するために用いられてもよい。
本発明による電子モジュールの一態様において、
乗り物のモータで用いられてもよい。
本発明による電子モジュールの一態様において、
前記モータは3相モータであり、
前記電子素子は6個以上設けられ、
前記第一電子素子群及び前記第二電子素子群の各々は4個以上の前記電子素子を有し、
前記第一電子素子群に含まれる前記電子素子と前記第二電子素子群に含まれる前記電子素子とは一部で重複してもよい。
本発明による電子モジュールの一態様において、
前記第一電子素子群に含まれる電子素子から前記第一温度検知部までの距離の各々は対応しており、
前記第二電子素子群に含まれる電子素子から前記第二温度検知部までの距離の各々は対応してもよい。
本発明による電子モジュールの一態様において、
前記第一電子素子群に含まれる電子素子から前記第一温度検知部までの距離の平均値と、前記第二電子素子群に含まれる電子素子から前記第二温度検知部までの距離の平均値とは対応する値になっていてもよい。
本発明による電子モジュールの一態様において、
前記第一温度検知部と前記第二温度検知部は異なる種類の温度検知装置であってもよい。
本発明による電子モジュールシステムの一態様は、
前述したいずれかの電子モジュールと、
前記第一温度検知部又は前記第二温度検知部からの検知結果に基づき異常を判断する判断部と、
を備えてもよい。
本発明では、接続部に接続された第一温度検知部と、この第一温度検知部と直列又は並列に接続された第二温度検知部が設けられており、第一温度検知部は第一電子素子群の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部は第一電子素子群とは異なる電子素子を含む第二電子素子群の温度を検知するために用いられる。このため、接続部の数を増やすことなく、いずれの電子素子で発熱異常が発生しても当該発熱異常を迅速かつ確実に検知できる。
図1は、本発明の第1の実施の形態の一例による電子モジュールを示した平面図である。 図2は、本発明の第1の実施の形態の別の例による電子モジュールを示した平面図である。 図3は、本発明の第1の実施の形態による電子モジュールシステムを示した平面図である。 図4は、本発明の第1の実施の形態による電子モジュールにおける第一電子素子群と第二電子素子群を示した平面図である。 図5は、本発明の第2の実施の形態による電子モジュールを示した平面図である。 図6は、本発明の第2の実施の形態による電子モジュールを示した平面図である。
第1の実施の形態
《構成》
図1及び図2に示すように、本実施の形態の電子モジュールは、基板80と、基板80を覆うようにして設けられた封止部90(図3参照)と、基板80上であって封止部90内に設けられた複数の電子素子50と、封止部90内に設けられ、端子71を有する接続部70と、基板80上に設けられ、接続部70に接続された第一温度検知部11と、基板80上に設けられ、第一温度検知部11と直列又は並列に接続された第二温度検知部12と、を有してもよい。接続部70は電子素子50とも接続されており、接続部70を介しえ電子素子50に電力が供給されるようになってもよい。電子素子50の一例として半導体素子を挙げることができ、電子モジュールの一例として半導体モジュールを挙げることができる。接続部70は複数設けられてもよいが、一つだけしか設けられていなくてもよい。本実施の形態では、以下主に、一つの接続部70だけが用いられている態様を用いて説明する。また、本実施の形態において「温度検知部10」とは、第一温度検知部11、第二温度検知部12、又は、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の両方を意味している。
図1に示す態様では、第一温度検知部11と第二温度検知部12が直列で接続され、図2に示す態様では、第一温度検知部11と第二温度検知部12が並列で接続されている。図1及び図2では、第一温度検知部11、第二温度検知部12及び接続部70の端子71を接続した配線40を示しているが、その他の図面では、配線を省略している。
第一温度検知部11は第一電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部12は第一電子素子群とは異なる第二電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知するために用いられてもよい(図4参照)。第一温度検知部11によって第二電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知することも可能ではあるが、電子素子50との距離の関係から、第一温度検知部11が第一電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知することが想定されている。同様に、第二温度検知部12によって第一電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知することも可能ではあるが、電子素子50との距離の関係から、第二温度検知部12が第二電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知することが想定されている。
温度検知部10としては、例えばサーミスタ、ダイオード等を用いてもよい。温度検知部10としてサーミスタが用いられる場合には、サーミスタにおける抵抗値の変化による電流又は電圧の変化に基づき、電子素子50に温度に関する異常(発熱異常)が発生したことを検知できるようになってもよい。サーミスタとしては、温度が上がった場合になだらかに抵抗値が高くなるものを用いてもよいし、温度が上がった場合になだらかに抵抗値が低くなるものを用いてもよい。また、このような態様に限られることはなく、サーミスタとしては、閾値温度まではほぼ一定の抵抗値であり、閾値温度を超えた場合に急激に抵抗値が高くなるもの又は急激に抵抗値が低くなるものを用いてもよい。このように急激に抵抗値が高くなる又は急激に抵抗値が低くなるサーミスタを採用することで、発熱異常を効率よく検知することができる点で有益である。なお、温度検知部10としてダイオードを用いる場合には、温度検知部10同士(例えば第一温度検知部11と第二温度検知部12)は直列で接続されることになる。
第一電子素子群に含まれる電子素子50は一つでもよいし複数でもよい。第二電子素子群に含まれる電子素子50も一つでもよいし複数でもよい。第一電子素子群に含まれる電子素子50の個数と第二電子素子群に含まれる電子素子50の個数は同じでもよいし異なってもよい。なお、電子素子50の各々がMOSFET及びダイオードを含むトランジスタを構成してもよい。また、このような態様に限られることはなく、複数の電子素子部から電子素子50が構成されてもよく、一例としては、電子素子50は2つ以上の電子素子部を有してもよい。この場合には、電子素子部の各々がMOSFET及びダイオードを含むトランジスタを構成してもよい。
本実施の形態の電子モジュールは、自動車等の乗り物のモータで用いられてもよい。モータは3相モータであってもよい。また、電子素子50は6個以上設けられてもよい。第一電子素子群及び第二電子素子群の各々は4個以上の電子素子50を有してもよい。第一電子素子群に含まれる電子素子50と第二電子素子群に含まれる電子素子50とは一部で重複してもよい。図4に示す態様では、第一電子素子群に4個の電子素子50が含まれ、第二電子素子群に4個の電子素子50が含まれている。そして、中心に位置する2個の電子素子50は、第一電子素子群及び第二電子素子群の各々に含まれている。
第一電子素子群に含まれる電子素子50から第一温度検知部11までの距離の各々は対応し、第二電子素子群に含まれる電子素子50から第二温度検知部12までの距離の各々は対応してもよい。本実施の形態において「距離が対応する」とは、平均距離からの差分が10%以内となっていることを意味し、平均距離をL0とした場合に、温度検知部10から電子素子50までの距離Lが0.9L0≦L≦1.1L0となることを意味する。したがって、第一電子素子群に含まれる電子素子50から第一温度検知部11までの距離の各々が対応している場合には、第一電子素子群に含まれる電子素子50から第一温度検知部11までの距離の平均距離をL01とした場合に、第一電子素子群に含まれる電子素子50から第一温度検知部11までの距離のいずれもが0.9L01以上1.1L01以下となっていることを意味する。同様に、第二電子素子群に含まれる電子素子50から第二温度検知部12までの距離の各々が対応している場合には、第二電子素子群に含まれる電子素子50から第二温度検知部11までの距離の平均距離をL02とした場合に、第二電子素子群に含まれる電子素子50から第二温度検知部12までの距離のいずれもが0.9L02以上1.1L02以下となっていることを意味する。なお、本実施の形態で「距離」とは、中心位置を結んだ距離を意味する。電子素子50と第一温度検知部11との間の距離は、電子素子50の中心と第一温度検知部11の中心とを結んだときの距離であり、電子素子50と第二温度検知部12との間の距離は、電子素子50の中心と第二温度検知部12の中心とを結んだときの距離である。
第一電子素子群に含まれる電子素子50から第一温度検知部11までの距離の平均値(平均距離L01)と、第二電子素子群に含まれる電子素子50から第二温度検知部12までの距離の平均値(平均距離L02)とは対応する値になっていてもよい。この場合には、平均距離L01と平均距離L02の各々が、平均距離L01と平均距離L02の平均値(平均距離)La12に対して10%以内の値(距離)になっていることを意味し、0.9La12≦L01≦1.1La12となり、かつ、0.9La12≦L02≦1.1La12となることを意味する。
第一温度検知部11と第二温度検知部12は同じ種類からなる温度検知装置から構成されてもよいが、第一温度検知部11と第二温度検知部12は異なる種類の温度検知装置から構成されてもよい。一例としては、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の一方は、第一閾値温度まではほぼ一定の抵抗値であり、第一閾値温度を超えた場合に急激又はなだらかに抵抗値が高くなるサーミスタであり、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の他方は、第二閾値温度まではほぼ一定の抵抗値であり、第二閾値温度を超えた場合に急激又はなだらかに抵抗値が低くなるサーミスタであってもよい。別の例としては、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の一方は、温度が高くなるにつれてなだらかに抵抗値が高くなるサーミスタであり、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の他方は、温度が高くなるにつれてなだらかに抵抗値が低くなるサーミスタであってもよい。さらに別の例としては、第一温度検知部11で発熱異常が検知された場合に発信される信号の大きさ、信号の発信の仕方、信号の波形等のいずれかの要素が、第二温度検知部12で発熱異常が検知された場合に発信される信号の大きさ、信号の発信の仕方、信号の波形等のいずれかの要素と異なっていてもよい。
図3に示すように、本実施の形態の電子モジュールは、第一温度検知部11又は第二温度検知部12からの検知結果に基づき異常を判断する判断部110に接続されてもよい。第一温度検知部11と第二温度検知部12は異なる種類の温度検知装置から構成されている態様を採用した場合には、判断部110は、第一温度検知部11と第二温度検知部12のいずれが異常を検知したかも判断するようにしてもよい。判断部110としては、例えば、電流値及び電圧値とを測定して抵抗の値を測定する抵抗測定装置を用いることができる。そして、抵抗値が急激又はなだらかに抵抗値が高くなった場合には、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の一方(例えば第一温度検知部11)で発熱異常を検知したと判断し、抵抗値が急激又はなだらかに抵抗値が低くなった場合には、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の他方(例えば第二温度検知部12)で発熱異常を検知したと判断してもよい。
本実施の形態の電子モジュールシステムは、電子モジュール及び判断部110を有してもよい。また、本実施の形態の電子モジュールシステムは、自動車等で利用される3相モータ等のモータを駆動するために用いられる電源装置に利用されてもよい。
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態におる作用・効果であって、未だ説明していない作用・効果について説明する。なお、「作用・効果」で説明した構成も、適宜採用することができる。
本実施の形態において、接続部70に接続された第一温度検知部11と、この第一温度検知部11と直列又は並列に接続された第二温度検知部12が設けられており、第一温度検知部11は第一電子素子群の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部12は第一電子素子群とは異なる電子素子50を含む第二電子素子群の温度を検知するために用いられる態様を採用した場合には、接続部70の数、また接続部70に含まれる端子71の数を増やすことなく、いずれの電子素子50で発熱異常が発生しても当該発熱異常を迅速かつ確実に検知できる。
また、このような態様を採用することで、コネクタ等の接続部70に含まれる接続ピン等の端子71が限られている場合であっても、少ない数(例えば2つ)の端子71を用いて、複数の電子素子群における電子素子50の発熱に関する異常を効率よく検知することができる。
このように限られた数の端子71しか利用しないことから、温度検知部10のために接続部70を別途設ける必要がなく、例えば一つの接続部70だけを利用する態様を採用することができる。この結果、従前と比較して、電子モジュールの大きさを大きくすることなく、複数の電子素子群における電子素子50の発熱に関する異常を効率よく検知することができる。
封止部90で封止された場合、特に熱伝導性の低い封止部90で封止された場合には、電子素子50で発熱異常が発生しても熱の広がり遅くなり、その結果として温度検知部10による発熱異常の検知が遅くなることがある。この点、本実施の形態のように複数の温度検知部10を利用することで封止部90(特に熱伝導性の低い封止部90)に封止された態様であっても、より迅速に発熱異常を検知することができる。
本実施の形態の電子モジュールが自動車等の乗り物のモータで用いられる場合には、より有益である。自動車等の乗り物が脱輪したり異物に乗り上げたりした場合には、モータが回転しないモータロックの状態になることがある。このようにモータロックが生じた場合には、モータ等に用いられる電子モジュールの電子素子50の発熱が大きくなってしまうことがある。モータロックがかかる位置は定まっていないことから、複数の電子素子50のうちのいずれの電子素子50の発熱が大きくなるかは予想できず、仮に温度検知部10を設けるとしても、どの位置に設けることが良いかは判断が難しい。この点、本実施の形態のように、第一温度検知部11が第一電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部12が第二電子素子群に含まれる電子素子50の温度を検知するために用いられることで、いずれの電子素子50に関して発熱等の熱に関する異常が発生しても、当該異常を素早く検知することができる点で有益である。
なお、仮に一つの温度検知部10しか用いない場合には、当該温度検知部10で発熱異常を検知しようとしても、電子素子50からの距離が遠い場合には、当該発熱異常を検知できないか、または検知できたとしても当該検知までにかなり時間がかかってしまうことが考えられる。
電子モジュールが3相モータに利用される場合には、各相に対して2個以上の電子素子50が用いられ、合計6個以上の電子素子50が用いられることが想定される。この場合には、発熱しうる電子素子50の数が多くなることに加え、電子モジュールの大きさがある程度大きくなってしまう。このため、本実施の形態のように、利用する端子71の数を増やすことなく、複数の温度検知部10によって電子素子50の発熱異常を検知できることは有益なものとなる。
温度検知部10の数を増やすことで、電子素子50の発熱異常の検知する感度を挙げることができるが、他方、温度検知部10の数を制限する(例えば2つだけとする)ことで、温度検知部10を導入することによって必要になるコストやスペースを制限することができる点で有益である。
ある電子素子群に含まれる電子素子50から対応する温度検知部10までの距離の各々が対応している態様を採用する場合には、当該電子素子群に含まれる電子素子50のいずれで発熱異常が発生しても、(電子素子群内に含まれる電子素子50同士について)同程度の感度で検知することができる点で有益である。
ある電子素子群に含まれる電子素子50から対応する温度検知部10までの距離の平均値が、別の電子素子群に含まれる電子素子50から対応する温度検知部10までの距離の平均値と対応する値になっている態様を採用する場合には、いずれの電子素子群に含まれる電子素子50で発熱異常が発生しても、(電子素子群同士について)同程度の感度で検知することができる点で有益である。
ある電子素子群に含まれる電子素子50を測定するための温度検知部10と、別の電子素子群に含まれる電子素子50を測定するための温度検知部10とが異なる種類の温度検知装置である場合には、どの電子素子群に含まれる電子素子50に異常が発生したかを検知することができる点で有益である。複数の温度検知部10の各々が同じ種類の温度検知装置である場合には、どの温度検知部10によって発熱異常が検知されたかが分からない。このため、あえて異なる種類の温度検知装置を採用することで、どの電子素子群に含まれる電子素子50に異常が発生したかを判断しやすくできる。
一例として、第一温度検知部11と第二温度検知部12の2つの温度検知部10しか用いられていない場合には、各温度検知部10で異常を検知した際の挙動が異なることから、第一電子素子群と第二電子素子群のいずれで異常を検知したかを特定することができる。例えば、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の一方に、第一閾値温度まではほぼ一定の抵抗値であり、第一閾値温度を超えた場合に急激又はなだらかに抵抗値が高くなる(第一閾値を超えた場合に抵抗値の増加割合が大きくなる)サーミスタを採用し、第一温度検知部11及び第二温度検知部12の他方に、第二閾値温度まではほぼ一定の抵抗値であり、第二閾値温度を超えた場合に急激又はなだらかに抵抗値が低くなる(第二閾値を超えた場合に抵抗値の減少割合が大きくなる)サーミスタを採用した場合には、抵抗値が急激に高くなったときには第一温度検知部11及び第二温度検知部12の一方(例えば第一温度検知部11)に対応する電子素子群で異常が発生したことを認識でき、抵抗値が急激又はなだらかに低くなったときには第一温度検知部11及び第二温度検知部12の他方(例えば第二温度検知部12)に対応する電子素子群で異常が発生したことを認識できる。
第2の実施の形態
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
第1の実施の形態の図1乃至図4に示す態様では、第一温度検知部11及び第二温度検知部12が用いられている態様を用いて説明したが、第2の実施の形態の図5に示す態様では、第三温度検知部13も用いられる態様を用いて説明する。本実施の形態における「温度検知部10」は、第一温度検知部11、第二温度検知部12及び第三温度検知部13のいずれか1つ、いずれか2つ、又は、これらの全てを意味している。
その他の構成は、第1の実施の形態と同様であり、第1の実施の形態で説明したあらゆる構成(変形例)を採用することができる。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ又は同様の部材等については同じ符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態でも、第1の実施の形態によって実現される効果と同様の効果を得ることができる。
図5に示す態様では、第一温度検知部11が第一電子素子群に含まれる複数(2つ)の電子素子50の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部12が第二電子素子群に含まれる複数(2つ)の電子素子50の温度を検知するために用いられ、第三温度検知部13が第三電子素子群に含まれる複数(2つ)の電子素子50の温度を検知するために用いられるようになっている。第一温度検知部11と第二温度検知部12は直列又は並列に接続され、第二温度検知部12と第三温度検知部13は直列又は並列に接続されてもよい。
第1の実施の形態と比較して第2の実施の形態では、各温度検知部10によって温度が検知される電子素子50の数が少なくなっている。このため、各温度検知部10と電子素子50との間の距離を短くすることができるので、電子素子50の発熱による異常をより迅速に検知することができる。他方、利用される端子71の数は第1の実施の形態と変わらない。
第3の実施の形態
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。
第1の実施の形態の図1乃至図4に示す態様では、第一温度検知部11及び第二温度検知部12が用いられている態様を用いて説明したが、第3の実施の形態の図6に示す態様では、第三温度検知部13乃至第六温度検知部16も用いられる態様を用いて説明する。本実施の形態における「温度検知部10」は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態と同様、第一温度検知部11乃至第六温度検知部16のいずれか1つ以上を意味している。
その他の構成は、第1の実施の形態と同様であり、第1の実施の形態で説明したあらゆる構成(変形例)を採用することができる。第3の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ又は同様の部材等については同じ符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態でも、第1の実施の形態によって実現される効果と同様の効果を得ることができる。
図6に示す態様では、第一温度検知部11が第一電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられ、第二温度検知部12が第二電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられ、第三温度検知部13が第三電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられ、第四温度検知部14が第四電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられ、第五温度検知部15が第五電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられ、第六温度検知部16が第六電子素子群に含まれる1つの電子素子50の温度を検知するために用いられるようになっている。第一温度検知部11と第二温度検知部12は直列又は並列に接続され、第二温度検知部12と第三温度検知部13は直列又は並列に接続され、第三温度検知部13と第四温度検知部14は直列又は並列に接続され、第四温度検知部14と第五温度検知部15は直列又は並列に接続され、第五温度検知部15と第六温度検知部16は直列又は並列に接続されてもよい。なお、この配線構成は一例であり、第一温度検知部11乃至第六温度検知部16の配線構成は自在に変更することができる。
第1の実施の形態及び第2の実施の形態と比較して第3の実施の形態では、各温度検知部10によって温度が検知される電子素子50の数が少なくなっている。このため、各温度検知部10と電子素子50との間の距離を短くすることができるので、電子素子50の発熱による異常をより迅速に検知することができる。他方、利用される端子71の数は第1の実施の形態と変わらない。
以上の各実施の形態で見てきたように、温度検知部10をn(「n」は2以上の整数)個設けてもよい。この場合には、第一温度検知部11、第二温度検知部12、・・・、第n温度検知部を設けることになる。この場合でも、各温度検知部10は隣接する別の温度検知部10と直列又は並列に接続されてもよい。この結果、利用される端子71の数を増やすことなく、例えば「2つ」の端子71だけで、n個の電子素子群に含まれる電子素子50に関する発熱異常を検知することができる。
また、第m電子素子群(「m」は「n」以下の整数)に含まれる電子素子50から第m温度検知部10までの距離の各々は対応していてもよい。また、第m温度検知部10と第k温度検知部10(「k」は「n」以下の整数であり、「m」とは異なる整数)は異なる種類の温度検知装置であってもよい。
念のために述べておくと、第一温度検知部11及び第二温度検知部12を備えた発明の技術的範囲には、第三温度検知部13等の他の温度検知部10が別途設けられた態様も含まれている。
最後になったが、上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、特許請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
10 温度検知部
11 第一温度検知部
12 第二温度検知部
50 電子素子
70 接続部
110 判断部

Claims (6)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた6個の電子素子と、
    前記基板上に設けられ、前記6個の電子素子のうちの第一電子素子群に含まれる電子素子の温度を検知するための第一温度検知部と、
    前記基板上に設けられ、前記6個の電子素子のうちの第二電子素子群に含まれる電子素子の温度を検知するための第二温度検知部と、
    前記基板上に設けられ、前記6個の電子素子のうちの第三電子素子群に含まれる電子素子の温度を検知するための第三温度検知部と、を備え、
    前記第一温度検知部、前記第二温度検知部及び前記第三温度検知部が前記基板上の配線により直列又は並列に接続され、前記配線が前記基板上に設けられた二つのピン端子に接続されている電子モジュール。
  2. 基板と、
    前記基板上に設けられた6個の電子素子と、
    前記基板上に設けられ、前記6個の電子素子のそれぞれの温度を検知するための第一~第六温度検知部と、を備え、
    前記第一~第六温度検知部は前記基板上の配線により直列又は並列に接続され、前記配線が前記基板上に設けられた二つのピン端子に接続されている電子モジュール。
  3. 基板と、
    前記基板上に設けられた複数の電子素子と、
    前記基板上に設けられ、前記複数の電子素子のうちの第一電子素子群に含まれる電子素子の温度を検知するための第一温度検知部と、
    前記基板上に設けられ、前記複数の電子素子のうちの第二電子素子群に含まれる電子素子の温度を検知するための第二温度検知部と、を備え、
    前記第一温度検知部及び前記第二温度検知部が前記基板上の配線により直列又は並列に接続され、前記配線が前記基板上に設けられた二つのピン端子に接続され、
    前記第一及び第二温度検知部は、温度変化により抵抗値が変化し、当該抵抗値の変化による電流又は電圧の変化に基づいて、前記電子素子の温度を検知するようになっており、
    前記第一温度検知部と前記第二温度検知部は、温度変化に対する抵抗値の変化量が互いに異なる温度検知装置により構成されてい電子モジュール。
  4. 前記第一電子素子群に含まれる電子素子から前記第一温度検知部までの距離の各々は対応しており、
    前記第二電子素子群に含まれる電子素子から前記第二温度検知部までの距離の各々は対応している請求項1又は記載の電子モジュール。
  5. 前記第一電子素子群に含まれる電子素子から前記第一温度検知部までの距離の平均値と、前記第二電子素子群に含まれる電子素子から前記第二温度検知部までの距離の平均値とは対応する値になっている請求項1、3及び4のいずれかに記載の電子モジュール。
  6. 請求項1~のいずれかに記載の電子モジュールと、
    前記第一温度検知部又は前記第二温度検知部からの検知結果に基づき異常を判断する判断部と、を備えた電子モジュールシステム。
JP2016247378A 2016-12-21 2016-12-21 電子モジュール及び電子モジュールシステム Active JP7015633B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016247378A JP7015633B2 (ja) 2016-12-21 2016-12-21 電子モジュール及び電子モジュールシステム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016247378A JP7015633B2 (ja) 2016-12-21 2016-12-21 電子モジュール及び電子モジュールシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018101710A JP2018101710A (ja) 2018-06-28
JP7015633B2 true JP7015633B2 (ja) 2022-02-03

Family

ID=62714479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016247378A Active JP7015633B2 (ja) 2016-12-21 2016-12-21 電子モジュール及び電子モジュールシステム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7015633B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019009221A1 (ja) 2017-07-04 2020-06-18 日本曹達株式会社 培養装置、担体、および培養対象回収方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000324893A (ja) 1999-05-11 2000-11-24 Mitsubishi Electric Corp 電動機制御装置
JP2012075279A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Sanyo Electric Co Ltd インバータ装置及びこれを搭載した電動車両
JP2013118783A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Panasonic Corp 電力変換装置および電力変換システム
JP2015208081A (ja) 2014-04-18 2015-11-19 日産自動車株式会社 半導体素子温度推定装置
JP2016144333A (ja) 2015-02-03 2016-08-08 富士電機株式会社 相ユニット及びこれを用いた3レベル電力変換装置
JP2017017827A (ja) 2015-06-30 2017-01-19 株式会社デンソー 電子装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01286781A (ja) * 1988-05-10 1989-11-17 Fanuc Ltd 感熱素子内蔵型半導体モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000324893A (ja) 1999-05-11 2000-11-24 Mitsubishi Electric Corp 電動機制御装置
JP2012075279A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Sanyo Electric Co Ltd インバータ装置及びこれを搭載した電動車両
JP2013118783A (ja) 2011-12-05 2013-06-13 Panasonic Corp 電力変換装置および電力変換システム
JP2015208081A (ja) 2014-04-18 2015-11-19 日産自動車株式会社 半導体素子温度推定装置
JP2016144333A (ja) 2015-02-03 2016-08-08 富士電機株式会社 相ユニット及びこれを用いた3レベル電力変換装置
JP2017017827A (ja) 2015-06-30 2017-01-19 株式会社デンソー 電子装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018101710A (ja) 2018-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9989586B2 (en) Converter circuit and open-circuit detection method of the same
JP2008151530A (ja) 磁界検出用半導体集積回路
JP2017187933A (ja) 半導体装置、半導体装置の制御方法および給電システム
KR20170078827A (ko) 자동차 전력 공급 네트워크
US10850618B2 (en) Connection module for an electrical energy storage device, and power supply system
US20100289499A1 (en) Monitoring device for monitoring a terminal of a terminal component
WO2015061001A1 (en) Determining an extreme temperature location from a plurality of locations
JP2010210238A (ja) プローブカード、それを備えた半導体検査装置及びプローブカードのヒューズチェック方法
US20180231613A1 (en) Semiconductor device and battery monitoring system
JP7015633B2 (ja) 電子モジュール及び電子モジュールシステム
WO2017090352A1 (ja) 波及故障防止回路を備えた電子装置
JP2016011952A (ja) パワー半導体用試験装置
US20150346243A1 (en) Current load detection device and current load detection method
US20080117557A1 (en) Power semiconductor device
CN104081665A (zh) 布置在载体上的具有温度监视的电路装置和用于识别过热的方法
US8810252B2 (en) Solder joint inspection
JP2012207976A (ja) 電流検出装置、過電流保護装置および電流検出方法
JPWO2010100754A1 (ja) 検出システム及び電気システム
JP2011133420A (ja) スイッチ素子の温度検出方法
JP5393530B2 (ja) 太陽光発電装置
JP5151320B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2006209470A (ja) 入力モジュール
JP2006200914A (ja) 温度検出回路
US9647449B2 (en) Integrated circuit arrangement, method and system for use in a safety-critical application
US20100195257A1 (en) Circuit protector and electric connection box

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220124