JP2010210238A - プローブカード、それを備えた半導体検査装置及びプローブカードのヒューズチェック方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来のプローブカードでは、過電流保護対策用のヒューズ等の影響により信頼性の高い製品検査を行うことができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかるプローブカードは、第１の電源電圧が供給されるフォース端子１０５と、検査対象である半導体集積回路に対し第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針１０１と、フォース端子１０５とプローブ針１０１とを接続する信号線上に直列に接続されたヒューズ１０２と、を備える。さらに、プローブ針１０１とヒューズ１０２の一端との間の信号線上のノード１１９にフォース端子１０５から供給される第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路１０４と、を備える。このような回路構成により、製品検査前にヒューズの接続状態を確認することができるため、信頼性の高い半導体検査を行うことが可能である。
【選択図】図１

Description

本発明は、プローブカード、それを備えた半導体検査装置及びプローブカードのヒューズチェック方法に関する。

従来、ウエハ上に形成された半導体集積回路の電気的特性を検査することが広く行われている。この検査は、半導体検査装置にプローブカードと呼ばれる検査用治具を実装して行われる。まず、プローブカードに設けられたプローブ針を半導体集積回路の電極に接触させる。そして、半導体検査装置から半導体集積回路に検査用信号を印加する。それに対する出力信号を検出し期待値と比較することにより、半導体集積回路の電気的特性に問題がないかを検査する。このとき、半導体検査装置は、半導体集積回路に対して安定した電源電圧を供給する必要がある。しかし、従来の半導体検査装置では、プローブ針に所定の電流値以上の電流（過電流）が流れた場合、プローブ針が損傷（例えば、針焼け、針溶け）してしまう等の問題が発生していた。また、それにより、製品検査の信頼性が低下するという問題が発生していた。

この問題に対する解決策が特許文献１に示されている。図３に特許文献１にかかる半導体検査装置を示す。図３に示す回路は、リレー１と、ヒューズ２と、プローブ針３と、被測定部４と、アース（接地電圧端子）５と、測定器１０と、を備える。測定器１０から被測定部４に与えられる電流はリレー１及びヒューズ２を介し印加される。ここで、測定器１０とヒューズ２を接続しているときに、測定器１０と被測定部４との間に過電流が流れた場合を考える。この場合、ヒューズ２に流れる電流が所定の電流値を超えると、ヒューズ２が溶断される。それにより、測定器１０と被測定部４との間に電流は流れなくなる。つまり、プローブ針３にも電流は流れなくなる。このとき、プローブ針３に流れる電流が、プローブ針３に損傷を与える電流値に達する前に、ヒューズ２が溶断されるように設定しておく。それにより、過電流によるプローブ針３の損傷等を防止することができる。

しかし、図３に示す回路の場合、以下のような問題が発生する。図３に示す回路は、ヒューズ２が測定器１０と被測定部４との間に直列に接続にされている。それにより、プローブ針３に供給される電源電圧は、ヒューズ２が有する抵抗成分による電圧降下の影響を受ける。したがって、測定器１０から精度の高い電源電圧を半導体集積回路に供給することができない。そのため、製品検査の信頼性が低下してしまう可能性がある。

次に、図４に従来の半導体検査装置を示す。図４に示す回路は、プローブカード２１２と半導体検査装置本体２１３とを備えた半導体検査装置２００である。

まず、図４に示す回路の構成について説明する。半導体検査装置本体２１３は、アンプ２０９、電源電圧源２１１を備え、半導体集積回路の検査用に電源電圧を供給する。半導体検査装置本体２１３において、アンプ２０９の一方の入力端子は、基準電圧端子２１０に接続される。なお、便宜上、基準電圧端子２１０に供給される基準電圧を基準電圧２１０と称す。アンプ２０９の他方の入力端子は、センス端子２０７に接続される。なお、便宜上、センス端子２０７は、プローブカード２１２及び半導体検査装置本体２１３の共通の端子として説明する。同様に、フォース端子２０５は、プローブカード２１２及び半導体検査装置本体２１３の共通の端子として説明する。アンプ２０９の出力端子は、電源電圧源２１１の制御端子に接続される。電源電圧源２１１の低電位側電源端子は、接地電圧端子ＧＮＤに接続される。なお、便宜上、記号「ＧＮＤ」は、端子名を示すと同時に接地電圧を示すものとする。電源電圧源２１１の高電位側電源端子は、フォース端子２０５に接続される。

プローブカード２１２は、プローブ針２０１と、センスライン２０８と、フォースライン２０６と、ヒューズ２０２と、容量素子２０４と、を備える。フォース端子２０５と、センス端子２０７と、プローブ針２０１と、がノード２０３を介して互いに接続される。なお、フォース端子２０５とノード２０３とを接続する信号線をフォースライン２０６と称す。また、センス端子２０７とノード２０３とを接続する信号線をセンスライン２０８と称す。

ヒューズ２０２が、ノード２０３とプローブ針２０１との間に直列に接続される。つまり、ヒューズ２０２の一方の端子がノード２０３に接続される。また、ヒューズ２０２の他方の端子がプローブ針２０１に接続される。容量素子２０４の一方の端子が、ヒューズ２０２とプローブ針２０１とを接続する信号線に接続される。容量素子２０４の他方の端子が、接地電圧端子ＧＮＤに接続される。なお、容量素子２０４はプローブ針２０１や配線等の寄生容量を示す。

次に、図４に示す回路の動作について説明する。半導体検査装置本体２１３において、アンプ２０９の一方の入力端子に基準電圧２１０が印加される。なお、基準電圧２１０は半導体検査の状況に応じて変更することができる。アンプ２０９の他方の入力端子にフィードバック信号（後述）が入力される。ここで、基準電圧２１０とフィードバック信号の電圧との電位差に応じた電流値及び電圧値を有する信号がアンプ２０９から出力される。アンプ２０９の出力信号は電源電圧源２１１の制御端子に入力される。電源電圧源２１１は、アンプ２０９の出力信号に応じた電圧をフォース端子２０５に出力する。

半導体検査装置本体２１３のフォース端子２０５に出力された電圧は、順にプローブカード２１２のフォース端子２０５と、フォースライン２０６と、ヒューズ２０２とを介してプローブ針２０１に電圧を供給する。それと同時に、ノード２０３からセンスライン２０８と、センス端子２０７とを介してアンプ２０９の他方の入力端子にフィードバック信号として入力される。このとき、アンプ２０９に入力される２つの入力信号間の電位差に基づいて、フィードバック信号の電流値及び電圧値が制御される。つまり、アンプ２０９に入力される２つの入力信号間に電位差を生じさせないように、フィードバック信号の電流値及び電圧値が制御される。これにより、安定した電源電圧をプローブ針２０１に供給することができる。なお、プローブ針２０１は、検査対象である半導体集積回路に電気的に接続される。

ここで、半導体検査装置本体２１３から半導体集積回路にプローブ針２０１を介して過電流が流れた場合を考える。このような場合、プローブ針２０１が損傷してしまう等の問題が発生する。そこで、図４に示す回路では、ノード２０３とプローブ針２０１との間にヒューズ２０２を直列に接続した回路構成を採用している。ここで、ヒューズ２０２に流れる電流が所定の電流値を超えると、ヒューズ２０２が溶断される。それにより、プローブ針２０１に電流は流れなくなる。このとき、プローブ針２０１に流れる電流が、プローブ針２０１に損傷を与える電流値に達する前に、ヒューズ２０２が溶断されるように設定しておく。それにより、過電流によるプローブ針２０１の損傷等を防止することができる。

しかし、図４に示す回路は、図３に示す回路の場合と同様に、プローブ針２０１に供給される電源電圧は、ヒューズ２０２が有する抵抗成分による電圧降下の影響を受ける。したがって、半導体検査装置２００から精度の高い電源電圧を半導体集積回路に供給することができない。そのため、製品検査の信頼性が低下してしまう可能性がある。

図３に示す特許文献１の回路や図４に示す従来回路の問題の解決策として、図５に示す回路も提案されている。図５に示す回路は、図４に示す回路と比較して、ヒューズ２０２の接続関係が異なる。具体的には、フォース端子２０５とノード２０３との間にヒューズ２０２が直列に接続される。つまり、ヒューズ２０２の一方の端子がフォース端子２０５に接続される。また、ヒューズ２０２の他方の端子がノード２０３に接続される。その他の回路構成及び動作については図４の場合と同様であるため説明を省略する。

ここで、図５に示す回路は、プローブ針２０１と安定した電源電圧を有するノード２０３との間にヒューズ２０２を介さない。このような回路構成により、プローブ針２０１に供給される電源電圧は、ヒューズ２０２が有する抵抗成分による電圧降下の影響を受けない。したがって、半導体検査装置２００から精度の高い電源電圧を半導体集積回路に供給することができる。また、プローブ針２０１に流れる電流が、プローブ針２０１に損傷を与える電流値に達する前に、ヒューズ２０２が溶断されるように設定しておく。それにより、過電流によるプローブ針２０１の損傷等を防止することができる。

しかし、実際の半導体検査装置本体２１３において、例えば、電源電圧源２１１の高電位側電源端子とフォース端子２０５とを接続する信号線と、センス端子２０７とアンプ２０９の他方の入力端子とを接続する信号線と、が内部回路（不図示）によって電気的に接続された回路構成を有する場合がある。このような回路構成において、過電流によってヒューズ２０２が溶断された場合、プローブ針２０１に電流が流れる現象が確認されている。このように、半導体検査装置２００が半導体集積回路のテストを正常に実施できない状態であるにもかかわらず、プローブ針２０１に電流が流れてしまう。そのため、ヒューズ２０２が溶断されたことを認識できないまま、製品検査が実施されてしまう可能性がある。それにより、製品検査の信頼性が低下してしまう可能性がある。

特開２００２−１２４５５２号公報

上述のように、従来のプローブカードでは、過電流保護対策用のヒューズ等の影響により信頼性の高い製品検査を行うことができないという問題があった。

本発明にかかるプローブカードは、第１の電源電圧が供給される第１の電源電極（本発明の実施の形態１におけるフォース端子１０５）と、検査対象である半導体集積回路に対し前記第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針と、前記第１の電源電極と前記プローブ針とを接続する第１の信号線と、前記第１の信号線上に直列に接続されたヒューズと、前記プローブ針と前記ヒューズの一端との間の前記第１の信号線上の第１のノード（本発明の実施の形態１におけるノード１１９）に前記第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路と、を備える。

上述のような回路構成により、製品検査前にヒューズの接続状態を確認することができるため、信頼性の高い製品検査を行うことが可能である。

本発明にかかるプローブカードのヒューズチェック方法は、第１の電源電圧が供給される第１の電源電極（本発明の実施の形態１におけるフォース端子１０５）と、検査対象である半導体集積回路に対し前記第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針と、前記第１の電源電極と前記プローブ針とを接続する第１の信号線と、前記第１の信号線上に直列に接続されたヒューズと、前記プローブ針と前記ヒューズの一端との間の前記第１の信号線上の第１のノード（本発明の実施の形態１におけるノード１１９）に前記第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路と、を備えたプローブカードにおいて、前記プローブ針と前記半導体集積回路との接続を切り離し、前記第１の電源電極から前記第１の電源電圧を印加し、前記ヒューズチェック回路に備えられたスイッチ素子をオンすることにより前記第１のノード上に前記第１の電源電圧と異なる電圧を与え、前記第１の電源電極に前記ヒューズの両端子間の電位差に応じた電流が流れる場合には、前記ヒューズは接続されていることを検出し、前記第１の電源電極に前記ヒューズの両端子間の電位差に応じた電流が流れない場合には、前記ヒューズは溶断されていることを検出する。なお、半導体検査装置は、第１の電源電圧端子の電流値を測定する機能（図示せず）を持っているのは言うまでもない。

上述のようなプローブカードのヒューズチェック方法により、製品検査前にヒューズの接続状態を確認することができるため、信頼性の高い製品検査を行うことが可能である。

本発明により、信頼性の高い製品検査を行うことが可能なプローブカードとヒューズチェック方法を提供することができる。

本発明の実施の形態１にかかるプローブカード及び半導体検査装置を示す図である。 本発明の実施の形態１にかかるプローブカードのヒューズチェック方法を示すフローチャートである。 従来技術の半導体検査装置を示す図である。 従来技術の半導体検査装置を示す図である。 従来技術の半導体検査装置を示す図である。

以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略される。

実施の形態１
本発明の実施の形態１について図面を参照して説明する。図１に示す回路は、本発明の実施の形態１にかかるプローブカード１１２と、半導体検査装置本体１１３と、を備えた半導体検査装置１００である。

まず、図１に示す回路の構成について説明する。半導体検査装置本体１１３は、アンプ１０９、電源電圧源１１１を備え、半導体集積回路の検査用に電源電圧を供給する。なお、図１に示す半導体検査装置本体１１３は、簡単のため一部の回路構成のみ図示している。半導体検査装置本体１１３において、アンプ１０９の一方の入力端子は、基準電圧端子１１０に接続される。なお、便宜上、基準電圧端子１１０に供給される基準電圧を基準電圧１１０と称す。アンプ１０９の他方の入力端子は、センス端子１０７（第３の電源電極）に接続される。なお、便宜上、センス端子１０７は、プローブカード１１２及び半導体検査装置本体１１３の共通の端子として説明する。同様に、フォース端子１０５（第１の電源電極）は、プローブカード１１２及び半導体検査装置本体１１３の共通の端子として説明する。アンプ１０９の出力端子は、電源電圧源１１１の制御端子に接続される。電源電圧源１１１の低電位側電源端子は、接地電圧端子ＧＮＤに接続される。電源電圧源１１１の高電位側電源端子は、フォース端子１０５に接続される。なお、便宜上、記号「ＧＮＤ」は、端子名を示すと同時に接地電圧を示すものとする。

プローブカード１１２は、プローブ針１０１と、センスライン１０８と、フォースライン１０６と、ヒューズ１０２と、ヒューズチェック回路１１４と、容量素子１０４と、を備える。フォース端子１０５と、センス端子１０７と、プローブ針１０１と、がノード１０３（第２のノード）を介して互いに接続される。なお、フォース端子１０５とノード１０３とを接続する信号線をフォースライン１０６と称す。また、センス端子１０７とノード１０３とを接続する信号線をセンスライン１０８と称す。

ヒューズ１０２が、フォースライン１０６上に直列に接続される。つまり、ヒューズ１０２の一方の端子がフォース端子１０５に接続される。また、ヒューズ１０２の他方の端子がノード１０３に接続される。容量素子１０４の一方の端子が、ノード１０３とプローブ針１０１とを接続する信号線上に接続される。容量素子１０４の他方の端子が、接地電圧端子ＧＮＤに接続される。なお、容量素子１０４はプローブ針１０１や配線等の寄生容量を示す。また、ヒューズチェック回路１１４の端子１１８が、ノード１０３とプローブ針１０１とを接続する信号線上のノード１１９（第１のノード）に接続される。

ヒューズチェック回路１１４は、スイッチ１１５と、抵抗素子１１６と、を有する。端子１１８は、スイッチ１１５の一方の端子に接続される。スイッチ１１５の他方の端子は、抵抗素子１１６を介して低電位側電源端子１１７（第２の電源電極）に接続される。なお、本発明の実施の形態においては、低電位側電源端子１１７に接地電圧ＧＮＤが供給される場合の例について説明する。

次に、図１に示す回路の動作について説明する。半導体検査装置本体１１３において、アンプ１０９の一方の入力端子に基準電圧１１０が印加される。なお、基準電圧１１０は半導体検査の状況に応じて変更することができる。アンプ１０９の他方の入力端子にフィードバック信号（後述）が入力される。ここで、基準電圧１１０とフィードバック信号の電圧との電位差に応じた電流値及び電圧値を有する信号がアンプ１０９から出力される。アンプ１０９の出力信号は電源電圧源１１１の制御端子に入力される。電源電圧源１１１は、アンプ１０９の出力信号に応じた電圧をフォース端子１０５に出力する。

半導体検査装置本体１１３のフォース端子１０５に出力された電圧は、順にプローブカード１１２のフォース端子１０５と、フォースライン１０６と、ヒューズ１０２とを介してプローブ針１０１に電圧を供給する。それと同時に、ノード１０３からセンスライン１０８と、センス端子１０７とを介してアンプ１０９の他方の入力端子にフィードバック信号として入力される。このとき、アンプ１０９に入力される２つの入力信号間の電位差に基づいて、電源電圧源１１１の電流値及び電圧値が制御される。つまり、アンプ１０９に入力される２つの入力信号間に電位差を生じさせないように、電源電圧源１１１の電流値及び電圧値が制御される。これにより、安定した電源電圧をプローブ針１０１に供給することができる。なお、プローブ針１０１は、検査対象である半導体集積回路に電気的に接続されている。

ここで、半導体検査装置本体１１３から半導体集積回路にプローブ針１０１を介して過電流が流れた場合を考える。このような場合、プローブ針１０１が損傷してしまう等の問題が発生する。そこで、図１に示す半導体検査装置１００では、プローブカード１１２において、フォース端子１０５とノード１０３との間にヒューズ１０２を直列に接続した回路構成を採用している。ここで、ヒューズ１０２に流れる電流が所定の電流値を超えると、ヒューズ１０２が溶断される。それにより、プローブ針１０１に電流は流れなくなる。このとき、プローブ針１０１に流れる電流が、プローブ針１０１に損傷を与える電流値に達する前に、ヒューズ１０２が溶断されるように設定しておく。それにより、過電流によるプローブ針１０１の損傷等を防止することができる。

さらに、図１に示す半導体検査装置１００は、プローブカード１１２において、プローブ針１０１と安定した電源電圧を有するノード１０３との間にヒューズ１０２を介さない。このような回路構成により、プローブ針１０１に供給される電源電圧は、ヒューズ１０２が有する抵抗成分による電圧降下の影響を受けない。したがって、半導体検査装置１００から精度の高い電源電圧を半導体集積回路に供給することができる。つまり、図３や図４に示す従来技術の回路における問題を解決することができる。

次に、実際の半導体検査装置本体１１３において、例えば、電源電圧源１１１の高電位側電源端子とフォース端子１０５とを接続する信号線と、センス端子１０７とアンプ１０９の他方の入力端子とを接続する信号線と、が内部回路（不図示）によって電気的に接続された回路構成を有する場合について考える。このような回路構成において、過電流によってヒューズ１０２が溶断された場合、プローブ針１０１に電流が流れる現象が確認されている。このように、半導体検査装置１００が半導体集積回路の検査を正常に実施できない状態であるにもかかわらず、プローブ針１０１に電流が流れてしまう。そのため、ヒューズ１０２が溶断されたことを認識できないまま、製品検査が実施されてしまう可能性がある。それにより、製品検査の信頼性が低下してしまう可能性がある。

その解決策として、図１に示す半導体検査装置１００は、プローブカード１１２にヒューズチェック回路１１４を備えた回路構成を採用している。それにより、製品検査前にヒューズ１０２の接続状態（溶断されていないかどうか）を確認することができる。その具体的なヒューズチェック方法について、図２を用いて説明する。まず、ヒューズチェック回路１１４に設けられたスイッチ１１５をオンする（Ｓ５０１）。次に、半導体検査装置本体１１３を起動し電源電圧源１１１から電源電圧を生成する。そして、低電位側電源端子１１７から供給される接地電圧をノード１１９に印加する（Ｓ５０２）。このようにして、ヒューズ１０２の両端子間に電位差を生じさせた後、フォース端子１０５から出力される電流値を測定する（Ｓ５０３）。ヒューズ１０２が溶断されていない場合、フォース端子１０５には、電源電圧源１１１が生成した電源電圧に応じた電流が流れる（Ｓ５０４のＹＥＳ）。それにより、ヒューズ１０２は正常である（溶断されていない）と判断することができる（Ｓ５０６）。このように、ヒューズ１０２が正常であると確認された場合は、その後の製品検査が行われる（Ｓ５０７）。一方、ヒューズ１０２が溶断されている場合、ノード１１９には接地電圧が印加されているため、フォース端子１０５に電流は流れない（Ｓ５０４のＮＯ）。それにより、ヒューズ１０２は異常である（溶断されている）と判断することができる。この場合、ヒューズ１０２を交換し（Ｓ５０５）、再度ヒューズチェックを実行する（Ｓ５０３）。

このように、本発明の実施の形態にかかるプローブカード１１２は、ヒューズチェック回路１１４を備えることにより、製品検査前にヒューズ１０２の接続状態を確認することができる。それにより、ヒューズ１０２が溶断されたことを認識できないまま、製品検査が実施されることを防ぐことができる。そのため、製品検査の信頼性が向上する。つまり、図５に示す従来回路における問題を解決することができる。

なお、本発明のプローブカード１１２及びそれを備えた半導体検査装置１００は、上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上記実施の形態では、低電位側電源端子１１７に接地電圧が供給される場合の例について説明したがこれに限られない。低電位側電源端子１１７に供給される電源電圧は、電源電圧源１１１が生成する電源電圧との間に電位差を生じさせるものであれば良い。

また、ヒューズ１０２の挿入箇所についてソケットタイプの構成を採用することも可能である。それにより、ヒューズチェックにおいて異常が検出されたヒューズ１０２を容易に交換することが可能である。

このヒューズチェックは、プローブ針１０１が半導体装置に接続しない状態で行うことが好ましい。しかし、半導体検査装置の機能等の制約でそうできない場合は、プローブ針１０１に接続する負荷に流れる過渡電流や静電流を考慮して、ヒューズチェックの判定時間や判定値、及び抵抗素子１１６の値を設定する必要がある。

１００ 半導体検査装置
１０１ プローブ針
１０２ ヒューズ
１０３ ノード
１０４ 容量素子
１０５ フォース端子
１０６ フォースライン
１０７ センス端子
１０８ センスライン
１０９ アンプ
１１０ 基準電圧
１１１ 電源電圧源
１１２ プローブカード
１１３ 半導体検査装置本体
１１４ ヒューズチェック回路
１１５ スイッチ
１１６ 抵抗素子
１１７ 低電位側電源端子
１１８ 端子
１１９ ノード
ＧＮＤ 接地電圧端子

Claims (9)

1. 第１の電源電圧が供給される第１の電源電極と、
   検査対象である半導体集積回路に対し前記第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針と、
   前記第１の電源電極と前記プローブ針とを接続する第１の信号線と、
   前記第１の信号線上に直列に接続されたヒューズと、
   前記プローブ針と前記ヒューズの一端との間の前記第１の信号線上の第１のノードに前記第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路と、を備えたプローブカード。
2. 前記ヒューズチェック回路は、
   前記第１の電源電圧と異なる第２の電源電圧が供給される第２の電源電極と、前記第１のノードと、の間に抵抗を介して直列に接続されたスイッチ素子を備えた請求項１に記載のプローブカード。
3. 前記スイッチ素子は、
   前記半導体集積回路をテストするモードか、前記ヒューズの接続状態を確認するモードかに応じてオンオフが切替制御されることを特徴とする請求項２に記載のプローブカード。
4. 前記ヒューズチェック回路は、
   前記ヒューズの接続状態を確認するモードにおいて、前記スイッチ素子をオンすることにより前記第１のノードに対し前記第１の電源電圧と異なる電圧を与えることを特徴とする請求項３に記載のプローブカード。
5. 第３の電源電圧を供給する第３の電源電極と、
   前記第３の電源電極と前記第１の信号線上の第２のノードとを接続する第２の信号線と、をさらに有し、
   設定電圧と前記第２の信号線上の電圧との電位差に基づいて、前記第１の信号線に供給される前記第１の電源電圧が制御されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプローブカード。
6. 前記第２のノードは、
   前記プローブ針と前記ヒューズの一端との間の前記第１の信号線上に位置することを特徴とする請求項５に記載のプローブカード。
7. 前記ヒューズは、
   前記プローブ針に流れる電流が当該プローブ針に損傷を与える電流値に達する前に溶断されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプローブカード。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載のプローブカードを備えた半導体検査装置。
9. 第１の電源電圧が供給される第１の電源電極と、検査対象である半導体集積回路に対し前記第１の電源電圧に基づいた電圧を供給するプローブ針と、前記第１の電源電極と前記プローブ針とを接続する第１の信号線と、前記第１の信号線上に直列に接続されたヒューズと、前記プローブ針と前記ヒューズの一端との間の前記第１の信号線上の第１のノードに前記第１の電源電圧と異なる電圧を与えるヒューズチェック回路と、を備えたプローブカードにおいて、
   前記第１の電源電極から前記第１の電源電圧を印加し、
   前記ヒューズチェック回路に備えられたスイッチ素子をオンすることにより前記第１のノード上に前記第１の電源電圧と異なる電圧を与え、
   前記第１の電源電極に前記ヒューズの両端子間の電位差に応じた電流が流れる場合には、前記ヒューズは接続されていることを検出し、前記第１の電源電極に前記ヒューズの両端子間の電位差に応じた電流が流れない場合には、前記ヒューズは溶断されていることを検出するプローブカードのヒューズチェック方法。

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