JPS6074545A - ウエハの着脱方法 - Google Patents

ウエハの着脱方法

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JPS6074545A
JPS6074545A JP18196183A JP18196183A JPS6074545A JP S6074545 A JPS6074545 A JP S6074545A JP 18196183 A JP18196183 A JP 18196183A JP 18196183 A JP18196183 A JP 18196183A JP S6074545 A JPS6074545 A JP S6074545A
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JP
Japan
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wafer
ring
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annealing
handling arm
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JP18196183A
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Junji Sakurai
桜井　潤治
Mamoru Maeda
守 前田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はウェハの着脱方法、詳しくはりングヒータ内の
如き加熱体の内側に配置されたウェハホルダへのウェハ
の自動着脱を立体障害なしに行う方法に関する。
（２）技術の背景 半導体装置の製造工程において、赤外線ランプのような
熱源を用いウェハのアニール＜熱処理＞をなすことが頻
繁に行われる。例えば上下に（１） ｌＩｌｌｌｌの間隔をおいて赤外線ランプを配置した炉
を用意する一方で、カセットに収納されたウェハをハン
ドリングアームによってウェハホルダ上に配置し、次い
でウェハホルダを炉内に移し、上下の赤外線ランプをオ
ンにして所望のアニールを行い、次いでウェハホルダを
炉の外に出し、アニールされたウェハを元のカセットに
戻すかまたは他のカセットに収納する。かかるウェハの
炉内への搬入および炉外への搬出は、前記したハンドリ
ングアームを用いて自動式になされる傾向にある。
他方、上記アニールそのものにおいては、ウェハの周辺
からの放熱によりウェハにスリップライン（ｓｌｉｐ　
１ｉｎｅ　）と呼ばれる結晶欠陥が発生ずることを防ぐ
ため、ウェハの周囲の近くに加熱体例えばシリコン（Ｓ
ｔ）リングもしくはリングヒータを配置し、このヒータ
によってウェハの温度をウェハ全般にわたって均一に保
つ。
＋３１従来技術と問題点 第１図はウェハホルダ、ウェハ、シリコンリングの配置
を示す模式的断面図で、同図において符（２） 号１は例えば３つの小突起１ａによる３点支持のウェハ
ホルダ、３はウェハホルダ１に載置されたウェハ、４は
シリコンリングを示す。
第２図は第１図に示すウェハ３の配置を行うためにウェ
ハ３を載置して搬送するハンドリングアームの斜視図で
、同図において第１と同じ部分には同じ符号を付して示
す。
ハンドリングアーム２には排気孔２ａを設け、この排気
孔２ａを通して排気してウェハ３を真空吸着する構成と
しても、またはハンドリングアーム２に代えてピンセッ
トを用いウェハ３の周縁部分を上下から挾んでウェハを
保持してもよい。
炉内でウェハ３をアニールするためにウェハ３をウェハ
ホルダ１上に配置するには、ハンドリングアーム２を図
に矢印で示す如く下方に動かし、ウェハ載置後にはハン
ドリングアームを反対方向に上方に動かさなければなら
ない。しかし、シリコンリング４はリング状であるので
ハンドリングアーム２はシリコンリング４に突き当り、
ウェハ３をウェハホルダの位置までもって行くことかで
（３） きない。それ故に、狭い炉内でのウェハのアニールを自
動式に行うについて従来のシリコンリングと棒状のハン
ドリングアームを用いると、立体障害によってウェハを
ウェハホルダ上へ自動着脱することが不可能になる問題
が発生した。かかる問題はピンセットを用いたとしても
、ピンセントの輪郭は図示のハンドリングアームとほぼ
同一のものであるから解決することはできない。
（４）発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、限られたスペースの
炉内でウェハをアニールするに際して、ウェハを炉内に
搬入する薄い偏平なリング状ウェハホルダへハンドリン
グアーム等を用いてウェハを自動着脱するに際して、立
体障害を起すことなくウェハを載置し、かつ除去しうる
方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、ウェハホルダの周辺
にリング状加熱体を配置して行うウェハのアニールにお
いて、上記リング状加熱体を一時（４） ウェハ周辺位置から退避した後ウェハをウェハホルダに
載置し、しかる後リング状加熱体をウェハ周辺位置に戻
すことを特徴とするウェハの着脱方法を提供することに
よって達成される。
（６）発明の実施例 以下本発明実施例をシリコンリングの場合を例に図面に
より説明する。
本発明の方法の実施においては、ウェハの周辺の近くに
配設されている例えばシリコンリングの如き加熱体の位
置を、ウェハ配置の際にウェハ配置位置より上方へずら
し、配置後再び元の位置に戻す操作を行い、アニール後
は前記と逆の操作を行うことにより前記した立体障害を
解決する。
第３図は本発明の１実施例を説明するための模式的断面
図で、同図において第１図および第２図に図示した部分
と同じ部分は同一符号を付して表示する。
先ず、第３図（ａｌを参照すると、図示しないカセット
からハンドリングアーム２を用いてウェハ３を取り出し
、シリコンリング４を矢印で示す如く（５） 上方へ移動させた後、ハンドリングアーム２を操作して
ウェハ３をウェハホルダ１の上方に移動する。
次いで同図色）に示す如く、ハンドリングアーム２を操
作してウェハ３をウェハホルダ１に配置し、ハンドリン
グアーム２を退避させた後、シリコンリング４を矢印で
示す如く下方へ移動させウェハ３と同じ高さの位置に固
定する。かくして立体障害なしにハンドリングアームを
用いてウェハをウェハホルダに配置することが可能とな
る。
アニールが終了すると、上記した操作を逆に実施し、ウ
ェハ３を元のカセットにまたは別のカセットに移し、以
下順次上述した操作を繰り返す。
かかる操作はすべて自動式に実施可能であるとともに立
体障害なしに行われる。
ところで、・上述した操作においては、シリコンリング
４を上方へ移動させたが、シリコンリング４を移動させ
ずに、ウェハホルダ１を逆に下方へ移動させる操作を実
施しても同様の効果を得ることができる。またシリコン
リングではなくリング（６） ヒータを用いた場合においても同様の操作を行う。
（７）発明の効果 以上詳細に説明した如く本発明によれば、ウェハの周辺
にリングヒータまたはシリコンリングを配設して行うア
ニールにおいて、ハンドリングアームを用いたウェハの
ウェハホルダへの着脱に際し、シリコンリングまたはリ
ングヒータを一時退避位置に移すことにより立体障害な
しにウェハの自動着脱を行うことができるため、ウェハ
の炉内への搬入、アニール、ウェハの炉外への搬出の一
連の工程が自動式に障害な〈実施可能になり半導体装置
製造歩留りの向上に効果大である。
【図面の簡単な説明】
第１図はウェハホルダ、ウェハ、シリコンリングの配置
を示す断面図、第２図はハンドリングアーム、ウェハ、
シリコンリングの配置を示す斜視図、第３図は本発明に
係わるシリコンリングの配置を示す断面図である。 １−ウェハホルダ、２−ハンドリング アーム、３−ウェハ、４−シリコンリング（７） 第１図 第２図 第３図 （ａ）　（ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハホルダの周辺にリング状加熱体を配置して行うウ
    ェハのアニールにおいて、上記リング状加熱体を一時つ
    エバ周辺位置から退避した後ウェハをウェハホルダに載
    置し、しかる後リング状加熱体をウェハ周辺位置に戻す
    ことを特徴とするウェハの着脱方法。
JP18196183A 1983-09-30 1983-09-30 ウエハの着脱方法 Granted JPS6074545A (ja)

Priority Applications (1)

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JP18196183A JPS6074545A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 ウエハの着脱方法

Applications Claiming Priority (1)

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JP18196183A JPS6074545A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 ウエハの着脱方法

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JPS6074545A true JPS6074545A (ja) 1985-04-26
JPH0463542B2 JPH0463542B2 (ja) 1992-10-12

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ID=16109891

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JP18196183A Granted JPS6074545A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 ウエハの着脱方法

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JPH01272122A (ja) * 1988-04-22 1989-10-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
JPH0277119A (ja) * 1988-06-27 1990-03-16 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
JP2002520808A (ja) * 1998-05-11 2002-07-09 シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板を熱処理するための方法および装置

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