JPH0463542B2 - - Google Patents

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JPH0463542B2
JPH0463542B2 JP18196183A JP18196183A JPH0463542B2 JP H0463542 B2 JPH0463542 B2 JP H0463542B2 JP 18196183 A JP18196183 A JP 18196183A JP 18196183 A JP18196183 A JP 18196183A JP H0463542 B2 JPH0463542 B2 JP H0463542B2
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JP
Japan
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wafer
ring
wafer holder
handling arm
holder
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JP18196183A
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English (en)
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JPS6074545A (ja
Inventor
Junji Sakurai
Mamoru Maeda
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はウエハの着脱方法、詳しくはリングヒ
ータ内の如き加熱体の内側に配置されたウエハホ
ルダへのウエハの自動着脱を立体障害なしに行う
方法に関する。
(2) 技術の背景 半導体装置の製造工程において、赤外線ランプ
のような熱源を用いウエハのアニール（熱処理）
をなすことが頻繁に行われる。例えば上下に数mm
の間隔をおいて赤外線ランプを配置した炉を用意
する一方で、カセツトに収納されたウエハをハン
ドリングアームによつてウエハホルダ上に配置
し、次いでウエハホルダを炉内に移し、上下の赤
外線ランプをオンにして所望のアニールを行い、
次いでウエハホルダを炉の外に出し、アニールさ
れたウエハを元のカセツトに戻すかまたは他のカ
セツトに収納する。かかるウエハの炉内への搬入
および炉外への搬出は、前記したハンドリングア
ームを用いて自動式になされる傾向にある。
他方、上記アニールそのものにおいては、ウエ
ハの周辺からの放熱によりウエハにスリツプライ
ン（slip line）と呼ばれる結晶欠陥が発生するこ
とを防ぐため、ウエハの周囲の近くに加熱体例え
ばシリコン（Si）リングもしくはリングヒータを
配置し、このヒータによつてウエハの温度をウエ
ハ全般にわたつて均一に保つ。
(3) 従来技術と問題点 第１図はウエハホルダ、ウエハ、シリコンリン
グの配置を示す模式的断面図で、同図において符
号１は例えば３つの小突起１ａによる３点支持の
ウエハホルダ、３はウエハホルダ１に載置された
ウエハ、４はシリコンリングを示す。
第２図は第１図に示すウエハ３の配置を行うた
めにウエハ３を載置して搬送するハンドリングア
ームの斜視図で、同図において第１と同じ部分に
は同じ符号を付して示す。
ハンドリングアーム２には排気孔２ａを設け、
この排気孔２ａを通して排気してウエハ３を真空
吸着する構成とする。
炉内でウエハ３をアニールするためにウエハ３
をウエハホルダ１上に配置するには、ハンドリン
グアーム２を図に矢印で示す如く下方に動かし、
ウエハ載置後にはハンドリングアームを反対方向
に上方に動かさなければならない。しかし、シリ
コンリング４はリング状であるのでハンドリング
アーム２はシリコンリング４に突き当り、ウエハ
３をウエハホルダの位置までもつて行くことがで
きない。それ故に、狭い炉内でのウエハのアニー
ルを自動式に行うについて従来のシリコンリング
と棒状のハンドリングアームを用いると、立体障
害によつてウエハをウエハホルダ上へ自動着脱す
ることが不可能になる問題が発生した。かかる問
題はピンセツトを用いたとしても、ピンセツトの
輪郭は図示のハンドリングアームとほぼ同一のも
のであるから解決することはできない。
(4) 発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、限られたス
ペースの炉内でウエハをアニールするに際して、
ウエハを炉内に搬入する薄い偏平なリング状ウエ
ハホルダへハンドリングアーム等を用いてウエハ
を自動着脱するに際して、立体障害を起すことな
くウエハを載置し、かつ除去しうる方法を提供す
ることを目的とする。
(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、ウエハホル
ダの周辺にリング状加熱体を配置して起うウエハ
のアニールの際のウエハ着脱方法において、 前記ウエハホルダとリング状加熱体とを上下に
離間させ、その後該ウエハホルダとリング状加熱
体との間にハンドリングアームを移送し、該ハン
ドリングアームに真空吸着されたウエハを前記ウ
エハホルダ上に載置またはウエハホルダ上に載置
されたウエハをハンドリングアームに真空吸着
し、しかる後該ハンドリングアームを退避させ、
ウエハの載置部の周辺位置に前記リング状加熱体
が配置するよう前記ウエハホルダまたはリング状
加熱体を移動させることを特徴とするウエハの着
脱方法を提供することによつて構成される。
(6) 発明の実施例 以下本発明実施例をシリコンリングの場合を例
に図面により説明する。
本発明の方法の実施においては、ウエハの周辺
の近くに配設されている例えばシリコンリングの
如き加熱体の位置を、ウエハ配置の際にウエハ配
置位置より上方へずらし、配置後再び元の位置に
戻す操作を行い、アニール後は前記と逆の操作を
行うことにより前記した立体障害を解決する。
第３図は本発明の１実施例を説明するための模
式的断面図で、同図において第１図および第２図
に図示した部分と同じ部分は同一符号を付して表
示する。
先ず、第３図ａを参照すると、図示しないカセ
ツトからハンドリングアーム２を用いてウエハ３
を取り出し、シリコンリング４を矢印で示す如く
上方へ移動させた後、ハンドリングアーム２を操
作してウエハ３をウエハホルダ１の上方に移動す
る。
次いて同図ｂに示す如く、ハンドリングアーム
２を操作してウエハ３をウエハホルダ１に配置
し、ハンドリングアーム２を退避させた後、シリ
コンリング４を矢印で示す如く下方へ移動させウ
エハ３と同じ高さの位置に固定する。かくして立
体障害なしにハンドリングアームを用いてウエハ
をウエハホルダに配置することが可能となる。
アニールが終了すると、上記した操作を逆に実
施し、ウエハ３を元のカセツトにまたは別のカセ
ツトに移し、以下順次上述した操作を繰り返す。
かかる操作はすべて自動式に実施可能であるとと
もに立体障害なしに行われる。
ところで、上述した操作においては、シリコン
リング４を上方へ移動させたが、シリコンリング
４を移動させずに、ウエハホルダ１を逆に下方へ
移動させる操作を実施しても同様の効果を得るこ
とができる。またシリコンリングではなくリング
ヒータを用いた場合においても同様の操作を行
う。
(7) 発明の効果 以上詳細に説明した如く本発明によれば、ウエ
ハの周辺にリングヒータまたはシリコンリングを
配設して行うアニールにおいて、ハンドリングア
ームを用いたウエハのウエハホルダへの着脱に際
し、シリコンリングまたはリングヒータを一時退
避位置に移すことにより立体障害なしにウエハの
自動着脱を行うことができるため、ウエハの炉内
への搬入、アニール、ウエハの炉外への搬出の一
連の工程が自動式に障害なく実施可能になり半導
体装置製造歩留りの向上に効果大である。
【図面の簡単な説明】
第１図はウエハホルダ、ウエハ、シリコンリン
グの配置を示す断面図、第２図はハンドリングア
ーム、ウエハ、シリコンリングの配置を示す斜視
図、第３図は本発明に係わるシリコンリングの配
置を示す断面図である。 １……ウエハホルダ、２……ハンドリングアー
ム、３……ウエハ、４……シリコンリング。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ウエハホルダ１の周辺にリング状加熱体４を
    配置して行うウエハのアニールの際のウエハ着脱
    方法において、 前記ウエハホルダ１とリング状加熱体４とを上
    下に離間させ、その後該ウエハホルダ１とリング
    状加熱体４との間にハンドリングアーム２を移送
    し、該ハンドリングアーム２に真空吸着されたウ
    エハ３を前記ウエハホルダ１上に載置またはウエ
    ハホルダ１上に載置されたウエハ３をハンドリン
    グアーム２に真空吸着し、しかる後該ハンドリン
    グアーム２を退避させ、ウエハ３の載置部の周辺
    位置に前記リング状加熱体４が配置するよう前記
    ウエハホルダ１またはリング状加熱体４を移動さ
    せることを特徴とするウエハの着脱方法。
JP18196183A 1983-09-30 1983-09-30 ウエハの着脱方法 Granted JPS6074545A (ja)

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JPS6074545A JPS6074545A (ja) 1985-04-26
JPH0463542B2 true JPH0463542B2 (ja) 1992-10-12

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KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
DE19821007A1 (de) * 1998-05-11 1999-11-25 Steag Rtp Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten

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JPS6074545A (ja) 1985-04-26

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