JPH01161712A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体基板を載置するサセプタに、エアピンセットによ
る裏面吸着を可能にする溝部を形成した気相成長装置に
関し、 ウェハのロード、アンロード時に、エアピンセットによ
る汚染を防止できるとともに、エピタキシャル成長の場
合に結晶欠陥などの発生を防止しうる気相成長装置を提
供することを目的とし、半導体基板を載置するサセプタ
を有し、エアピンセットにより該半導体基板のロード、
アンロードを行う気相成長装置において、前記半導体基
板を載置するサセプタに、前記エアピンセットの先端部
が係入し、該半導体基板の裏面に吸着することを可能に
する溝部を形成されてなることを特徴とする気相成長装
置を含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体基板を載置するサセプタに、エアピン
セットによる裏面吸着を可能にする溝部を形成した気相
成長装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板（ウェハ）上に化学気相成長（ＣＶＤ
）法により所望の薄膜を形成するために、ＣＶＤ装置が
用いられている。このＣＶＤ装置では、サセプタ上にウ
ェハを載置し、原料ガスを供給して各種エピタキシャル
成長膜が形成される。

第６図は従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を示す図で、同図
におい、ＣＶＤ装置は、ウェハ１を載置するために縦方
向に複数段配設されたサセプタ２と、このサセプタ２の
側部に配設された原料ガス供給管３及び排気管４と、そ
の周囲に配設された誘導加熱装置５から構成されている
。

第７図は第６図のＣＶＤ装置のサセプタ部分の平面図、
第８図は第７図の装置の側面図で、これらの装置におい
て、サセプタ２は円板状に形成され、その上面にウェハ
１が複数枚（４枚）、載置される。

第９図（ａ）〜（ｂ）は上記ＣＶＤ装置によるウェハの
アンロード方法を示す図で、次にウェハのアンロードに
ついて説明する。

同図（ａ）に示す如く、サセプタ２上に載置したウェハ
１表面の上部にエアピンセ・ントの先端ヲ水平方向に近
づける。

次に同図（ｂ）に示す如く、エアビンセ・ントの先端を
下降させ、同図（ｃ）に示す如く、その先端をウェハ１
表面の端部側に当接して真空吸着する。

次に同図（ｄ）に示す如く、ウニ／Ｘ１を吸着したエア
ピンセット６を上昇してから、同図（ｅ）　＆こ示す如
く、水平方向に移動して取り出す。

ウェハ１をロードするときには、上記を逆の手順により
行う。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の如きＣＶＤ装置のウエノへのロード、アンロード
方法では、エアピンセ・ント６の先端でウェハ１表面を
吸着するため汚染発生の原因となったり、またＳｉ　（
シリコン）エピタキシャル成長する場合には、ウェハ１
表面に傷を付けることがあり、結晶欠陥の原因となる問
題があった。

そこで本発明は、ウエノ＼のロード、アンロード時に、
エアピンセ・ントによる汚染を防止できるとともに、エ
ピタキシャル成長の場合Ｇこ結晶欠陥などの発生を防止
しうる気相成長装置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、半導体基板を載置するサセプタを有し、
エアピンセ・ントにより該半導体基板のロード、アンロ
ードを行う気相成長装置番こおし）て、前記半導体基板
を載置するサセプタに、前記エアピンセットの先端部が
係太し、該半導体基板の裏面に吸着することを可能にす
る溝部が形成されてなることを特徴とする気相成長装置
番こよって解決される。

〔作用〕

本発明では、気相成長装置のサセプタ番こ形成した溝部
にエアピンセ・ントの先端部に係入し、半導体基板の裏
面を吸着し、ロード、アンロードをマチうことができる
。従って、エアピンセット（こよる汚染の発生を防止で
き、エピタキシャル成長の場合に結晶欠陥の発生が防止
される。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明す
る。

第１図は本発明の一実施例に係るＣＶＤ装置のサセプタ
部分の平面図、第２図は第１図の装置の（側面図である
。このＣＶＤ装置は、半導体基板１１を載置する円板状
に形成されたサセプタ１２を有し、８’ｌｓ導加熱によ
り加熱される。上記サセプタ１２Ｂよ、タト径３２０論
、厚さ５〜７鴫程度の円板状に形成されており、その側
部にはエアピンセ・ノドの先端部力（係入する幅１０薗
、長さ２０ｍｍ程度の大きさの切欠き部１３が形成され
、この切欠き部１３上に半導体基板１１の端部がかかる
よう載置される。

第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明のＣＶＤ装置による半導
体基板のアンロード方法を示す図である。

同図（ａ）に示す如（、半導体基板１１を載置したサセ
プタ１２の側部側からエアピンセフ）１４の先端部を切
欠き部１３に向けて水平方向に移動する。

次に同図（ｂ）に示す如く、エアピンセット１４の先端
部を切欠き部１３に係入してから上昇させ、同図（ｃ）
に示す如（半導体基板１１の裏面の端部側に当接し、吸
着する。

次に同図（ｄ）に示す如く、エアピンセット１４の先端
部に半導体基板１１を吸着した状態で上昇させサセプタ
１２上面から離す。

次に同図（ｅ）に示す如く、エアピンセラ目４を水平方
向に移動し半導体基板１１を取り出す。

半導体基板１１をロードするときには、上記と逆の手順
により行う。

以上の様に半導体基板１１の裏面をエアピンセット１４
で吸着し、ロード、アンロードを行うため、半導体基板
１１表面を汚染したりすることがなく、またＳｉエピタ
キシャル成長等の場合でも表面に傷を付けることがな（
結晶欠陥発生の原因とならない。

第４図は本発明の他の実施例に係るＣＶＤ装置のサセプ
タ部分の平面図、第５図は第４図の装置の側面図である
。なお、第１図及び第２図に対応する部分は同一の符号
を付けて示す。この実施例のサセプタ１２は、上記実施
例と同様の位置にエアピンセット１４の先端部が係入す
る幅と段差を有する段部１５が形成されている。

この様なＣＶＤ装置によれば、第３図（ａ）〜（ｅ）と
同様の手順で半導体装置１１のロード、アンロードが行
われ、同様に半導体基板１１′ｌｉ面の汚染、結晶欠陥
発生の原因とならない。

尚、上記実施例において、サセプタ１２に切欠き部１３
または段部１５を形成するようにしているが、少なくと
もエアピンセット１４の先端部が係太し、半導体基板１
１の裏面を吸着できる大きさの溝部が形成されていれば
よい。

また、この切欠き部１３、段部１５の溝部は、サセプタ
１２上で温度差が生じて膜厚の分布を悪くしないよう小
さくすることが好ましい。

さらに、エアピンセット１４の動作を自動化しオートロ
ーダにすることができる。

また、本発明装置はその他の任意の形式のＣＶＤ装置に
適用できる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、気相成長装置のサセプタ
にエアピンセットの先端部が係入する溝部を形成し、半
導体基板の裏面を吸着しロード。

アンロードを行うようにしているため、エアピンセット
による汚染を防止できるとともに、エピタキシャル成長
の場合に半導体基板の表面に傷を付けることなく結晶欠
陥の発生を防止する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例のｃｖｎ　ｌ＄装置サセプタ部分
の平面図、 第２図は第１図の装置の側面図、 第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明実施例のＣＶＤ装置によ
る半導体基板のアンロード方法を示す図、第４図は本発
明の他の実施例のＣＶＤ装置サセプタ部分の平面図、 第５図は第４図の装置の側面図、 第６図は従来の縦型ＣＶＤ装置の構成を示す図、第７図
は第６図のサセプタ部分の平面図、第８図は第７図の装
置の側面図、 第９図（ａ）〜（ｅ）は従来のＣＶＤ装置による半導体
基板のアンロード方法を示す図である。 図中、 １１は半導体基板、 １２はサセプタ、 １３は切欠き部、 １４はエアピンセット、 １５は段部 を示す。 特許出願人　　　富士通株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板を載置するサセプタを有し、エアピン
   セットにより該半導体基板のロード、アンロードを行う
   気相成長装置において、前記半導体基板を載置するサセ
   プタに、前記エアピンセットの先端部が係入し、該半導
   体基板の裏面に吸着することを可能にする溝部が形成さ
   れてなることを特徴とする気相成長装置。
2. （２）前記溝部は、前記サセプタの側部に形成した切欠
   きであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   気相成長装置。
3. （３）前記溝部は、前記サセプタの側部に形成した段部
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気
   相成長装置。