JPH0438516Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は半導体装置の製造に使用する半導体ウ
エハ処理用の縦型炉に関す。

(b) 技術の背景 半導体装置の製造工程には、酸化処理、マスク
技法を併用する埋没層拡散処理、或いはパシベー
シヨン膜形成をなす気相成長処理等あるが、本考
案は特に気相成長処理用縦型炉に就き提示したも
のである。

(c) 従来技術と問題点 第１図は本考案対象とされる縦型炉を例示する
側側面図である。

図中、１は石英からなる反応管、２は反応管１
の外部を囲む分割構成の加熱体、３は反応管に接
続されたガス供給管、４は同反応管１の下方側に
接続されたガス排気管、及び５は縦方向に分割可
能とされる筒状の炉本体である。図示は気相成長
処理用縦型炉の一構造を示している。

前記構成の縦型炉は、横型炉に比較して加熱処
理や、炉内への反応管装着、又は該反応管内に装
填されるウエハ装着の操作、等が容易であるこ
と、又、反応管内装填の支持枠（水平支持枠は図
示されない）により支持された加工対象ウエハの
変形や結晶欠陥が少ないこと等の利点がある。

然しながら、前記縦型炉による各種の熱処理
時、例えば、石英粉末等の炉残滓物やこれに付帯
するゴミの発生に対して、適時、これを除去しな
いと炉設置のクリーンルームが汚染され安定なウ
エハ処理が出来ないことが問題である。

(d) 考案の目的 本考案は前記問題点を解決することである。

縦型炉から反応管を取り出す際に発生する前記
炉残滓物等の除去を迅速かつ手軽に行なうことで
ある。

(e) 考案の構成 前記目的は、 加熱体が周設された反応管が垂直方向に収納さ
れた縦型炉であつて、 前記縦型炉の炉体は、縦方向の分割線に沿つて
擺動可能に複数個に分割されるものであり、かつ
底部に設けられた底板に、真空排気系に連接され
た排気管を有するものであるように構成された半
導体ウエハ処理用縦型炉によつて達成される。

(f) 考案の実施例 以下、本考案の実施例とする第２図の縦型炉体
要部を示す斜視図により本考案を詳細に説明す
る。その主旨は前記分割構成になる炉を割つて開
いた時、かなりの量の炉残滓物が出ることから、
これを逸早く除去してクリーンルームへの拡散を
防止するものである。

第２図縦型石英炉体５は、炉軸を含み前後の縦
方向に分割して開閉可能な構成になつている。図
中、６は縦方向の分割線、これは図示にない反応
管（第１図の１）の取出し操作を容易にする。

７は石英炉体５の底面を支受せしめて、炉熱処
理時発生する炉残滓（ゴミ）や微細粉末を受け易
い構造とする底板である。又、８は底板７の周辺
縁に設ける炉残滓物あるいはゴミを吸い取る真空
排気系に連接される排気管、該排気管８は炉周辺
に等角に三方に配置される。

以上、実施例の説明に引用した縦型炉は気相成
長炉を例示して説明したが、本考案縦型炉は、半
導体ウエハの拡散処理炉等に適用しても構わな
い。

(g) 考案の効果 本考案の半導体ウエハ処理用縦型炉によれば、
炉残滓物等のゴミが完全に除去され、清浄な作業
環境下でウエハ熱処理が施行される利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る縦型炉の一例を示す断面
図、第２図は本考案の炉体構成実施例としての斜
視図である。 図中、１は石英反応管、２は加熱体、５は縦型
炉体、６は炉体５の分割線、７は底板、及び８は
排気管である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 加熱体が周設された反応管が垂直方向に収納さ
   れた縦型炉であつて、 前記縦型炉の炉体５は、縦方向の分割線６に沿
   つて擺動可能に複数個に分割されるものであり、
   かつ底部に設けられた底板７に、真空排気系に連
   接された排気管８を有するものである ことを特徴とする半導体ウエハ処理用縦型炉。