JPS5986147A - ウエハホルダ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、イオン打込処理において半導体ウェハを保持
するためのウェハホルダの改良に関するものである。

従来、イオン打込処理においては、半導体ウェハを金属
製のウェハホルダで保持して所要の処理を行っている。

発明者の知見によれば、かかる処理を終えたウェハを打
込み不純物の再分布のために熱処理すると、ウェハには
不所望な結晶欠陥の発生が認められ、かような結晶欠陥
の発生は、イオン打込工程で用いられるウェハホルダが
金属でできているため、その金属イオンがウェハに付着
して熱処理時にウェハの結晶構造を害することによるも
のと推測される。通常、イオン拐込み後、熱処理工程に
先立ってウェハに対する洗浄処理がなされるので、かか
る金属イオンも洗浄処理でかなり除去することができる
。しかし、洗浄処理によっても完全に金属イオンを除去
することは困難であり、高度の洗浄を行おうとすれば、
多大な費用と労力を要することにもなるので、簡便な手
段で金属汚染を回避できることが望まれる。

本発明は、かかる要望にこたえるためになされたもので
あって、その目的とするところは、ウェハの金属汚染を
効果的に防止できる新規なウェハホルダを提供すること
にある。

上記目的を達成するための本発明の要旨は、ウェハ裏面
を非金属材料で支持することを特徴とするウェハホルダ
にある。好ましい非金属材料としては、例えば、シリコ
ン（Ｓｉ）、シリカ（Ｓ１０２）−シリコンカーバイド
（ＳｉＣ）などがある。このような材料でウェハ接触部
分を構成すると、イオン打込処理におけるホルダからの
金属汚染をほとんどなくすることができるため、ウェハ
が後続の洗浄工程で格別高度に洗浄されなくても熱処理
工程においては金属汚染による結晶欠陥の発生を大幅抑
述する。

第１図は、本発明の実施例によるウェハホルダを示すも
のである。この例のホルダは、イオンＸにさらされる半
導体ウェハ２０を、前述のシリコン、シリカ、又はシリ
コンカーバイドのような非金属材料からなる下側及び上
側のおさえ部材２２゜２４で保持するようにしたもので
ある。下側おさえ部材２２を貫通してドース量測定用端
子２６がウェハ２０の下面に接触している。このように
することによって半導体ウェハ２０に金属汚染を与えな
いという効果を発揮するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例によるウニ・・ホルダの要部断
面図である。 符号の説明 ２０・・・半導体ウェハ、２２・・・下側おさえ部材、
２４・・・上側おさえ部材、２６・・・ドース量測定端
子。 代理人　弁理士　　高　橋　明　夫ＥＳ第　　１　　図 ８

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　ウェハ裏面を非金属材料で支持することを特徴と
   するウェハホルダ。