JPS58108735A - 縦型反応管用バスケツト - Google Patents

縦型反応管用バスケツト

Info

Publication number
JPS58108735A
JPS58108735A JP20715781A JP20715781A JPS58108735A JP S58108735 A JPS58108735 A JP S58108735A JP 20715781 A JP20715781 A JP 20715781A JP 20715781 A JP20715781 A JP 20715781A JP S58108735 A JPS58108735 A JP S58108735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
basket
wafer
reaction tube
quartz
rings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20715781A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6222526B2 (ja
Inventor
Yasuo Uoochi
魚落 泰雄
Mamoru Maeda
守 前田
Haruo Shimoda
下田 春夫
Mikio Takagi
幹夫 高木
Takeshi Nishizawa
西沢 武志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP20715781A priority Critical patent/JPS58108735A/ja
Publication of JPS58108735A publication Critical patent/JPS58108735A/ja
Publication of JPS6222526B2 publication Critical patent/JPS6222526B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は縦型反応管に使用できるウニノーを支持するバ
スケットに関する。
(2)技術の背景 半導体装置の製造において、通常ウニノ・に熱処理また
は化学気相成長などを行なう。このときゴミがあっては
ならず、またウェハに熱歪みがおきて、変形したりスリ
ップラインが発生しないことが必要であシ、さらに多数
のウェハ全自動的に装着することも望ましい。
(3)従来技術と問題点 従来、ウェハの熱処理または化学気相成長を行なうには
横型反応管を利用し、ウェハを支持するバスケットff
i引出し棒にのぜて反応管に挿入していた。この装置の
欠点は挿入または取出し時において、反応管と引出し棒
の摩擦が避けられないので、石英のゴミを発生する。こ
のことは、ウェハの大口径化に伴い1・61著になる傾
向にある。またバスケットの熱容量が比較的大きいので
、加熱・冷却時においてランビングレートを速くできず
、またバスケット取出し時において、各ウニノーの中心
から周辺に向かう温度差も比較的大きいのでウェハに熱
歪みが発生しやすく、特にウニノ・支持点においてスリ
ップラインが発生することが多かった。
(4)発明の目的 本発明の目的は上記欠点を解消することである。
(5)発明の構成 本発明の上記目的は、気相反応または熱処理においてウ
ェハを支持するバスケットであって、縦型反応管内に保
持することができ、ウニノ・の周辺においでウニノ・を
支持する複数の水平な石英リングを石英連結棒によって
垂直方向に連結したことを特徴とするバスケットによっ
て達成することができる。
本発明のバスケットは、水平な石英リングの中心軸のま
わりに回転させ、石英リングまたは石英連結棒に石英の
整流板を取付けることが有利である。
(6)実施例 第1図は本発明のバスケット1を取付けた縦型反応管2
を示す。バスケット1は反応管2の1端、1 からキセップを脱して挿入子ることができる。反応ガス
は、図では上方より下方に流れて、ノ々スケット1上の
ウニノ・と反応する。
第2図は本発明のバスケットの一例を示す。検数のリン
グ3は3本の連結棒4によって連結され、これらの連結
棒4は90°を隔てており、残りの180°のすき間か
らリング3上に、図示しないウェハを装着することがで
きる。180°のすき間においてリング3に小さな突起
部を設けて、ウェハの脱落を防止する。
第38および3b図は本発明のバスケットの他の実施態
様であって、リング3および連結棒4は第1図のバスケ
ット1と同様であるが、連結棒4に整流板5を取付け、
かつバスケット1はリング3の中心軸のまわりに回転す
る。これによって軸方向に流れる反応ガスを、リング1
上の、図ボしないウェハの間に送込んで、ウェハ上の層
厚分布を均一化することができる。
(7)@明の効果 縦形反応管内にバスクツIf保持するので、反応管壁に
接触させることなくバスケット全挿入または取出すこと
ができ、これによって石英ゴミが発生することを防止で
きる。バスケットの熱容量が比較的小さいので、ランビ
ングレートが比較的短かいばかりでなく、バスケットの
取出し時においてウェハの受ける熱歪みが少ない。従っ
て熱処理後のウニノ・は変形またはスリップラインの発
生が少ない。さらに、作業の自動化にも有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のバスケットを取付ける縦型反応管の説
明図であシ、 第2図は本発明のバスケットの1つの実施態様の斜視図
であり、 第3a図および第3b図は本発明のバスケットの他の実
施態様の平面図および側面図である。 1・・・バスケット、2・・・反応管、3・・・リング
、4・・・連結棒、5・・・整流板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、気相反応または熱処理においてウェハを支持するバ
    スケットであって、縦型反応管内に保持することができ
    、ウェハの周辺においてウェハを支持する複数の水平な
    石英リングを石英連結環によって垂直方向に連結したこ
    とを%徽とするバスケット。 2、水平な石英リングの中心軸のまわりに回転すること
    ができ、石英リングまたは石英連結棒に石英の整流板を
    取付けた、特許請求の範囲第1項記載のバスケット。
JP20715781A 1981-12-23 1981-12-23 縦型反応管用バスケツト Granted JPS58108735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20715781A JPS58108735A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 縦型反応管用バスケツト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20715781A JPS58108735A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 縦型反応管用バスケツト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58108735A true JPS58108735A (ja) 1983-06-28
JPS6222526B2 JPS6222526B2 (ja) 1987-05-19

Family

ID=16535164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20715781A Granted JPS58108735A (ja) 1981-12-23 1981-12-23 縦型反応管用バスケツト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58108735A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189930A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ−保持装置
JPS61183525U (ja) * 1984-12-26 1986-11-15
JPH01239853A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Tel Sagami Ltd 籠形ボート
JPH0247029U (ja) * 1988-09-28 1990-03-30
JPH0350324U (ja) * 1989-09-21 1991-05-16
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
WO2006118215A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53157661U (ja) * 1977-05-17 1978-12-11
JPS5588323A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53157661U (ja) * 1977-05-17 1978-12-11
JPS5588323A (en) * 1978-12-27 1980-07-04 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60189930A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ−保持装置
JPH0117244B2 (ja) * 1984-03-12 1989-03-29 Toshiba Ceramics Co
JPS61183525U (ja) * 1984-12-26 1986-11-15
JPH01239853A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Tel Sagami Ltd 籠形ボート
JPH0247029U (ja) * 1988-09-28 1990-03-30
JPH0350324U (ja) * 1989-09-21 1991-05-16
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Cvd装置のための基板支持装置
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
WO2006118215A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6222526B2 (ja) 1987-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09139352A (ja) 縦型炉用ウェーハボート
JPS58108735A (ja) 縦型反応管用バスケツト
CN115821372A (zh) 晶体生长装置
JPS6227725B2 (ja)
JPH04192519A (ja) 半導体熱処理用縦型プロセスチューブの構造
JP2004172374A (ja) 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
JPS6112024A (ja) 縦型加熱炉
JPH0217633A (ja) 縦型ウェハーボート
JPH0438516Y2 (ja)
JPH02102523A (ja) ウェハーボート
JPS6112026A (ja) 縦型加熱炉
JPH02153524A (ja) 熱処理装置
JPS6074545A (ja) ウエハの着脱方法
JPS63178519A (ja) 半導体熱処理装置
JPH04206515A (ja) 熱処理装置
JPH03291916A (ja) サセプタ
JP2010258235A (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
JPH04206635A (ja) 縦型熱処理装置
CN117832156A (zh) 半导体处理用支架装置和半导体处理设备
JPS6112674Y2 (ja)
JPH03272132A (ja) 加熱炉
JPH04196523A (ja) 熱処理装置
JPH0547685A (ja) 半導体ウエハへの不純物拡散方法
JP2001267255A (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
JPS60244030A (ja) 横型炉