JPS6112024A - 縦型加熱炉 - Google Patents

縦型加熱炉

Info

Publication number
JPS6112024A
JPS6112024A JP13373584A JP13373584A JPS6112024A JP S6112024 A JPS6112024 A JP S6112024A JP 13373584 A JP13373584 A JP 13373584A JP 13373584 A JP13373584 A JP 13373584A JP S6112024 A JPS6112024 A JP S6112024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
basket
wafer
holder
wafer basket
wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13373584A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0222535B2 (ja
Inventor
Junji Sakurai
桜井 潤治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP13373584A priority Critical patent/JPS6112024A/ja
Publication of JPS6112024A publication Critical patent/JPS6112024A/ja
Publication of JPH0222535B2 publication Critical patent/JPH0222535B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ia+  発明の技術分野 本発明は、縦型加熱炉の構造に係り、特に耐震性と取扱
面でウェハ保持の安全を考慮したウェハバスケットの保
持に関する。
Cb)技術の背景 近年、特に半導体基板の大型化が進み、高度の無塵化や
自動化の傾向に伴い、従来使用されてきた横型炉では、
石英の容器とウェハを搭載した石英のウェハバスケット
が摺動して、石英の微粒子が発生して、これがウニハブ
歩留りの低下の原因となる欠点があるために、縦型加熱
炉が採用されはじめ、特に縦型炉は構造的に自動化が容
易であり、占有スペースが小になる等多くの利点がある
が、通常縦型炉の場合には、容器の内部で加熱されるウ
ェハが10ット単位でウェハバスケットに搭載され、そ
のウェハバスケットの複数個がバスケットホルダに積載
されてから、容器に挿入されて加熱炉で加熱される。
従ってバスケットホルダは、ウェハバスケントを挿入す
るための開口部があり、外部からの振動や取扱の不備な
どのため、この開口部からウェハバスケットに搭載され
たウェハが落下するという欠点があり、これの改善が要
望されている。
(C1従来技術と問題点 半導体基板の酸化膜を形成する場合とか、半導体基板に
不純物をドープして拡散する場合には、これらの半導体
基板を適当な雰囲気ガスの中で高温に加熱することで行
われ、通常この場合の加熱炉は1000℃程度の温度条
件で成される。
第1図は従来構造の縦型加熱炉の模式的断面図であり、
図において1は被加熱物を加熱する石英製の管状の容器
であり、この管状の容器には密封製の蓋2があり又、雰
囲気ガスの供給孔3と排出孔4があって、これらは、容
器の周囲に配設された加熱体5によって加熱されている
容器内で加熱されるバスケットホルダ6は石英製であり
、操作索条7によって上下に操作され、加熱処理された
バスケットホルダは、一部密封製の蓋を有する取り出し
桿8によって外部にとりだされる。
バスケットホルダ6の内部には複数個をウェハバスケッ
ト9が多段に搭載されていて同時に加熱されるが、通常
ウェハバスケットにばウェハが25枚程度を10ツトと
して収納して、化学処理や洗浄処理と併用されることが
多い。
この場合に、バスケットホルダは円筒形の半面が開口し
ているため、この部分に搭載されたウェハバスケットか
らウェハが落下するという恐れがあり、これの対策が要
望されている。
(dl  発明の目的 本発明は、上記従来の欠点に鑑み、加熱炉に使用される
バスケットホルダに挿入するウェハバスケットからウェ
ハが落下しないようにウェハバスケットのストッパの利
用を提供することを目的とする。
(el  発明の構成 この目的は、本発明によれば、縦長の管体をほぼ垂直に
配置してなる容器と、該容器の両端部に設けられた蓋部
と、該容器を加熱する加熱部と半円筒の筒型バスケット
ホルダーとを有し、該バスケットホルダーに搭載される
ウェハバスケットの挿入方向の手前側にウェハ脱落防止
用ストッパを設けてなることを特徴とする縦型加熱炉を
提供することによって達成できる。
(f)  発明の実施例 一般に加熱炉内の容器の内径は、加熱効率が高く、又加
熱炉内の温度の均一性を得るために、被加熱体の寸法に
比較して必要最小限の内径に設定されるものであり、特
に、バスケットホルダーの場合には、その間隙がせいぜ
い数mm乃至拍数mm程度であるので、例えばバスケッ
トホルダーが若干でも振動するとか、又は取扱面でウェ
ハバスケットの位置が適正でないと、ウェハバスケット
の中からウェハが容器の壁面に当たるとか、落下すると
かの事故を招くことになる。
このためバスケットホルダに挿入されるウェハバスケッ
トには、ウェハが落下しないようなストッパを設ける必
要がある。
第2図は本発明のウェハバスケットの斜視図であるが、
半円形の籠型のバスケットホルダ11があり、このバス
ケットホルダにはウェハ12を多段に搭載したウェハバ
スケット13があり、これらを複数個だけ搭載できるよ
うに、ウェハバスケット置台14.15があるが(第2
図ではウェハバスケット置台が2台の場合について図示
しである)、ウェハバスケット置台15にはウェハバス
ケット16が設置された状態であり、ウェハバスケット
置台14にはウェハバスケット13を設置するために、
バスケット用フォークリフト17を用いて、リフト円筒
部18にこれを挿入して搬入し、ウェハバスケット置台
14に搭載せんとするものである。
本発明によるウェハバスケット13に設けられたウェハ
落下防止ストッパ19により、ウェハバスケットがバス
ケットホルダーに搭載された後でも、ウェハがウェハバ
スケットから落下することがなく又バスケットホルダー
側には支柱20があり、このためにウェハバスケントか
らウェハが落下したり、ずれが発生することがなく、取
扱面の不備や、多少の外部の振動があってもウェハを破
損することが無い。
(g)  発明の効果 以上詳細に説明したように、本発明のバスケットホルダ
ーを使用することにより、ウェハの落下防止に対処し得
るという効果大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の加熱炉の模式図、第2図は本発明のバス
ケットホルダの斜視図である。 図において、11はバスケットホルダ、12はウェハ、
13ハウエハバスケソト、14.15はウェハバスケッ
ト置台、16はウェハバスケット、17はバスケット用
フォークリフト、18はリフト円筒部、19はウェハ落
下防止ストッパ、20は支柱である。 第1wI ■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 縦長の管体をほぼ垂直に配置してなる容器と、該容器の
    両端部に設けられた蓋部と、該容器を加熱する加熱部と
    半円筒の籠型バスケットホルダーとを有し、該バスケッ
    トホルダーに搭載されるウェハバスケットの挿入方向の
    手前側にウェハ脱落防止用ストッパを設けてなることを
    特徴とする縦型加熱炉。
JP13373584A 1984-06-27 1984-06-27 縦型加熱炉 Granted JPS6112024A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13373584A JPS6112024A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 縦型加熱炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13373584A JPS6112024A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 縦型加熱炉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6112024A true JPS6112024A (ja) 1986-01-20
JPH0222535B2 JPH0222535B2 (ja) 1990-05-18

Family

ID=15111687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13373584A Granted JPS6112024A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 縦型加熱炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6112024A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62281321A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 Fukui Shinetsu Sekiei:Kk ウエハ処理装置
JPS6466933A (en) * 1987-09-07 1989-03-13 Toshiba Ceramics Co Boat for vertical diffusion furnace
JP2006028607A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Showa Shinku:Kk 蒸着材料の供給・回収手段及び真空装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56165317A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56165317A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62281321A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 Fukui Shinetsu Sekiei:Kk ウエハ処理装置
JPS6466933A (en) * 1987-09-07 1989-03-13 Toshiba Ceramics Co Boat for vertical diffusion furnace
JP2006028607A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Showa Shinku:Kk 蒸着材料の供給・回収手段及び真空装置
JP4543198B2 (ja) * 2004-07-20 2010-09-15 株式会社昭和真空 蒸着材料の供給・回収手段及び真空装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0222535B2 (ja) 1990-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5188326B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP2918780B2 (ja) 加熱された支持部上のシャドーフレーム及び大型平面基板の整列
US5865321A (en) Slip free vertical rack design
US4518349A (en) Cantilevered boat-free semiconductor wafer handling system
KR20200096985A (ko) 셔터 디스크 어셈블리, 반도체 가공 장치와 방법
US7553516B2 (en) System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates
JPS6112024A (ja) 縦型加熱炉
US5584934A (en) Method and apparatus for preventing distortion of horizontal quartz tube caused by high temperature
JPS6227725B2 (ja)
JP2000150403A (ja) 保温筒および縦型熱処理装置
JPS58108735A (ja) 縦型反応管用バスケツト
JPS5875840A (ja) 半導体用加熱処理炉
JPH1174205A (ja) 半導体製造装置
JP2004071618A (ja) 基板処理装置
JP2963145B2 (ja) Cvd膜の形成方法及び形成装置
JPS60257131A (ja) 縦型加熱炉
JP2009088395A (ja) 基板処理装置
JP2001358085A (ja) 半導体製造装置
JPS60249335A (ja) 縦型加熱炉
JPH05235156A (ja) 縦型炉用ボート
KR19990023469U (ko) 종형로의 웨이퍼 적재구조
JPS63114118A (ja) 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置
KR100832713B1 (ko) 수직형 퍼니스의 페데스탈 보호장치
KR960001464Y1 (ko) 웨이퍼 이송에 의한 불순물 입자 발생 방지 척
KR20070058169A (ko) 웨이퍼 보트