JPH0217633A - 縦型ウェハーボート - Google Patents
縦型ウェハーボートInfo
- Publication number
- JPH0217633A JPH0217633A JP16834788A JP16834788A JPH0217633A JP H0217633 A JPH0217633 A JP H0217633A JP 16834788 A JP16834788 A JP 16834788A JP 16834788 A JP16834788 A JP 16834788A JP H0217633 A JPH0217633 A JP H0217633A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- boat
- port
- contact
- held
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 83
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縦型熱処理装置に具備するポートに関して、特
に縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボートに関
するものである。
に縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボートに関
するものである。
従来、縦型気相成長装置に具備する縦型ウェハーボート
には、ウェハーと接する保持部分において、ウェハーと
ポートの支持部との熱伝導の差に伴ってウェハーに熱歪
が加わり、結晶欠陥を生じさせる。こｈを避けるために
３点または４点でウェハーを保持し、ウェハーを保持す
る部分は、ポート支持棒から棒状に突き出しており、且
つウェハーの端部、及びウェハー周辺裏面がそれぞれボ
ート支持棒と保持部とで面接触するポートが使用されて
いる（例えば特公昭６１−１９１０１５号公報）。ある
いは、ウェハーの厚みより若干厚い矩形の溝がボート支
持棒に形成され、その溝部でウェハー端部及びウェハー
裏面周辺が面接触するポートが使用されている。
には、ウェハーと接する保持部分において、ウェハーと
ポートの支持部との熱伝導の差に伴ってウェハーに熱歪
が加わり、結晶欠陥を生じさせる。こｈを避けるために
３点または４点でウェハーを保持し、ウェハーを保持す
る部分は、ポート支持棒から棒状に突き出しており、且
つウェハーの端部、及びウェハー周辺裏面がそれぞれボ
ート支持棒と保持部とで面接触するポートが使用されて
いる（例えば特公昭６１−１９１０１５号公報）。ある
いは、ウェハーの厚みより若干厚い矩形の溝がボート支
持棒に形成され、その溝部でウェハー端部及びウェハー
裏面周辺が面接触するポートが使用されている。
上述したように、従来の縦型気相反応装置に具備するポ
ートにおいて、ポートへウェハーを出し入れする際、ポ
ートの支持部とウェハー周辺部の接触面積が大きいため
に、ウェハー周辺部に微小な傷が入るという欠点がある
。また、ウェハー裏面との接触面積も大きいということ
は、ウェハー裏面のポートのウェハーを保持する部分と
の熱伝導の差異から接触部分において、ウェハーにスリ
ップ等の欠陥を発生させるという欠点がある。
ートにおいて、ポートへウェハーを出し入れする際、ポ
ートの支持部とウェハー周辺部の接触面積が大きいため
に、ウェハー周辺部に微小な傷が入るという欠点がある
。また、ウェハー裏面との接触面積も大きいということ
は、ウェハー裏面のポートのウェハーを保持する部分と
の熱伝導の差異から接触部分において、ウェハーにスリ
ップ等の欠陥を発生させるという欠点がある。
本発明のウェハーボートは、ウェハー主面をほぼ水平と
し、且つ複数枚のウェハーをほぼ一定の間隔で保持する
縦型ウェハーボートにおいて、ウェハーの端部がポート
の支持棒と接触せず、ウェハー保持部に表面に丸みをつ
けた突起部を付け、ウェハー裏面を前記突起部で点接触
して保持する構成になっている。
し、且つ複数枚のウェハーをほぼ一定の間隔で保持する
縦型ウェハーボートにおいて、ウェハーの端部がポート
の支持棒と接触せず、ウェハー保持部に表面に丸みをつ
けた突起部を付け、ウェハー裏面を前記突起部で点接触
して保持する構成になっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
縦型の抵抗加熱炉１内に設置された反応管は外管２及び
内管３で構成されており、架台４で保持されている。内
管３には反応ガス供給のためのノズル５が設けられてい
る。ウェハー７は回転可能なポート６に任意の間隔をお
いて保持されている。
内管３で構成されており、架台４で保持されている。内
管３には反応ガス供給のためのノズル５が設けられてい
る。ウェハー７は回転可能なポート６に任意の間隔をお
いて保持されている。
第２図は、第１図中破線で囲まれた領域Ａを拡大した縦
断面図であり、ポートの支持部の構成をより詳細に説明
するものである。ウェハー８を保持するポート１１には
錠状の支持部９が構成され、ウェハーの端部１２がポー
ト１１と接触せず、ウェハーの端部１２から約１ｃｍ離
れたウェハー裏面１３を錠状の支持部９の突起部１０で
点接触して保持し、その突起部１０は表面に丸みがつく
ように縁取りされている。本ポートを用いて６″φウ工
ハー５０枚を充填して１１００℃でＳｉエピタキシャル
成長をした。従来のポートを用いた場合、ウェハーのポ
ートに保持された部分において、１〜２ｃｍのスリップ
が多数みられたが、本実施例のポートを用いた場合、ウ
ェハーのポートに保持された部分において、スリップの
発生は見られず、本発明の便位性が確認された。
断面図であり、ポートの支持部の構成をより詳細に説明
するものである。ウェハー８を保持するポート１１には
錠状の支持部９が構成され、ウェハーの端部１２がポー
ト１１と接触せず、ウェハーの端部１２から約１ｃｍ離
れたウェハー裏面１３を錠状の支持部９の突起部１０で
点接触して保持し、その突起部１０は表面に丸みがつく
ように縁取りされている。本ポートを用いて６″φウ工
ハー５０枚を充填して１１００℃でＳｉエピタキシャル
成長をした。従来のポートを用いた場合、ウェハーのポ
ートに保持された部分において、１〜２ｃｍのスリップ
が多数みられたが、本実施例のポートを用いた場合、ウ
ェハーのポートに保持された部分において、スリップの
発生は見られず、本発明の便位性が確認された。
第３図は本発明の他の実施例の縦断面図であり、第２図
と同様、ウェハー保持部の構成を示したものである。ウ
ェハー１４を保持するボート支持棒１９にはウェハー保
持部１８が構成され、ウェハーの端部１６がポート支持
棒１９またはウェハー保持部１８と接触せず、ウェハー
端部１６から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１７をウェハ
ー保持部１８の突起部１５で点接触して保持し、その突
起部１５は、表面に丸みがつくように縁取りされている
。本ポートを用いて６＃φウ工ハー５０枚を充填して、
１１００℃でＳｉエピタキシャル成長を行った。従来の
ポートを用いた場合、ウェハーのポートに保持された部
分において、１〜２ｃｍのスリップが多数みられたが、
本実施例のポートを用いた場合、ウェハーのポートに保
持された部分において、スリップの発生は見られず、本
発明の擾位性が確認された。
と同様、ウェハー保持部の構成を示したものである。ウ
ェハー１４を保持するボート支持棒１９にはウェハー保
持部１８が構成され、ウェハーの端部１６がポート支持
棒１９またはウェハー保持部１８と接触せず、ウェハー
端部１６から約１ｃｍ離れたウェハー裏面１７をウェハ
ー保持部１８の突起部１５で点接触して保持し、その突
起部１５は、表面に丸みがつくように縁取りされている
。本ポートを用いて６＃φウ工ハー５０枚を充填して、
１１００℃でＳｉエピタキシャル成長を行った。従来の
ポートを用いた場合、ウェハーのポートに保持された部
分において、１〜２ｃｍのスリップが多数みられたが、
本実施例のポートを用いた場合、ウェハーのポートに保
持された部分において、スリップの発生は見られず、本
発明の擾位性が確認された。
以上説明したように、本発明はウェハーの端部をポート
に接触させず、且つウェハー裏面とウェハーを保持する
部分との接触面積を小さくするため、丸みがつくように
縁取りしたウェハーを保持する部分を有するポートを用
いることにより、ポートからウェハーの出し入れ時にお
けるウェハー表面への微小な傷、あるいは熱的応力によ
るスリップ等の発生をおさえるため歩留りの著しい向上
効果がある。
に接触させず、且つウェハー裏面とウェハーを保持する
部分との接触面積を小さくするため、丸みがつくように
縁取りしたウェハーを保持する部分を有するポートを用
いることにより、ポートからウェハーの出し入れ時にお
けるウェハー表面への微小な傷、あるいは熱的応力によ
るスリップ等の発生をおさえるため歩留りの著しい向上
効果がある。
第１図は本発明の一実施例による縦型気相成長装置の縦
断面図、第２図は第１図の破線で囲まれた部分Ａの拡大
縦断面図、第３図は本発明の他の実施例の主要部を示す
縦断面図である。 １・・・・・・抵抗加熱炉、２・・・・・・外管、３・
・・・・・内管、４・・・・・・架台、５・・・・・・
ノズル、６・・・・・・ポート、７・・・・・・ウェハ
ー ８・・・・・・ウェハー ９・・・・・・錠状支持
部、１０・・・・・・突起部、１１・・・・・・ポート
、１２・・・・・・ウェハー端部、１３・・・・・・ウ
ェハー裏面、１４・・・・・・ウェハー １５・・・・
・・突起部、１６・・・・・・ウェハー端部、１７・・
・・・・ウェハー裏面、１８・・・・・・ウェハー保持
部、１９・・・・・・ポート支持棒。 代理人 弁理士 内 原 晋
断面図、第２図は第１図の破線で囲まれた部分Ａの拡大
縦断面図、第３図は本発明の他の実施例の主要部を示す
縦断面図である。 １・・・・・・抵抗加熱炉、２・・・・・・外管、３・
・・・・・内管、４・・・・・・架台、５・・・・・・
ノズル、６・・・・・・ポート、７・・・・・・ウェハ
ー ８・・・・・・ウェハー ９・・・・・・錠状支持
部、１０・・・・・・突起部、１１・・・・・・ポート
、１２・・・・・・ウェハー端部、１３・・・・・・ウ
ェハー裏面、１４・・・・・・ウェハー １５・・・・
・・突起部、１６・・・・・・ウェハー端部、１７・・
・・・・ウェハー裏面、１８・・・・・・ウェハー保持
部、１９・・・・・・ポート支持棒。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- ウェハー主面をほぼ水平とし、且つ複数枚のウェハーを
ほぼ一定の間隔で保持する縦型ウェハーボートにおいて
、ウェハー主面にほぼ垂直にたてられた複数本の支持棒
につけられたウェハー保持部でウェハー端部がウェハー
ボートに接触せず、かつ該ウェハー保持部がウェハー裏
面と点接触することによってウェハーを保持することを
特徴とする縦型ウェハーボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16834788A JPH0217633A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 縦型ウェハーボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16834788A JPH0217633A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 縦型ウェハーボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217633A true JPH0217633A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15866376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16834788A Pending JPH0217633A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | 縦型ウェハーボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217633A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997032339A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Tokyo Electron Limited | Nacelle de traitement thermique pour plaquette de semi-conducteur |
| US5779797A (en) * | 1995-11-15 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Wafer boat for vertical diffusion and vapor growth furnace |
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
| WO2010032702A1 (ja) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 株式会社放電精密加工研究所 | 亜鉛又は亜鉛合金表面の黒色化化成処理用水溶液と該処理用水溶液を用いる黒色化防錆皮膜形成方法 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP16834788A patent/JPH0217633A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779797A (en) * | 1995-11-15 | 1998-07-14 | Nec Corporation | Wafer boat for vertical diffusion and vapor growth furnace |
| WO1997032339A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Tokyo Electron Limited | Nacelle de traitement thermique pour plaquette de semi-conducteur |
| US6062853A (en) * | 1996-02-29 | 2000-05-16 | Tokyo Electron Limited | Heat-treating boat for semiconductor wafers |
| EP0982761A1 (de) * | 1998-08-27 | 2000-03-01 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung für die Wärmebehandlung von Halbleiterplatten |
| KR100370857B1 (ko) * | 1998-08-27 | 2003-02-05 | 와커 실트로닉 아게 | 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 그 열처리 지지 장치 |
| WO2010032702A1 (ja) | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 株式会社放電精密加工研究所 | 亜鉛又は亜鉛合金表面の黒色化化成処理用水溶液と該処理用水溶液を用いる黒色化防錆皮膜形成方法 |
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