JPH04206515A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH04206515A JPH04206515A JP32939790A JP32939790A JPH04206515A JP H04206515 A JPH04206515 A JP H04206515A JP 32939790 A JP32939790 A JP 32939790A JP 32939790 A JP32939790 A JP 32939790A JP H04206515 A JPH04206515 A JP H04206515A
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- Japan
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- wafers
- wafer
- heat treatment
- susceptor
- quartz tube
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- Pending
Links
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 22
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱処理技術に関し、特に半導体ウェハの熱処
理に適用して育効な技術に関するものである。
理に適用して育効な技術に関するものである。
半導体集積回路装置の製造工程の一部である熱処理工程
（酸化、拡散、アニール、ＣＶＤなど）において使用さ
れる拡散炉には、縦型炉と横型炉とがある。縦型炉は、
水平にした半導体ウェハを縦長の石英管の上下方向に沿
って多数枚並へる方式であり、横型炉は、垂直に立てた
半導体ウエノ１を横長の石英管の水平方向に沿って多数
枚並へる方式である。縦型炉は横型炉に比へて、均熱特
性か優れている、パーティクルの発生が少ない、ウェハ
搬送の自動化か容易である、フロア占育面積を小さくで
きるなとの利点を備えていることから、拡散炉の主流に
なりつつある。なお、上記縦型炉および横型炉の現状と
動向については、株式会社プレスジャーナル、平成２年
９月２０日発行の「月刊セミコンダクターワールド」Ｐ
９３〜Ｐ９７において論じられている。
（酸化、拡散、アニール、ＣＶＤなど）において使用さ
れる拡散炉には、縦型炉と横型炉とがある。縦型炉は、
水平にした半導体ウェハを縦長の石英管の上下方向に沿
って多数枚並へる方式であり、横型炉は、垂直に立てた
半導体ウエノ１を横長の石英管の水平方向に沿って多数
枚並へる方式である。縦型炉は横型炉に比へて、均熱特
性か優れている、パーティクルの発生が少ない、ウェハ
搬送の自動化か容易である、フロア占育面積を小さくで
きるなとの利点を備えていることから、拡散炉の主流に
なりつつある。なお、上記縦型炉および横型炉の現状と
動向については、株式会社プレスジャーナル、平成２年
９月２０日発行の「月刊セミコンダクターワールド」Ｐ
９３〜Ｐ９７において論じられている。
本発明者が検討したところによると、従来の縦型炉には
、下記のような問題かある。
、下記のような問題かある。
第２図に示すように、従来の縦型炉のウェハサセプタ３
は、水平に置いたウェハ５の外周部を冶具１０で支える
構造になっている。それぞれのウェハ５は、ウェハサセ
プタ３からの出し入れを可能とするため、半周部のみが
治具ｌＯで支えられているので、ウェハ５と治具ｌＯと
の接点には、治具ｌＯに支えられていない残りの半周部
（第３図に示すウニ／Ｘ５の斜線部分）の自重に起因す
る曲げモーメント＝ｍａ（ｃｏｓθ）（ｍは、上記斜線
部分のウェハ自重、ａは同しく重心位置、θは水平面か
らのウェハの傾き）か加わっている。
は、水平に置いたウェハ５の外周部を冶具１０で支える
構造になっている。それぞれのウェハ５は、ウェハサセ
プタ３からの出し入れを可能とするため、半周部のみが
治具ｌＯで支えられているので、ウェハ５と治具ｌＯと
の接点には、治具ｌＯに支えられていない残りの半周部
（第３図に示すウニ／Ｘ５の斜線部分）の自重に起因す
る曲げモーメント＝ｍａ（ｃｏｓθ）（ｍは、上記斜線
部分のウェハ自重、ａは同しく重心位置、θは水平面か
らのウェハの傾き）か加わっている。
そのため、この状態で、例えば１１００〜１２００°Ｃ
程度の高温熱処理を行うと、８インチまたはそれ以上の
大口径ウエノ＼のように、自重（ｍ）か大きいウェハて
は、上記曲げモーメントが臨界応力値を越えてしまい、
ウエノ１内部に応力転位（結晶欠陥）が発生するという
問題かある。
程度の高温熱処理を行うと、８インチまたはそれ以上の
大口径ウエノ＼のように、自重（ｍ）か大きいウェハて
は、上記曲げモーメントが臨界応力値を越えてしまい、
ウエノ１内部に応力転位（結晶欠陥）が発生するという
問題かある。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、ウニ／％の高温熱処理時における応力
転位の発生を防止する技術を提供することにある。
り、その目的は、ウニ／％の高温熱処理時における応力
転位の発生を防止する技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明の熱処理装置は、ウニ１１をほぼ垂直に立てた状
態でウェハサセプタに収容し、このウェハサセプタを石
英管の上部または下部から出し入れてきるように構成し
たものである。
態でウェハサセプタに収容し、このウェハサセプタを石
英管の上部または下部から出し入れてきるように構成し
たものである。
上記した手段によれば、ウエノ１をほぼ垂直に立てた状
態で熱処理することにより、ウニｌ＼の自重に起因する
曲げモーメントを極小にすることかできるので、高温熱
処理時における応力転位の発生を防止することができる
。また、ウニ７％サセプタ、を石英管の上部または下部
から出し入れすることにより、従来の縦型炉の長所を活
かすことかできる。
態で熱処理することにより、ウニｌ＼の自重に起因する
曲げモーメントを極小にすることかできるので、高温熱
処理時における応力転位の発生を防止することができる
。また、ウニ７％サセプタ、を石英管の上部または下部
から出し入れすることにより、従来の縦型炉の長所を活
かすことかできる。
第１図は、本実施例による拡散装置（熱処理装置）の概
略図である。
略図である。
この拡散装置ｌは、縦長の石英管２を備えており、その
内部には、石英製のウエノ１サセプタ３か収容されてい
る。このウニ７％サセプタ３は、受は台４を上下動する
ことにより、石英管２の下部から出し入れされる。
内部には、石英製のウエノ１サセプタ３か収容されてい
る。このウニ７％サセプタ３は、受は台４を上下動する
ことにより、石英管２の下部から出し入れされる。
上記ウェハサセプタ３には、複数枚のウエノ１５か垂直
に立てた状態で収容されている。これらのウェハ５は、
例えば直径８インチのシリコン単結晶ウェハである。石
英管２の外周には、上記ウェハ５を加熱するためのヒー
タ６が配置されており、石英管２の内部のウエノ１サセ
プタ３の近傍には、ウェハ５の温度を制御するための熱
電対７が配置されている。
に立てた状態で収容されている。これらのウェハ５は、
例えば直径８インチのシリコン単結晶ウェハである。石
英管２の外周には、上記ウェハ５を加熱するためのヒー
タ６が配置されており、石英管２の内部のウエノ１サセ
プタ３の近傍には、ウェハ５の温度を制御するための熱
電対７が配置されている。
石英管２の頂部には、ガス導入口８か設けられている。
このガス導入口８を通じて石英管２の内部に導入される
。また、ウエノ＼５の近傍を通過したガスは、石英管２
の底部のガス排出口９を通じて外部に排出される。
。また、ウエノ＼５の近傍を通過したガスは、石英管２
の底部のガス排出口９を通じて外部に排出される。
以上の構成からなる本実施例の拡散装置１ては、ウェハ
５を垂直に立てた状態で熱処理するので、ウェハ５の自
重に起因する曲げモーメントを実質的に零にすることか
でき、これにより、高温熱処理時における応力転位（結
晶欠陥）の発生を有効に防止することができる。また、
本実施例の拡散装置１は、ウェハサセプタ３を石英管２
の下部から出し入れする構造になっているので、均熱特
性か優れている、パーティクルの発生が少ない、ウェハ
搬送の自動化か容易である、フロア占有面積を小さくで
きるなと、従来の縦型炉と同様の長所を備えている。
５を垂直に立てた状態で熱処理するので、ウェハ５の自
重に起因する曲げモーメントを実質的に零にすることか
でき、これにより、高温熱処理時における応力転位（結
晶欠陥）の発生を有効に防止することができる。また、
本実施例の拡散装置１は、ウェハサセプタ３を石英管２
の下部から出し入れする構造になっているので、均熱特
性か優れている、パーティクルの発生が少ない、ウェハ
搬送の自動化か容易である、フロア占有面積を小さくで
きるなと、従来の縦型炉と同様の長所を備えている。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
前記実施例の拡散装置では、ウェハサセプタを石英管の
下部から出し入れしたか、これを石英管の上部から出し
入れできるようにしてもよい。
下部から出し入れしたか、これを石英管の上部から出し
入れできるようにしてもよい。
前記実施例のウェハサセプタは、ウェハを垂直に立てる
ようになっているが、必ずしも正確に垂直に立てる必要
はなく、ウェハの自重に起因する曲げモーメントか高温
熱処理時に臨界応力値を越えない範囲でウェハを傾けて
も差支えない。
ようになっているが、必ずしも正確に垂直に立てる必要
はなく、ウェハの自重に起因する曲げモーメントか高温
熱処理時に臨界応力値を越えない範囲でウェハを傾けて
も差支えない。
前記実施例では、本発明の熱処理装置を拡散装置に適用
した場合について説明したか、これに限定されるもので
はなく、酸化装置、ＣＶＤ装置、アニール装置なと、各
種の熱処理装置に適用することができる。
した場合について説明したか、これに限定されるもので
はなく、酸化装置、ＣＶＤ装置、アニール装置なと、各
種の熱処理装置に適用することができる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
ウェハをほぼ垂直に立てた状態でウェハサセプタに収容
し、このウェハサセプタを石英管の上部または下部から
出し入れするように構成した本発明の熱処理装置によれ
ば、高温熱処理時におけるウェハ内部の応力転位（結晶
欠陥）の発生か防止される。
し、このウェハサセプタを石英管の上部または下部から
出し入れするように構成した本発明の熱処理装置によれ
ば、高温熱処理時におけるウェハ内部の応力転位（結晶
欠陥）の発生か防止される。
第１図は、本発明の一実施例である熱処理装置の概略図
、 第２図は、従来の縦型炉のウェハサセプタを示す斜視図
、 第３図は、このウェハサセプタに収容された半導体ウェ
ハの斜視図である。 １・・・拡散装置（熱処理装置ｔ）、２・・・石英管、
３・・・ウェハサセプタ、４・・・受は台、５・・・半
導体ウェハ、６・・・ヒータ、７・・・熱電対、８・・
・ガス導入口、９・・・ガス排出口、１０・・・治具。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 、□ ゝ 第１図 ５：半導体ウェハ 第２ｒＭ
、 第２図は、従来の縦型炉のウェハサセプタを示す斜視図
、 第３図は、このウェハサセプタに収容された半導体ウェ
ハの斜視図である。 １・・・拡散装置（熱処理装置ｔ）、２・・・石英管、
３・・・ウェハサセプタ、４・・・受は台、５・・・半
導体ウェハ、６・・・ヒータ、７・・・熱電対、８・・
・ガス導入口、９・・・ガス排出口、１０・・・治具。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 、□ ゝ 第１図 ５：半導体ウェハ 第２ｒＭ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハをほぼ垂直に立てた状態で収容するウ
ェハサセプタと、前記ウェハサセプタを上部または下部
から出し入れする石英管とを備えていることを特徴とす
る熱処理装置。 ２、前記熱処理装置が拡散装置であることを特徴とする
請求項１記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32939790A JPH04206515A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32939790A JPH04206515A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206515A true JPH04206515A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18220979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32939790A Pending JPH04206515A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206515A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32939790A patent/JPH04206515A/ja active Pending
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