JPH01117022A - 半導体ウェーハの縦型熱処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハの縦型熱処理装置Info
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- JPH01117022A JPH01117022A JP62274538A JP27453887A JPH01117022A JP H01117022 A JPH01117022 A JP H01117022A JP 62274538 A JP62274538 A JP 62274538A JP 27453887 A JP27453887 A JP 27453887A JP H01117022 A JPH01117022 A JP H01117022A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 47
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハの熱拡散、アニール、低圧Ｃ
ＶＤ処理等に用いられる半導体ウェーハの縦型熱処理装
置に関する。
ＶＤ処理等に用いられる半導体ウェーハの縦型熱処理装
置に関する。
半導体ウェーハの縦型熱処理装置には、押上げ式と吊下
げ式とがあり、従来、前者は、半導体ウェーハが水平か
つ多段に載置されるウェーハボートを昇降するエレベー
タを備えた架台の上方に、下方に開口した垂直円筒状の
１個の熱処理炉を設けてなり、又、後者は、同様のウェ
ーハボートを昇降するエレベータを備えた架台の側方に
、上方に開口した垂直円筒状の１個の熱処理炉を設けて
なる。
げ式とがあり、従来、前者は、半導体ウェーハが水平か
つ多段に載置されるウェーハボートを昇降するエレベー
タを備えた架台の上方に、下方に開口した垂直円筒状の
１個の熱処理炉を設けてなり、又、後者は、同様のウェ
ーハボートを昇降するエレベータを備えた架台の側方に
、上方に開口した垂直円筒状の１個の熱処理炉を設けて
なる。
そして、いずれの縦型熱処理装置３０も、第４図に示す
ように、クリーンルーム３１とマシーンルーム３２を区
画する壁３３に貫設され、かつマシンルーム側に熱処理
炉３４を１個ずつ搭載して構成され、それぞれの熱処理
炉３４にウェーハボートを介して押し上げられ、又は吊
り下げられた半導体ウェーハ（共に図示せず）に熱拡散
、アニール、低圧ＣＶＤ処理等を施すものである。
ように、クリーンルーム３１とマシーンルーム３２を区
画する壁３３に貫設され、かつマシンルーム側に熱処理
炉３４を１個ずつ搭載して構成され、それぞれの熱処理
炉３４にウェーハボートを介して押し上げられ、又は吊
り下げられた半導体ウェーハ（共に図示せず）に熱拡散
、アニール、低圧ＣＶＤ処理等を施すものである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記従来の縦型熱処理装置によれば、１
台の装置に１個の熱処理炉しかないため、設置台数が装
置の幅で限定され、単位面積当たりの維持費が非常に高
価であり、装置の小スペース化が非常に重要視されてい
るクリーンルームの壁面を有効に活用できない問題があ
る。
台の装置に１個の熱処理炉しかないため、設置台数が装
置の幅で限定され、単位面積当たりの維持費が非常に高
価であり、装置の小スペース化が非常に重要視されてい
るクリーンルームの壁面を有効に活用できない問題があ
る。
そこで、本発明は、クリーンルームの壁面を有効に活用
し得るようにした半導体ウエーノ＼の縦型熱処理装置を
提供しようとするものである。
し得るようにした半導体ウエーノ＼の縦型熱処理装置を
提供しようとするものである。
前記問題点を解決するため、本発明は、カセットキャリ
ヤとウェーハボート相互間で半導体ウェー八を移載する
移載装置を設けた作業台と、作業台の後方に配置された
複数の熱処理炉と、ウェーハボートを作業台と各熱処理
炉の間で水平に搬送する搬送装置と、ウェーハボートを
それぞれの熱処理炉に装入・取外しするエレベータとを
備えたものである。
ヤとウェーハボート相互間で半導体ウェー八を移載する
移載装置を設けた作業台と、作業台の後方に配置された
複数の熱処理炉と、ウェーハボートを作業台と各熱処理
炉の間で水平に搬送する搬送装置と、ウェーハボートを
それぞれの熱処理炉に装入・取外しするエレベータとを
備えたものである。
上記手段によれば、クリーンルームの壁面を占める熱処
理炉１個当りの幅は、１台の装置の幅を熱処理炉の個数
で除した値以下となる。
理炉１個当りの幅は、１台の装置の幅を熱処理炉の個数
で除した値以下となる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図と共に説明す
る。
る。
図中１はクリーンルーム２とマシーンルーム３とを区画
する壁４に貫設した押上げ式縦型熱処理装置の機枠で、
そのクリーンルーム２内に突出した部分には、作業台５
が設けられている。作業台５上には、半導体ウェー八６
が水平かつ多段に載置されるカセットキャリヤ７とウェ
ーハボート８相互間で半導体ウェーハ６を移載する１対
の移載装置９ａ、９ｂが設けられている。
する壁４に貫設した押上げ式縦型熱処理装置の機枠で、
そのクリーンルーム２内に突出した部分には、作業台５
が設けられている。作業台５上には、半導体ウェー八６
が水平かつ多段に載置されるカセットキャリヤ７とウェ
ーハボート８相互間で半導体ウェーハ６を移載する１対
の移載装置９ａ、９ｂが設けられている。
一方、機枠１における作業台５の後方（マシーンルーム
側）には、半導体ウェーハ６を載置したウェーハボート
８を水平に搬送する搬送空間１０が設けられている。搬
送空間１０は、マシーンルーム３と気密に区画され、そ
の上方には、所要の点を中心とする円周上に、前方（ク
リーンルーム側）を底辺とする二等辺三角形状に配置さ
れ、かつ下方へ開口した垂直円筒状の３個の熱処理炉１
１が設けられている。各熱処理炉１１は、第２図に詳記
するように、耐火物から形成され、下方に開口した垂直
円筒状のヒートチューブ１２と、ヒートチューブ１２の
内周面に配置された円筒状のコイルヒーター１３と、コ
イルヒーター１３内に配置され、かつ下方へ開口した垂
直円筒状の石英プロセス管１４とからなる。
側）には、半導体ウェーハ６を載置したウェーハボート
８を水平に搬送する搬送空間１０が設けられている。搬
送空間１０は、マシーンルーム３と気密に区画され、そ
の上方には、所要の点を中心とする円周上に、前方（ク
リーンルーム側）を底辺とする二等辺三角形状に配置さ
れ、かつ下方へ開口した垂直円筒状の３個の熱処理炉１
１が設けられている。各熱処理炉１１は、第２図に詳記
するように、耐火物から形成され、下方に開口した垂直
円筒状のヒートチューブ１２と、ヒートチューブ１２の
内周面に配置された円筒状のコイルヒーター１３と、コ
イルヒーター１３内に配置され、かつ下方へ開口した垂
直円筒状の石英プロセス管１４とからなる。
各熱処理炉１１は、トランス、電源、温度制御用サイリ
スタ等（図示せず）を備えた制御盤１５によってＦｅ−
Ｃｒコイルヒーター１３の制御等が行われ、かつ必要に
応じてガス供給ユニット１６から石英プロセス管１４の
内部に反応ガス等が供給される。又、各熱処理炉１１は
、マシーンルーム３に面して機枠１に設けたそれぞれの
点検トビラ１７を介してヒートチューブ１２を石英プロ
セス管１４等と共に取り出してその点検や補修等が行わ
れる。
スタ等（図示せず）を備えた制御盤１５によってＦｅ−
Ｃｒコイルヒーター１３の制御等が行われ、かつ必要に
応じてガス供給ユニット１６から石英プロセス管１４の
内部に反応ガス等が供給される。又、各熱処理炉１１は
、マシーンルーム３に面して機枠１に設けたそれぞれの
点検トビラ１７を介してヒートチューブ１２を石英プロ
セス管１４等と共に取り出してその点検や補修等が行わ
れる。
前記作業台５上及び搬送空間１０には、ウェーハボート
８を作業台５と熱処理炉１１の下方の搬送空間１０の間
で水平に搬送する搬送装置が設けられている。搬送装置
は、作業台５上の所要の点Ｏ１を垂直軸として旋回し、
作業台５上のウェーハボート８を搬送空間１０方向へ水
平に搬送する第１搬送機（図示せず）と、熱処理炉１１
の配置中心０２を中心として旋回し、第１搬送機によっ
て搬送されたウェーハボート８をそれぞれの熱処理炉１
１の下方に水平に搬送する第２搬送機１８とからなる。
８を作業台５と熱処理炉１１の下方の搬送空間１０の間
で水平に搬送する搬送装置が設けられている。搬送装置
は、作業台５上の所要の点Ｏ１を垂直軸として旋回し、
作業台５上のウェーハボート８を搬送空間１０方向へ水
平に搬送する第１搬送機（図示せず）と、熱処理炉１１
の配置中心０２を中心として旋回し、第１搬送機によっ
て搬送されたウェーハボート８をそれぞれの熱処理炉１
１の下方に水平に搬送する第２搬送機１８とからなる。
そして、各熱処理炉１１の下方の機枠１には、ウェーハ
ボート８をそれぞれの熱処理炉１１に装入・取外しする
エレベータ（図示せず）が昇降可能に設けられている。
ボート８をそれぞれの熱処理炉１１に装入・取外しする
エレベータ（図示せず）が昇降可能に設けられている。
第１図、第３図において１９は作業台５上に設けた押釦
ボックスで、作業台５の側方に並設される計装盤（図示
せず）を見ながら移載装置９ａ、９ｂ、熱処理炉１１等
を操作するものである。又、第２図において２０及び２
１は作業台５の上方及び搬送空間１０の後方に設けたク
リーンユニットである。
ボックスで、作業台５の側方に並設される計装盤（図示
せず）を見ながら移載装置９ａ、９ｂ、熱処理炉１１等
を操作するものである。又、第２図において２０及び２
１は作業台５の上方及び搬送空間１０の後方に設けたク
リーンユニットである。
上記構成の縦型熱処理装置において、作業台５上のカセ
ットキャリヤ７内の半導体ウェーハ６は、一方の移載装
置９ａの作動によってウェーハボート８に移載され、ウ
ェーハボート８は、搬送装置の第１搬送機及び第２搬送
機１８の作動によって所要の熱処理炉１１の下方に搬送
され、しかる後エレベータの作動によって熱処理炉１１
内に装入される。
ットキャリヤ７内の半導体ウェーハ６は、一方の移載装
置９ａの作動によってウェーハボート８に移載され、ウ
ェーハボート８は、搬送装置の第１搬送機及び第２搬送
機１８の作動によって所要の熱処理炉１１の下方に搬送
され、しかる後エレベータの作動によって熱処理炉１１
内に装入される。
熱処理炉１１内で適宜の処理が施された半導体ウェーハ
６は、エレベータの作動によってウェーハボート８と共
に熱処理炉１１から取外され、以下上述した手順の逆の
手順で作業台５上のカセットキャリヤ７内に載置される
。
６は、エレベータの作動によってウェーハボート８と共
に熱処理炉１１から取外され、以下上述した手順の逆の
手順で作業台５上のカセットキャリヤ７内に載置される
。
又、熱処理炉１１を点検、補修する場合には、それぞれ
の点検トビラ１７を開き、ヒートチューブ１２をコイル
ヒーター１３及び石英プロセス管１４と共に取り出して
行う。
の点検トビラ１７を開き、ヒートチューブ１２をコイル
ヒーター１３及び石英プロセス管１４と共に取り出して
行う。
なお、上記実施例においては、熱処理炉１１を３個とす
る場合について述べたが、これに限らず熱処理炉１１を
２個又は４個以上としてもよい。
る場合について述べたが、これに限らず熱処理炉１１を
２個又は４個以上としてもよい。
又、熱処理炉１１は、押上げ式に限らず吊下げ式として
もよい。
もよい。
以上のように本発明によれば、クリーンルームの壁面を
占める熱処理炉１個当りの幅が、１台の装置の幅を熱処
理炉の個数で除した値以下となるので、従来に比しクリ
ーンルームの壁面を格別有効に活用することがで台る。
占める熱処理炉１個当りの幅が、１台の装置の幅を熱処
理炉の個数で除した値以下となるので、従来に比しクリ
ーンルームの壁面を格別有効に活用することがで台る。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は押上げ式縦型熱処理装置の平面図、第２図は第１図
におけるＩＩ −ＩＩ線断面図、第３図は押上げ式縦型
熱処理装置の正面図であり、第４図は従来の縦型熱処理
装置を設置した時の概略平面図である。 ５・・・作業台 ６・・・半導体ウェーハ７
・・・カセットキャリヤ ８・・・ウェーハボート ９ａ、９ｂ・・・移載装置 １０・・・搬送空間 １１・・・熱処理炉１２・
・・ヒートチューブ １３・・・コイルヒーター １４・・・石英プロセス管 １８・・・第２搬送機 第３− 第４二
図は押上げ式縦型熱処理装置の平面図、第２図は第１図
におけるＩＩ −ＩＩ線断面図、第３図は押上げ式縦型
熱処理装置の正面図であり、第４図は従来の縦型熱処理
装置を設置した時の概略平面図である。 ５・・・作業台 ６・・・半導体ウェーハ７
・・・カセットキャリヤ ８・・・ウェーハボート ９ａ、９ｂ・・・移載装置 １０・・・搬送空間 １１・・・熱処理炉１２・
・・ヒートチューブ １３・・・コイルヒーター １４・・・石英プロセス管 １８・・・第２搬送機 第３− 第４二
Claims (1)
- カセットキャリヤとウェーハボート相互間で半導体ウ
ェーハを移載する移載装置を設けた作業台と、作業台の
後方に配置された複数の熱処理炉と、ウェーハボートを
作業台と各熱処理炉の間で水平に搬送する搬送装置と、
ウェーハボートをそれぞれの熱処理炉に装入・取外しす
るエレベータとを備えた半導体ウェーハの縦型熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27453887A JP2742572B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体ウェーハの縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27453887A JP2742572B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体ウェーハの縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117022A true JPH01117022A (ja) | 1989-05-09 |
| JP2742572B2 JP2742572B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17543104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27453887A Expired - Fee Related JP2742572B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 半導体ウェーハの縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742572B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192906A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Canon Inc | データ再生装置 |
| JPH03290946A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法およびレジスト処理装置 |
| JPH0574726A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 縦型熱処理装置 |
| JPH05217928A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-08-27 | Nec Corp | 縦型熱処理装置 |
| JPH1092906A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-04-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
| JPS62130534A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型ウエ−ハ処理装置のためのウエ−ハ搬送装置 |
| JPS62188312A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP27453887A patent/JP2742572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
| JPS62130534A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型ウエ−ハ処理装置のためのウエ−ハ搬送装置 |
| JPS62188312A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-17 | Deisuko Saiyaa Japan:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192906A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Canon Inc | データ再生装置 |
| JPH03290946A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法およびレジスト処理装置 |
| JPH0574726A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 縦型熱処理装置 |
| JPH05217928A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-08-27 | Nec Corp | 縦型熱処理装置 |
| JPH1092906A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-04-10 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742572B2 (ja) | 1998-04-22 |
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