JPS62188312A - 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ボートロータを収納する気密空間に不活性
ガスを供給し、不活性ガス雰囲気下てウェーハが搬入比
される縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置に関す
る。

（従来技術） 半導体基板、たとえば、シリコンウェーハ（以下、ウェ
ーハという）は、ウェーハボートに積載され、ボートロ
ータによって、縦型半導体熱処理装置の反応管内に搬入
される。ボートロータによって、ウェーハボート、つま
りは、ウェーハを搬入した後、酸素ガス、水素ガスのよ
うな所定の反応ガスが、１２００℃程度に加熱された反
応管内に供給される。そして、酸化、拡散、ＣｖＤ等の
所定の熱処理（化学処理も含める）が、ウェーハに施さ
れる。反応管内に供給される反応ガスの純度は、熱処理
の結果に大きく影響する。そして、膜厚の不均一、導通
不良等を防止して、高い歩留りを確保するために、極め
て高純度の反応ガスが、反応管内に供給される。

縦型半導体熱処理装置の主要部分は、通常、クリーンル
ーム内に配置され、高性能フィルター（１１ＥＰＡフイ
ルター）によって十分に浄化された空気が、クリーンル
ームに供給される。クリーンルームは、気密化され、供
給された浄化空気は、クリーンルーム内を流れた後、流
出口に集められて流出される。しかし、高性能フィルタ
ーによって十分浄化されたとはいえ、塵芥、水分、ナト
リウム等の不純物を、空気から完全に排除することは、
極めて難しい。そのため、不純物が、クリーンルーム内
の空気中に、僅かとはいえ、包含されている。

ところて、ウェーハは、ウェーハカセットに収納されて
移送位置に運ばれる。移送位置において、そこて、ウェ
ーハは、移送装置によってカセットからウェーハボート
に移され、垂直方向に離間して、ウェーハボート上に積
載される。そして、ウェーハボートは、ボートトランス
ファーに移され、ボートトランスファーに懸吊されて、
炉体に隣接した位置まで運ばれる。ウェーハボートは。

ボートトランスファーから、ボートロータの支持軸、た
とえば、懸吊軸に移され、ボートロータの懸吊軸は、反
応管の、たとえば、上方まて移動される。そして、熱処
理の前後に、８００°Ｃ程度に降温された反応管に、ボ
ートロータの懸吊軸か、昇降されることによって、ウェ
ーハは、反応管に搬入または搬出される。

反応管は、井戸型と称する上端間ロタイブと、ベル型と
称される下端間ロタイブに分類される。

そして、いずれのタイプにおいても、反応管の開口は、
ヒートドアと称する移動可能な、たとえば、旋回可能な
カバーによって、開閉される。

ウェーハの搬入用は、たとえば、井戸型反応管において
は、一般に、以下のようにしてなされる（１）ウェーハ
ボートを支持したボートトランスファーが、移送位置か
ら炉体に隣接した位置まで、移動する。無論、ウェーハ
は、ウェーハボートに積載されている。そして、ウェー
ハボートは、ボートトランスファーからボートロータの
懸吊軸に移される。ボートロータの懸吊軸が移動され、
ウェーハボートは反応管の上方に搬送される。

（２）ヒートバリアーが旋回され、反応管の上端開口が
開放される。

（３）ボートロータの懸吊軸が降下され、ウェーハが反
応管内に搬入される。

（４）ウェーハの搬入用のために、開口が、反応管の上
方で炉体に設けられている。この炉体の開口を閉塞する
炉体用カバーと、反応管の上端開口を閉塞する反応管用
カバーとが、ボートロータの懸吊軸に係合されており、
これらのカバーは、ボートロータの懸吊軸とともに降下
する。ボートロータの懸吊軸が所定距離降下すると、こ
れらのカバーは、懸吊軸から離脱され、炉体の開口、反
応管の上端開口をそれぞれ閉じ、炉体、反応管を実質的
に気密化する。そして、ウェーハの搬入が完了する。

（５）反応管の回りで炉体内に配設された加熱手段、た
とえば、ヒートコイルが通電され、反応管が加熱される
。また、反応管下端の反応ガス導入部から反応ガスが、
反応管に導入され、熱処理加工がウェーハに施される。

（６）熱処理後、ヒートコイルへの通電、反応ガスの導
入が、停止され、そのまま放置する。

（７）反応管の温度が、所定温度に低下（降温）した後
、ウェーハの搬出のために、ボートロータの懸吊軸が上
昇し始める。

（８）懸吊軸が上昇するにつれて、懸吊軸は、炉体カバ
ー、反応管カバーに係合し、炉体カバー、反応管カバー
を伴って上昇する。そのため、炉体の開口、反応管の上
端開口は、いずれも開放される（９）そして、ボートロ
ータの懸吊軸に懸吊されたウェーハボート上のウェーハ
は、反応管の上端開口、炉体の開口を介して、懸吊軸と
ともに上昇する。そして、炉体上方の位置に至って、反
応管から、正確には、炉体から、搬出される。ウェーハ
が、反応管から搬出されると、ヒートドアが旋回されて
反応管の上端開口が、閉じられる。

なお、その後、ボートロータの懸吊軸は、旋回され、ウ
ェーハボートは、懸吊軸からボートトランスファーに移
される。ボートトランスファーは、移送位置にウェーハ
ボートを搬送し、熱処理済のウェーハは、ウェーハボー
トからウェーハカセットに移され、一連の操作が終了す
る。その後、別のウェーハカセットから新たなウェーハ
が、ウェーハボートに積載されて、上記の工程が繰り返
される。

また、ベル型反応管においては、上下関係が逆になり、
反応管の開口だけでなく、炉体の開口等が下方に形成さ
れる。また、ボートロータの支持軸が上昇するとき、ウ
ェーハが反応管に搬入され、降下するとき、搬出される
ことは、自明であろう。

しかし、上記のようなウェーハの搬入出方法において、
ウェーハの搬入量のために、反応管の上端開口（井戸型
反応管の場合）または下端開口（ベル型反応管の場合）
が解放されると、クリーンルームの空気が、開口を介し
て反応管に流入する。また、ウェーハ搬入の際、クリー
ンルームの空気が、ウェーハボート上のウェーハ間に介
在して、ウェーハとともに反応管内に搬入される。そし
て、このように反応管に流入および搬入（混入と総称す
る）する空気、つまり、外気は、　８００℃程度の反応
管内で加熱され、ウェーハに不要な化学反応を生じる虞
れがある。不要な化学反応として、たとえば、不要な酸
化膜なウェーハに形成する酸化反応が指摘できる。

加えて、上記のように、クリーンルームの空気は、塵芥
、水分等の不純物によって汚染されている。そのため、
反応管に混入する外気は、所定の熱処理前に不要な酸化
膜等をウェーハに形成するだけでなく、反応管に供給さ
れる反応ガスを汚染する。そのため、熱処理において、
膜厚の不均一、導通不良等を生じ、歩留りの低下を招く
虞れがある。

反応管内に混入する外気は、反応ガスを直接汚染するた
けでなく、反応ガスを間接的に汚染する。つまり、空気
中のナトリウム、酸素等が、反応管の側壁に付着し、反
応管を汚染する。そして。

側壁に付着したナトリウム等は、熱処理中に、析出して
１反応ガスを汚染し、膜圧の不均一等を生じる。

反応管が外気から隔離されれば、上記のような外気の混
入に起因する弊害が除去される。そのため、ウェーハの
搬入用時における外気の混入を防止するように、ガスシ
ャワーを利用した外気混入防止装置が広く採用されてい
る。ガスシャワーを利用する外気混入防止方法は、反応
管がほぼ水平に配設された横型半導体熱処理装置のため
に開発され、縦型半導体熱処理装置に転用されている。

ガスシャワーを利用した外気混入防止装置では、反応管
の開口に隣接して、スカベンジャーボックスが配置され
、スカベンジャーボックス内にガスシャワーが設けられ
る。そして、ウェーハは、２ｆＩベン−′５セボ、す々
スを春１フイ　げ膚答肉じ拳スされる。つまり、高圧の
不活性ガスが、スカベンジャーボックスに供給され、ウ
ェーハに浴びせられて、ガスシャワーが形成される。ガ
スシャワーはウェーハボート上のウェーハ間に介在する
外気をウェーハ間から押出し、外気は、不活性ガスとと
もに、排気管に吸引され、排除される。

ウェーハ搬人出の際、反応管の開口が解放され、外気が
反応管内に流入しようとしても、ガスシャワーに妨げら
れ、外気の流入が防止される。

このようにガスシャワーを利用した外気混入防止装置に
よれば、外気の混入が防止できる。

（従来技術の問題点） しかし、公知のガスシャワーによる外気混入防止装置で
も、外気の混入はある程度防止されるが、必ずしも十分
てない。

また、最近では、クリーンルームのほぼ常温の空気に起
因する化学反応による悪影響が、注目されている。つま
り、従来は、ウェーハ搬人出の際、反応管内に混入して
加熱された外気による化学反応力、注目されていたーこ
れに如して　晶計丁は、ウェーハを積載したウェーハボ
ートが、搬入用のために、ボートトランスファー、ボー
トロータによって、クリーンルーム内を搬送（搬送も広
い意味ては、搬入用の一部と考えられる）される際、ク
リーンルームの空気中の不純物と化学反応し、不要な酸
化膜等がウェーハに形成されることが、指摘されている
。空気中の不純物は、不要な化学反応をウェーハに生じ
るたけでなく、ウェーハに付着することによって、ウェ
ーハの特質を変える虞れもある。たとえば、空気中のナ
トリウムがウェーハの表面に付着してウェーハを汚染す
れば、異なる特質の酸化膜がウェーハに生成され、歩留
りが低下する。

ここて、ボートトランスファー、ボートロータは、縦型
半導体熱処理装置にｗＩＩ接して位置され、ウェーハは
、反応管の上方、または、下方に、比較的迅速に搬送さ
れる。しかし、その後の反応管へのウェーハの搬入用は
、迅速に行なえない。つまり、ウェーハ搬人出のために
１反応管は降温されるとはいえ、ウェーハは８００℃程
度の反応管内に搬入用される。そして、急激な温度変化
による熱ひずみがウェーハに発生するのを防止するため
に、ボートロータによって、ウェーハボートは反応管内
に徐々に降下、および、上昇される。この昇降速度は、
５ｃ■／分程度であり、ウェーハボートが、反応管内に
完全に降下、または、そこから上昇されるまで、２０分
程度の時間が必要とされる。そして、ウェーハは、この
昇降中、クリーンルーム内のほぼ常温の空気にさらされ
る。そのため、空気中の不純物と化学反応して不要な酸
化膜等がウェーハに形成される。このような化学反応は
、特に搬入の際に生じやすい。

上記の化学反応は、外気から隔離した状態でウェーハの
搬入用を行なえばよい。しかしながら、外気から隔離し
た状態でウェーへの搬入用を行なうように構成された外
気混入防止装置は、いまだ提供されていない。

（発明の目的〕 この発明は、ウェーハが外気から隔離した状態で反応管
に搬入用される、縦型半導体熱処理装置の外気混入防止
装置の提供を目的としている。

〔発明の概略〕

この目的を達成するため、この発明によれば、気密空間
が、ボートロータを収納して、クリーンルームに形成さ
れる。この気密空間は、炉体開口を介して反応管に連通
ずるとともにドアを介してクリーンルームに連通ずる。

そして、不活性ガスが、気密空間に供給されるように構
成されている。ここで、不活性ガスは、元素の周期表の
第０族元素の気体だけでなく、窒素ガスを含む広義の不
活性ガスを示す。

（作用） このような構成では、不活性ガスが気密空間に供給され
て、充満すれば、外気は、気密空間から排除されるとと
もに、気密空間への流入が防止される。また、ウェーハ
ボート上のウェーハ間に介在する外気も、不活性ガスに
駆逐され、気密空間から排除される。そして、外気が気
密空間に存在する余地がなく、気密空間は、不活性ガス
雰囲気Ａ−六わス　その？−め　舊序き聞出のボートロ
ーｄは、外気から隔離される。そのため、ボートロータ
に支持されたウェーハボート上のウェーハは、当然に、
外気から隔離される。従って、昇降されて反応管に搬入
用される際、ウェーハに、不要な酸化膜等が生じる虞れ
がない。また、外気中のナトリウム等の不純物がウェー
ハに付着することもなく、外気によるウェーへの汚染が
防止される。

更に、外気は、気密空間から排除されるとともに、気密
空間の不活性ガスに妨げられ、反応管に混入しない。つ
まり、反応管は、外気から十分に隔離される。従って、
反応ガスは、外気によって、直接的にも間接的にも、汚
染されない。

〔実施例〕

以下１図面を参照しながらこの発明の実施例について詳
細に説明する。

実施例では、第１図に示すように、３個の縦型半導体熱
処理装置１Ｏ１１１，１２（縦型半導体熱処理装置１２
は一部のみを図示する）が、クリーンルーム１４内に配
設されている。各縦型半導体熱処理装置の炉体１６は、
壁面１５と平行に連設されている。

そして、上端に開口を有する、いわゆる井戸型の、反応
管（図示しない）が、炉体１６内に配設され、反応管は
、炉体の開口１８を介して、クリーンルーム１４に連通
している。

この発明の外気混入防止装置１３によれば、互いに隔離
された気密空間２０．２１．２２が、各炉体１６の上方
にＪＩＲｒ＆される。そして、不活性ガス供給用の導管
２４が気密空間２０．２１．２２の上方に配設され、導
管２４の分岐管：１０．３１．３２が各気密空間に延出
している。各分岐管の先端は対応する気密空間に開口し
、流量制御ｆｆ４０．４１．４２が、各気密空間への不
活性ガスの供給を制御するように、分岐管３０゜３１．
３２に設けられている。

水平に延びた軌道２６が壁面１５に設けられ、ボートト
ランスファー２８か、この軌道にガイドされて、壁面と
各気密空間との間の空間３６を走行するように構成され
ている。壁面１５は、クリーンルーム内で、外気混入防
止跡ｆｉ１３の背後に設けられている。高性能フィルタ
ー３５が、壁面１５に沿って、設けられ、空気は、高性
能フィルターで浄化された後、クリーンルーム１４に流
入する。ボー１〜トランスフアー２８は切欠き２９を備
え、この切欠きはウェーハボートを係止可能に形成され
て−いる。

ボートロータ５０．５１（２個のみを示す）が、対応す
る炉体１６の上端にそれぞれ設けられている。

各ウェーハボートは、炉体１６に昇降可能かつ旋回可能
に支持された昇降軸５４と、昇降軸の上端にその一端が
固定された支持アーム５６と、支持アームの他端に回動
可能に取付けられた懸吊軸５８とを備えている。懸吊軸
５８は、ウェーハボート３８（第２図参照）を係止して
懸吊するように構成されている。ボートロータの昇降軸
５４は、懸吊軸５８が反応管の上方に位置する搬入用位
置Ａと、懸吊軸がドア６０を介して、気密空間外に出さ
れた転送位置Ｂとの間を旋回する（第２図に実線で示す
ように、ボートロータ５１の昇降軸５４は搬入用位置Ａ
に、ボートロータ５０の昇降軸５４は転送位ＭＢにそれ
ぞれ位置している）。懸吊軸５８は、転送位置Ｂにおい
て、ボー１−トランスファー２８の走路内でボートトラ
ンスファーと交差するように位置する。そして、ボート
トランスファーに懸吊されたウェーハボート３８は、転
送位置Ｂにおいて、ボートトランスファー２８から懸吊
軸５８に転送される。

上記構成の外気混入防止装置１３において、ウェーハは
、第２図に示すように、縦型半導体熱処理装置ｌＯの右
方の移送位置Ｃにおいて、ウェーハカセット３７からウ
ェーハボート３８に移される。ボートトランスファー２
８は、予め、軌道２６のほぼ右端まで移動され、ウェー
ハがウェーハボート３８に移された後、軌道に沿って、
左方に動かされる。ここで、ウェーハボート３８の上端
は、ボートトランスファーの切欠き２９と係止可能にボ
ートトランスファー２８の走路内に位置している。その
ため、ボートトランスファー２８が左方に移動すると、
切欠き２９はウェーハボート３８を係止する。つまり、
ウェーハボート３８は、切欠き２９を介して、ボートト
ランスファー２８に懸吊される。そして、ボートトラン
スファー２８は、ウェーハボート３８を懸吊したまま更
に左方に移動する。この間、気密空間２ｏのドア６０が
開放される。そして、昇降軸５４は、懸吊軸５８がボー
トトランスファー２８と交差する位置に移動するように
、転送位置Ｂに旋回され、待機される。そのため、左方
に移動するボートトランスファー２８が、懸吊軸５８と
の交差位置に至ると、ボートトランスファー上のウェー
ハボート３８は、懸吊軸に係止され、懸吊軸に移される
。懸吊軸５８がウェーハボートを懸吊した後、昇降軸５
４が旋回され、懸吊軸は、気密空間外の転送位置Ｂから
気密空間内の搬人出位置Ａに移動される。そして、搬人
出位置Ａに３いて、昇降軸５４が降下することによって
、懸吊軸５８は反応管内を降下し、ウェーハボート上の
ウェーハは反応管内に搬入される。

懸吊軸５８が搬入用位置Ａに動かされると、ドア６０が
閉じられ、気密空間２０が気密化される。それから、流
量制御弁４０が開放され、不活性ガスが、導管２４、分
岐管３０を介して、気密空間２０に供給される。ここで
、不活性ガスは、第０族の元素から成る気体だけでなく
、窒素ガスを含む広義の不活性ガスを意味し、実施例で
は、不活性ガスとして窒素ガスが供給されている。他方
、ボートトランスファ−２８は移送位置Ｃに戻される。

転送位置から気密空間２０へのウェーハボート３８の搬
入中においても、窒素ガスを気密空間２０に供給するこ
とが好ましい。

過剰に供給された窒素ガスは、気密空間２０からクリー
ンルーム１４に漏出する。気密空間２０．２１゜２２は
、完全な気密でなく、過剰に供給された不活性ガスが、
ドア６０が閉じられた後も、クリーンルーム１４に漏出
可能な程度の気密性を持てば足りるウェーハは、不活性
ガス雰囲気下の気密空間２０内に置かれて、反応管に搬
入されるため、外気から十分に隔離される。そのため、
搬入工程にかなりの時間を要しても、熱処理前のウェー
ハに不要な化学反応が生じる虞れがない。また、外気中
のナトリウム等がウェーハに付着して、ウェーハを汚染
する虞れもない。更に、気密空間２０がら空気が排除さ
れているため、搬入中に、外気が反応管に流入する虞れ
もない。また、ウェーハボート上に離間して積載された
ウェーハ間に介在する空気は、窒素ガスによって、ウェ
ーハ間から既に駆逐され、気密空間２０からクリ−ルー
ム１４に流出している。そのため、ウェーハとともに空
気が、反応管に搬入されることもない。つまり、外気の
混入が、十分に防止される。また、不活性ガス雰囲気化
された気密空間２０が１反応管とクリーンルーム１４と
の間に設けられるため、反応管は外気から十分に隔離さ
れる。つまり、外気が反応管に混入する虞れがない。従
って、反応管に供給された反応ガスは、反応管内で、外
気によって、直接的、間接的に汚染されない。

なお、不活性ガスを直接気密空間２０に供給するだけで
なく、反応管の下端に形成された反応ガス導入部から不
活性ガスを供給することが好ましい。このような構成で
は、反応管に、空気が残存していても、残存空気は、反
応ガス導入部から導入された不活性ガスとともに、反応
管から気密空間に流出し、反応管から迅速に排除される
。また、反応管から気密空間２０に向う窒素ガスの流れ
が、反応管に生じている。この窒素ガスの流れは、気密
室間２０内の残存空気の反応管への流入や、気密空間を
介した外気の反応管への流入を妨げ、反応管を外気から
十分に隔離する。

ウェーハが反応管に搬入されると、炉体１６および反応
管の開口はそれぞれ閉じられ、反応管は気密空間２０か
らも隔離される。その後、反応ガスが、反応ガス導入部
を介して、反応管に供給され、所定の熱処理がウェーハ
に施される。熱処理中においては、流量制御弁４０が閉
じられ、不活性ガスは気密空間２０に供給されない。

熱処理中、反応ガスおよび炉体内の熱が、反応管のカバ
ーを介して、クリーンルーム１４に漏出しないように、
不活性ガスをスカベンジャーボックス（図示しない）に
供給することが好ましい。

他方、移送位置Ｃに戻されたボートトランスファー２８
は、その切欠き２９が、ウェーハの積載された別のウェ
ーハボート３８に係止されることによって、ウェーハボ
ートを懸吊する。そして、次の熱処理のため、縦型半導
体熱処理装置１１のボートロータ５１にウェーハボート
３８を転送するように、軌道２６にガイドされて、左方
に動かされる。そして、上記と同様な一連の動作が繰り
返され、ウェーハは、不活性雰囲気下で、縦型半導体熱
処理装置１１の反応管に搬入され、熱処理がそのウェー
ハに施される。

縦型半導体熱処理装置１０の反応管からのウェーへの搬
出は、搬入の際とほぼ同様な動作が繰り返されて行なわ
れる。つまり、概略的にいえば、不活性ガスが気密空間
２０に再度供給され、気密空間２０が不活性ガス雰囲気
化された後、ボートロータ５０の昇降軸５４が上昇する
。昇降軸５４が上昇するにつれて、反応管、炉体１６の
開口がそれぞれ開放される。そして、ウェーハは、ウェ
ーハボート３８、懸吊軸５８とともに上昇し１反応管か
ら搬出される。その後、ヒートバリアーが閉じられ、反
応管が気密空間２０から再度隔離される。そして、昇降
軸５４が旋回し、ウェーハは搬入吊位置Ａから転送位置
Ｂに移される。つまり、ウェーハは、ドア６０を介して
、気密空間２０から空間３６に出される。そして、ウェ
ーハは、懸吊軸５８からボートトランスファ−２８に移
され、ボートトランスファーに懸吊されて移送位置Ｃに
戻される。ウェーハの搬入量、熱処理のためのボートト
ランスファー２８、ドア６０、昇降軸５４、流量制御弁
４０．４１．４２等の動作は、シーケンス制御等によっ
て自動的に行なわれる。

実施例では、井戸型反応管に即して説明したが、ベル型
反応管においてもこの発明の外気混入防止装置が適用で
きることはいうまでもない。なお、反応管の開口の位置
を考慮して、不活性ガスを選らぶことが好ましい。たと
えば、井戸型反応管においては、反応管の開口が上端に
あるため、空気より比重の大きな不活性ガス、たとえば
、アルゴンガス等を使用すれば、外気の混入が十分防止
でき、かつ、残存空気の排除が迅速になされる。また、
窒素ガスは、比較的安価であるため、比重を考慮するこ
となく、井戸型、ベル型のいづれの反応管においても、
使用できる。

懸吊軸５８を昇降して反応管にウェーハを搬入量する際
、不要な化学反応やナトリウム等による汚染がウェーハ
に顕著に生じやすい。しかし、移送位置Ｃから転送位１
１Ｂへの搬送（広義では、搬入量工程の一部と考えられ
る）においても、不要な化学反応や汚染がウェーハに生
じる。そのため。

移送位置Ｃから転送位置Ｂへのボートトランスファー２
８の走路を含むように、気密空間を形成することが好ま
しい、たとえば、第２図に２点鎖線で示すように、空間
３６をクリーンルームから隔離して、気密化し、空間３
６に不活性ガスを供給するとよい。

また、不活性ガスの代りに、ナトリウム等の不純物を除
去した極めて高純度の空気を気密空間に供給してもよい
。このような高純度の空気を使用すれば、ウェーハおよ
び反応管の汚染が防止できる。

ウェーＡ上での不要な酸化膜等の生成よりウェーハおよ
び反応管の汚染防止を重視すれば、不活性ガスとして、
高純度の空気を使用してもよい。

この点に注目すれば、高純度空気も一種の不活性ガスと
して把握される。

（発明の効果） 上記のようにこの発明の外気混入防止装置によれば、不
活性ガスが気密空間に供給され、充満すれば、外気は、
気密空間から排除されるとともに、気密空間への流入が
防止される。また、ウェーハボート上のウェーハ間に介
在する外気も、不活性ガスに駆逐され、気密空間から排
除される。そして、外気が気密空間に存在する余地がな
く、気密空間は、不活性ガス雰囲気化される。そのため
、気密空間内のボートロータは、外気から隔離される。

ボートロータに支持されたウェーハボート上のウェーハ
は、当然に、外気から隔離される。

従って、昇降されて反応管に搬入量される際、ウェーハ
に、不要な酸化膜等が生じる虞れがなく、ナトリウム等
の不純物によって、ウェーハが汚染されることもない。

また、外気は、気密空間から排除されるとともに、気密
空間の不活性ガスに妨げられ、反応管に混入しない。つ
まり、反応管は、外気から十分に隔離される。そのため
、外気によって、反応ガスが、直接的にも間接的にも、
汚染されない。従って、膜圧の不均一、導通不良等染さ
れない。従って、膜圧の不均一、導通不良等の発生が妨
げられ、高い歩留りが確保できる。

上述した実施例は、この発明を説明するためのものであ
り、この発明を何等限定するものでなく、この発明の技
術範囲内で変形、改造等の施されたものも全てこの発明
に包含されることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、この発明に係る縦型半導体熱処
理装置の外気混入防止装置の配置されたクリーンルーム
の概略斜視図および概略平面図である。 １０．１１，１２：縦型半導体熱処理装置、１３：外気
混入防止装置、１４：クリーンルーム、１６：炉体、２
０．２１，２２：気密空間、２４：導管、２８：ボート
トランスファーの軌道、２８：ボートトランスファー、
３０．３１，３２　：分岐管、３６：空間、３８：ウェ
ーノーポート、　４０，４１，４２：流量制御弁、５０
，５１，５２　：ポートローダ、５４：ボートロータの
昇降軸、５８：ポートローダの懸吊軸、６０：気密空間
のドア。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）炉体開口を介して反応管に連通するとともにドア
   を介してクリーンルームに連通する気密空間が、ボート
   ロータを収納して、クリーンルーム内に形成され、 この気密空間に不活性ガスが供給されるように構成され
   た縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置。
2. （２）気密空間が、ボートトランスファーの走路に沿っ
   て、ウェーハ移送位置まで延びている特許請求の範囲第
   １項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置。
3. （３）反応管は上端に開口を有し、気密空間は上端開口
   に隣接して形成されている特許請求の範囲第１項または
   第２項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置
   。
4. （４）反応管は下端に開口を有し、気密空間は下端開口
   に隣接して形成されている特許請求の範囲第１項または
   第２項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置
   。