JPH0732142B2 - 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ボートローダを収納する気密空間に不活性
ガスを供給し、不活性ガス雰囲気下でウェーハが搬入出
される縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置に関す
る。

〔従来技術〕

半導体基板、たとえば、シリコンウェーハ（以下、ウェ
ーハという）は、ウェーハボートに積載され、ボートロ
ーダによって、縦型半導体熱処理装置の反応管内に搬入
される。ボートローダによって、ウェーハボート、つま
りは、ウェーハを搬入した後、酸素ガス、水素ガスのよ
うな所定の反応ガスが、1200℃程度に加熱された反応管
内に供給される。そして、酸化、拡散、CVD等の所定の
熱処理（化学処理も含める）が、ウェーハに施される。
反応管内に供給される反応ガスの純度は、熱処理の結果
に大きく影響する。そして、膜厚の不均一、導通不良等
を防止して、高い歩留りを確保するために、極めて高純
度の反応ガスが、反応管内に供給される。

縦型半導体熱処理装置の主要部分は、通常、クリーンル
ーム内に配置され、高性能フィルター（HEPAフィルタ
ー）によって十分に浄化された空気が、クリーンルーム
に供給される。クリーンルームは、気密化され、供給さ
れた浄化空気は、クリーンルーム内を流れた後、流出口
に集められて流出される。しかし、高性能フィルターに
よって十分浄化されたとはいえ、塵芥、水分、ナトリウ
ム等の不純物を、空気から完全に排除することは、極め
て難しい。そのため、不純物が、クリーンルーム内の空
気中に、僅かとはいえ、包含されている。

ところで、ウェーハは、ウェーハカセットに収納されて
移送位置に運ばれる。移送位置において、そこで、ウェ
ーハは、移送装置によってカセットからウェーハボート
に移され、垂直方向に離間して、ウェーハボート上に積
載される。そして、ウェーハボートは、ボートトランス
ファーに移され、ボートトランスファーに懸吊されて、
炉体に隣接した位置まで運ばれる。ウェーハボートは、
ボートトランスファーから、ボートローダの支持軸、た
とえば、懸吊軸に移され、ボートローダの懸吊軸は、反
応管の、たとえば、上方まで移動される。そして、熱処
理の前後に、800℃程度に降温された反応管に、ボート
ローダの懸吊軸が、昇降されることによって、ウェーハ
は、反応管に搬入または搬出される。

反応管は、井戸型と称する上端開口タイプと、ベル型と
称される下端開口タイプに分類される。そして、いずれ
のタイプにおいても、反応管の開口は、ヒートドアと称
する移動可能な、たとえば、旋回可能なカバーによっ
て、開閉される。

ウェーハの搬入出は、たとえば、井戸型反応管において
は、一般に、以下のようにしてなされる。

（１）ウェーハボートを支持したボートトランスファー
が、移送位置から炉体に隣接した位置まで、移動する。
無論、ウェーハは、ウェーハボートに積載されている。
そして、ウェーハボートは、ボートトランスファーから
ボートローダの懸吊軸に移される。ボートローダの懸吊
軸が移動され、ウェーハボートは反応管の上方に搬送さ
れる。

（２）ヒートバリアーが旋回され、反応管の上端開口が
開放される。

（３）ボートローダの懸吊軸が降下され、ウェーハが反
応管内に搬入される。

（４）ウェーハの搬入出のために、開口が、反応管の上
方で炉体に設けられている。この炉体の開口を閉塞する
炉体用カバーと、反応管の上端開口を閉塞する反応管用
カバーとが、ボートローダの懸吊軸に係合されており、
これらのカバーは、ボートローダの懸吊軸とともに降下
する。ボートローダの懸吊軸が所定距離降下すると、こ
れらのカバーは、懸吊軸から離脱され、炉体の開口、反
応管の上端開口をそれぞれ閉じ、炉体、反応管を実質的
に気密化する。そして、ウェーハの搬入が完了する。

（５）反応管の回りで炉体内に配設された加熱手段、た
とえば、ヒートコイルが通電され、反応管が加熱され
る。また、反応管下端の反応ガス導入部から反応ガス
が、反応管に導入され、熱処理加工がウェーハに施され
る。

（６）熱処理後、ヒートコイルへの通電、反応ガスの導
入が、停止され、そのまま放置する。

（７）反応管の温度が、所定温度に低下（降温）した
後、ウェーハの搬出のために、ボートローダの懸吊軸が
上昇し始める。

（８）懸吊軸が上昇するにつれて、懸吊軸は、炉体カバ
ー、反応管カバーに係合し、炉体カバー、反応管カバー
を伴って上昇する。そのため、炉体の開口、反応管の上
端開口は、いずれも開放される。

（９）そして、ボートローダの懸吊軸に懸吊されたウェ
ーハボート上のウェーハは、反応管の上端開口、炉体の
開口を介して、懸吊軸とともに上昇する。そして、炉体
上方の位置に至って、反応管から、正確には、炉体か
ら、搬出される。ウェーハが、反応管から搬出される
と、ヒートドアが旋回されて反応管の上端開口が、閉じ
られる。

なお、その後、ボートローダの懸吊軸は、旋回され、ウ
ェーハボートは、懸吊軸からボートトランスファーに移
される。ボートトランスファーは、移送位置にウェーハ
ボートを搬送し、熱処理済のウェーハは、ウェーハボー
トからウェーハカセットに移され、一連の操作が終了す
る。その後、別のウェーハカセットから新たなウェーハ
が、ウェーハボートに積載されて、上記の工程が繰り返
される。

また、ベル型反応管においては、上下関係が逆になり、
反応管の開口だけでなく、炉体の開口等が下方に形成さ
れる。また、ボートローダの支持軸が上昇するとき、ウ
ェーハが反応管に搬入され、降下するとき、搬出される
ことは、自明であろう。

しかし、上記のようなウェーハの搬入出方法において、
ウェーハの搬入出のために、反応管の上端開口（井戸型
反応管の場合）または下端開口（ベル型反応管の場合）
が解放されると、クリーンルームの空気が、開口を介し
て反応管に流入する。また、ウェーハ搬入の際、クリー
ンルームの空気が、ウェーハボート上のウェーハ間に介
在して、ウェーハとともに反応管内に搬入される。そし
て、このように反応管に流入および搬入（混入と総称す
る）する空気、つまり、外気は、800℃程度の反応管内
で加熱され、ウェーハに不要な化学反応を生じる虞れが
ある。不要な化学反応として、たとえば、不要な酸化膜
をウェーハに形成する酸化反応が指摘できる。

加えて、上記のように、クリーンルームの空気は、塵
芥、水分等の不純物によって汚染されている。そのた
め、反応管に混入する外気は、所定の熱処理前に不要な
酸化膜等をウェーハに形成するだけでなく、反応管に供
給される反応ガスを汚染する。そのため、熱処理におい
て、膜厚の不均一、導通不良等を生じ、歩留りの低下を
招く虞れがある。

反応管内に混入する外気は、反応ガスを直接汚染するだ
けでなく、反応ガスを間接的に汚染する。つまり、空気
中のナトリウム、酸素等が、反応管の側壁に付着し、反
応管を汚染する。そして、側壁に付着したナトリウム等
は、熱処理中に、析出して、反応ガスを汚染し、膜圧の
不均一等を生じる。

反応管が外気から隔離されれば、上記のような外気の混
入に起因する弊害が除去される。そのため、ウェーハの
搬入出時における外気の混入を防止するように、ガスシ
ャワーを利用した外気混入防止装置が広く採用されてい
る。ガスシャワーを利用する外気混入防止方法は、反応
管がほぼ水平に配設された横型半導体熱処理装置のため
に開発され、縦型半導体熱処理装置に転用されている。

ガスシャワーを利用した外気混入防止装置では、反応管
の開口に隣接して、スカベンジャーボックスが配置さ
れ、スカベンジャーボックス内にガスシャワーが設けら
れる。そして、ウェーハは、スカベンジャボックスを介
して、反応管内に搬入される。つまり、高圧の不活性ガ
スが、スカベンジャーボックスに供給され、ウェーハに
浴びせられて、ガスシャワーが形成される。ガスシャワ
ーはウェーハボート上のウェーハ間に介在する外気をウ
ェーハ間から押出し、外気は、不活性ガスとともに、排
気管に吸引され、排除される。

ウェーハ搬入出の際、反応管の開口が解放され、外気が
反応管内に流入しようとしても、ガスシャワーに妨げら
れ、外気の搬入が防止される。

このようにガスシャワーを利用した外気混入防止装置に
よれば、外気の混入が防止できる。

〔従来技術の問題点〕

しかし、公知のガスシャワーによる外気混入防止装置で
も、外気の混入はある程度防止されるが、必ずしも十分
でない。

また、最近では、クリーンルームのほぼ常温の空気に起
因する化学反応による悪影響が、注目されている。つま
り、従来は、ウェーハ搬入出の際、反応管内に混入して
加熱された外気による化学反応が、注目されていた。こ
れに対して、最近では、ウェーハを積載したウェーハボ
ートが、搬入出のために、ボートトランスファー、ボー
トローダによって、クリーンルーム内を搬送（搬送も広
い意味では、搬入出の一部と考えられる）される際、ク
リーンルームの空気中の不純物と化学反応し、不要な酸
化膜等がウェーハに形成されることが、指摘されてい
る。空気中の不純物は、不要な化学反応をウェーハに生
じるだけでなく、ウェーハに付着することによって、ウ
ェーハの特質を変える虞れもある。たとえば、空気中の
ナトリウムがウェーハの表面に付着してウェーハを汚染
すれば、異なる特質の酸化膜がウェーハに生成され、歩
留りが低下する。

ここで、ボートトランスファー、ボートローダは、縦型
半導体熱処理装置に隣接して位置され、ウェーハは、反
応管の上方、または、下方に、比較的迅速に搬送され
る。しかし、その後の反応管へのウェーハの搬入出は、
迅速に行なえない。つまり、ウェーハ搬入出のために、
反応管は降温されるといはいえ、ウェーハは800℃程度
の反応管内に搬入出される。そして、急激な温度変化に
よる熱ひずみがウェーハに発生するのを防止するため
に、ボートローダによって、ウェーハボートは反応管内
に徐々に降下、および、上昇される。この昇降速度は、
5cm/分程度であり、ウェーハボートが、反応管内に完全
に降下、または、そこから上昇されるまで、20分程度の
時間が必要とされる。そして、ウェーハは、この昇降
中、クリーンルーム内のほぼ常温の空気にさらされる。
そのため、空気中の不純物と化学反応して不要な酸化膜
等がウェーハに形成される。このような化学反応は、特
に搬入の際に生じやすい。

〔発明の目的〕

この発明は、ウェーハが外気から隔離した状態で反応管
に搬入出される、縦型半導体熱処理装置の外気混入防止
装置の提供を目的としている。

〔発明の概略〕

この目的を達成するため、この発明によれば、炉体開口
を介して反応管に連通する気密空間が、ボートローダを
収納してクリーンルームに形成されるとともに、ボート
トランスファーの走路に添ってウェーハ移送位置までク
リーンルーム内でのばされている。そして、この気密空
間に不活性ガスが供給可能に構成されている。なお、過
剰に供給された不活性ガスをクリーンルーム内に漏出可
能な気密性のもとで、気密空間を形成することが好まし
い。ここで、不活性ガスは、元素の周期表の第Ｏ族元素
の気体だけでなく、窒素ガスを含む広義の不活性ガスを
示す。

〔作用〕

このような構成では、不活性ガスが気密空間に供給され
て、充満すれば、外気は、気密空間から排除されるとと
もに、気密空間への流入が防止される。また、ウェーハ
ボート上のウェーハ間に介在する外気も、不活性ガスに
駆逐され、気密空間から排除される。そして、外気が気
密空間に存在する余地がなく、気密空間は、不活性ガス
雰囲気化される。そのため、気密空間内のボートローダ
は、外気から隔離される。そのため、ボートローダに支
持されたウェーハボート上のウェーハは、当然に、外気
から隔離される。従って、昇降されて反応管に搬入出さ
れる際、ウェーハに、不要な酸化膜等が生じる虞れがな
い。また、外気中のナトリウム等の不純物がウェーハに
付着することもなく、外気によるウェーハの汚染が防止
される。更に、外気は、気密空間から排除されるととも
に、気密空間の不活性ガスに妨げられ、反応管に混入し
ない。つまり、反応管は、外気から十分に隔離される。
従って、反応ガスは、外気によって、直接的にも間接的
にも汚染されない。

過剰に供給された不活性ガスをクリーンルーム内に漏出
可能な気密性のもとで気密空間を形成すれば、気密空間
から露出する不活性ガスの流れが強制的に生じる。気密
空間から外方への強制的な不活性ガスの流れを生じさせ
ることによって、外気はこの流れにそって迅速に排除さ
れ、気密空間に留まることを許されない。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながらこの発明の実施例について詳
細に説明する。

実施例では、第１図に示すように、３個の縦型半導体熱
処理装置10、11、12（縦型半導体熱処理装置12は一部の
みを図示する）が、クリーンルーム14内に配設されてい
る。各縦型半導体熱処理装置の炉体16は、壁面15と平行
に連設されている。そして、上端に開口を有する、いわ
ゆる井戸型の、反応管（図示しない）が、炉体16内に配
設され、反応管は、炉体の開口18を介して、クリーンル
ーム14に連通している。

この発明の外気混入防止装置13によれば、互いに隔離さ
れた気密空間20、21、22が、各炉体16の上方に構成され
る。そして、不活性ガス供給用の導管24が気密空間20、
21、22の上方に配設され、導管24の分岐管30、31、32が
各気密空間に延出している。各分岐管の先端は対応する
気密空間に開口し、流量制御弁40、41、42が、各気密空
間への不活性ガスの供給を制御するように、分岐管30、
31、32に設けられている。

水平に延びた軌道26が壁面15に設けられ、ボートトラン
スファー28が、この軌道にガイドされて、壁面と各気密
空間との間の空間36を走行するように構成されている。
壁面15は、クリーンルーム内で、外気混入防止当接13の
背後に設けられている。高性能フィルター35が、壁面15
に沿って、設けられ、空気は、構成能フィルターで浄化
された後、クリーンルーム14に流入する。ボートトラン
スファー28は切欠き29を備え、この切欠きウェーハボー
トを係止可能に形成されている。

ボートローダ50、51（２個のみを示す）が、対応する炉
体16の上端にそれぞれ設けられている。各ボートローダ
50、51は、炉体16に昇降可能かつ旋回可能に支持された
昇降軸54と、昇降軸の上端にその一端が固定された支持
アーム56と、支持アームの他端に回動可能に取付けられ
た懸吊軸58とを備えている。懸吊軸58は、ウェーハボー
ト38（第２図参照）を係止して懸吊するように構成され
ている。ボートローダの昇降軸54は、懸吊軸58が反応管
の上方に位置する搬入出位置Ａと、懸吊軸がドア60を介
して、気密空間外に出された転送位置Ｂとの間を旋回す
る（第２図に実線で示すように、ボートローダ51の昇降
軸54は搬入出位置Ａに、ボートローダ50の昇降軸54は転
送位置Ｂにそれぞれ位置している）。懸吊軸58は、転送
位置Ｂにおいて、ボートトランスファー28の走路内でボ
ートトランスファーと交差するように位置する。そし
て、ボートトランスファーに懸吊されたウェーハボート
38は、転送位置Ｂにおいて、ボートトランスファー28か
ら懸吊軸58に転送される。

上記構成の外気混入防止装置13において、ウェーハは、
第２図に示すように、縦型半導体熱処理装置10の右方の
移送位置Ｃにおいて、ウェーハカセット37からウェーハ
ボート38に移される。ボートトランスファー28は、予
め、軌道26のほぼ右端まで移動され、ウェーハがウェー
ハボート38に移された後、軌道に沿って、左方に動かさ
れる。ここで、ウェーハボート38の上端は、ボートトラ
ンスファーの切欠き29と係止可能にボートトランスファ
ー28の走路内に位置している。そのため、ボートトラン
スファー28が左方に移動すると、切欠き29はウェーハボ
ート38を係止する。つまり、ウェーハボート38は、切欠
き29を介して、ボートトランスファー28に懸吊される。
そして、ボートトランスファー28は、ウェーハボート38
を懸吊したまま更に左方に移動する。この間、気密空間
20のドア60が開放される。そして、昇降軸54は、懸吊軸
58がボートトランスファー28と交差する位置に移動する
ように、転送位置Ｂに旋回され、待機される。そのた
め、左方に移動するボートトランスファー28が、懸吊軸
58との交差位置に至ると、ボートトランスファー上のウ
ェーハボート38は、懸吊軸に係止され、懸吊軸に移され
る。懸吊軸58がウェーハボートを懸吊した後、昇降軸54
が旋回され、懸吊軸は、気密空間外の転送位置Ｂから気
密空間内の搬入出位置Ａに移動される。そして、搬入出
位置Ａにおいて、昇降軸54が降下することによて、懸吊
軸58は反応管内を降下し、ウェーハボート上のウェーハ
は反応管内に搬入される。

懸吊軸58が搬入出位置Ａに動かされると、ドア60が閉じ
られ、気密空間20が気密化される。それから、流量制御
弁40が開放され、不活性ガスが、導管24、分岐管30を介
して、気密空間20に供給される。ここで、不活性ガス
は、第Ｏ族の元素から成る気体だけでなく、窒素ガスを
含む広義の不活性ガスを意味し、実施例では、不活性ガ
スとして窒素ガスが供給されている。他方、ボートトラ
ンスファー28は移送位置Ｃに戻される。

転送位置から気密空間20へのウェーハボート38の搬入中
においても、窒素ガスを気密空間20に供給することが好
ましい。

気密空間20、21、22は、完全な気密でなく、過剰に供給
された不活性ガスが、ドア60が閉じられた後も、クリー
ンルーム14に漏出可能な程度の気密性を持てば足りる。

気密空間の気密性がこの程度であれば、気密空間から露
出する不活性ガスの流れが強制的に生じ、この強制的な
不活性ガスの流れにそって、外気は迅速に排除され、気
密空間に留まれない。

ウェーハは、不活性ガス雰囲気下の気密空間20内に置か
れて、反応管に搬入されるため、外気から十分に隔離さ
れる。そのため、搬入工程にかなりの時間を要しても、
熱処理前のウェーハに不要な化学反応が生じる虞れがな
い。また、外気中のナトリウム等がウェーハに付着し
て、ウェーハを汚染する虞れもない。更に、気密空間20
から空気が排除されているため、搬入中に、外気が反応
管に流入する虞れもない。また、ウェーハボート上に離
間して積載されたウェーハ間に介在する空気は、窒素ガ
スによって、ウェーハ間から既に駆逐され、気密空間20
からクリーンルーム14に流出している。そのため、ウェ
ーハとともに空気が、反応管に搬入されることもない。
つまり、外気の混入が、十分に防止される。また、不活
性ガス雰囲気化された気密空間20が、反応管とクリーン
ルーム14との間に設けられるため、反応管は外気から十
分に隔離される。つまり、外気が反応管に混入する虞れ
がない。従って、反応管に供給された反応ガスは、反応
管内で、外気によって、直接的、間接的に汚染されな
い。

なお、不活性ガスを直接気密空間20に供給するだけでな
く、反応管の下端に形成された反応ガス導入部から不活
性ガスを供給することが好ましい。このような構成で
は、反応管に、空気が残存していても、残存空気は、反
応ガス導入部から導入された不活性ガスとともに、反応
管から気密空間に流出し、反応管から迅速に排除され
る。また、反応管から気密空間20に向う窒素ガスの流れ
が、反応管に生じている。この窒素ガスの流れは、気密
空間20内の残存空気の反応管への流入や、気密空間を介
した外気の反応管への流入を妨げ、反応管を外気から十
分に隔離する。

ウェーハが反応管に搬入されると、炉体16および反応管
の開口はそれぞれ閉じられ、反応管は気密空間20からも
隔離される。その後、反応ガスが、反応ガス導入部を介
して、反応管に供給され、所定の熱処理がウェーハに施
される。熱処理中においては、流量制御弁40が閉じら
れ、不活性ガスは気密空間20に供給されない。

熱処理中、反応ガスおよび炉体内の熱が、反応管のカバ
ーを介して、クリーンルーム14に漏出しないように、不
活性ガスをスカベンジャーボックス（図示しない）に供
給することが好ましい。

他方、移送位置Ｃに戻されたボートトランスファー28
は、その切欠き29が、ウェーハの積載された別のウェー
ハボート38に係止されることによって、ウェーハボート
を懸吊する。そして、次の熱処理のため、縦型半導体熱
処理装置11のボートローダ51にウェーハボート38を転送
するように、軌道26にガイドされて、左方に動かされ
る。そして、上記と同様な一連の動作が繰り返され、ウ
ェーハは、不活性雰囲気下で、縦型半導体熱処理装置11
の反応管に搬入され、熱処理がそのウェーハに施され
る。

縦型半導体熱処理装置10の反応管からのウェーハの搬出
は、搬入の際とほぼ同様な動作が繰り返されて行なわれ
る。つまり、概略的にいえば、不活性ガスが気密空間20
に再度供給され、気密空間20が不活性ガス雰囲気化され
た後、ボートローダ50の昇降軸54が上昇する。昇降軸54
が上昇するにつれて、反応管、炉体16の開口がそれぞれ
開放される。そして、ウェーハは、ウェーハボート38、
懸吊軸58とともに上昇し、反応管から搬出される。その
後、ヒートバリアーが閉じられ、反応管が気密空間20か
ら再度隔離される。そして、昇降軸54が旋回し、ウェー
ハは搬入出位置Ａから転送位置Ｂに移される。つまり、
ウェーハは、ドア60を介して、気密空間20から空間36に
出される。そして、ウェーハは、懸吊軸58からボートト
ランスファー28に移され、ボートトランスファーに懸吊
されて移送位置Ｃに戻される。ウェーハの搬入出、熱処
理のためのボートトランスファー28、ドア60、昇降軸5
4、流量制御弁40、41、42等の動作は、シーケンス制御
等によって自動的に行なわれる。実施例では、井戸型反
応管に即して説明したが、ベル型反応管においてもこの
発明の外気混入防止装置が適用できることはいうまでも
ない。なお、反応管の開口の位置を考慮して、不活性ガ
スを選ぶことが好ましい。たとえば、井戸型反応管にお
いては、反応管の開口が上端にあるため、空気より比重
の大きな不活性ガス、たとえば、アルゴンガス等を使用
すれば、外気の混入が十分防止でき、かつ、残存空気の
排除が迅速になされる。また、窒素ガスは、比較的安価
であるため、比重を考慮することなく、井戸型、ベル型
のいづれの反応管においても、使用できる。

懸吊軸58を昇降して反応管にウェーハを搬入出する際、
不要な化学反応やナトリウム等による汚染がウェーハに
顕著に生じやすい。しかし、移送位置Ｃから転送位置Ｂ
への搬送（広義では、搬入出工程の一部と考えられる）
においても、不要な化学反応や汚染がウェーハに生じ
る。そのため、移送位置Ｃから転送位置Ｂへのボートト
ランスファー28の走路を含むように、気密空間を形成す
ることが好ましい。たとえば、第２図に２点鎖線で示す
ように、空間36をクリーンルームから隔離して、気密化
し、空間36に不活性ガスを供給するとよい。

また、不活性ガスの代りに、ナトリウム等の不純物を除
去した極めて高純度の空気を気密空間に供給してもよ
い。このような高純度の空気を使用すれば、ウェーハお
よび反応管の汚染が防止できる。

ウェーハ上での不要な酸化膜等の生成よりウェーハおよ
び反応管の汚染防止を重視すれば、不活性ガスとして、
高純度の空気を使用してもよい。この点に注目すれば、
高純度空気も一種の不活性ガスとして把握される。

〔発明の効果〕

上記のようにこの発明の外気混入防止装置によれば、不
活性ガスが気密空間に供給され、充満すれば、外気は、
気密空間から排除されるとともに、気密空間への流入が
防止される。また、ウェーハボート上のウェーハ間に介
在する外気も、不活性ガスに駆逐され、気密空間から排
除される。特に、過剰に供給された不活性ガスをクリー
ンルーム内に漏出可能な気密性のもとで気密空間を形成
すれば、気密空間から露出する不活性ガスの流れが強制
的に生じ、気密空間から外方へのこの強制的な不活性ガ
スの流れによって、外気は迅速に排除され、気密空間に
留まれない。そして、外気が気密空間に存在する余地が
なく、気密空間は、不活性ガス雰囲気化される。そのた
め、気密空間内のボートローダは、外気から隔離され
る。ボートローダに支持されたウェーハーボート上のウ
ェーハは、当然に、外気から隔離される。従って、昇降
されて反応管に搬入出される際、ウェーハに、不要な酸
化膜等が生じる虞れがなく、ナトリウム等の不純物によ
って、ウェーハが汚染されることもない。また、外気
は、気密空間から排除されるとともに、気密空間の不活
性ガスに妨げられ、反応管に混入しない。つまり、反応
管は、外気から十分に隔離される。そのため、外気によ
って、反応ガスが、直接的にも間接的にも、汚染されな
い。従って、膜圧の不均一、導通不良等染されない。従
って、膜圧の不均一、導通不良等の発生が妨げられ、高
い歩留りが確保できる。

上述した実施例は、この発明を説明するためのものであ
り、この発明を何等限定するものでなく、この発明の技
術範囲内で変形、改造等の施されたものも全てこの発明
に包含されることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、この発明に係る縦型半導体熱処
理装置の外気混入防止装置の配置されたクリーンルーム
の概略斜視図および概略平面図である。 10,11,12:縦型半導体熱処理装置、13:外気混入防止装
置、14:クリーンルーム、16:炉体、20,21,22:気密空
間、24:導管、28:ボートトランスファーの軌道、28:ボ
ートトランスファー、30,31,32:分岐管、36:空間、38:
ウェーハボート、40,41,42:流量制御弁、50,51,52:ボー
トローダ、54:ボートローダの昇降軸、58:ボートローダ
の懸吊軸、60:気密空間のドア。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】炉体開口を介して反応管に連通する気密空
   間が、ボートローダを収納してクリーンルームに形成さ
   れるとともに、ボートトランスファーの走路に添ってウ
   ェーハ移送位置までクリーンルーム内でのばされ、 この気密空間に不活性ガスが供給可能に構成されている
   縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置。
2. 【請求項２】気密空間は、過剰に供給された不活性ガス
   をクリーンルーム内に漏出可能な気密性のもとで形成さ
   れている特許請求の範囲１記載の縦型半導体熱処理装置
   の外気混入防止装置。
3. 【請求項３】反応管は上端に開口を有し、気密空間が上
   端開口に隣接して形成されている請求項１または２記載
   の縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置。
4. 【請求項４】反応管は下端に開口を有し、気密空間が下
   端開口に隣接して形成されている請求項１または２記載
   の縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置。