JPH11274267A - 処理方法および処理装置 - Google Patents
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Abstract
の大気の侵入を防ぎ、キャリア内の空気によってローデ
ィングエリアの酸素濃度を上げることなく被処理基板の
処理を可能とする。 【解決手段】 大気側と不活性ガス雰囲気のローディン
グエリアS2側を仕切る隔壁6の開口部22に、複数枚
の被処理基板Wが収容されて蓋25で密閉されたキャリ
ア2を大気側から当接させ、上記開口部22を閉鎖する
扉23および上記キャリア2の蓋25を開けてキャリア
2内をローディングエリアS2側に開放し、上記開口部
22からキャリア2内の被処理基板Wをローディングエ
リアS2側に搬送して処理する処理方法において、上記
扉23を閉鎖した状態で上記蓋25を開けてキャリア2
内を不活性ガスで置換した後、キャリア2内をローディ
ングエリアS2側に開放する。
Description
理装置に関する。
板である半導体ウエハに例えば酸化、拡散、CVD等の
各種の処理を施す工程があり、このような処理を行う装
置として例えば熱処理装置が用いられている。この熱処
理装置は、オペレータや自動搬送ロボットが複数枚の半
導体ウエハを収容したキャリアを持ち運ぶ作業領域と、
キャリア内の半導体ウエハを基板保持具であるウエハボ
ートに移替えて熱処理炉への搬入搬出を行うローディン
グエリアとを備えている。
ィングエリアを作業領域よりも清浄な雰囲気とすると共
に半導体ウエハの自然酸化膜の発生等を防止するため
に、大気側の作業領域とローディングエリアを隔壁で仕
切り、ローディングエリア内を不活性ガス例えば窒素
(N2)ガスで満たした不活性ガス雰囲気とすることが
好ましい。また、上記熱処理装置には、半導体ウエハの
パーティクル汚染を抑えるために、半導体ウエハの取出
口が蓋で密閉されている密閉型のキャリア(クローズ型
キャリアともいう)を適用することが更に好ましい。
を仕切る隔壁にキャリアを作業領域側から当接させるた
めの開口部を形成し、この開口部にはこれを閉鎖する扉
を設ける。処理を行う場合には、上記開口部にキャリア
をセットし、開口部の扉および上記キャリアの蓋を開け
てキャリア内をローディングエリア側に開放し、開口部
からキャリア内の半導体ウエハをローディングエリア側
に搬送してウエハボートへの移替えを行い、このウエハ
ボートを熱処理炉内に搬入して所定の熱処理を行うよう
にすればよい。なお、特開平8−279546号公報に
は、開口部の扉とキャリアの蓋を一緒に開放する技術が
開示されている。
アは、内部を特別に不活性ガスで置換しない限り、通常
は内部が大気すなわち空気で満たされた状態にある。こ
のため、上記キャリアを開口部にセットして扉と共にキ
ャリアの蓋を開けた場合に、キャリア内の空気がローデ
ィングエリア側に流出することが考えられる。キャリア
内の空気がローディングエリア側に流出すると、ローデ
ィングエリア内の酸素濃度が高くなるため、不活性ガス
の置換に時間がかかるだけでなく、半導体ウエハの自然
酸化膜の発生等、プロセスへの影響も懸念される。
するためになされたものである。本発明の目的は、大気
側の作業領域からローディングエリアへの大気の侵入を
防ぎ、またキャリア内の空気によってローディングエリ
アの酸素濃度を上げることなく被処理基板の処理ができ
る処理方法および処理装置を提供することにある。
係る発明は、大気側と不活性ガス雰囲気のローディング
エリア側を仕切る隔壁の開口部に、複数枚の被処理基板
が収容されて蓋で密閉されたキャリアを大気側から当接
させ、上記開口部を閉鎖する扉および上記キャリアの蓋
を開けてキャリア内をローディングエリア側に開放し、
上記開口部からキャリア内の被処理基板をローディング
エリア側に搬送して処理する処理方法において、上記扉
を閉鎖した状態で上記蓋を開けてキャリア内を不活性ガ
スで置換した後、キャリア内をローディングエリア側に
開放することを特徴とする。
ス雰囲気のローディングエリア側を仕切る隔壁の開口部
に、複数枚の被処理基板が収容されて蓋で密閉されたキ
ャリアを大気側から当接させ、上記開口部を閉鎖する扉
および上記キャリアの蓋を開けてキャリア内をローディ
ングエリア側に開放し、上記開口部からキャリア内の被
処理基板をローディングエリア側に搬送して処理する処
理装置において、上記扉を閉鎖した状態で上記蓋を開閉
する蓋開閉機構と、上記扉を閉鎖した状態で蓋が開けら
れたキャリア内を不活性ガスで置換する不活性ガス置換
手段とを具備することを特徴とする。
理装置において、上記不活性ガス置換手段が上記開口部
の縁部に設けられた不活性ガス供給孔部および排気孔部
からなることを特徴とする。
に基づいて詳述する。図1は本発明を縦型熱処理装置に
適用した実施の形態を示す概略的縦断面図、図3は同縦
型熱処理装置の概略的横断面図である。
内に設置される縦型熱処理装置の外郭を形成する筐体で
ある。この筐体1内は、キャリア2の搬入搬出、保管等
を行うための作業領域S1と、キャリア2内に収容され
た被処理基板である半導体ウエハWのウエハボート4へ
の移替え(移載)、熱処理炉5へのウエハボート4の搬
入搬出等を行うためのローディングエリアS2とに隔壁
(バルクヘッド)6により仕切られている。
いは搬送ロボットによりキャリア2を搬入搬出するため
の搬入出口7が設けられ、この搬入出口7には上下に開
閉移動するドア8が設けられている。作業領域S1に
は、搬入出口7近傍にキャリア2を置くための置き台9
が設けられ、この置き台9の上方および隔壁6側の上方
には複数個のキャリア2を保管しておくための棚状の保
管部10が設けられている。
ためのキャリア載置台であるステージ(キャリアステー
ジ)11が図示例では上下に2段設けられている。作業
領域S1には、上記置き台9、保管部10およびステー
ジ11の間でキャリア2の搬送を行うためのキャリア搬
送機構12が設けられている。このキャリア搬送機構1
2は、作業領域S1の一側部に設けられた昇降機構13
により昇降移動される昇降アーム14と、この昇降アー
ム14に設けられ、キャリア2の底部を支持して水平方
向に搬送する搬送アーム15とから主に構成されてい
る。
には、下端が炉口として開口された縦型の熱処理炉5が
設けられ、この熱処理炉5の下方には、炉内へのウエハ
ボート4の搬入搬出および炉口の開閉を行う蓋体16が
図示しない昇降機構により昇降可能に設けられている。
この蓋体16の上部には、多数枚の半導体ウエハWを上
下方向に所定の間隔で多段に支持するウエハボート4が
保温筒17を介して載置されている。熱処理炉5は、蓋
体16を下降させてウエハボート4を搬出させた際に炉
口を塞ぐための開閉可能なシャッターを備えている(図
示省略)。
体ウエハWの移替え等のためにウエハボート4を載置し
ておくためのボート載置部18が図示例では二つ設けら
れている。また、ローディングエリアS2には、キャリ
ア2とボート載置部18のウエハボート4の間で半導体
ウエハWの移替えを行う移載機構19がアーム20を介
して図3に実線で示す待機位置から仮想線で示す作業位
置に移動可能に設けられていると共に、蓋体16とボー
ト載置部18の間でウエハボート4の搬送を行うための
ボート搬送機構21が設けられている。
を介して清浄な空気が供給されていて大気雰囲気とされ
ている。上記ローディングエリアS2は、不活性ガス例
えば窒素(N2)ガスが供給されていて不活性ガス雰囲
気とされている。作業領域S1とローディングエリアS
2を仕切る隔壁6には、上記キャリア2を大気側である
作業領域S1側から当接するための開口部22が図示例
では上下に二つ形成されていると共に、各開口部22を
ローディングエリアS2側から閉鎖する扉23が開閉可
能に設けられている。上記開口部22は、キャリア2の
ウエハ取出口24とほぼ同口径に形成されており、開口
部22からキャリア2内の半導体ウエハWの出し入れが
可能になっている。
ャリアであり、複数枚の半導体ウエハWを収容すると共
に蓋25で密閉されている。キャリア2は、図5に示す
ように、所定口径例えば直径30mmの半導体ウエハW
を水平状態で上下方向に所定間隔で多段に複数枚例えば
13枚もしくは25枚程度収容可能で持ち運び可能な容
器からなり、その前面部に開口形成されたウエハ取出口
24にこれを気密に塞ぐための蓋25を着脱可能に備え
ている。キャリア2および蓋25は、例えば合成樹脂に
より形成されており、キャリア2のウエハ取出口24周
縁部には、フランジ部26が形成されている。
ー操作機構27のキー28を挿入して回すことにより、
蓋25の上端と下端から図示しないロックピンが突出ま
たは没入し、キャリア2のウエハ取出口24上縁および
下縁の図示しない凹部に係合または離脱して蓋25を閉
位置にロックまたは解除するための鍵穴29が例えば2
箇所設けられている。蓋25は、通常、キャリア2に固
定されたロック状態にあり、キー操作機構27のキー2
8を鍵穴29に挿入して回すと、ロックが解除されて蓋
25がキー28側に保持されるように構成されている。
エアシリンダ30により左右方向にスライド操作される
操作部材31と、この操作部材31により回動操作され
る回動部材32と、この回動部材32の回動軸33の先
端部に設けられたキー28とから主に構成されている。
上記操作部材31と回動部材32は、操作部材31の直
線運動を回動部材の回転運動に換えるために、リンク3
4を介して連結されているが、歯車機構を介して連結さ
れていてもよい。なお、蓋25の鍵穴29にキー28を
挿入して回すと、図示しないロックピンが引っ込められ
てロックが解除され、蓋25がキー28に保持された状
態になるようになっている。
リア2の前部側を収容する凹部35を形成すべく横断面
溝状に形成されている。この凹部35の底面に相当する
部分が内側にキャリア2を、外側に扉23をそれぞれ当
接させるための当接壁36として形成されており、この
当接壁36に開口部22が形成されている。上記凹部3
5には、キャリア2を載置するためのステージ11が図
示例では上下に2段配設されている。このステージ11
は、キャリア搬送機構12の搬送アーム15との干渉を
避けるために、図6にも示すように、作業領域S1側に
開放された平面U字状に形成されており、その上面部に
はキャリア2の底部に形成された図示しない孔部に係合
される位置決め用のピン38が突設されていると共に、
キャリア2の有無を検知するキャリアセンサ39が設け
られている。
ランジ部26後面を押圧してキャリア2の前面部を隔壁
6の開口部22周縁部に当接させて固定(ロック)する
ためのキャリア固定手段としてのキャリア固定用エアシ
リンダ40が配設されている。なお、上記ステージ11
は、キャリア固定用エアシリンダ40により押圧移動さ
れるキャリア2に追従し得るように前後方向に移動可能
に支持されている。上記開口部22の周縁部には、当接
されるキャリア2との間および扉23との間を気密にシ
ールするためのシール部材41が設けられている(図7
参照)。
ーディングエリアS2側に移動して開き、更に上下方向
に移動して退避するようになっている。二つのステージ
11のうち、いずれか一方のステージ11のキャリア2
のみ半導体ウエハWへのアクセスが可能とされ、他方の
ステージ11の扉23は閉鎖されている。具体的には図
2に示すように、上部のステージ11の扉23が閉鎖さ
れている時、下部のステージ11の扉23が開放されて
上方に退避され、下部のステージ11の扉23が閉鎖さ
れている時、上部のステージ11の扉23が開放されて
下方に退避されるように構成されている。
の凹部35両外側部に対応するように延出された支持腕
部42を有している。この扉23を上述のように開閉操
作す扉開閉機構37は、隔壁6の凹部35両外側部に上
下動ガイド43を介して上下移動可能に支持された上下
可動枠44を有し、この上下可動枠44には前後動ガイ
ド45を介して上記扉23の支持腕部42が前後移動可
能に支持されている。上記上下可動枠44には、これを
上下に駆動(昇降)するための扉昇降用エアシリンダ4
6が連結されている共に、支持腕部42を介して扉23
を前後方向に開閉移動するための扉開閉用エアシリンダ
47が取付けられている。図4の図示例では、一方(右
側)の扉昇降用エアシリンダ47が上部の扉23を、他
方(左側)の扉昇降用エアシリンダ47が下部の扉23
をそれぞれ上下に駆動するようになっている。
5の開閉を行うために、上記扉23には、扉23とは独
立してキャリア2の蓋25の開閉を行うための蓋開閉機
構48が設けられている。隔壁6は、蓋開閉機構48に
よりキャリア2の前面部から前方に移動されて開状態と
された蓋25を開口部22内に収容し得るスペースを確
保する厚さに形成されている。上記蓋開閉機構48は、
扉23の前面部に前後移動可能に配置された前後移動枠
49を有し、この前後移動枠49に上記キー操作機構2
7が組込まれている。図示例の前後移動枠49は、扉2
3の両支持腕部42に対応するように延出された支持腕
部50を有しており、この両支持腕部50が扉23の両
支持腕部42に蓋開閉用のガイド付エアシリンダ51を
介して前後移動可能に支持されている。
れたキー操作機構27の回動軸33は、図7に示すよう
に、扉23に対して前後方向に摺動可能および回動可能
に貫通している。扉23には、上記回動軸33が貫通す
る貫通孔52が形成されており、この貫通孔52には、
図9に示すように、回動軸貫通部の軸封手段として、O
リング等のシール部材53が設けられている。また、扉
23には、上記回動軸貫通部から作業領域S1側の大気
(空気)がローディングエリアS2側に漏れないようす
ると共にキー28周辺部のパーティクル対策として、回
転軸貫通部およびキー28周辺部を図示しない減圧ポン
プにより減圧排気するための排気溝54および排気孔5
5が設けられている。
構48により蓋25が開けられたキャリア2内を不活性
ガスで置換するために、上記開口部22には不活性ガス
置換手段56が設けられている。この不活性ガス置換手
段56は、図8に示すように、開口部22の縁部に設け
られた不活性ガス供給孔部57および排気孔部58から
なっている。不活性ガスとしては、例えば窒素(N2)
ガスが用いられる。キャリア2内および開口部22内を
不活性ガスで円滑に置換するために、開口部22の左右
対向縁部の一側に不活性ガス供給孔部57を、他側に排
気孔部58をそれぞれ適宜間隔で設け、不活性ガスをキ
ャリア2内の半導体ウエハWの面と平行に流すように構
成することが好ましい。
供給管58を介して不活性ガス供給源に接続され、排気
孔部58は排気管60を介して排気系に接続されてい
る。上記排気管60には、図示しない酸素濃度センサが
設けられており、酸素濃度が所定値まで下がった時に、
不活性ガス置換作業を終了し、扉23を開放、退避する
ように構成されている。蓋25は、扉23と共に開放、
退避される。蓋25の開閉、不活性ガスの置換、扉23
の開閉等は、予め設定されたプログラムに基いて図示し
ない制御装置により制御されるように構成されている。
なお、図7において、61はキャリア2と蓋25の間を
シールするシール部材である。
ず、キャリア搬送機構12によりキャリア2をステージ
11上に搬送して載置する。キャリア2がステージ11
上に載置されたことがキャリアセンサ39により検知さ
れると、キャリア固定エアシリンダ40の駆動によりキ
ャリア2が隔壁6の開口部22に押圧されて気密状態に
当接固定される。この時、開口部22は扉23により予
め閉鎖されており、キー28は隔壁6から突出している
とキャリア2と干渉するため予め開口部22内に引き込
まれている。
閉鎖および蓋25が密閉されている状態で不活性ガス置
換を行い、扉23と蓋25の間の大気を取り除いて不活
性ガスを充満させる。その後で、上記扉23の閉鎖状態
で上記キャリア2の蓋25を開け、キャリア2内を不活
性ガス置換手段56により不活性ガスで置換する。この
場合、蓋開閉機構48の作動により、図7(a)に示す
ように、前後移動枠19を介してキー28をキャリア2
の蓋25側へ前進させ、キー28を蓋25の鍵穴29に
挿入して回すことによりロックを解除する。この解除状
態で、図7の(b)に示すように、キー28を後退させ
て蓋25を扉23に当接するまで開口部22内に引き込
むことにより開ける。
活性ガス供給孔部57から不活性ガス例えば窒素
(N2)ガスを供給すると共に、排気孔部58から排気
することにより、キャリア2内を不活性ガスで置換す
る。不活性ガスは、一側の不活性ガス供給孔部57から
キャリア2と蓋25の隙間を通ってキャリア2内に入
り、他側の排気孔部58より排気されることにより、キ
ャリア2内および開口部22内に残存する空気を追い出
してキャリア2内および開口部22内を不活性ガスで満
たす。不活性ガスの供給を開始するタイミングは、キャ
リア2を開口部22に当接固定した時点からキャリア2
の蓋25を開けた時点の間であれば何れでもよい。
どうかは、酸素濃度センサにより検知される。キャリア
2内が不活性ガスで置換されると、不活性ガスの供給を
停止し、図7の(c)に示すように、扉23と共に蓋2
5を開放して上下方向に退避させ、キャリア2内をロー
ディングエリアS2側に開放する。次いで、キャリア2
内の半導体ウエハWを移載機構19によりウエハボート
4に移載し、キャリア2内の半導体ウエハWが空になっ
たなら、扉23および蓋25を閉め、ステージ11上の
空のキャリア2を保管部10のキャリア2と交換し、ウ
エハボート4に半導体ウエハWが所定枚数例えば100
〜150枚程度移載されるまで上記作業を繰り返す。そ
して、上記ウエハボート4を熱処理炉5内に搬入して半
導体ウエハWに所定の熱処理を施せばよい。熱処理が終
了したなら、ウエハボート4を熱処理炉5から搬出し、
上記とは逆の手順でウエハボート4から空のキャリア2
内に処理済みの半導体ウエハWを移載すればよい。
ーディングエリアS2側を仕切る隔壁6の開口部22に
蓋25で密閉されたキャリア2を大気側から当接させた
なら、上記開口部22を閉鎖する扉23および上記キャ
リア2の蓋25を同時に開けるのではなく、先ず上記扉
23を閉鎖したままの状態で上記蓋25のみを開けてキ
ャリア2内を不活性ガスで置換してから、扉23および
蓋25を開けてキャリア2内をローディングエリアS2
側に開放するようにしたので、大気側の作業領域S1か
らローディングエリアS2への大気の侵入を防ぎ、また
キャリア2内の空気がローディングエリアS2側に流出
するのを未然に防止することができる。従って、ローデ
ィングエリアS2の不活性ガスの置換に時間がかからな
いばかりか、半導体ウエハWの自然酸化膜の発生等、プ
ロセスへの影響もない。すなわち、キャリア2内の空気
によってローディングエリアS2の酸素濃度を上げるこ
となく半導体ウエハWの処理を行うことができ、スルー
プットおよび歩留りの向上が図れる。
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、キャリア固定手段と
しては、図10に示すようなキャリアロック機構64を
採用してもよい。このキャリアロック機構64は、隔壁
6の開口部22の近傍に支軸65を介して回動可能に軸
支されたロックアーム66を有し、このロックアーム6
6を回動させてキャリア2のフランジ部26に当接さ
せ、これを押圧固定するように構成されている。また、
蓋開閉機構48としては、図11に示すように、支持腕
部50を有しない前後移動枠49を用い、この前後移動
枠49を扉23の前面部にエアシリンダ67を介して前
後移動可能に設けた構成としてもよく、これにより構造
の簡素化および省スペース化が図れる。
な効果を奏することができる。
大気側と不活性ガス雰囲気のローディングエリア側を仕
切る隔壁の開口部に蓋で密閉されたキャリアを大気側か
ら当接させたなら、上記開口部を閉鎖する扉および上記
キャリアの蓋を同時に開けるのではなく、先ず上記扉を
閉鎖したままの状態で上記蓋のみを開けてキャリア内を
不活性ガスで置換してから、扉および蓋を開けてキャリ
ア内をローディングエリア側に開放するようにしたの
で、大気側の作業領域からローディングエリアへの大気
の侵入を防ぎ、またキャリア内の空気がローディングエ
リア側に流出するのを未然に防止することができ、キャ
リア内の空気によってローディングエリアの酸素濃度を
上げることなく被処理基板の処理を行うことが可能とな
る。
大気側と不活性ガス雰囲気のローディングエリア側を仕
切る隔壁の開口部に蓋で密閉されたキャリアを大気側か
ら当接させたなら、上記開口部を閉鎖する扉および上記
キャリアの蓋を同時に開けるのではなく、先ず上記扉と
は独立した蓋開閉機構により扉を閉鎖したままの状態で
蓋のみを開け、キャリア内を不活性ガス置換手段により
不活性ガスで置換してから、扉および蓋を開けてキャリ
ア内をローディングエリア側に開放するようにしたの
で、簡単な構成で大気側の作業領域S1からローディン
グエリアS2への大気の侵入を防ぎ、またキャリア内の
空気がローディングエリア側に流出するのを確実に防止
することができ、キャリア内の空気によってローディン
グエリアの酸素濃度を上げることなく被処理基板の処理
を行うことが可能となる。
上記不活性ガス置換手段が上記開口部の縁部に設けられ
た不活性ガス供給孔部および排気孔部からなるため、簡
単な構成で開口部およびキャリア内を容易に不活性ガス
で置換することができる。
を示す概略的縦断面図である。
扉の開放退避方法を説明する説明図である。
る。
構を示す斜視図である。
る。
である。
分的拡大断面図である。
の例を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 大気側と不活性ガス雰囲気のローディン
グエリア側を仕切る隔壁の開口部に、複数枚の被処理基
板が収容されて蓋で密閉されたキャリアを大気側から当
接させ、上記開口部を閉鎖する扉および上記キャリアの
蓋を開けてキャリア内をローディングエリア側に開放
し、上記開口部からキャリア内の被処理基板をローディ
ングエリア側に搬送して処理する処理方法において、上
記扉を閉鎖した状態で上記蓋を開けてキャリア内を不活
性ガスで置換した後、キャリア内をローディングエリア
側に開放することを特徴とする処理方法。 - 【請求項2】 大気側と不活性ガス雰囲気のローディン
グエリア側を仕切る隔壁の開口部に、複数枚の被処理基
板が収容されて蓋で密閉されたキャリアを大気側から当
接させ、上記開口部を閉鎖する扉および上記キャリアの
蓋を開けてキャリア内をローディングエリア側に開放
し、上記開口部からキャリア内の被処理基板をローディ
ングエリア側に搬送して処理する処理装置において、上
記扉を閉鎖した状態で上記蓋を開閉する蓋開閉機構と、
上記扉を閉鎖した状態で蓋が開けられたキャリア内を不
活性ガスで置換する不活性ガス置換手段とを具備するこ
とを特徴とする処理装置。 - 【請求項3】 上記不活性ガス置換手段が上記開口部の
縁部に設けられた不活性ガス供給孔部および排気孔部か
らなることを特徴とする請求項2記載の処理装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001298069A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-10-26 | Applied Materials Inc | カセットの保管および移動装置 |
EP1182693A2 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-27 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment system and method for transferring substrate |
US7073999B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Receiving container body for object to be processed |
JP2006351619A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Shinko Electric Co Ltd | 被処理物供給装置及び被処理物供給方法 |
KR100825134B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2008-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 수직열처리장치 |
JP2008130634A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置 |
JP2009049250A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Yaskawa Electric Corp | ティーチング用機構を備えたカセットステージ及びそれを備えた基板搬送装置、半導体製造装置 |
KR100922051B1 (ko) | 2002-04-12 | 2009-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리 장치에 있어서의 포트 구조 |
JP2010147499A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
US8181769B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-05-22 | Tokyo Electron Limited | Workpiece transfer mechanism, workpiece transfer method and workpiece processing system |
US8231381B2 (en) | 2007-10-03 | 2012-07-31 | Tokyo Electron Limited | Processing system for process object and thermal processing method for process object |
US8414242B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-04-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
WO2013069716A1 (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードポート、efem |
JP2019062104A (ja) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | Tdk株式会社 | ロードポート装置、ロードポート装置の駆動方法 |
Families Citing this family (292)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2229247T3 (es) * | 1995-03-28 | 2005-04-16 | Brooks Automation Gmbh | Estacion de carga y descarga para instalaciones de tratamiento de semiconductores. |
JP3664897B2 (ja) | 1998-11-18 | 2005-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP2003183728A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-03 | Jh Corp | 真空熱処理装置 |
US7611319B2 (en) * | 2004-06-16 | 2009-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for identifying small lot size substrate carriers |
US20060061979A1 (en) * | 2004-09-04 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier having reduced height |
WO2007061604A2 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for a substrate carrier having an inflatable seal |
US8293167B2 (en) * | 2005-11-23 | 2012-10-23 | Surface Combustion, Inc. | Surface treatment of metallic articles in an atmospheric furnace |
US20070141280A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier having an interior lining |
US9383036B2 (en) * | 2007-08-14 | 2016-07-05 | Parker-Hannifin Corporation | Bonded slit valve door seal with thin non-metallic film gap control bumper |
US8492283B2 (en) * | 2007-08-28 | 2013-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and structure for automated inert gas charging in a reticle stocker |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP5614352B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ローディングユニット及び処理システム |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
JP6045946B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-12-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
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CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3277550B2 (ja) * | 1992-05-21 | 2002-04-22 | 神鋼電機株式会社 | 可搬式密閉コンテナ用ガスパージユニット |
US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
DE4326308C1 (de) * | 1993-08-05 | 1994-10-20 | Jenoptik Jena Gmbh | Transportvorrichtung für Magazine zur Aufnahme scheibenförmiger Objekte |
US5472086A (en) * | 1994-03-11 | 1995-12-05 | Holliday; James E. | Enclosed sealable purgible semiconductor wafer holder |
US5476176A (en) * | 1994-05-23 | 1995-12-19 | Empak, Inc. | Reinforced semiconductor wafer holder |
US5607276A (en) * | 1995-07-06 | 1997-03-04 | Brooks Automation, Inc. | Batchloader for substrate carrier on load lock |
US5810537A (en) * | 1995-10-18 | 1998-09-22 | Bye/Oasis Engineering Inc. | Isolation chamber transfer apparatus |
JPH10107122A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板カセットの搬入装置 |
JPH10321698A (ja) | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP09400698A patent/JP3656701B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-18 US US09/271,341 patent/US6231290B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-23 KR KR10-1999-0009815A patent/KR100466920B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-02-23 US US09/790,558 patent/US20010005476A1/en not_active Abandoned
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001298069A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-10-26 | Applied Materials Inc | カセットの保管および移動装置 |
JP2012199584A (ja) * | 2000-04-17 | 2012-10-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の搬送方法 |
JP2011040743A (ja) * | 2000-04-17 | 2011-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板収納容器開閉装置、基板処理方法、基板の搬送方法および基板収納容器の開閉方法 |
JP4581031B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2010-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP4581032B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2010-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010161389A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP2010147499A (ja) * | 2000-04-17 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
US7210924B2 (en) | 2000-08-23 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
KR100745867B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-08-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 수직열처리장치 및 피처리체를 운송하는 방법 |
KR100825134B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2008-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 수직열처리장치 |
EP1182693A2 (en) * | 2000-08-23 | 2002-02-27 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment system and method for transferring substrate |
EP1986216A1 (en) | 2000-08-23 | 2008-10-29 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment system and method for transferring substrate |
US8147241B2 (en) | 2000-08-23 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Method of object transfer for a heat treatment system |
EP1182693A3 (en) * | 2000-08-23 | 2006-02-08 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment system and method for transferring substrate |
EP1734564A1 (en) * | 2000-08-23 | 2006-12-20 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment system and method for transferring substrate |
US7059849B2 (en) | 2000-08-23 | 2006-06-13 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and a method for cooling a loading chamber |
US7819658B2 (en) | 2000-08-23 | 2010-10-26 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment system and method therefore |
KR100922051B1 (ko) | 2002-04-12 | 2009-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리 장치에 있어서의 포트 구조 |
US7073999B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Receiving container body for object to be processed |
JP4534876B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2010-09-01 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 被処理物供給装置及び被処理物供給方法 |
JP2006351619A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Shinko Electric Co Ltd | 被処理物供給装置及び被処理物供給方法 |
JP2008130634A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置 |
KR101355693B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2014-02-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 반송 처리 장치 |
JP2009049250A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Yaskawa Electric Corp | ティーチング用機構を備えたカセットステージ及びそれを備えた基板搬送装置、半導体製造装置 |
US8231381B2 (en) | 2007-10-03 | 2012-07-31 | Tokyo Electron Limited | Processing system for process object and thermal processing method for process object |
US8181769B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-05-22 | Tokyo Electron Limited | Workpiece transfer mechanism, workpiece transfer method and workpiece processing system |
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