CN112889142A - 具有退火迷你环境的处理腔室 - Google Patents

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Abstract

描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

Description

具有退火迷你环境的处理腔室
技术领域
本公开内容总体上涉及处理晶片的装置及方法。详细而言，本公开内容涉及具有用于在高温及高压下将多个晶片退火的迷你环境的处理腔室。
背景技术
退火腔室通常使用密封件来将腔室的内部与周围环境或其他的处理温度(例如在用于群集工具中时)隔离。由于密封件故障，常规的退火腔室不能在高于500℃的温度下操作。此外，高压退火(例如～70巴)与高温处理不相容，因为压力与温度的组合造成密封部件的故障。例如温度计、压力计、爆破盘、及动密封件的部件不能用于可用于蒸气退火的极端温度及压力。
因此，本领域中需要在高温及高压下将基板退火的装置和方法。
发明内容
本公开内容的一个或多个实施例涉及处理腔室，所述处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、及底部，所述顶部、侧壁、及底部界定上内部区域及下内部区域。加热器组件在所述下内部区域中的所述腔室主体的底部上。所述加热器组件包括界定工艺区域的底部、侧壁、及顶部。晶片盒组件在所述加热器组件内部。电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的所述下内部区域移动到所述上内部区域。
本公开内容的额外实施例涉及处理腔室，所述处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、及底部，所述顶部、侧壁、及底部界定上内部区域及下内部区域。所述侧壁具有狭缝阀，所述狭缝阀可操作来隔离所述腔室主体的所述上内部区域或允许通过所述侧壁进出所述上内部区域。加热器组件位在所述下内部区域中的所述腔室主体底部上。所述加热器组件包括界定所述加热器组件内的工艺区域的底部、侧壁、及顶部。所述加热器组件的所述侧壁包括双壁迷宫出口流动路径，以提供所述加热器组件的内部内的所述工艺区域与所述腔室主体的所述上内部区域之间的流体连通。至少一个底板加热元件位在所述加热器组件的所述底板附近。至少一个侧壁加热元件与所述加热器组件的所述侧壁相邻。所述侧壁加热元件围绕所述侧壁的周边周围延伸。晶片盒组件在所述加热器组件内部。所述晶片盒组件包括多个晶片支撑件，所述多个晶片支撑件被定位为在处理期间支撑晶片。所述晶片支撑件中的每一者均包括沿着所述晶片支撑件的高度隔开的多个晶片支撑元件。电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件的所述内部移动到所述上内部区域。蒸气注射端口在所述腔室主体的所述底部及所述加热器组件的所述底部中。所述蒸气注射端口提供进入所述加热器组件的所述工艺区域中的流体路径。控制器连接到所述加热器组件、所述晶片盒、所述电机、所述腔室的所述上内部区域中的所述侧壁中的所述狭缝阀、或所述上内部区域内的一个或多个传感器中的一者或多者，所述一个或多个传感器被配置为测量温度或压力中的一者或多者。
本公开内容的另外的实施例涉及将多个晶片退火的方法。将多个晶片定位在腔室主体的下内部部分内的加热器组件中。所述加热器组件包括侧壁，所述侧壁具有双壁迷宫出口流动路径，以提供所述加热器组件的内部与所述腔室主体的上内部部分之间的流体连通。加热所述多个晶片。通过使蒸气流动到所述加热器组件中，来将所述腔室主体加压到预定压力，所述蒸气通过所述加热器组件中的所述双壁迷宫出口流动路径离开所述加热器组件，到达所述腔室主体的所述上内部部分中。
附图说明
可以通过参照实施例来获得上文所简要概述的本公开内容的更详细说明以及可以用来详细了解本公开内容的上述特征的方式，附图中示出了所述实施例中的一些实施例。然而，要注意，附图仅示出此公开内容的典型实施例，且因此不将所述附图视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可以允许其他同等有效的实施例。
图1示出根据本文中所述的实施例的具有迷你环境的处理腔室的示意图；
图2示出根据一个或多个实施例的用于与处理腔室迷你环境一起使用的加热器组件的示意横截面图；
图3示出根据一个或多个实施例的晶片盒的一部分；
图4示出图2的加热器组件的部分IV；
图5A到图5H示出根据一个或多个实施例的具有使用中的迷你环境的处理腔室的横截面示意图；以及
图6示出根据本公开内容的一个或多个实施例的具有使用中的迷你环境的处理腔室的横截面示意图，示出了气体流路径。
具体实施方式
在描述本公开内容的几个示例性实施例之前，要了解，本公开内容不限于以下说明中所阐述的构造或工艺步骤的细节。本公开内容能够包括其他的实施例及用各种方式实行或实现。
如本文中所使用的“基板”指的是任何基板或形成于基板上的材料表面，膜处理在制造工艺期间执行于所述基板或所述材料表面上。例如，取决于应用，可以在上面执行工艺的基板表面包括例如为硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅结构(SOI)、掺杂碳的氧化硅、非晶硅、经掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石的材料、以及例如为金属、氮化金属、金属合金、及其他导电材料的任何其他材料。基板包括(但不限于)半导体晶片。可以将基板暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上进行膜处理以外，在本公开内容中，也可以如下文更详细公开地将所公开的任何膜处理步骤执行于形成在基板上的下层(under-layer)上，且术语“基板表面”在上下文指示时要包括此类下层。因此，例如，若已经将膜/层或部分的膜/层沉积到基板表面上，则新沉积的膜/层的暴露面变成基板表面。
如此说明书及所附权利要求中所使用的，术语“前驱物”、“反应物”、“反应气体”等等被互换使用以指称可与基板表面或与形成于基板表面上的膜反应的任何气态物种。
本公开内容的实施例提供具有用于蒸气退火等工艺的迷你环境的处理腔室。迷你环境将用于处理晶片的高温区与承温能力较低的主体腔室隔离。迷你环境被设计为在内部集中热量，从而最小化热泄漏及在高温下提供晶片间及晶片内的均匀性。
根据一些实施例，高温及高压操作环境可以将晶片环境与腔室的其余部分隔离。此种隔离允许主体环境中较低的操作温度，从而允许较广泛的腔室部件选择。用于测量温度/压力及密封系统的部件不能在超过500℃温度下操作。本公开内容的一些实施例有利地提供一隔离系统，所述隔离系统具有与晶片环境分离的操作环境。
常规的系统不能够在所述高温(大于550℃)及高压(大于50巴)下操作。本公开内容的一个或多个实施例提供了腔室及方法，其中压力计、温度计、爆破盘、动密封件等等的部件在高温及高压条件下操作。所公开的系统及方法允许将现有的部件用在迷你腔室环境外部的更合理的操作环境中。
一些实施例的蒸气迷你腔室环境是利用蒸气的自然绝缘性质的隔离系统。在一些实施例中，蒸气迷你腔室环境减少对流。在一些实施例中，蒸气迷你腔室环境将能量集中到晶片环境中。在一些实施例中，通过在高温区外部维持较低的温度，热区的热隔离允许较广泛的部件及材料选择。一些实施例的迷你环境允许使用替代材料，同时维持相同的常规腔室基本结构。
参照附图，一些实施例的迷你环境是高压腔室内的热隔离的容积。迷你环境是通过将晶片交换机构降下到最低位置中来产生的。升降组件具有几个功能及部件。连接到组件的顶部的是具有顶部帽盖的晶片盒。升降组件的垂直运动以及机器叶片提供了在大气下交换晶片的手段。密封圆盘位于升降组件的底部处。为了密封腔室，升降机将降下到最低位置。在一些实施例中，用正压的密封圆盘密封下腔室。在一些实施例中，在升降机处于最低位置时，顶部帽密封迷你环境。在此位置，晶片位于迷你环境中，顶部帽密封环境的顶部，且圆盘搁置在密封腔室的下凸耳上。此产生了密封的内部迷你环境，且用圆盘密封件密封了主要腔室。
在一些实施例中，迷你环境的构造优化晶片环境与主体腔室的热隔离。在一个或多个实施例中，使用蒸气的热绝缘性质来限制对流及产生双壁以使环境绝缘及发生。在一些实施例中，产生迷宫流动路径以通过为蒸气产生曲折路径从而限制两个热环境之间的流动及损耗，来最小化泄漏。
在一个或多个实施例中，将环境的下区段从主体腔室底板升起，且用多级石英屏障隔离以用于热绝缘。在一些实施例中，石英底板是加热器电力、热电偶、及蒸气注射的主要馈通件。在一个或多个实施例中，自然电绝缘的石英为带电加热器导线提供了通往腔室的内部环境的路径。导线对内部加热器馈电，所述加热器从石英悬挂器悬挂下来呈缠绕在晶片堆叠周围的线圈。一些实施例的导线是使用替代的材料及规格来配置的，以实现特定的热需求。将额外的线圈定位在腔室的底部处，以限制透过底板的损耗及提供额外的热输入。蒸气注射通过石英底板直接转移到迷你环境中。端口终止在增压室(第二石英底板)下方，所述增压室将通过材料中穿孔的孔洞提供扩散蒸气流到迷你环境中。蒸气注射端口直接连接到三重锅炉的第三级，其确保干蒸气注射。与带电电导线馈通件类似，可以将热电偶从下石英区段引导到迷你环境中，以针对晶片环境进行探测及提供有效的热反馈。
一些实施例的迷你环境基于不断改变的需求针对未来的配置进行优化。在一些实施例中，主体腔室容积的尺寸被调整为允许将加热器交换到环境的外部及用红外线透明的材料替换壁材料。可以连续地馈送对迷你环境中的直接蒸气注射，从而跨迷你环境壁维持微小的压差。可以利用此种配置来提供优化的污染性能，同时增加内部压力管理及控制的复杂性。所述设计专注于基于工艺需求支援任一种配置。
参照图1到图3，本公开内容的一个或多个实施例涉及处理腔室100。腔室100包括腔室主体102，所述腔室主体具有顶部104、侧壁106、及底部108。腔室主体102界定上内部区域110及下内部区域120。
腔室主体102的侧壁106包括狭缝阀107以允许从腔室100装载及卸载基板。在一些实施例中，狭缝阀107位于腔室主体102的上内部区域110中以从晶片盒装载及卸载晶片。图1示出定位在开启的狭缝阀107附近的机器人133上的晶片131。附图示出不具有门的狭缝阀107；然而，技术人员将认识，一些实施例的狭缝阀107具有可以开启及关闭的门，以将上内部区域110与处理腔室主体102外部的环境隔离。(关闭狭缝阀107的门109示出在图5H中。)
在一些实施例中，处理腔室100包括至少一个传感器130。一些实施例的所述至少一个传感器130位在上内部区域110内。在一些实施例中，至少一个传感器130位在下内部区域120内。在一些实施例中，所述至少一个传感器130位在上内部区域110内以测量上内部区域110内的温度或压力中的一者或多者。在一些实施例中，至少一个传感器位在下内部区域120内以测量下内部区域120内的温度或压力中的一者或多者。
加热器组件200位在处理腔室100的下内部区域110120中的腔室主体102的底部108上。加热器组件200包括界定工艺区域205的底部202、侧壁204、及顶部206。在一些实施例中，晶片盒300定位在加热器组件200内部。
在一些实施例中，电机140被配置为将晶片盒300从加热器组件200内部的下内部区域120移动到上内部区域110，如下文将更详细描述的。一些实施例的电机140经由升降连接器142耦接到晶片盒300或加热器组件200。在一些实施例中，电机140被配置为沿着移动与处理腔室主体102的底部108垂直的轴移动141。
在一些实施例中，加热器组件200进一步包括与加热器组件200的底部202相邻的加热元件210。加热器组件200被定位为加热晶片盒300及工艺区域205及装载在晶片盒300中的任何晶片131。
在一些实施例中，在加热器组件200的底部202附近存在一个加热元件210。在一些实施例中，在加热器组件200的底部202附近存在多于一个加热元件210。如图2中所示，存在两个径向区加热元件210a、210b。与加热器组件200的底部202相邻的加热元件210a、210b被分隔成多个径向区，所述多个径向区相对于加热器组件200的中心轴201用不同的距离隔开。
在一些实施例中，加热器组件200进一步包括侧壁204周围的加热元件220。如图2中所示，加热元件220定位在加热器组件200的内部工艺区域205内。在一些实施例中，在加热器组件200的内部内存在一个加热元件220。在一些实施例中，在加热器组件200的内部工艺区域205内的侧壁204附近存在多个加热元件220。在一些实施例中，在侧壁附近存在两个加热元件220。在一些实施例中，加热元件220被分隔成多个轴向隔开的区220a、220b等等。轴向区沿着中心轴201的长度隔开。在一些实施例中，加热元件220或多个加热元件220定位在与加热器组件200的内部中的工艺区域205中的侧壁204相邻的陶瓷导线引导件225上。在一些实施例中，加热器组件200具有至少一个侧壁加热元件220，所述至少一个侧壁加热元件与侧壁204的内周边相邻且围绕所述内周边周围延伸。
在一些实施例中，加热器组件200的顶部206被固定到侧壁204。在一些实施例中，加热器组件200的顶部206相对于侧壁204是可移除的。如下文将针对图5A到图5H进一步论述的，晶片盒300从下内部区域120到上内部区域110的移动使得加热器组件200的顶部206(或顶部206及侧壁204)移动。
回到图2，在一些实施例中，加热器组件200的顶部206包括石英盘240。在一些实施例中，石英盘240是定位在凹口230中的顶部206的表面上的单独部件。在一些实施例中，加热器组件200的顶部206包括石英。
图3示出根据本公开内容的一个或多个实施例的晶片盒300的横截面等轴视图。一些实施例的晶片盒300包括底部302，其中多个晶片支撑件从底部302延伸。晶片支撑件305在晶片盒300的周边周围以任何合适的距离隔开。在一些实施例中，晶片支撑件305在半圆周围隔开以提供充足的空间以用于从晶片盒300装载或卸载晶片。
晶片支撑件305包括沿着晶片支撑件305的高度隔开的多个晶片支撑元件310。晶片支撑元件310具有晶片支撑面315，所述晶片支撑面315的尺寸被合适地调整以在处理期间接触晶片。一些实施例的晶片支撑元件310被隔开为使得晶片支撑元件310的晶片支撑面315是在1mm到约25mm的范围中、或在约2mm到约20mm的范围中、或在约3mm到约18mm的范围中、或在约4mm到约16mm的范围中、或在约5mm到约15mm的范围中。
晶片支撑件350及晶片支撑元件310由可以安全地接触晶片的任何合适的材料制作。在一些实施例中，晶片支撑件305包括抗氧化及抗腐蚀材料。在一些实施例中，晶片支撑元件310包括抗氧化及抗腐蚀材料。在一些实施例中，晶片支撑件305及晶片支撑元件310一体地由抗氧化及抗腐蚀材料所形成。
参照图2及图4，加热器组件200的一些实施例具有双壁204a、204b。图4示出图2的区域IV的扩展图。在一些实施例中，外壁204a与内壁204b之间的空间是在约0.5mm到约50mm的范围中、或在约0.75mm到约25mm的范围中、或在约1mm到约20mm的范围中、或在约2mm到约10mm的范围中。
在一些实施例中，加热器组件200的侧壁204具有双壁迷宫出口流动路径250。双壁迷宫流动路径250提供腔室主体102的工艺区域205与上内部区域110之间的流体连通。图4示出离开工艺区域205及加热器组件200的示例气体流251。如用此种方式使用的，术语“迷宫流动路径”指的是具有两个、三个、四个、五个、或六个大于45°的转弯的流动路径。在图4中所示出的实施例中，迷宫流动路径250具有四个大于45°的转弯作为从工艺区域205到加热器组件200的外部的最短流动路径。附图示出具有迷宫流动路径250的加热器组件200的示意图，在所述迷宫流动路径250中，加热器组件200的顶部206及侧壁204不接触。然而，技术人员将认识到，所示出的视图示出加热器组件200的一个切片，且加热器组件200的其他部分具有向下延伸到侧壁204的顶部206(或向上延伸到顶部206的侧壁204)，使得顶部206搁置在侧壁204上。一些实施例的迷宫流动路径250具有在侧壁204的周围隔开的多个开口209。
回到图1及图2，工艺腔室100的一些实施例包括蒸气注射端口180。蒸气注射端口180提供进入加热器组件200的工艺区域205的流体路径181。在一些实施例中，蒸气注射端口180位于腔室主体102的底部108中。在一些实施例中，蒸气注射端口180位于腔室主体102的侧壁106中。工艺腔室100的一些实施例包括蒸气源185，所述蒸气源185通过流体路径181及蒸气注射端口180与加热器组件200的内部(工艺区域205)流体连通。在一些实施例中，蒸气源185包括与蒸气注射端口180流体连通的锅炉186。在一些实施例中，蒸气源185包括连接到锅炉186的冷凝器187，所述锅炉186与蒸气注射端口180流体连通。
本公开内容的额外实施例涉及用于将多个晶片退火的方法。多个晶片131定位在腔室主体102的下内部区域120内的加热器组件200中。为了将晶片131定位在加热器组件200中，将晶片盒300从工艺位置(示于图1中)移动到多个装载位置(如图5A到图5H中所示)。在图5A中，已经将晶片盒300从搁置或工艺位置升举到用来装载第一晶片131的位置。在所示出的实施例中，加热器组件200的顶部206被晶片盒300升举。
如图5B中所示，机器人133移动通过狭缝阀107且将晶片131传递经过晶片盒300的晶片支撑件305。机器人133将晶片131定位在晶片支撑元件310上方，且不是机器人133降下以将晶片131定位在晶片支撑元件310上，就是晶片盒300升高以将晶片131升举离开机器人133。
图5C示出在机器人133已经回缩通过狭缝阀107且捡取另一个晶片131、并且晶片盒已经进一步升高以对准另一组晶片支撑元件310以用于装载之后的装载工艺。图5D示出将第二晶片131装载在下一组晶片支撑元件310上。
图5E示出在已经装载第二晶片131且已经由机器人133检取新的晶片之后的与图5C类似的装载工艺。重复装载晶片、升举晶片盒300、及回缩机器人133的循环，直到预定数量的晶片位于晶片盒300的晶片支撑元件310上为止。图5F示出将最终的晶片装载到底部组的晶片支撑元件310上。图5G示出在工艺腔室100的上内部区域110中处于升高位置的完全装载的晶片盒300，且机器人133正抽回通过狭缝阀107。图5H示出形成迷你环境的工艺腔室100的下内部区域120中的完全装载的晶片盒300。狭缝阀107使用狭缝阀门109关闭以隔离上内部区域110(下内部区域120除外)。
图5A到图5G中所描述的晶片装载工艺从以下步骤开始：首先装载最顶部的晶片，且针对每个晶片升举晶片盒300。在一些实施例中，晶片装载工艺从首先装载最底部的晶片来开始。在此实施例中，首先将晶片盒300完全升出下内部区域120，随后在装载每个相继的晶片131的情况下降至下内部区域120中。卸载工艺与装载工艺相反。在一些实施例中，装载及卸载工艺混合，使得在将晶片盒移动到下一个装载/卸载位置之前，将晶片从晶片盒移除且用新的晶片替换。在一些实施例中，使用双叶片机器人，使得第一叶片从晶片盒捡取处理过的晶片且第二叶片将新的晶片装载到相同组的晶片支撑元件上。
参照图6，描述了退火工艺。如上所述，使用(一个或多个)底部加热器或(一个或多个)侧壁加热器中的一者或多者来加热工艺腔室100的下内部区域120中的晶片盒300上的所述多个晶片131。在一些实施例中，将工艺腔室100的下内部区域120加热到大于或等于约500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃、800℃、850℃、或900℃的温度。
在一些实施例中，在已将工艺腔室的下内部区域120加热到处理温度时，工艺腔室100的上内部区域110维持在低于下内部区域120的温度。在一些实施例中，下内部区域120中的温度大于或等于约25℃、50℃、75℃、100℃、125℃、150℃、175℃、200℃、225℃、250℃、275℃、300℃、325℃、350℃、375℃、400℃、450℃、或500℃。
通过使蒸气188通过蒸气注射端口180流动到加热器组件200中来将腔室主体102加压到预定的压力。在一些实施例中，蒸气188将加热器组件200加压到大于或等于约50巴、60巴、70巴、80巴、90巴、或100巴的压力。
在一些实施例中，下内部区域120及上内部区域110内的加热器组件200内的压力大约相同。如用此种方式使用的，术语“大约相同”意味着，下内部区域120中的压力相对于上内部区域110的绝对差小于或等于约5％、2％、或1％。在一些实施例中，在已经将工艺腔室的下内部区域120加压时，工艺腔室100的上内部区域110维持低于下内部区域120的压力。在一些实施例中，上内部区域110中的压力比下内部区域120中的压力低大于或等于约10巴、20巴、30巴、40巴、50巴、或60巴。
在加压的同时，蒸气流251通过加热器组件200中的双壁迷宫出口流动路径250离开加热器组件200到腔室主体102的上内部区域110中。通过迷宫出口流动路径250离开下内部区域120的气体的流率低于进入下内部区域120的蒸气的流率。工艺腔室100的上内部区域110通过真空端口111连接到真空源以抽空上内部区域110，从而在上内部区域110中维持合适的压力。
下内部区域120中的高温及高压维持达预定的时间段。一旦预定的时间段过去，就不再将蒸气添加到下内部区域120，且允许下内部区域120中的压力散逸。在一些实施例中，下内部区域120中的压力仅通过迷宫出口流动路径250散逸。在一些实施例中，通过使用通过真空端口115连接到下内部区域120的真空源来降低下内部区域120中的压力。在一些实施例中，将真空阀116开启及关闭以将下内部区域120与真空源隔离。在一些实施例中，真空端口与蒸气注射端口180相同，使得真空源用合适的阀连接到与蒸气源相同的端口，以在蒸气源与真空源之间进行切换。
再次参照图1，本公开内容的额外实施例涉及用于执行本文中所述的方法的处理腔室100。处理腔室100的一些实施例包括至少一个控制器190，所述至少一个控制器耦接到电机140、加热元件210、加热元件220、蒸气源185、狭缝阀门109、机器人133、传感器130、或真空阀116(示于图6中)中的一者或多者。在一些实施例中，多于一个的控制器190连接到个别的元件，且主要控制处理器耦接到单独的处理器中的每一者以控制处理腔室100。控制器190可以是可以用在工业环境中以供控制各种腔室及子处理器的任何形式的一般用途计算机处理器、微控制器、微处理器等等中的一者。在一些实施例中，控制器190连接到加热器组件、晶片盒、电机、上内部区域中的腔室的侧壁中的开口、或上内部区域内的一个或多个传感器中的一者或多者，所述一个或多个传感器用来测量温度或压力中的一者或多者。
一些实施例的所述至少一个控制器190可以具有处理器192、耦接到处理器192的存储器194、耦接到处理器192的输入/输出设备196、及用来在不同的电子元件之间通讯的支援电路198。一些实施例的存储器194包括暂时性存储器(例如随机存取存储器)或非暂时性存储器(例如储存器)中的一者或多者。
一些实施例的处理器的存储器194或计算机可读取媒体是可随时取得的存储器中的一者或多者，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、或任何其他形式的本地或远程的数字储存器。一些实施例的存储器194保存指令集，所述指令集可以由处理器192操作以控制处理腔室100的参数及元件。支持电路198耦接到处理器192以用常规方式支持处理器192。合适的电路包括但不限于高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路系统、子系统等。
一般可以将工艺储存在存储器中作为软件例程，所述软件例程在由处理器执行时使得工艺腔室执行本公开内容的工艺。也可以由第二处理器(未示出)储存和/或执行软件例程，所述第二处理器在被处理器控制的硬件的远程。也可以用硬件执行本公开内容的方法中的一些或全部。如此，工艺可以用软件实施且使用计算机系统来执行、用硬件实施为例如应用特定集成电路或其他类型的硬件实施方式、或实施为软件与硬件的组合。软件例程在由处理器执行时，将通用计算机变换成控制腔室操作使得工艺被执行的特定用途计算机(控制器)。
在一些实施例中，控制器190具有一种或多种配置以执行个别的工艺或子工艺以执行方法。一些实施例的控制器190连接到中间部件及配置为操作所述中间部件，以执行方法的功能。例如，一些实施例的控制器190连接到气阀、致动器、电机、狭缝阀、真空控制器等等中的一者或多者且配置为控制气阀、致动器、电机、狭缝阀、真空控制器等等中的一者或多者。
一些实施例的控制器190具有选自以下项的一种或多种配置：用来控制机器人133移动晶片131的配置；用来控制电机140以升起和/或降下晶片盒300的配置；用来从处理腔室装载和/或卸载基板的配置；用来操作底部加热元件210或侧壁加热元件220中的一者或多者的配置；用来控制利用蒸气来加压下内部区域120的操作的配置；用来控制蒸气源185的配置；用来从所述至少一个传感器130读取数据的配置；用来响应于来自所述至少一个传感器130的数据控制蒸气源185和/或真空阀116的配置；用来控制真空阀114以控制上内部区域110中的压力的配置；及用来控制真空阀116以控制下内部区域120中的压力的配置。
整篇此说明书的对于“一个实施例”、“某些实施例”、“一个或多个实施例”、或“一实施例”的指称意味着，与实施例结合描述的特定特征、结构、材料、或特性被包括在本公开内容的至少一个实施例中。因此，整篇此说明书的各种地方中的例如“在一个或多个实施例中”、“在某些实施例”、“在一个实施例中”、或“在一实施例中”的语句的出现不一定是指本公开内容的相同实施例。并且，可以在一个或多个实施例中用任何合适的方式结合特定的特征、结构、材料、或特性。
尽管已经参照了详细的实施例来描述本文中的公开内容，但要了解，所述实施例仅说明本公开内容的原理及应用。本领域中的技术人员将理解，可以在不脱离本公开内容的精神及范围的情况下对本公开内容的方法及装置作出各种修改及变化。因此，本公开内容旨在包括所附权利要求及其等效方案的范围内的更改及变型。

Claims (15)

1.一种处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有顶部、侧壁、和底部，所述顶部、所述侧壁、和所述底部界定上内部区域和下内部区域；
加热器组件，所述加热器组件在所述下内部区域中的所述腔室主体的底部上，所述加热器组件包括界定工艺区域的底部、侧壁、和顶部；
晶片盒组件，所述晶片盒组件在所述加热器组件内部；以及
电机，所述电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的所述下内部区域移动到所述上内部区域。
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热器组件的所述侧壁具有双壁迷宫出口流动路径，以提供所述工艺区域与所述腔室主体的所述上内部区域之间的流体连通。
3.如权利要求2所述的处理腔室，进一步包括：蒸气注射端口，所述蒸气注射端口在所述腔室主体的所述底部和所述加热器组件的所述底部中，所述蒸气注射端口提供进入所述加热器组件的所述工艺区域中的流体路径。
4.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热器组件进一步包括：加热元件，所述加热元件与所述加热器组件的所述底部相邻。
5.如权利要求4所述的处理腔室，其中在所述加热器组件的所述底部附近存在多于一个的加热元件。
6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热组件进一步包括：加热元件，所述加热元件在所述侧壁周围。
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述加热元件位于所述加热组件的内部内。
8.如权利要求7所述的处理腔室，其中在所述工艺区域内的所述加热器组件的所述侧壁附近存在至少两个加热元件。
9.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述加热元件定位在与所述加热组件的所述内部中的所述侧壁相邻的陶瓷导线引导件上。
10.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述加热组件的所述顶部包括石英盘。
11.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述晶片盒包括：多个晶片支撑件，所述多个晶片支撑件被定位为在处理期间支撑晶片，所述晶片支撑件中的每一者均包括沿着所述晶片支撑件的高度隔开的多个晶片支撑元件。
12.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述腔室主体的所述侧壁在所述上内部区域中包括狭缝阀，以从所述晶片盒装载和卸载晶片。
13.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：至少一个传感器，所述至少一个传感器在所述上内部区域内以测量温度或压力中的一者或多者。
14.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括：控制器，所述控制器连接到所述加热器组件、所述晶片盒、所述电机、所述上内部区域中的所述腔室的所述侧壁中的开口、或一个或多个传感器中的一者或多者，所述一个或多个传感器在所述上内部区域内以测量温度或压力中的一者或多者。
15.一种将多个晶片退火的方法，所述方法包括：
将所述多个晶片定位在腔室主体的下内部部分内的加热器组件中，所述加热器组件包括侧壁，所述侧壁具有双壁迷宫出口流动路径，以提供所述加热器组件的内部与所述腔室主体的上内部部分之间的流体连通；
加热所述多个晶片；以及
通过使蒸气流动到所述加热器组件中，来将所述腔室主体加压到预定压力，所述蒸气通过所述加热器组件中的所述双壁迷宫出口流动路径离开所述加热器组件到所述腔室主体的所述上内部部分中。
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