KR20210068586A - 어닐링 미니-환경을 갖는 프로세싱 챔버 - Google Patents

어닐링 미니-환경을 갖는 프로세싱 챔버 Download PDF

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KR20210068586A
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마이클 호난
데이비드 블라닉
로버트 브렌트 보팟
제프리 블라닉
찰스 칼슨
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

하나 이상의 웨이퍼들을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들이 설명된다. 장치는 상부 내부 구역 및 하부 내부 구역을 정의하는 챔버를 포함한다. 히터 조립체가 하부 내부 구역에서 챔버 바디의 최하부 상에 있고, 이러한 히터 조립체는 프로세스 구역을 정의한다. 웨이퍼 카세트 조립체가 히터 조립체 내측에 있고, 모터가 히터 조립체 내측의 하부 프로세스 구역으로부터 상부 내부 구역으로 웨이퍼 카세트 조립체를 이동시키도록 구성된다.

Description

어닐링 미니-환경을 갖는 프로세싱 챔버
[0001] 본 개시내용은 일반적으로, 웨이퍼를 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용은 고온들 및 고압들에서 복수의 웨이퍼들을 어닐링하기 위한 미니-환경(mini-environment)을 갖는 프로세싱 챔버에 관한 것이다.
[0002] 어닐링 챔버들은 통상적으로, 밀봉부들을 사용하여 주위 환경 또는 다른 프로세싱 온도들(예컨대, 클러스터 툴에서 사용되는 경우)로부터 챔버의 내부를 격리한다. 종래의 어닐링 챔버들은 밀봉부들의 고장(failure)으로 인해 500 ℃를 초과하는 온도들에서 동작할 수 없다. 부가적으로, 고압 어닐링(예컨대, ~70 bar)은 압력과 온도의 조합이 밀봉 컴포넌트들의 고장들을 유발하기 때문에 고온 프로세싱에 맞지 않다. 예컨대 온도 게이지들, 압력 게이지들, 버스트 디스크들 및 동적 밀봉부들을 위한 컴포넌트들은 스팀 어닐링에 유용한 극한 온도들 및 압력들에 이용가능하지 않다.
[0003] 그러므로, 고온들 및 고압들에서 기판들을 어닐링하는 장치 및 방법들이 당업계에 필요하다.
[0004] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 상부 내부 구역 및 하부 내부 구역을 정의하는, 최상부, 측벽 및 최하부를 갖는 챔버 바디를 포함하는 프로세싱 챔버들에 관한 것이다. 히터 조립체가 하부 내부 구역에서 챔버 바디의 최하부 상에 있다. 히터 조립체는 프로세스 구역을 정의하는, 최하부, 측벽 및 최상부를 포함한다. 웨이퍼 카세트 조립체가 히터 조립체 내측에 있다. 모터가 히터 조립체 내측의 하부 내부 구역으로부터 상부 내부 구역으로 웨이퍼 카세트 조립체를 이동시키도록 구성된다.
[0005] 본 개시내용의 부가적인 실시예들은 상부 내부 구역 및 하부 내부 구역을 정의하는, 최상부, 측벽 및 최하부를 갖는 챔버 바디를 포함하는 프로세싱 챔버들에 관한 것이다. 측벽은 측벽을 통한 챔버 바디의 상부 내부 구역으로의 접근을 격리하거나 또는 허용하도록 동작가능한 슬릿 밸브를 갖는다. 히터 조립체가 하부 내부 구역에서 챔버 바디의 최하부 상에 있다. 히터 조립체는 히터 조립체 내의 프로세스 구역을 정의하는, 최하부, 측벽 및 최상부를 포함한다. 히터 조립체의 측벽은 히터 조립체의 내부 내의 프로세스 구역과 챔버 바디의 상부 내부 구역 사이의 유체 연통을 제공하기 위한 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 포함한다. 적어도 하나의 바닥 가열 엘리먼트가 히터 조립체의 최하부에 인접하게 위치된다. 적어도 하나의 측벽 가열 엘리먼트가 히터 조립체의 측벽에 인접하게 있다. 측벽 가열 엘리먼트는 측벽의 둘레 주위로 연장된다. 웨이퍼 카세트 조립체가 히터 조립체 내측에 있다. 웨이퍼 카세트 조립체는 프로세싱 동안 웨이퍼를 지지하도록 포지셔닝된 복수의 웨이퍼 지지부들을 포함한다. 웨이퍼 지지부들 각각은 웨이퍼 지지부의 높이를 따라 이격된 복수의 웨이퍼 지지 엘리먼트들을 포함한다. 모터가 히터 조립체의 내부로부터 상부 내부 구역으로 웨이퍼 카세트 조립체를 이동시키도록 구성된다. 스팀 분사 포트가 챔버 바디의 최하부 및 히터 조립체의 최하부에 있다. 스팀 분사 포트는 히터 조립체의 프로세스 구역 내로의 유체 경로를 제공한다. 제어기가 히터 조립체, 웨이퍼 카세트, 모터, 상부 내부 구역에서 챔버의 측벽에 있는 슬릿 밸브, 또는 상부 내부 구역 내의 하나 이상의 센서들 중 하나 이상에 연결되며, 하나 이상의 센서들은 온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하도록 구성된다.
[0006] 본 개시내용의 추가적인 실시예들은 복수의 웨이퍼들을 어닐링하는 방법들에 관한 것이다. 복수의 웨이퍼들은 챔버 바디의 하부 내부 부분 내의 히터 조립체에 포지셔닝된다. 히터 조립체는 히터 조립체의 내부와 챔버 바디의 상부 내부 부분 사이의 유체 연통을 제공하기 위한 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 갖는 측벽을 포함한다. 복수의 웨이퍼들이 가열된다. 챔버 바디는, 히터 조립체 내로 스팀을 유동시킴으로써 미리 결정된 압력으로 가압되고, 스팀은 히터 조립체에 있는 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 통해 챔버 바디의 상부 내부 부분 내로 히터 조립체를 빠져 나간다.
[0007] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 더욱 상세한 설명이 실시예들을 참조함으로써 이루어질 수 있으며, 이 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에서 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들이 본 개시내용의 통상적인 실시예들만을 예시하며 이에 따라 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 동일하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 미니 환경을 갖는 프로세싱 챔버의 개략도를 예시하고;
[0009] 도 2는 하나 이상의 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버 미니 환경에 사용하기 위한 히터 조립체의 개략적인 단면도를 예시하고;
[0010] 도 3은 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 카세트의 일부분을 예시하고;
[0011] 도 4는 도 2의 히터 조립체의 일부분(Ⅳ)을 예시하고;
[0012] 도 5a 내지 도 5h는 하나 이상의 실시예들에 따른, 사용 중인 미니 환경을 갖는 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시하며; 그리고
[0013] 도 6은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 가스 유동 경로들을 보여주는, 사용 중인 미니 환경을 갖는 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0014] 본 개시내용의 여러 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용이 다음의 설명에서 제시되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하며, 다양한 방식들로 수행되거나 또는 실시될 수 있다.
[0015] 본원에서 사용되는 "기판"은, 제작 프로세스 동안 필름 프로세싱이 수행되는, 임의의 기판 또는 기판 상에 형성된 재료 표면을 지칭한다. 예컨대, 프로세싱이 수행될 수 있는 기판 표면은, 애플리케이션에 따라, 실리콘, 실리콘 옥사이드, 스트레인드(strained) 실리콘, SOI(silicon on insulator), 탄소 도핑된 실리콘 옥사이드들, 비정질 실리콘, 도핑된 실리콘, 게르마늄, 갈륨 아세나이드, 유리, 사파이어와 같은 재료들, 그리고 금속들, 금속 나이트라이드들, 금속 합금들 및 다른 전도성 재료들과 같은 임의의 다른 재료들을 포함한다. 기판들은 반도체 웨이퍼들을 포함(이에 제한되지 않음)한다. 기판들은 기판 표면을 폴리싱, 에칭, 환원, 산화, 수산화, 어닐링 및/또는 베이킹하기 위한 전처리 프로세스에 노출될 수 있다. 기판 자체의 표면 상에 직접적으로 필름 프로세싱하는 것에 부가하여, 본 개시내용에서, 개시되는 필름 프로세싱 단계들 중 임의의 필름 프로세싱 단계는 또한, 아래에서 더욱 상세히 개시되는 바와 같이 기판 상에 형성된 하부층(under-layer)에 대해 수행될 수 있으며, "기판 표면"이란 용어는 문맥이 나타내는 바와 같이 그러한 하부층을 포함하는 것으로 의도된다. 따라서, 예컨대, 필름/층 또는 부분 필름/층이 기판 표면 상에 증착된 경우, 새롭게 증착된 필름/층의 노출된 표면이 기판 표면이 된다.
[0016] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "전구체", "반응물", "반응성 가스" 등의 용어들은, 기판 표면 또는 기판 표면 상에 형성된 필름과 반응할 수 있는 임의의 가스성 종(species)을 지칭하기 위해 상호교환가능하게 사용된다.
[0017] 본 개시내용의 실시예들은 다른 프로세스들 중에서 스팀 어닐링을 위한 미니 환경들을 갖는 프로세싱 챔버들을 제공한다. 미니 환경은 웨이퍼들을 프로세싱하기 위해 사용되는 고온 존을, 더 낮은 온도가 가능한 벌크 챔버로부터 격리한다. 미니 환경은, 열을 내부적으로 집중시켜 열 누출을 최소화하고 고온들에서 웨이퍼별 균일성 및 웨이퍼 내의 균일성을 제공하도록 설계된다.
[0018] 일부 실시예들에 따르면, 고온 및 고압 동작 환경은 웨이퍼 환경을 챔버의 나머지로부터 격리할 수 있다. 이 격리는, 벌크 환경에서 더 낮은 동작 온도들을 가능하게 하여서, 챔버 컴포넌트들의 더 광범위한 선택을 가능하게 한다. 온도/압력을 측정하고 시스템들을 밀봉하기 위한 컴포넌트들은 500 ℃ 초과에서 동작할 수 없다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 유리하게는, 웨이퍼 환경과 별개의 동작 환경을 갖는 격리 시스템을 제공한다.
[0019] 종래의 시스템들은 이들 상승된 온도들(550 ℃ 초과) 및 상승된 압력들(50 bar 초과)에서 동작할 수 없다. 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은, 압력 게이지들, 온도 게이지들, 버스트 디스크들, 동적 밀봉부들 등을 위한 컴포넌트들이 상승된 온도 및 압력 조건들 하에서 동작하는 챔버들 및 방법들을 제공한다. 개시되는 시스템들 및 방법들은, 미니 챔버 환경 외측의 더욱 합리적인 동작 환경에서 기존의 컴포넌트들의 사용을 가능하게 한다.
[0020] 일부 실시예들의 스팀 미니-챔버 환경은 스팀의 본래의 절연 특성들을 활용하는 격리 시스템이다. 일부 실시예들에서, 스팀 미니-챔버 환경은 대류 유동(convective flow)들을 감소시킨다. 일부 실시예들에서, 스팀 미니-챔버 환경은 웨이퍼 환경 내로 에너지를 집중시킨다. 일부 실시예들에서, 열 존들의 열 격리는, 고온 존 외측에서 더 낮은 온도들을 유지함으로써 컴포넌트들 및 재료들의 더 광범위한 선택을 가능하게 한다. 일부 실시예들의 미니 환경은 종래의 챔버들과 동일한 기본 구조를 유지하면서 대안적인 재료들의 사용을 가능하게 한다.
[0021] 도면들을 참조하면, 일부 실시예들의 미니 환경은 고압 챔버 내의 열적으로 격리된 볼륨이다. 미니 환경은, 웨이퍼 교환 메커니즘을 가장 낮은 포지션으로 낮춤으로써 생성된다. 리프트 조립체는 여러 기능들 및 컴포넌트들을 갖는다. 조립체의 최상부에는 탑 햇 커버(top hat cover)를 갖는 웨이퍼 카세트가 연결된다. 로봇 블레이드와 함께 리프트 조립체의 수직 모션은 분위기(atmosphere)에서 웨이퍼들을 교환하는 수단을 제공한다. 밀봉 퍽(sealing puck)이 리프트 조립체의 최하부에 위치된다. 챔버를 밀봉하기 위해, 리프트는 가장 낮은 포지션으로 하강될 것이다. 일부 실시예들에서, 하부 챔버가 양압 밀봉 퍽(positively pressurized seal puck)으로 밀봉된다. 일부 실시예들에서, 탑 햇은, 리프트가 가장 낮은 포지션에 있을 때 미니 환경을 밀봉한다. 이 포지션에서, 웨이퍼들은 미니 환경에 있고, 탑 햇은 환경의 최상부 부분을 밀봉하며, 퍽은 챔버를 밀봉하는 하부 레지(ledge) 상에 놓인다. 이는, 퍽 밀봉부로 메인 챔버를 밀봉하는 것과 함께 밀봉된 내부 미니 환경을 생성한다.
[0022] 일부 실시예들에서, 미니 환경의 구조는 벌크 챔버로부터 웨이퍼 환경의 열 격리를 최적화한다. 하나 이상의 실시예들에서, 스팀의 단열 특성들은, 대류 유동을 제한하며 그리고 환경을 절연 및 스테이징(stage)하기 위한 이중 벽들을 생성하는 데 사용된다. 일부 실시예들에서, 2 개의 열 환경들 사이의 유동 및 손실들을 제한하는 스팀용 비틀어진(torturous) 경로를 생성함으로써 누출을 최소화하도록 미로 유동 경로가 생성된다.
[0023] 하나 이상의 실시예들에서, 환경의 하부 섹션은 벌크 챔버 바닥으로부터 상승되고, 단열용 멀티-스테이지 석영 장벽들로 격리된다. 일부 실시예들에서, 석영 바닥은 히터 전력, 열전대들 및 스팀 분사를 위한 메인 피드스루들이다. 하나 이상의 실시예들에서, 본래 전기적으로 절연성인 석영은 챔버의 내부 환경으로의 라이브 히터 와이어들을 위한 경로를 제공한다. 와이어들은, 웨이퍼 스택 주위를 감싸는 코일의 석영 행거들에 매달린 내부 히터들을 피딩한다. 일부 실시예들의 와이어들은, 특정 열 요건들을 달성하기 위해 대안적인 재료들 및 게이지들을 사용하여 구성된다. 부가 코일이, 바닥을 통한 손실들을 제한하고 부가 열 입력을 제공하도록 챔버의 최하부에 포지셔닝된다. 스팀 분사가 석영 바닥을 통해 미니 환경 내로 직접적으로 포팅된다(ported). 포트(port)는 플레넘(제2 석영 바닥) 아래에서 종단되었고, 이는 재료의 천공된 홀들을 통과하는 스팀의, 미니 환경 내로의 확산 유동을 제공할 것이다. 스팀 분사 포트는 건식 스팀 분사를 보장하는 삼중 보일러의 제3 스테이지에 직접적으로 연결된다. 라이브 전기 와이어 피드스루와 유사하게, 열전대들은 하부 석영 섹션으로부터 미니 환경 내로 라우팅되어 웨이퍼 환경에 대한 활성(active) 열 피드백을 프로빙(probe) 및 제공할 수 있다.
[0024] 일부 실시예들의 미니 환경은 변화하는 요건들에 기반하여 미래의 구성들에 최적화된다. 일부 실시예들에서, 벌크 챔버 볼륨은, 히터들을 환경 외측으로 역전(reversing)시키고 벽 재료를 IR 투명 재료로 교체하는 것을 가능하게 하도록 크기가 정해진다. 미니 환경 내로의 직접 스팀 분사가 지속적으로 피딩되어서, 미니 환경 벽들에 걸쳐 약간의 차압(differential pressure)이 유지될 수 있다. 이 구성은, 내부 압력 관리 및 제어들의 복잡성 부가로 최적화된 오염 성능을 제공하기 위해 활용될 수 있다. 이 설계는 프로세스 요구들에 기반하여 어느 구성이든 지원하는 것에 초점이 맞춰졌다.
[0025] 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 프로세싱 챔버들(100)에 관한 것이다. 챔버(100)는 최상부(104), 측벽(106) 및 최하부(108)를 갖는 챔버 바디(102)를 포함한다. 챔버 바디(102)는 상부 내부 구역(110) 및 하부 내부 구역(120)을 정의한다.
[0026] 챔버 바디(102)의 측벽(106)은, 기판이 챔버(100)에 로딩되거나 또는 챔버(100)로부터 언로딩될 수 있게 하기 위한 슬릿 밸브(107)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 슬릿 밸브(107)는, 웨이퍼 카세트에 웨이퍼들을 로딩하고 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼들을 언로딩하기 위해 챔버 바디(102)의 상부 내부 구역(110)에 위치된다. 도 1은 개방 슬릿 밸브(107)에 인접하게 포지셔닝된 로봇(133) 상의 웨이퍼(131)를 예시한다. 이 예시는, 도어가 없는 슬릿 밸브(107)를 도시하지만, 당업자는, 일부 실시예들의 슬릿 밸브(107)가 프로세싱 챔버 바디(102) 외측의 조건들로부터 상부 내부 구역(110)을 격리하도록 개폐될 수 있는 도어를 갖는다는 것을 인식할 것이다. (슬릿 밸브(107)를 폐쇄하는 도어(109)가 도 5h에서 예시된다.)
[0027] 일부 실시예들에서, 프로세싱 챔버(100)는 적어도 하나의 센서(130)를 포함한다. 일부 실시예들의 적어도 하나의 센서(130)는 상부 내부 구역(110) 내에 위치된다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 센서(130)는 하부 내부 구역(120) 내에 위치된다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 센서(130)는 상부 내부 구역(110) 내의 온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하기 위해 상부 내부 구역(110) 내에 있다. 일부 실시예들에서, 적어도 하나의 센서는 하부 내부 구역(120) 내의 온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하기 위해 하부 내부 구역(120) 내에 있다.
[0028] 히터 조립체(200)가 프로세싱 챔버(100)의 하부 내부 구역(120)의 챔버 바디(102)의 최하부(108) 상에 있다. 히터 조립체(200)는 프로세스 구역(205)을 정의하는, 최하부(202), 측벽(204) 및 최상부(206)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 카세트(300)가 히터 조립체(200) 내측에 포지셔닝된다.
[0029] 일부 실시예들에서, 모터(140)는, 아래에서 더욱 상세히 설명될 바와 같이, 히터 조립체(200) 내측의 하부 내부 구역(120)으로부터 상부 내부 구역(110)으로 웨이퍼 카세트(300)를 이동시키도록 구성된다. 일부 실시예들의 모터(140)는 리프트 커넥터(142)를 통해 웨이퍼 카세트(300) 또는 히터 조립체(200)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 모터(140)는 프로세싱 챔버 바디(102)의 최하부(108)에 직각(perpendicular)인 축을 따라 이동(141)하도록 구성된다.
[0030] 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)는 히터 조립체(200)의 최하부(202)에 인접한 가열 엘리먼트(210)를 더 포함한다. 히터 조립체(200)는, 웨이퍼 카세트(300) 및 프로세스 구역(205) 그리고 웨이퍼 카세트(300)에 로딩된 임의의 웨이퍼들(131)을 가열하도록 포지셔닝된다.
[0031] 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최하부(202)에 인접한 하나의 가열 엘리먼트(210)가 있다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최하부(202)에 인접한 하나보다 더 많은 가열 엘리먼트(210)가 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 2 개의 방사상 존 가열 엘리먼트들(210a, 210b)이 있다. 히터 조립체(200)의 최하부(202)에 인접한 가열 엘리먼트들(210a, 210b)은 히터 조립체(200)의 중심 축(201)으로부터 상이한 거리들로 이격된 복수의 방사상 존들로 분리된다.
[0032] 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)는 측벽(204) 주위에 가열 엘리먼트(220)를 더 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 가열 엘리먼트(220)는 히터 조립체(200)의 내부 프로세스 구역(205) 내에 포지셔닝된다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 내부 내에 하나의 가열 엘리먼트(220)가 있다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 내부 프로세스 구역(205) 내에 측벽(204)에 인접한 복수의 가열 엘리먼트들(220)이 있다. 일부 실시예들에서, 측벽에 인접한 2 개의 가열 엘리먼트들(220)이 있다. 일부 실시예들에서, 가열 엘리먼트들(220)은 복수의 축방향으로 이격된 존들(220a, 220b 등)로 분리된다. 축방향 존들은 중심 축(201)의 길이를 따라 이격된다. 일부 실시예들에서, 가열 엘리먼트(220) 또는 복수의 가열 엘리먼트들(220)은, 히터 조립체(200)의 내부에 있는 프로세스 구역(205)에서 측벽(204)에 인접한 세라믹 와이어 가이드(225) 상에 포지셔닝된다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)는, 측벽(204)의 내부 둘레에 인접한 그리고 측벽(204)의 내부 둘레 주위로 연장되는 적어도 하나의 측벽 가열 엘리먼트(220)를 갖는다.
[0033] 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최상부(206)는 측벽들(204)에 고정된다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최상부(206)는 측벽들(204)로부터 제거가능하다. 도 5a 내지 도 5h와 관련하여 아래에서 추가로 논의될 바와 같이, 하부 내부 구역(120)으로부터 상부 내부 구역(110)으로의 웨이퍼 카세트(300)의 이동은 히터 조립체(200)의 최상부(206), 또는 최상부(206) 및 측벽들(204)이 이동하게 한다.
[0034] 다시 도 2를 참조하면, 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최상부(206)는 석영 디스크(240)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 석영 디스크(240)는 리세스(230)에서 최상부(206)의 표면 상에 포지셔닝된 별개의 컴포넌트이다. 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 최상부(206)는 석영을 포함한다.
[0035] 도 3은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른, 웨이퍼 카세트(300)의 단면 등각도를 예시한다. 일부 실시예들의 웨이퍼 카세트(300)는 최하부(302)를 포함하는데, 복수의 웨이퍼 지지부들(305)이 최하부(302)로부터 연장된다. 웨이퍼 지지부들(305)은 웨이퍼 카세트(300)의 주변부 주위로 임의의 적절한 거리로 이격된다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 지지부들(305)은, 웨이퍼가 웨이퍼 카세트(300)에 로딩되거나 또는 웨이퍼 카세트(300)로부터 언로딩될 충분한 여유(room)를 제공하기 위해 반원(one half a circle) 주위로 이격된다.
[0036] 웨이퍼 지지부들(305)은 웨이퍼 지지부(305)의 높이를 따라 이격된 복수의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)을 포함한다. 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)은 프로세싱 동안 웨이퍼와 접촉하도록 적절하게 크기가 정해진 웨이퍼 지지 표면(315)을 갖는다. 일부 실시예들의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)은, 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)의 웨이퍼 지지 표면들(315)이 약 1 mm 내지 약 25 mm의 범위, 또는 약 2 mm 내지 약 20 mm의 범위, 또는 약 3 mm 내지 약 18 mm의 범위, 또는 약 4 mm 내지 약 16 mm의 범위, 또는 약 5 mm 내지 약 15 mm의 범위에 있도록 이격된다.
[0037] 웨이퍼 지지부들(305) 및 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)은 웨이퍼와 안전하게 접촉할 수 있는 임의의 적절한 재료로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 지지부들(305)은 내산화성 및 내식성 재료를 포함한다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)은 내산화성 및 내식성 재료를 포함한다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 지지부들(305) 및 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)은 내산화성 및 내식성 재료로 일체로 형성된다.
[0038] 도 2 및 도 4를 참조하면, 히터 조립체(200)의 일부 실시예들은 이중 벽(204a, 204b)을 갖는다. 도 4는 도 2의 구역(Ⅳ)의 확대도를 도시한다. 일부 실시예들에서 외벽(204a)과 내벽(204b) 사이의 공간은 약 0.5 mm 내지 약 50 mm의 범위, 또는 약 0.75 mm 내지 약 25 mm의 범위, 또는 약 1 mm 내지 약 20 mm의 범위, 또는 약 2 mm 내지 약 10 mm의 범위에 있다.
[0039] 일부 실시예들에서, 히터 조립체(200)의 측벽(204)은 이중-벽식 미로 출구 유동 경로(250)를 갖는다. 이중-벽식 미로 유동 경로(250)는 프로세스 구역(205)과 챔버 바디(102)의 상부 내부 구역(110) 사이의 유체 연통을 제공한다. 도 4는 프로세스 구역(205) 및 히터 조립체(200)를 빠져 나가는 예시적인 가스 유동(251)을 도시한다. 이러한 방식으로 사용되는 바와 같이, "미로 유동 경로"란 용어는 45°를 초과하는 적어도 2 개, 3 개, 4 개, 5 개 또는 6 개의 턴(turn)들을 갖는 유동 경로를 지칭한다. 도 4에서 예시된 실시예에서, 미로 유동 경로(250)는 프로세스 구역(205)으로부터 히터 조립체(200) 외측으로의 최단 유동 경로로서 45°를 초과하는 4 개의 턴들을 갖는다. 도면들은, 히터 조립체(200)의 최상부(206) 및 측벽(204)이 접촉하지 않는 미로 유동 경로(250)를 갖는 히터 조립체(200)의 개략도들을 도시한다. 그러나, 당업자는, 예시된 도면들이 히터 조립체(200)의 하나의 슬라이스를 도시하며, 최상부(206)가 측벽(204) 상에 놓이도록, 히터 조립체(200)의 다른 부분들이 측벽(204)(또는 최상부(206)까지 위쪽으로 연장되는 측벽(204))까지 아래로 연장되는 최상부(206)를 갖는다는 것을 인식할 것이다. 일부 실시예들의 미로 유동 경로(250)는 측벽(204)의 주변부 주위로 이격된 복수의 개구들(209)을 갖는다.
[0040] 다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 프로세스 챔버(100)의 일부 실시예들은 스팀 분사 포트(180)를 포함한다. 스팀 분사 포트(180)는 히터 조립체(200)의 프로세스 구역(205) 내로의 유체 경로(181)를 제공한다. 일부 실시예들에서, 스팀 분사 포트(180)는 챔버 바디(102)의 최하부(108)에 있다. 일부 실시예들에서, 스팀 분사 포트(180)는 챔버 바디(102)의 측벽(106)에 있다. 프로세스 챔버(100)의 일부 실시예들은 유체 경로(181) 및 스팀 분사 포트(180)를 통해 히터 조립체(200)의 내부(프로세스 구역(205))와 유체 연통하는 스팀 소스(185)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 스팀 소스(185)는 스팀 분사 포트(180)와 유체 연통하는 보일러(186)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 스팀 소스(185)는 스팀 분사 포트(180)와 유체 연통하는 보일러(186)에 연결된 응축기(187)를 포함한다.
[0041] 본 개시내용의 부가적인 실시예들은 복수의 웨이퍼들을 어닐링하기 위한 방법들에 관한 것이다. 복수의 웨이퍼들(131)이 챔버 바디(102)의 하부 내부 구역(120) 내의 히터 조립체(200)에 포지셔닝된다. 웨이퍼들(131)을 히터 조립체(200)에 포지셔닝하기 위해, 웨이퍼 카세트(300)가, 도 1에 도시된 프로세스 포지션으로부터 도 5a 내지 도 5h에 도시된 바와 같이 복수의 로딩 포지션들로 이동된다. 도 5a에서, 웨이퍼 카세트(300)는 정지(resting) 또는 프로세스 포지션으로부터 제1 웨이퍼(131)를 로딩하기 위한 포지션으로 들어 올려졌다. 예시된 실시예에서, 히터 조립체(200)의 최상부(206)는 웨이퍼 카세트(300)에 의해 들어 올려진다.
[0042] 도 5b에 도시된 바와 같이, 로봇(133)은 슬릿 밸브(107)를 통해 이동하고, 웨이퍼 카세트(300)의 웨이퍼 지지부들(305)을 지나 웨이퍼(131)를 전달한다. 로봇(133)은 웨이퍼 지지 엘리먼트(310) 위에 웨이퍼(131)를 포지셔닝하고 로봇(133)은 웨이퍼 지지 엘리먼트(310) 상에 웨이퍼(131)를 포지셔닝하도록 하강되거나, 또는 웨이퍼 카세트(300)는 로봇(133)으로부터 웨이퍼(131)를 들어 올리도록 상승된다.
[0043] 도 5c는, 로봇(133)이 슬릿 밸브(107)를 통해 후퇴했고(retracted) 다른 웨이퍼(131)를 픽업했으며, 웨이퍼 카세트가 로딩을 위해 다른 세트의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310)을 정렬하도록 추가로 상승된 후의 로딩 프로세스를 도시한다. 도 5d는 다음 차례의 세트의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310) 상에 제2 웨이퍼(131)를 로딩하는 것을 도시한다.
[0044] 도 5e는, 제2 웨이퍼(131)가 로딩되었고 새로운 웨이퍼가 로봇(133)에 의해 픽업된 후의, 도 5c와 유사한 로딩 프로세스를 도시한다. 웨이퍼들을 로딩하고, 웨이퍼 카세트(300)를 들어 올리며 그리고 로봇(133)을 후퇴시키는 사이클은, 미리 결정된 수의 웨이퍼들이 웨이퍼 카세트(300)의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310) 상에 있을 때까지 반복된다. 도 5f는 최하부 세트의 웨이퍼 지지 엘리먼트들(310) 상으로의 최종 웨이퍼의 로딩을 도시한다. 도 5g는, 프로세스 챔버(100)의 상부 내부 구역(110)에서 상승된 포지션에 있는 완전히 로딩된 웨이퍼 카세트(300), 및 슬릿 밸브(107)를 통해 배출되고 있는 로봇(133)을 도시한다. 도 5h는 프로세스 챔버(100)의 하부 내부 구역(120)에 있는 완전히 로딩된 웨이퍼 카세트(300) ―미니-환경이 형성됨― 를 도시한다. 슬릿 밸브(107)는, (하부 내부 구역(120)을 제외하고) 상부 내부 구역(110)을 격리하도록 슬릿 밸브 도어(109)로 폐쇄된다.
[0045] 도 5a 내지 도 5g에서 설명된 웨이퍼 로딩 프로세스는, 최상위 웨이퍼가 먼저 로딩되고 웨이퍼 카세트(300)가 각각의 웨이퍼를 위해 들어 올려지는 것으로 시작되었다. 일부 실시예들에서, 웨이퍼 로딩 프로세스는 최하위 웨이퍼가 먼저 로딩되는 것으로 시작한다. 이 실시예에서, 웨이퍼 카세트(300)는, 먼저, 하부 내부 구역(120)으로부터 완전히 들어 올려지고, 그런 다음, 각각의 연속적인 웨이퍼(131)가 로딩된 상태에서 하부 내부 구역(120) 내로 하강된다. 언로딩 프로세스는 로딩 프로세스와 반대이다. 일부 실시예들에서, 로딩 프로세스와 언로딩 프로세스는, 웨이퍼가 웨이퍼 카세트로부터 제거되며 그리고 웨이퍼 카세트를 다음 차례의 로딩/언로딩 포지션으로 이동시키기 전에 새로운 웨이퍼로 교체되도록 혼합된다. 일부 실시예들에서, 제1 블레이드가 프로세싱된 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로부터 픽업하고 제2 블레이드가 동일한 세트의 웨이퍼 지지 엘리먼트들 상에 새로운 웨이퍼를 로딩하도록, 이중 블레이드 로봇이 사용된다.
[0046] 도 6을 참조하면, 어닐링 프로세스가 설명된다. 프로세스 챔버(100)의 하부 내부 구역(120)에 있는 웨이퍼 카세트(300) 상의 복수의 웨이퍼들(131)은 위에서 설명된 바와 같이 최하부 히터(들) 또는 측벽 히터(들) 중 하나 이상을 사용하여 가열된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)의 하부 내부 구역(120)은 약 500 ℃, 550 ℃, 600 ℃, 650 ℃, 700 ℃, 750 ℃, 800 ℃, 850 ℃ 또는 900 ℃ 이상의 온도로 가열된다.
[0047] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버의 하부 내부 구역(120)이 프로세싱 온도들로 가열되었을 때, 프로세스 챔버(100)의 상부 내부 구역(110)은 하부 내부 구역(120)보다 더 낮은 온도를 유지한다. 일부 실시예들에서, 하부 내부 구역(120) 내의 온도는 상부 내부 구역(110)보다 약 25 ℃, 50 ℃, 75 ℃, 100 ℃, 125 ℃, 150 ℃, 175 ℃, 200 ℃, 225 ℃, 250 ℃, 275 ℃, 300 ℃, 325 ℃, 350 ℃, 375 ℃, 400 ℃, 450 ℃ 또는 500 ℃ 이상 높다.
[0048] 챔버 바디(102)는, 스팀 분사 포트(180)를 통해 히터 조립체(200) 내로 스팀(188)을 유동시킴으로써, 미리 결정된 압력으로 가압된다. 일부 실시예들에서, 스팀(188)은 약 50 bar, 60 bar, 70 bar, 80 bar, 90 bar 또는 100 bar 이상의 압력으로 히터 조립체(200)를 가압한다.
[0049] 일부 실시예들에서, 상부 내부 구역(110) 내의 압력과 하부 내부 구역(120) 내의 히터 조립체(200) 내의 압력은 거의 동일하다. 이러한 방식으로 사용된 바와 같이, "거의 동일"이란 용어는, 상부 내부 구역(110)에 대해 하부 내부 구역(120) 내의 압력들의 절대 차이가 약 5%, 2% 또는 1% 이하임을 의미한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버의 하부 내부 구역(120)이 가압되었을 때, 프로세스 챔버(100)의 상부 내부 구역(110)은 하부 내부 구역(120)보다 더 낮은 압력을 유지한다. 일부 실시예들에서, 상부 내부 구역(110) 내의 압력은 하부 내부 구역(120) 내의 압력보다 약 10 bar, 20 bar, 30 bar, 40 bar, 50 bar 또는 60 bar 이상 더 낮다.
[0050] 가압되는 동안, 스팀 유동(251)은 히터 조립체(200)에 있는 이중-벽식 미로 출구 유동 경로(250)를 통해 챔버 바디(102)의 상부 내부 구역(110) 내로 히터 조립체(200)를 빠져 나간다. 미로 출구 유동 경로(250)를 통해 하부 내부 구역(120)을 빠져 나가는 가스들의 유량은 하부 내부 구역(120)으로 들어가는 스팀의 유량보다 더 낮다. 프로세스 챔버(100)의 상부 내부 구역(110)이 진공 포트(111)를 통해 진공 소스에 연결되어, 상부 내부 구역(110)을 진공배기시켜서, 상부 내부 구역(110) 내의 적절한 압력이 유지된다.
[0051] 하부 내부 구역(120) 내의 상승된 온도 및 압력은 미리 결정된 시간 기간 동안 유지된다. 일단 미리 결정된 시간 기간이 경과되었다면, 스팀은 더 이상 하부 내부 구역(120)에 부가되지 않고, 하부 내부 구역(120) 내의 압력은 소산될 수 있게 된다. 일부 실시예들에서, 하부 내부 구역(120) 내의 압력은 미로 출구 유동 경로(250)를 통해서만 소산된다. 일부 실시예들에서, 하부 내부 구역(120) 내의 압력은, 진공 포트(115)를 통해 하부 내부 구역(120)에 연결된 진공 소스의 사용에 의해 하강된다. 일부 실시예들에서, 진공 밸브(116)가 진공 소스로부터 하부 내부 구역(120)을 격리하도록 개폐된다. 일부 실시예들에서, 스팀 소스와 진공 소스 사이에서 전환하기 위한 적절한 밸브를 이용하여 진공 소스가 스팀 소스와 동일한 포트에 연결되도록, 진공 포트는 스팀 분사 포트(180)와 동일하다.
[0052] 다시 도 1을 참조하면, 본 개시내용의 부가적인 실시예들은 본원에서 설명된 방법들을 실행하기 위한 프로세싱 챔버(100)에 관한 것이다. 프로세싱 챔버(100)의 일부 실시예들은 모터(140), 가열 엘리먼트(210), 가열 엘리먼트(220), 스팀 소스(185), 슬릿 밸브 도어(109), 로봇(133), 센서(130) 또는 진공 밸브(116)(도 6에 도시됨) 중 하나 이상에 커플링된 적어도 하나의 제어기(190)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 개별적인 컴포넌트들에 연결된 하나보다 더 많은 제어기(190)가 있으며, 1차 제어 프로세서가 프로세싱 챔버(100)를 제어하기 위해 별개의 프로세서들 각각에 커플링된다. 제어기(190)는, 다양한 챔버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서, 마이크로제어기, 마이크로프로세서 등 중 하나일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제어기(190)는 히터 조립체, 웨이퍼 카세트, 모터, 상부 내부 구역에서 챔버의 측벽에 있는 개구, 또는 온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하기 위한, 상부 내부 구역 내의 하나 이상의 센서들 중 하나 이상에 연결된다.
[0053] 일부 실시예들의 적어도 하나의 제어기(190)는 프로세서(192), 프로세서(192)에 커플링된 메모리(194), 프로세서(192)에 커플링된 입력/출력 디바이스들(196), 및 상이한 전자 컴포넌트들 사이에서 통신하기 위한 지원 회로들(198)을 갖는다. 일부 실시예들의 메모리(194)는 일시적 메모리(예컨대, 랜덤 액세스 메모리) 또는 비-일시적 메모리(예컨대, 스토리지) 중 하나 이상을 포함한다.
[0054] 일부 실시예들의 프로세서의 메모리(194) 또는 컴퓨터-판독가능 매체는, 랜덤 액세스 메모리(RAM; random access memory), ROM(read-only memory), 플로피 디스크, 하드 디스크 또는 임의의 다른 형태의 디지털 스토리지(로컬 또는 원격)와 같은 용이하게 이용가능한 메모리 중 하나 이상이다. 일부 실시예들의 메모리(194)는 프로세싱 챔버(100)의 파라미터들 및 컴포넌트들을 제어하기 위해 프로세서(192)에 의해 동작가능한 명령 세트를 보유한다. 지원 회로들(198)은 종래의 방식으로 프로세서(192)를 지원하기 위해 프로세서(192)에 커플링된다. 적절한 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로소자, 서브시스템들 등을 포함(그러나, 이에 제한되지 않음)한다.
[0055] 프로세스들은 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때 프로세스 챔버로 하여금 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치되는 제2 프로세서(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법의 일부 또는 전부는 또한, 하드웨어로 수행될 수 있다. 따라서, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행될 수 있거나, 예컨대 주문형 집적 회로 또는 다른 타입의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현될 수 있거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 범용 컴퓨터를, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특수 목적 컴퓨터(제어기)로 변환한다.
[0056] 일부 실시예들에서, 제어기(190)는 방법을 수행하도록 개별적인 프로세스들 또는 서브-프로세스들을 실행하기 위한 하나 이상의 구성들을 갖는다. 일부 실시예들의 제어기(190)는 방법들의 기능들을 수행하기 위해 중간 컴포넌트들에 연결되고 이러한 중간 컴포넌트들을 동작시키도록 구성된다. 예컨대, 일부 실시예들의 제어기(190)는 가스 밸브들, 액추에이터들, 모터들, 슬릿 밸브들, 진공 제어부 등 중 하나 이상을 제어하도록 연결 및 구성될 수 있다.
[0057] 일부 실시예들의 제어기(190)는, 웨이퍼(131)를 이동시키도록 로봇(133)을 제어하기 위한 구성; 웨이퍼 카세트(300)를 상승 및/또는 하강시키도록 모터(140)를 제어하기 위한 구성; 프로세싱 챔버에 기판들을 로딩하고 그리고/또는 프로세싱 챔버로부터 기판들을 언로딩하기 위한 구성; 최하부 가열 엘리먼트(210) 또는 측벽 가열 엘리먼트(220) 중 하나 이상을 동작시키기 위한 구성; 스팀으로 하부 내부 구역(120)의 가압을 제어하기 위한 구성; 스팀 소스(185)를 제어하기 위한 구성; 적어도 하나의 센서(130)로부터 데이터를 판독하기 위한 구성; 적어도 하나의 센서(130)로부터의 데이터에 대한 응답으로 스팀 소스(185) 및/또는 진공 밸브(116)를 제어하기 위한 구성; 상부 내부 구역(110) 내의 압력을 제어하도록 진공 밸브(114)를 제어하기 위한 구성; 및 하부 내부 구역(120) 내의 압력을 제어하도록 진공 밸브(116)를 제어하기 위한 구성으로부터 선택되는 하나 이상의 구성들을 갖는다.
[0058] 본 명세서 전체에 걸쳐 “일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함됨을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐 다양한 곳들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", “일 실시예에서" 또는 "실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 더욱이, 특정 특징들, 구조들, 재료들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0059] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이들 실시예들이 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시한다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (15)

  1. 상부 내부 구역 및 하부 내부 구역을 정의하는, 최상부, 측벽 및 최하부를 갖는 챔버 바디;
    상기 하부 내부 구역에서 상기 챔버 바디의 상기 최하부 상에 있는 히터 조립체 ―상기 히터 조립체는 프로세스 구역을 정의하는, 최하부, 측벽 및 최상부를 포함함―;
    상기 히터 조립체 내측의 웨이퍼 카세트 조립체; 및
    상기 히터 조립체 내측의 상기 하부 내부 구역으로부터 상기 상부 내부 구역으로 상기 웨이퍼 카세트 조립체를 이동시키도록 구성된 모터
    를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 조립체의 측벽은 상기 프로세스 구역과 상기 챔버 바디의 상기 상부 내부 구역 사이의 유체 연통을 제공하기 위한 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 갖는,
    프로세싱 챔버.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 챔버 바디의 최하부 및 상기 히터 조립체의 최하부에 스팀 분사 포트를 더 포함하고, 상기 스팀 분사 포트는 상기 히터 조립체의 상기 프로세스 구역 내로의 유체 경로를 제공하는,
    프로세싱 챔버.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 조립체는 상기 히터 조립체의 최하부에 인접한 가열 엘리먼트를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 히터 조립체의 최하부에 인접한 하나보다 더 많은 가열 엘리먼트가 있는,
    프로세싱 챔버.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 조립체는 상기 측벽 주위에 가열 엘리먼트를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 가열 엘리먼트는 상기 히터 조립체의 내부 내에 위치되는,
    프로세싱 챔버.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 프로세스 구역 내에 상기 히터 조립체의 측벽에 인접한 적어도 2 개의 가열 엘리먼트들이 있는,
    프로세싱 챔버.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 가열 엘리먼트는 상기 히터 조립체의 내부에서 상기 측벽에 인접한 세라믹 와이어 가이드 상에 포지셔닝되는,
    프로세싱 챔버.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 조립체의 최상부는 석영 디스크를 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 카세트는 프로세싱 동안 웨이퍼를 지지하도록 포지셔닝된 복수의 웨이퍼 지지부들을 포함하고, 상기 웨이퍼 지지부들 각각은 웨이퍼 지지부의 높이를 따라 이격된 복수의 웨이퍼 지지 엘리먼트들을 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 바디의 측벽은, 상기 웨이퍼 카세트에 웨이퍼들을 로딩(load)하고 상기 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼들을 언로딩(unload)하기 위한 슬릿 밸브를 상기 상부 내부 구역에 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  13. 제1 항에 있어서,
    온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하기 위한 적어도 하나의 센서를 상기 상부 내부 구역 내에 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 히터 조립체, 상기 웨이퍼 카세트, 상기 모터, 상기 상부 내부 구역에서 상기 챔버의 측벽에 있는 개구, 또는 온도 또는 압력 중 하나 이상을 측정하기 위한, 상기 상부 내부 구역 내의 하나 이상의 센서들 중 하나 이상에 연결된 제어기를 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  15. 복수의 웨이퍼들을 어닐링하는 방법으로서,
    챔버 바디의 하부 내부 부분 내의 히터 조립체에 상기 복수의 웨이퍼들을 포지셔닝하는 단계 ―상기 히터 조립체는 상기 히터 조립체의 내부와 상기 챔버 바디의 상부 내부 부분 사이의 유체 연통을 제공하기 위한 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 갖는 측벽을 포함함―;
    상기 복수의 웨이퍼들을 가열하는 단계; 및
    상기 히터 조립체 내로 스팀을 유동시킴으로써 상기 챔버 바디를 미리 결정된 압력으로 가압하는 단계
    를 포함하고,
    상기 스팀은 상기 히터 조립체에 있는 상기 이중-벽식 미로 출구 유동 경로를 통해 상기 챔버 바디의 상기 상부 내부 부분 내로 상기 히터 조립체를 빠져 나가는,
    복수의 웨이퍼들을 어닐링하는 방법.
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