TWI677018B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI677018B
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長嶋裕次
Yuji Nagashima
林航之介
Konosuke Hayashi
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日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Shibaura Mechatronics Corporation
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Abstract

本發明係一種基板處理裝置，其中，提供可抑制基板之污染的基板處理裝置。 　　有關實施形態的基板處理裝置係具備：空氣則自上方流動至下方的處理室(20)，和加以設置於處理室(20)內，支持具有被處理面(Wa)的基板(W)之支持部(40)，和迴避支持部(40)的上方而加以設置，出射加熱用的光線之加熱部(80)，和迴避支持部(40)的上方而加以設置於處理室(20)內，將經由加熱部(80)而加以出射而通過支持部(40)上方的光線，引導至經由支持部(40)而加以支持之基板(W)的被處理面(Wa)之光學構件(90)。

Description

基板處理裝置
本發明之實施形態係有關基板處理裝置。
基板處理裝置係在半導體或液晶面板等之製造工程中，經由藥液而處理晶圓或液晶基板等之基板的被處理面，經由清潔液而洗滌藥液處理後之基板的被處理面，再乾燥清潔液處理後之基板的裝置。 　　在乾燥處理工程中，經由伴隨近年的半導體之高集成化或高容量化之細微化，產生有例如記憶體單元或閘極周圍的圖案倒壞之問題。此係因圖案彼此之間隔或構造，清潔液之表面張力等而引起。 　　因此，為了抑制前述的圖案倒壞，而加以提案有使用表面張力則較清潔液(例如DIW：超純水)為小之揮發性溶劑(例如，IPA：2-丙醇、異丙醇)的基板乾燥方法。在此基板乾燥方法中，將基板的被處理面上的清潔液置換為揮發性溶劑而進行基板乾燥。此時，為了促進乾燥，而有經由位置於基板的被處理面上方的燈而加熱基板，進行基板乾燥之情況。 　　另外，在藥液處理工程中，而有進行作為藥液，使用硫酸或磷酸等之150℃以上的高溫處理情況。對於此情況，將藥液加熱為150℃以上而使用於處理之故，經由位置於基板之被處理面上方的燈，將基板的被處理面上之藥液，加熱為150℃以上的高溫。 　　但在前述乾燥處理工程及藥液處理工程中，燈則位置於基板之被處理面上方之故，在基板處理中，處理液體的霧氣或顆粒則附著於燈表面。此處理液體的霧氣或顆粒等之附著物則有從燈表面掉落而附著於基板的被處理面上，加以污染基板之情況。 　　另一方面，在通常的基板處理裝置中，加以設置有ULPA(Ultra Low Penetration Air)過濾片或HEPA(High Efficiency Particulate Air)過濾片。通過此過濾片之清淨的空氣係作為下向流(垂直層流)而流動在基板處理裝置內，而基板處理裝置內係加以保持成清淨。經由此，加以抑制顆粒附著於基板處理裝置內，特別是基板的被處理面上之情況。 　　但在前述之基板處理裝置中，燈則位置於基板之被處理面上方之故，經由燈而妨礙自過濾片朝向至基板之被處理面的清淨之空氣，而成為未充分地加以供給至基板之被處理面。因此，自基板之被處理面或其周圍除去顆粒的情況係成為困難，而加以污染基板。
欲解決本發明之課題係提供：可抑制基板之污染的基板處理裝置者。 　　有關本發明之實施形態的基板處理裝置係具備：空氣則自上方流動至下方的處理室，和加以設置於處理室內，支持具有被處理面的基板之支持部，和迴避支持部的上方而加以設置，出射加熱用的光線之加熱部，和迴避支持部的上方而加以設置於處理室內，將經由加熱部而加以出射而通過支持部上方的光線，引導至經由支持部而加以支持之基板的被處理面之光學構件。 　　如根據有關前述之實施形態的基板處理裝置，可抑制基板之污染者。
＜第1實施形態＞ 　　對於第1實施形態，參照圖1至圖3加以說明。 (基本構成) 　　如圖1所示，有關第1實施形態之基板處理裝置10係具備：複數之開關單元11，和第1搬送機器手臂12，和緩衝器單元13，和第2搬送機器手臂14，和複數之基板處理部15，和裝置附帶單元16。 　　各開關單元11係排列為一列而加以設置。此等開關單元11係開關作為搬送容器而發揮機能之專用盒(例如FOUP)的門扉。然而，專用盒為FOUP之情況，開關單元11係稱作FOUP開啟機構。對於此專用盒，係以特定間隔而層積收納基板W。 　　第1搬送機器手臂12係各開關單元11則呈沿著延伸於排列之第1搬送方向的軌道12a而移動地，加以設置於各開關單元11之列旁。此第1搬送機器手臂12係經由開關單元11而自開啟門扉之專用盒，取出未處理的基板W，因應必要而移動至第1搬送方向，搬入至緩衝器單元13。另外，第1搬送機器手臂12係自緩衝器單元13而取出處理完成之基板W，因應必要而移動至第1搬送方向，搬入至所期望的專用盒。作為第1搬送機器手臂12係例如，可使用具有機器手臂支架或機械手，移動機構等之機器手臂。 　　緩衝器單元13係加以安置於第1搬送機器手臂12所移動之第1機器手臂移動路徑的中央附近，再加以設置於其第1機器手臂移動路徑的單側，即與各開關單元11相反的單側。此緩衝器單元13係作為為了在第1搬送機器手臂12與第2搬送機器手臂14之間進行基板W的互換之緩衝台(基板收授台)而發揮機能。對於此緩衝器單元13，係以特定間隔而層積收納基板W。 　　第2搬送機器手臂14係呈自緩衝器單元13附近，沿著延伸於正交於前述第1搬送方向之第2搬送方向(交叉於第1搬送方向的方向之一例)的軌道14a而移動地加以設置。此第2搬送機器手臂14係自緩衝器單元13而取出未處理之基板W，因應必要而沿著第2搬送方向移動，搬入至所期望的基板處理部15。另外，第2搬送機器手臂14係自基板處理部15而取出處理完成之基板W，因應必要而移動至第2搬送方向，搬入至緩衝器單元13。作為第2搬送機器手臂14係與第1搬送機器手臂12同樣，例如，可使用具有機器手臂支架或機械手，移動機構等之機器手臂。 　　基板處理部15係於第2搬送機器手臂14所移動之第2機器手臂移動路徑之兩側，加以設置例如各4個。此基板處理部15係供給藥液於晶圓或液晶基板等之基板W的被處理面Wa而進行處理，之後，於基板W的被處理面Wa，供給清潔液而進行洗滌，於洗滌之後，將基板W進行乾燥之裝置(詳細係後述之)。 　　裝置附帶單元16係加以設置於第2機器手臂移動路徑的一端，即與緩衝器單元13相反側的端。裝置附帶單元16係收納：液體供給單元16a，和控制單元(控制部)16b。液體供給單元16a係於各基板處理部15，供給各種的處理液體(例如，藥液或DIW等)及揮發性溶劑(例如，IPA)。控制單元16b係具備：集中地控制各部之微電腦，和記憶關於基板處理之基板處理資訊或各種程式等之記憶部(均未圖示)。此控制單元16b係依據基板處理資訊或各種程式，控制各開關單元11或第1搬送機器手臂12，第2搬送機器手臂14，各基板處理部15等之各部。 (基板處理部) 　　如圖2所示，基板處理部15係具備：處理室20，杯體30，和支持部40，和旋轉機構50，和處理液體供給部60，和溶劑供給部70，和加熱部80，和光學構件90。 　　處理室20係為了處理具有被處理面Wa之基板W的處理盒。此處理室20係加以形成為例如長方體或立方體等之箱形狀，而收容杯體30或支持部40，旋轉機構50等。對於處理室20係加以設置過濾片21及開閉器22。 　　過濾片21係加以設置於處理室20之上面，清淨化外部的空氣而導入。作為過濾片21係例如，可利用ULPA過濾片或HEPA過濾片等者。 　　開閉器22係可開關於處理室20之側面(在圖1所示之基板處理部15的第2機器手臂移動路徑側的側面)地加以形成。將此開閉器22作成開啟狀態，進行對於處理室20之基板W的搬入及搬出。 　　在此，對於處理室20內係經由過濾片21而清淨化外部的空氣進行流入，而流入至處理室20內的空氣係自上流動至下。因此，對於處理室20內係存在有經由清淨空氣之下向流(垂直層流)，而處理室20內係保持為清淨。另外，對於處理室20內係加以供給N2 等之非活性氣體，而加以抑制處理室20內之氧濃度。 　　杯體30係加以形成為圓筒形狀，加以安置於處理室20內之略中央，呈收容支持部40及旋轉機構50於其內部地加以設置。杯體30之周壁的上部係朝向於內側而傾斜，另外，支持部40上之基板W的被處理面Wa則呈露出地進行開口。此杯體30係收取自旋轉之基板W飛散的處理液體或流下的處理液體。然而，對於杯體30底面係加以形成有為了排出所收取之處理液體的排出口(未圖示)，而對於其排出口係加以連接有排出管(未圖示)。 　　支持部40係加以安置於杯體30內之略中央，在水平面內可旋轉地加以設置於旋轉機構50上。此支持部40係例如稱為旋轉台。支持部40係具有複數之支持構件41，經由此等之支持構件41而將基板W支持為水平狀態。然而，基板W係將其被處理面Wa的中心加以安置於支持部40之旋轉軸上，經由支持部40而加以支持，成為在平面內進行旋轉者。 　　旋轉機構50係呈保持支持部40地加以設置，呈在水平面內使其支持部40旋轉地加以構成。例如，旋轉機構50係具有：連結於支持部40之中央的旋轉軸或使其旋轉軸旋轉之馬達(均未圖示)等，而經由馬達之驅動而藉由旋轉軸使支持部40旋轉。此旋轉機構50係加以電性連接於控制單元16b，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　處理液體供給部60係具備：第1噴嘴61，和第1噴嘴移動機構62。 　　第1噴嘴61係加以安置於支持部40上方，沿著支持部40上之基板W的被處理面Wa，經由第1噴嘴移動機構62而可搖動地加以形成。此第1噴嘴61係自對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心(或者中心附近)的位置，朝向於其支持部40上之基板W的被處理面Wa而供給處理液體(例如，藥液DIW)。然而，對於第1噴嘴61係自液體供給單元16a(參照圖1)藉由配管(未圖示)而加以供給處理液體。 　　第1噴嘴移動機構62係具有可動手臂支架62a，和手臂支架搖動機構62b。可動手臂支架62a係保持第1噴嘴61於一端，經由手臂支架搖動機構62b而加以支持成水平。手臂支架搖動機構62b係保持與在可動手臂支架62a之第1噴嘴61相反側的一端，使其可動手臂支架62a，沿著支持部40上之基板W的被處理面Wa而搖動。此手臂支架搖動機構62b係加以電性連接於控制單元16b，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　例如，第1噴嘴61係經由第1噴嘴移動機構62，可往返移動對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的供給位置，和可自支持部40上之基板W的被處理面Wa上方退避而進行基板W的搬入或搬出之待機位置之間者。然而，在圖2中，第1噴嘴61係位於未對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之待機位置(杯體30之外的位置)。 　　溶劑供給部70係具備：第2噴嘴71，和第2噴嘴移動機構72。 　　第2噴嘴71係加以安置於支持部40上方，沿著支持部40上之基板W的被處理面Wa，經由第2噴嘴移動機構72而可搖動地加以形成。此第2噴嘴71係自對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心(或者中心附近)的位置，朝向於其支持部40上之基板W的被處理面Wa而供給揮發性溶劑(例如，IPA)。此揮發性溶劑係表面張力則較處理液體(例如DIW)為小的液體。然而，對於第2噴嘴71係自液體供給單元16a(參照圖1)藉由配管(未圖示)而加以供揮發性溶劑。 　　第2噴嘴移動機構72係與第1噴嘴移動機構62同樣，具有可動手臂支架72a，和手臂支持搖動機構72b。可動手臂支架72a係保持第2噴嘴71於一端，經由手臂支架搖動機構72b而加以支持成水平。手臂支架搖動機構72b係保持與在可動手臂支架72a之第2噴嘴71相反側的一端，使其可動手臂支架72a，沿著支持部40上之基板W的被處理面Wa而搖動。此手臂支架搖動機構72b係加以電性連接於控制單元16b，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　例如，第2噴嘴71係經由第2噴嘴移動機構72，可往返移動對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的供給位置，和可自支持部40上之基板W的被處理面Wa上方退避而進行基板W的搬入或搬出之待機位置之間者。然而，在圖2中，第2噴嘴71係位於對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的位置。 　　在此，作為揮發性溶劑係除IPA以外，例如，可使用乙醇等之1價的醇類，另外，乙醚或甲乙醚等之醚類，更且，亦可使用碳酸伸乙酯等者。 　　加熱部80係迴避處理室20內之支持部40上方而於處理室20的外面，即與在處理室20之開閉器22相反側的外面而加以設置。此加熱部80係例如，加以形成為長方體形狀，於其內部具備複數的燈81，而將加熱支持部40上之基板W的加熱用的光線，自各燈81而出射。加熱用光線係具有紫外光或可視光，紅外線等之特定範圍之波長。然而，對於加熱部80內係加以設置反射器亦可。其反射器係反射未朝向於處理室20側的光線而引導至處理室20側。另外，反射器係亦具有自各燈81所發出的光線則呈接觸於處理室20內之光學構件90地，抑制其光線產生擴散者之作用。 　　各燈81係例如為直管型的燈，而在水平狀態呈成為相互平行地加以設置。作為各燈81係例如，可使用鹵素燈或紅外線燈者。此加熱部80係加以電性連接於控制單元16b，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　在此，對於處理室20的側面，即與在處理室20之開閉器22相反側的側面，係透過部20a則呈對向於加熱部80地加以設置。此透過部20a係經由自加熱部80所射出的光線通過的材料，例如，玻璃或樹脂等而加以形成。 　　光學構件90係迴避處理室20內之支持部40上方而於處理室20的內部，即與在處理室20之加熱部80相反側的內面，經由支持構件91而加以安裝。支持構件91係加以固定於與在處理室20之加熱部80相反側的內面，而於其一端部，保持光學構件90。光學構件90係具有形狀彎曲之部分(彎曲部)，反射經由加熱部80而加以出射的光線同時，使光線擴散而將引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa全體。經由此，經由加熱部80所出射的光線係成為經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa，以及加熱其支持部40上的基板W。作為光學構件90係例如，可使用反射板或各種稜鏡等者。光學構件90的尺寸係較基板W為大，而光學構件90之形狀係為圓形或長方形，正方形等之形狀。 　　控制單元16b係依據基板處理資訊或各種程式，進行經由旋轉機構50之支持部40的旋轉動作或經由處理液體供給部60之處理液體的供給動作，經由溶劑供給部70之揮發性溶劑的供給動作，經由加熱部80之加熱動作(照射動作)等之控制。 (基板處理工程) 　　接著，對於前述基板處理裝置10所進行之基板處理的流程而加以說明。然而，在各處理室20中，進行相同基板處理(藥液處理，洗滌處理及乾燥處理)。 　　首先，未處理的基板W則自開關單元11內之專用盒，經由第1搬送機器手臂12而加以取出。第1搬送機器手臂12係因應必要而沿著第1機器手臂移動路徑而移動，在對向於緩衝器單元13的位置停止。並且，第1搬送機器手臂12係在其停止場所進行旋轉而將未處理的基板W，搬入至緩衝器單元13。經由此，對於緩衝器單元13係加以收納有未處理的基板W。 　　之後，緩衝器單元13內之未處理的基板W係經由第2搬送機器手臂14而加以取出。第2搬送機器手臂14係因應必要而沿著第2機器手臂移動路徑而移動，在對向於緩衝器單元13的位置停止。並且，第2搬送機器手臂14係在其停止場所進行旋轉而將未處理的基板W，搬入至所期望之基板處理部15。經由此，對於基板處理部15內係加以裝置有未處理的基板W。之後，在基板處理部15中，對於基板W進行處理(藥液處理，洗滌處理及乾燥處理)。對於在此基板處理部15之處理，詳細係後述之。 　　當在基板處理部15之處理結束時，自基板處理部15內，經由第2搬送機器手臂14而加以取出處理完成之基板W。第2搬送機器手臂14係因應必要而沿著第2機器手臂移動路徑進行移動，再停止。並且，第2搬送機器手臂14係在其停止場所進行旋轉而將處理完成的基板W，搬入至緩衝器單元13。經由此，對於緩衝器單元13係加以收納有處理完成的基板W。 　　之後，緩衝器單元13內之處理完成的基板W係經由第1搬送機器手臂12而加以取出。第1搬送機器手臂12係因應必要而沿著第1機器手臂移動路徑進行移動，再停止。並且，第1搬送機器手臂12係在其停止場所進行旋轉而將處理完成的基板W，搬入至所期望之專用盒。經由此，對於專用盒係加以收納有處理完成的基板W。 　　接著，對於在前述之基板處理部15之處理(藥液處理，洗滌處理及乾燥處理)之流程，參照圖3而加以說明。作為前準備，對於支持部40上係裝置基板W，而處理液體供給部60之第1噴嘴61係位於對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的位置。然而，基板W的旋轉數或液體的供給時間等之處理條件係預先設定於控制單元16b，但經由操作者可做任意變更。 　　如圖3所示，在步驟S1中，旋轉機構50係經由支持部40之旋轉，以特定的旋轉數而使支持部40上之基板W旋轉。此基板W之旋轉數係在後述之藥液或DIW、IPA等之液體則以特定的供給量加以供給至基板W的被處理面Wa上時，基板W的被處理面Wa上之液膜的厚度則呈成為所期望值地，預先設定於控制單元16b。 　　在步驟2中，處理液體供給部60係自第1噴嘴61而特定時間供給藥液至所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，在特定時間經過後，停止藥液之供給。藥液係自第1噴嘴61，加以供給至所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，根據經由基板W的旋轉之離心力而擴散於基板W的被處理面Wa之全體。經由此，對於支持部40上之基板W的被處理面Wa係形成藥液的液膜，基板W的被處理面Wa係經由藥液的液膜所被覆而加以藥液處理。 　　在步驟3中，處理液體供給部60係前述的藥液之供給停止後，自第1噴嘴61而特定時間供給DIW至所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，在特定時間經過後，停止DIW之供給。DIW係自第1噴嘴61，加以供給至所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，根據經由基板W的旋轉之離心力而擴散於基板W的被處理面Wa之全體。位於基板W的被處理面Wa上的藥液係經由所供給之DIW而加以推動，最終，基板W的被處理面Wa係經由DIW的液膜而加以被覆。經由此，對於基板W的被處理面Wa係形成DIW的液膜，基板W的被處理面Wa係經由DIW的液膜所被覆而加以洗滌處理。 　　在步驟S4中，第1之噴嘴移動機構62係前述之DIW的供給停止後，使第1噴嘴61，自對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的供給位置，移動至未對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之待機位置。另外，第2之噴嘴移動機構72係前述之DIW的供給停止後，使第2噴嘴71，自未對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之待機位置，移動至對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的供給位置。 　　在步驟S5中，溶劑供給部70係前述之第1噴嘴61及第2噴嘴71的移動完成後，於所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，自第2噴嘴71，特定時間供給IPA(揮發性溶劑的一例)，在特定時間經過後，停止IPA的供給。此IPA的供給係在DIW乾燥之前而加以進行。IPA係自第2噴嘴71，加以供給至所旋轉之支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心，根據經由基板W的旋轉之離心力而擴散於基板W的被處理面Wa之全體。經由此，基板W的被處理面Wa上的DIW係加以置換為IPA，對於其被處理面Wa上係加以形成IPA的液膜。 　　然而，當加以停止IPA之供給時，基板W的被處理面Wa上之IPA係根據經由基板W的旋轉之離心力而自被處理面Wa上流下，液膜的厚度係慢慢地變薄。但液膜係至加熱部80照射光線於支持部40上之基板W的被處理面Wa而開始加熱基板W之加熱開始時間為止，其厚度則呈未成為特定值以下地，加以維持於基板W的被處理面Wa上。也就是，即使在各液體處理期間，至加熱處理工程為止，基板W的被處理面Wa係經由液膜而加以被覆。當在加熱處理工程前，基板W的被處理面Wa則自然乾燥時，在被處理面Wa之乾燥則成為不均一，而產生有水漬等之乾燥不良。因此，即使在各液體處理期間，至加熱處理工程為止，基板W的被處理面Wa係被潤濕，加以抑制乾燥不良的產生。 　　在步驟S6中，第2之噴嘴移動機構72係前述之IPA的供給停止後，使第2噴嘴71，自對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之中心的供給位置，移動至未對向於支持部40上之基板W的被處理面Wa之待機位置。經由此，在後述之步驟S7中，加以防止第2噴嘴移動機構72之可動手臂支架72a或第2噴嘴71則遮擋經由光學構件90而導入至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體的光線情況，而可均一地加熱支持部40上之基板W的被處理面Wa。但光線係繞回物體之故，經由可動手臂支架72a之粗度或第2噴嘴71的粗度，或者所照射之光量等，係可省略步驟S6之工程者。另外，由將可動手臂支架72a之材質作為不吸收光線的材質者，亦可省略步驟S6之工程者。 　　在步驟S7中，加熱部80係前述第2噴嘴71的移動結束後，將各燈81進行點燈，特定時間加熱所旋轉之支持部40上的基板W，在特定時間經過後，將各燈81滅燈。經由加熱部80所出射的光線係經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，加熱其支持部40上的基板W。經由此，基板W的被處理面Wa係瞬間乾燥。然而，經由加熱部80之照射的加熱係在第2噴嘴71之移動結束後加以開始，但並不限於此，而例如，作為呈從IPA之供給停止，或者從IPA之供給中開始加熱亦可。 　　在此，經由前述的加熱部80所出射的光線係雖多少產生擴散，但接觸於光學構件90。經由光學構件90而反射的光線係較自加熱部80所出射的光線擴散。此係因光學構件90彎曲之故。自光學構件90擴散的光線之範圍係加以調整為可加熱支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體的範圍。然而，如可引導光線於基板W的被處理面Wa之全體時，光學構件90係無須彎曲。 　　在步驟S8中，旋轉機構50係前述的各燈81之滅燈後，停止基板W之旋轉。之後，自支持部40上取出處理結束的基板W而加以搬送。此時，處理室20之開閉器22則開啟，第2搬送機器手臂14之一部分(手部或手臂支架等)則自處理室20之開口侵入至內部，自支持部40上取出處理完成之基板W。 　　如根據如此之基板處理工程，在前述之步驟7中，自加熱部80所出射的光線係經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，加熱支持部40上的基板W。經由此，自基板W的被處理面Wa上的圖案周圍，液體產生氣化之故，基板W的被處理面Wa係瞬間成為乾燥者。此時，加熱部80係使氣層產生於供給液體之基板W的被處理面Wa而呈使液體產生液珠化(生成液體之液珠)地，僅將基板W瞬間加熱。基板W則經由加熱部80瞬間加以加熱時，接觸於基板W的被處理面Wa上之圖案的液體則較其他部分的液體快開始氣化。經由此，對於基板W的被處理面Wa上之圖案周圍係經由液體的氣化而氣體的層，即氣層則如薄膜地加以生成。因此，鄰接之圖案間的液體係經由氣層而自圖案間擠出，而成為進行乾燥。 　　隨之，如前述由瞬間加熱基板W者，接觸於基板W的被處理面Wa上的圖案之液體則瞬間產生氣化，在其被處理面Wa上之其他部分的液體則馬上產生液珠化(液珠化現象)。被處理面Wa上之各液珠係由經由基板W的旋轉之離心力而自基板W上加以飛散，基板W係急速乾燥。由如此作為，成為可抑制液體殘留於一部分的圖案間，在基板W的被處理面Wa之液體的乾燥速度則成為均一之故，可抑制根據經由殘留的液體之倒壞力(例如，表面張力等)而圖案產生倒壞之情況。 　　然而，加熱部80係可以非接觸，至少將基板W的被處理面Wa，蒸氣膜溫度(蒸氣膜現象，即產生有液珠化現象之溫度)以上地，急速地(例如，以數秒至十數秒的範圍內)加熱。經由此，加熱部80係蒸氣膜溫度以上地急速加熱支持部40上的基板W，可使基板W的被處理面Wa上之處理液體產生液珠化者。然而，對於為了確實地基板W的被處理面Wa上之處理液體產生液珠化，係未加熱揮發性溶劑(例如，IPA)，而僅加熱基板W者為佳。因此，使用出射未被揮發性溶劑所吸收的光之加熱部80者為佳。 　　另一方面，對於未使用加熱部80而進行乾燥的情況，係在液體乾燥的過程，對於液體的乾燥速度產生不均一，而殘留有液體於一部分的圖案，根據經由其部分的液體之倒壞力(表面張力)而圖案產生倒壞。例如，圖案的一個之寬度係20nm，而其高度係為200nm(對於寬度而言，高度則為10倍)。如此，圖案則為細微的圖案，進入至其圖案間的間隙之液體係成為不易乾燥。因此，其他的部分則在乾燥之後，對於一部分的圖案之間係殘留有液體，而有根據經由其部分的液體之倒壞力，圖案產生倒壞之情況。 　　另外，在前述的基板處理部15中，加熱部80及光學構件90係迴避支持部40之上方而加以設置，而未有位置於支持部40上之基板W的被處理面Wa上方之情況。即，加熱部80係位置於處理室20外之故，加以防止在處理室20內之處理中，處理液之霧氣或顆粒附著於加熱部80之表面情況。因此，經由附著於加熱部80的表面之附著物掉落之時，因未有污染支持部40上之基板W的被處理面Wa之情況之故，可抑制基板W的污染。更且，加熱部80則位於處理室20外之故，可容易進行對於加熱部80之維護作業。 　　另外，加熱部80係位置於處理室20外之故，因每次進行經由其加熱部80之加熱處理，處理室20內之溫度則上升，而加以抑制其處理室20內成為高溫狀態之情況之故，未有等待處理室20內的溫度降低而搬入未處理之基板W的情況。然而，當進行處理室20內保持高溫狀態之處理時，加以供給至基板W的被處理面Wa之液體則不均一地產生乾燥之故，而有產生乾燥不勻等之乾燥不良情況。 　　另外，光學構件90係未有位置於支持部40上之基板W的被處理面Wa上方情況之故，於處理室20中的光學構件90表面，附著有處理液體的霧氣或顆粒，而此處理液體的霧氣或顆粒等之附著物則即使在任何的時間點從光學構件90表面掉落時，亦加以防止附著支持部40上之基板W的被處理面Wa者。經由此，可抑制基板W的污染者。 　　更且，因加熱部80及光學構件90未位置於支持部40上之基板W的被處理面Wa上方之故，自過濾片21朝向於基板W的被處理面Wa之清淨的空氣則未有經由加熱部80或光學構件90而有所阻礙，而充分地加以供給至基板W的被處理面Wa。經由此，成為可容易從基板W的被處理面Wa或其周圍除去顆粒，而可抑制基板W的污染者。 　　另外，經由使用光學構件90者，因成為可經由光學構件90，將自加熱部80所出射的光線引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體之故，可將加熱部80，迴避支持部40之上方而設置於例如處理室20外。隨之，可使加熱部80之設置自由度提升者。更且，經由使用光學構件90之時，亦可迴避如傾斜長方體形狀的加熱部80而設置之情況，亦可抑制裝置之大型化。 　　如以上說明，如根據第1實施形態，加熱部80則迴避支持部40之上方，即加以設置於處理室20之外，將經由加熱部80所出射的光線引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa的光學構件90則對於支持部40而言，加以設置於加熱部80的相反側。經由此，成為未有在處理室20內之處理中，處理液體的霧氣或顆粒附著於加熱部80表面之情況。也就是，加熱部80係因未位置於支持部40上之基板W的被處理面Wa上方之故，未有經由附著於加熱部80表面之附著物掉落之情況，加以污染支持部40上之基板W的被處理面Wa者，而可抑制基板W之污染。更且，自過濾片21朝向於基板W的被處理面Wa之清淨的空氣則未經由加熱部80而有所阻礙情況，而充分地加以供給至基板W的被處理面Wa。經由此，成為可容易從基板W的被處理面Wa或其周圍除去顆粒，而可抑制基板W的污染者。 　　另外，光學構件90亦迴避支持部40之上方而加以設置於處理室20內。另外，光學構件90係未有位置於支持部40上之基板W的被處理面Wa上方之故，於處理室20中的光學構件90表面，附著有處理液體的霧氣或顆粒，而此附著物則即使在任何的時間點掉落時，亦未附著於支持部40上之基板W的被處理面Wa者，而可抑制基板W的污染。更且，自過濾片21朝向於基板W的被處理面Wa之清淨的空氣則未經由光學構件90而有所阻礙情況，而充分地加以供給至基板W的被處理面Wa。經由此，成為可容易從基板W的被處理面Wa或其周圍除去顆粒，而可確實地抑制基板W的污染者。 ＜第2實施形態＞ 　　對於第2實施形態，參照圖4及圖5加以說明。然而，在第2實施形態中，對於與第1實施形態之不同點(經由鄰接之二個基板處理部之加熱部的共用)而加以說明，其他的說明係省略之。 　　如圖4及圖5所示，在有關第2實施形態之基板處理裝置10中，鄰接之二個基板處理部15則共用一個加熱部80。一個加熱部80係加以設置於鄰接之二個基板處理部15之間。 　　如圖5所示，一個加熱部80係經由鄰接之二個處理室20之各個透過部20a而加以夾持。也就是，鄰接之二個處理室20之各個透過部20a係夾持加熱部80地，加以形成於各處理室20。加熱部80係朝向鄰接之二個處理室20內之各光學構件90，藉由各透過部20a而照射光線。經由加熱部80所照射的光線係在鄰接之二個各處理室20中，經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，加熱其支持部40上的基板W。 　　對於各處理室20係各加以設置光遮斷構件23。此光遮斷構件23係可經由移動機構(未圖示)而移動於上下方向地加以形成，而作為遮斷器而發揮機能。例如，光遮斷構件23係可往返移動在對向於加熱部80而遮蔽從加熱部80所出射的光線的光遮斷位置，和未對向於加熱部80而未遮蔽從加熱部80所出射的光線的待機位置之間者。然而，在圖5中，光遮斷構件23係位於待機位置。 　　作為光遮斷構件23係例如，可使用遮斷板或反射板者。對於使用反射板之情況，係反射板則在光遮斷位置，反射光於加熱部80側。因此，光遮斷構件23係作為反射自各燈81所照射的光線之反射器而發揮機能，再將自各燈81所出來的光線，反射於進行加熱處理之處理室20側而引導。 　　作為光遮斷構件23之移動機構，係例如，可使用線性馬達式之移動機構或進給螺旋式的移動機構等各種移動機構者。此光遮斷構件23之移動機構係加以電性連接於控制單元16b，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　在此，在鄰接之二個處理室20中，對於同時進行經由加熱部80之加熱處理的情況，係雙方的光遮斷構件23係移動至待機位置。但有未同時進行經由加熱部80之加熱處理的情況。對於此時，一方的光遮斷構件23，即未進行經由加熱部80之加熱處理的處理室20內之光遮斷構件23則移動於光遮斷位置。如此之光遮斷構件23的移動係經由控制單元16b而加以控制。 　　如以上說明地，如根據第2實施形態，可得到與第1實施形態同樣的效果者。另外，在鄰接之二個處理室20中，經由共用一個加熱部80之時，可簡略化裝置構成者。更且，經由設置光遮斷構件23者，在鄰接之二個處理室20中，即使未同時進行加熱處理之情況，亦可共用一個加熱部80。 　　然而，在第2實施形態中，作為呈在鄰接之二個處理室20共用一個加熱部80，但並不限於此，而例如，作為呈在三個以上處理室20共用一個加熱部80亦可。對於此情況，係因應必要而亦可更配置反射板或稜鏡等之光學構件。 ＜第3實施形態＞ 　　對於第3實施形態，參照圖6加以說明。然而，在第3實施形態中，對於與第1實施形態之不同點(光學構件移動機構)而加以說明，其他的說明係省略之。 　　如圖6所示，在第3實施形態中，加以設置光學構件移動機構92。此光學構件移動機構92係上下移動機構(升降機構)，而保持支持構件91的一端，即與在支持構件91之光學構件90相反側的一端，使光學構件90移動於上下方向。經由此，在支持部40上之基板W的被處理面Wa中，成為可使經由光學構件90而加以照射的照射範圍移動者。作為前述之上下移動構件，係例如，可使用線性馬達式之移動機構或進給螺旋式的移動機構等各種移動機構者。此光學構件移動機構92係加以電性連接於控制單元16b(參照圖2)，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　然而，有關第3實施形態之光學構件90的尺寸係較有關第1實施形態之光學構件90的尺寸為小。也就是，有關第1實施形態之光學構件90係將經由加熱部80而加以出射的光線，引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，但有關第3實施形態之光學構件90係將經由加熱部80而加以出射的光線，引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之一部分。另外，有關第3實施形態之光學構件90係與有關第1實施形態之光學構件90同樣，其形狀為圓形或長方形，正方形等之形狀，而另外，具有彎曲部。 　　在如此之構成中，經由加熱部80之加熱處理中(參照圖3中之步驟S7)，光學構件移動機構92係使光學構件90移動於上下方向。經由加熱部80而加以出射的光線係經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之一部分，而其被處理面Wa上之照射範圍則經由光學構件90之上下方向的移動，從端至端為止移動於支持部40上之基板W的被處理面Wa之直徑方向。此時，基板W係旋轉，而將光線加以照射於支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，加以加熱支持部40上之基板W。然而，光學構件移動機構92係呈從端至端(或者從端至中心)為止，照射光線於支持部40上之基板W的被處理面Wa之直徑方向地，使光學構件90移動。 　　如以上說明地，如根據第3實施形態，可得到與第1實施形態同樣的效果者。另外，在小型化光學構件90之情況，經由設置光學構件移動機構92之時，光學構件90則經由光學構件移動機構92而移動，成為可照射光線於支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體之故，可實現光學構件90的小型化。 　　然而，在第3實施形態中，作為呈使光學構件90移動於上下方向，但並不限定於此，而例如，亦可移動於前後方向或左右方向，以及使其旋轉或偏心旋轉而移動者。在旋轉或偏心旋轉中，對於光學構件90之旋轉方向與支持部40上之基板W的旋轉方向為相同之情況，係必須對於此等旋轉數產生差者。另外，亦可使光學構件90之旋轉方向作為與支持部40上之基板W的旋轉方向相反者。 　　另一方面，在前述之上下方向的移動中，擴大經由光學構件移動機構92之光學構件90的移動範圍，例如，對於未進行經由加熱部80之加熱處理的情況，使光學構件90移動而使其待機於較支持部40上之基板W的被處理面Wa為低之位置。對於此情況，因可在加熱處理以外的處理中，例如藥液處理中，抑制藥液的霧氣於光學構件90之情況之故，可抑制光學構件90之污染者。 ＜第4實施形態＞ 　　對於第4實施形態，參照圖7加以說明。然而，在第4實施形態中，對於與第3實施形態之不同點(光學構件移動機構)而加以說明，其他的說明係省略之。 　　如圖7所示，在第4實施形態中，加以設置光學構件移動機構93。此光學構件移動機構93係擺首機構，而加以設置於支持構件91之一端，即在支持構件91之光學構件90側的一端。此光學構件移動機構93係保持光學構件90，呈將保持點作為旋轉中心而使光學構件90(光學構件90之尺寸及形狀係與第3實施形態相同)旋轉地擺動。經由此，在支持部40上之基板W的被處理面Wa中，成為可使經由光學構件90而加以照射的照射範圍移動者。前述之擺首機構係例如，具有可改變旋轉方向之馬達(未圖示)，而經由此馬達的旋轉而擺動光學構件90。此光學構件移動機構93係加以電性連接於控制單元16b(參照圖2)，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。 　　在如此之構成中，經由加熱部80之加熱處理中(參照圖3中之步驟S7)，光學構件移動機構93係擺動光學構件90。經由加熱部80而加以出射的光線係經由光學構件90而引導至支持部40上之基板W的被處理面Wa之一部分，而其被處理面Wa上之照射範圍則經由光學構件90之搖動，從端至端為止移動於支持部40上之基板W的被處理面Wa之直徑方向。此時，基板W係旋轉，而將光線加以照射於支持部40上之基板W的被處理面Wa之全體，加以加熱支持部40上之基板W。然而，光學構件移動機構93係呈從端至端(或者從端至中心)為止，照射光線於支持部40上之基板W的被處理面Wa之直徑方向地，使光學構件90移動。 　　如以上說明，如根據第4實施形態，可得到與第1實施形態同樣的效果，更且，可得到與第3實施形態同樣的效果。 　　然而，在第4實施形態中，作為呈擺動光學構件90，但並不限定於此，而與第3實施形態同樣，例如，亦可移動於前後方向或左右方向，以及使其旋轉或偏心旋轉而移動者。 ＜第5實施形態＞ 　　對於第5實施形態，參照圖8加以說明。然而，在第5實施形態中，對於與第1實施形態之不同點(清掃部)而加以說明，其他的說明係省略之。 　　如圖8所示，在第5實施形態中，加以設置清掃部94。此清掃部94係例如，加以設置於光學構件90之上端部，而沿著光學構件90表面流動流體，清掃光學構件90。作為流體係可使用液體(例如DIW)或氣體(例如非活性氣體)者。此清掃部94係加以電性連接於控制單元16b(參照圖2)，而其驅動係經由控制單元16b而加以控制。然而，清掃部94係加以連接於供給流體之流體供給部(未圖示)。 　　在如此的構成中，在基板處理以外的待機期間中或維護期間中等，清掃部94係呈沿著光學構件90表面而流動有流體地，吐出流體。所吐出之流體係沿著光學構件90表面而流動，加以除去附著於光學構件90表面之附著物。此附著物係例如，在處理室20內的處理中，處理液體之霧氣或顆粒附著於光學構件90表面者。 　　如以上說明地，如根據第5實施形態，可得到與第1實施形態同樣的效果者。另外，經由設置清掃部94之時，因加以除去附著於光學構件90表面的附著物之故，可抑制光學構件90之污染者。 　　然而，在第5實施形態中，將清掃部94加以設置於光學構件90之上端部，但未限定於此者，而清掃部94之設置位置係如為可清掃光學構件90之位置即可。或者，作為呈使光學構件90移動至特定的清掃位置(待機位置)，在其清掃位置進行光學構件90之清掃即可。 　　另外，做為呈沿著光學構件90表面而流動流體，但並不限定於此者，而亦可作為呈對於光學構件90表面而言噴灑流體。或者，並非流體，而呈經由接觸構件(例如，布或海綿)而擦拭光學構件90之表面亦可。然而，以液體洗淨光學構件90表面之後，作為噴上氣體於其光學構件90表面而使其乾燥，以及或者，自加熱部80照射光線於光學構件90表面而使其乾燥亦可。 ＜第6實施形態＞ 　　對於第6實施形態，參照圖9加以說明。然而，在第6實施形態中，對於與第1實施形態之不同點(光量抑制構件)而加以說明，其他的說明係省略之。 　　如圖9所示，在第6實施形態中，加以設置光量抑制構件21a。此光量抑制構件21a係於處理室20之上面(頂部)，加以設置於未阻礙通過過濾片21之空氣的加熱部80側的位置，而抑制經由加熱部80加以出射的光線則入射至過濾片21的光量。作為光量抑制構件21a係例如，可使用光線不會透過的板或網狀的板等，金屬製或樹脂製的板者，而亦可使用完全地遮斷光線，將入射至過濾片21的光量作為0(零)者。 　　在如此之構成中，經由加熱部80之加熱處理中(參照圖3中之步驟S7)，經由加熱部80所出射，朝向於過濾片21之光量的一部分或者全部則經由光量抑制構件21a而加以遮蔽，加以抑制入射至過濾片21的光量。經由此，因加以抑制過濾片21則經由光線而加以加熱產生劣化或損傷之情況之故，可維持過濾片21之性能者，而可延長過濾片21之交換時期。 (光量抑制構件之變形例) 　　接著，對於前述光量抑制構件21a之變形例的光量抑制構件21b，參照圖10而加以說明。 　　如圖10所示，光量抑制構件21b係於在過濾片21之下面(在過濾片21的處理室20側的面：參照圖9)，呈被覆其下面全體地加以設置。此光量抑制構件21b係空氣可通過地，例如，經由具有網狀的板或複數的孔的板而加以形成。因此，通過過濾片21之空氣係可通過光量抑制構件21b者。 　　在如此之構成中，經由加熱部80之加熱處理中(參照圖3中之步驟S7)，經由加熱部80所出射，朝向於過濾片21之光線的一部則經由光量抑制構件21a而加以遮蔽，加以抑制入射至過濾片21的光量。經由此，因加以抑制過濾片21則經由光線而加以加熱產生劣化或損傷之情況之故，可維持過濾片21之性能者，而可延長過濾片21之交換時期。 　　如以上說明地，如根據第6實施形態，可得到與第1實施形態同樣的效果者。另外，經由設置光量抑制構件21a或21b之時，因加以抑制入射至過濾片21之光量之故，加以抑制過濾片21則經由光線而加以加熱產生劣化或損傷之情況。經由此，可維持過濾片21之性能者，而可延長過濾片21的壽命。 ＜其他的實施形態＞ 　　在前述之各實施形態中，例示將加熱部80設置於處理室20外之情況，但未限定於此者，而例如，作為呈將加熱部80，迴避處理室20內之支持部40的上方而設置於處理室20內亦可。對於此情況，係亦可設置洗淨加熱部80之洗淨部者。另外，亦可設置使加熱部80移動之移動機構者。例如，對於未進行經由加熱部80之加熱處理的情況，係使加熱部80移動，使其待機於較支持部40上之基板W的被處理面Wa為低之位置者亦可。 　　另外，在前述之各實施形態中，例示過在處理室20外將加熱部80設置於處理室20之側面(外側面)者，但未限定於此等者，而例如，做為呈在處理室20外，設置於處理室20之底面亦可。對於此情況，係更配置反射板或稜鏡等之光學構件，將來自加熱部80的光線，引導至處理室20內之光學構件90。然而，對於將加熱部80設置於處理室20之外側面的下側之情況，亦更配置反射板或稜鏡等之光學構件亦可。 　　另外，在前述之各實施形態中，例示過將光學構件90，迴避處理室20內之支持部40的上方而設置於處理室20內者，但並不限定於此者，而例如，作為呈將光學構件90設置於處理室20外，設置光學構件90用的透過部於處理室20亦可。對於此情況，成為可防止於在處理室20內之處理中，處理液體的霧氣或顆粒則附著於光學構件90之情況之故，可確實地抑制光學構件90的污染者。 　　另外，在前述之各實施形態中，在乾燥處理工程中使用加熱部80，但並不限定於此，而在作為藥液而使用硫酸或磷酸等之藥液處理工程中，將供給至支持部40上之基板W的被處理面Wa的硫酸或磷酸，加熱至例如150℃以上的高溫之故，做為呈使用加熱部80亦可。此情況，對於處理液體則吸收光線的情況，係成為處理液體本身亦經由光線而加以加熱者。 　　以上，雖已說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未特意限定發明之範圍者。此等新穎之實施形態係可由其他種種形態而加以實施，在不脫離發明的內容範圍，可進行種種省略，置換，變更者。此等實施形態或其變形係與包含於發明範圍或內容之同時，包含於記載於申請專利申請範圍之發明與其均等的範圍。
10‧‧‧基板處理裝置
15‧‧‧基板處理部
20‧‧‧處理室
21‧‧‧過濾片
21a‧‧‧光量抑制構件
21b‧‧‧光量抑制構件
23‧‧‧光遮斷構件
40‧‧‧支持部
80‧‧‧加熱部
90‧‧‧光學構件
92‧‧‧光學構件移動機構
93‧‧‧光學構件移動機構
94‧‧‧清掃部
W‧‧‧基板
Wa‧‧‧被處理面
圖1係顯示有關第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。 　　圖2係顯示有關第1實施形態之基板處理部之概略構成的圖。 　　圖3係顯示有關第1實施形態之基板處理部之基板處理的流程之流程圖。 　　圖4係顯示有關第2實施形態之基板處理裝置之概略構成的圖。 　　圖5係顯示有關第2實施形態之鄰接的二個基板處理部之概略構成的圖。 　　圖6係顯示有關第3實施形態之基板處理部之一部分的圖。 　　圖7係顯示有關第4實施形態之基板處理部之一部分的圖。 　　圖8係顯示有關第5實施形態之基板處理部之一部分的圖。 　　圖9係顯示有關第6實施形態之基板處理部之一部分的圖。 　　圖10係顯示有關第6實施形態之光量抑制構件之變形例的圖。

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：空氣自上方朝下方流動的處理室，和設置於前述處理室內，支持具有被處理面之基板的支持部，和具有複數燈，且所有的燈迴避前述支持部的上方而加以設置，出射加熱用的光線的加熱部，和相對於前述加熱部，在夾持前述支持部的相反側，且迴避前述支持部之上方而加以設置，將經由前述加熱部而加以出射而通過前述支持部上方的前述光線，引導至經由前述支持部所支持之前述基板之被處理面的光學構件，和清掃前述光學構件之清掃部者。
  2. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：空氣自上方朝下方流動的處理室，和設置於前述處理室的上面，為了導入清淨空氣於前述處理室內之過濾片，和設置於前述處理室內，支持具有被處理面之基板的支持部，和具有複數燈，且所有的燈迴避前述支持部的上方而加以設置，出射加熱用的光線的加熱部，和相對於前述加熱部，在夾持前述支持部的相反側，且迴避前述支持部之上方而加以設置，將經由前述加熱部而加以出射而通過前述支持部上方的前述光線，引導至經由前述支持部所支持之前述基板之被處理面的光學構件和抑制經由前述加熱部所出射之前述光線則入射至前述過濾片的光量之光量抑制構件者。
  3. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：空氣自上方朝下方流動的處理室，和設置於前述處理室內，支持具有被處理面之基板的支持部，和具有複數燈，且所有的燈迴避前述支持部的上方而加以設置，出射加熱用的光線的加熱部，和相對於前述加熱部，在夾持前述支持部的相反側，且迴避前述支持部之上方而加以設置，將經由前述加熱部而加以出射而通過前述支持部上方的前述光線，引導至經由前述支持部所支持之前述基板之被處理面的光學構件，前述處理室係加以複數設置，前述加熱部係在前述複數之處理室加以共用者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之基板處理裝置，其中，更具備；個別地加以設置於前述複數之處理室，可移動於遮蔽經由前述加熱部所出射前進至前述光學構件之前述光線的位置地加以形成之複數的光遮斷構件者。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項記載之基板處理裝置，其中，前述光學構件設置於前述處理室內。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項記載之基板處理裝置，其中，更具備使前述光學構件移動之光學構件移動機構者。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項任一項記載之基板處理裝置，其中，前述加熱部係設置於前述處理室外者。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之基板處理裝置，其中，前述加熱部係設置於前述處理室之側面者。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6849368B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP2019054112A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥方法および基板乾燥装置
KR102187631B1 (ko) 2018-03-29 2020-12-07 현대모비스 주식회사 차량의 제동 장치 및 제동 제어 방법
CN111250455A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆清洗装置
JP2022146507A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020005400A1 (en) * 1998-12-10 2002-01-17 Arnon Gat Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers
JP2008128567A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4846926A (en) * 1985-08-26 1989-07-11 Ford Aerospace & Communications Corporation HcCdTe epitaxially grown on crystalline support
US4828369A (en) * 1986-05-28 1989-05-09 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Electrochromic device
JPH0676970B2 (ja) * 1987-02-25 1994-09-28 東京エレクトロン東北株式会社 光学検査装置
JPH02237029A (ja) 1989-03-09 1990-09-19 Hitachi Ltd 乾燥装置
JPH02278720A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Matsushita Electron Corp プラズマドーピング装置
JP3197557B2 (ja) * 1990-11-27 2001-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 被膜形成方法
US5242537A (en) * 1991-04-30 1993-09-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ion beam etching of metal oxide ceramics
JPH07326578A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Nippon Steel Corp 薄膜製造装置
JP2004056070A (ja) * 2002-05-28 2004-02-19 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びスピン処理方法
JP2004014794A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP2004259734A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
US20060035477A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Karen Mai Methods and systems for rapid thermal processing
US7484315B2 (en) * 2004-11-29 2009-02-03 Tokyo Electron Limited Replaceable precursor tray for use in a multi-tray solid precursor delivery system
JP4179276B2 (ja) * 2004-12-24 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 溶媒除去装置および溶媒除去方法
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
CN101008074A (zh) * 2006-01-24 2007-08-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 加热装置及采用该加热装置的真空镀膜设备
US7654010B2 (en) * 2006-02-23 2010-02-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium
JP4896555B2 (ja) * 2006-03-29 2012-03-14 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US7980000B2 (en) * 2006-12-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Vapor dryer having hydrophilic end effector
US8677650B2 (en) * 2007-06-15 2014-03-25 Abbott Cardiovascular Systems Inc. Methods and devices for drying coated stents
FR2920046A1 (fr) * 2007-08-13 2009-02-20 Alcatel Lucent Sas Procede de post-traitement d'un support de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs, et station de post-traitement pour la mise en oeuvre d'un tel procede
US20090111274A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Christoph Noelscher Methods of Manufacturing a Semiconductor Device and Apparatus and Etch Chamber for the Manufacturing of Semiconductor Devices
JP2009158564A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5402657B2 (ja) * 2010-01-14 2014-01-29 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
US20120225568A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Tokyo Electron Limited Annealing method and annealing apparatus
JP5622675B2 (ja) * 2011-07-05 2014-11-12 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
KR101368818B1 (ko) * 2012-05-03 2014-03-04 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치
US9029739B2 (en) * 2012-05-30 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for rapid thermal processing
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
US8904668B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-09 Eastman Kodak Company Applying heating liquid to remove moistening liquid
JP6302700B2 (ja) * 2013-03-18 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6455962B2 (ja) * 2013-03-18 2019-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102080722B1 (ko) * 2013-05-23 2020-02-24 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
JP6289961B2 (ja) * 2014-03-27 2018-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016025233A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 株式会社東芝 基板処理装置、及び基板処理方法
JP6356059B2 (ja) * 2014-12-26 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101860631B1 (ko) * 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2017002689A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 芝浦メカトロニクス株式会社 錠剤印刷装置及び錠剤印刷方法
JP6849368B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020005400A1 (en) * 1998-12-10 2002-01-17 Arnon Gat Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers
JP2008128567A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置

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