JP5402657B2 - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Description
本発明によるエピタキシャル成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを作製した。エピタキシャル成長装置の反射部材25の下端部は、下端から10cmの位置で内側に一段折り曲げられ、傾斜角度θ0=11°の傾斜面を有するものを用いた。このような形状とすることにより、傾斜面25aで反射した電磁波はウェーハWのエッジから20mmの範囲内に照射されるものとなった。このようなエピタキシャル成長装置を用いてシリコンウェーハの主面をエピタキシャル成長させた。成膜条件としては、チャンバー11の上部空間11aに供給されるH2パージガスの流量範囲を30〜100slm、チャンバー11の下部空間11bに供給されるH2パージガスの流量範囲を5〜30slm、原料ガスであるトリクロロシランの流量範囲を3〜20slmとし、成膜温度範囲を1050〜1170℃とした。
反射部材25の下端部に傾斜面を有しない従来のエピタキシャル成長装置を用いてエピタキシャルウェーハを作製した。成膜条件は上記実施例1と同一とした。次に、実施例1と同一条件下でエピタキシャルウェーハの膜厚分布を測定した。その結果を図6に示す。
10A エピタキシャル成長装置
11 チャンバー
12 蓋部材
13 サセプター
14 予熱リング
15 支持シャフト
16 ガス導入口
17 バッフル
18 整流部材
19 ガス排気口
20 ハロゲンランプ
20G 上部ランプ群
20i 内側加熱用ハロゲンランプ
20o 外側加熱用ハロゲンランプ
21 ハロゲンランプ
21G 下部ランプ群
22 パイロメータ
23 反射部材
24 反射部材
25 反射部材
25a 反射部材の傾斜面
26 反射部材
W シリコンウェーハ
θ0 反射部材23の下端部(傾斜面)の傾斜角度
θ1 入射角度
θ2 反射角度
Claims (6)
- ウェーハの主面にエピタキシャル層を成長させるためのエピタキシャル成長装置であって、
前記エピタキシャル層の原料ガスが供給されるチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ウェーハを裏面側から支持するサセプターと、
前記ウェーハの上方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを主面側から加熱する上部ランプ群と、
前記サセプターの下方にリング状に配列された複数の加熱用ランプからなり前記ウェーハを裏面側から加熱する下部ランプ群と、
前記上部ランプ群を取り囲む略円筒状の反射部材とを備え、
前記反射部材は傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記ウェーハの主面と直交する第1の方向に輻射された電磁波を反射して前記ウェーハの端部に導くことを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 前記上部ランプ群の任意の加熱用ランプから前記第1の方向に輻射された電磁波が前記反射部材の前記傾斜面に入射するときの入射角度θ1と、前記傾斜面に入射した前記電磁波が前記傾斜面で反射して前記ウェーハの端部に導かれるときの反射角度θ2とが等しくなるように前記傾斜面の傾斜角度が設定されていることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記反射部材は、前記ウェーハの主面と直交する第1の反射面と、前記第1の反射面とは直交しない第2の反射面とを備え、
前記第2の反射面が前記傾斜面を構成していることを特徴とする請求項1又は2に記載のエピタキシャル成長装置。 - 前記第2の反射面は、第1の傾斜角度を有する第1の平坦面と、前記第1の平坦面よりも下端側に位置し、前記第1の傾斜角度よりも大きな第2の傾斜角度を有する第2の平坦面を含むことを特徴とする請求項3に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記第2の反射面は、前記第1の反射面から離れるほど傾斜角度が大きくなる湾曲面を含むことを特徴とする請求項3に記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記ウェーハの端部は、前記ウェーハのエッジから10mmまでの領域であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長装置。
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