TWI686501B - 用於epi腔室的上圓頂 - Google Patents

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Abstract

本發明所述實施例係關於圓頂組件。圓頂組件包括上圓頂與上周邊凸緣，該上圓頂包含凸形中央窗，該上周邊凸緣在中央窗的周緣處嚙合中央窗。

Description

用於EPI腔室的上圓頂
本發明揭露的實施例一般係關於用於半導體處理設備中的上圓頂。
半導體基板經處理以用於各式各樣的應用，包括積體元件與微元件的製造。處理基板的一種方法包括將材料（如介電材料或導電金屬）沉積於基板的上表面上。例如，磊晶是生長通常是矽或鍺的薄、超純層於基板的表面上之沉積過程。該材料可藉由以下方式沉積於側向流動腔室中：將處理氣體平行於定位在支撐件上的基板表面流動，並將處理氣體熱分解而將來自該氣體的材料沉積於基板表面上。
然而，除了基板與處理條件外，反應器設計對於磊晶生長中的薄膜品質必要的，磊晶生長使用精密氣體流動與準確溫度控制的結合。流動控制、腔室空間與腔室加熱仰賴於影響磊晶沉積均勻性的上與下圓頂的設計。先前技術的上圓頂設計以基板上截面區域的驟劇改變而限制了處理均勻性，基板上截面區域的驟劇改變負面影響流動均勻性、引起紊流並影響基板上沉積氣體濃度的整體均勻性。同樣地，先前技術的下圓頂設計以基板下截面區域的驟劇改變而限制了處理均勻性，基板下截面區域的驟劇改變負面影響溫度均勻性並將燈頭自基板遠遠移開，導致不良的整體熱均勻性及最小區域控制。如此相繼限制處理均勻性及整體腔室處理的可維持性（tenability）。
如此一來，對於提供跨基板的均勻熱場之沉積設備係有其需求的。
本發明所述的實施例係關於用於半導體處理腔室中的圓頂組件。圓頂組件包括上圓頂與周邊凸緣，上圓頂包含中央窗，周邊凸緣嚙合中央窗並與中央窗的外周緣連接，其中中央窗相對於基板支撐件是凸的，以及周邊凸緣係在相對於周邊凸緣的平坦上表面界定的平面之約10°至約30°的角度。
在一個實施例中，上圓頂可以包括凸形中央窗部分及周邊凸緣；該凸形中央窗部分具有一寬度、窗曲率，窗曲率由至少10:1的曲率半徑對寬度的比例所界定；及周邊凸緣具有平坦上表面、平坦下表面及傾斜凸緣表面，周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分，傾斜凸緣表面具有第一表面，第一表面帶有自平坦上表面測量小於35度的第一角度。
在另一個實施例中，用於熱處理腔室中的圓頂組件可以包括上圓頂及相對於上圓頂的下圓頂；上圓頂包含水平表面、具有一寬度與窗曲率的中央窗部分及具有傾斜凸緣表面的周邊凸緣，窗曲率由曲率半徑對寬度的比例所界定，該比例至少為10:1，周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分，傾斜凸緣表面在第一角度處具有第一表面，第一角度係自水平表面測量小於35度；下圓頂與上圓頂界定內部區域。
在另一個實施例中，上圓頂可以包括水平平面、中央窗部分及周邊凸緣；中央窗部分具有窗曲率與平面邊界，窗曲率由至少50:1的曲率半徑對寬度的比例所界定，平面邊界在周緣處；以及周邊凸緣具有平坦水平上表面、平坦水平下表面和傾斜凸緣表面，傾斜凸緣表面帶有第一表面和第二表面，第一表面具有自平坦水平上表面測量小於35度的第一角度，第二表面介於中央窗周緣與第一表面之間，第二表面具有自平坦水平上表面測量小於15度的第二角度，其中周邊凸緣在中央窗部分的周緣處嚙合中央窗部分。
本發明揭露的實施例描述包括用於半導體處理系統中的凸上圓頂之圓頂組件。上圓頂具有中央窗與周邊凸緣，周邊凸緣嚙合中央窗並連接中央窗的外周緣，其中中央窗相對於基板支撐件係凸的，且周邊凸緣係在相對於周邊凸緣的上表面界定的平面約10°至約30°的角度處。中央窗往基板彎曲，以作為減少處理空間並允許熱處理期間快速加熱及冷卻基板。周邊凸緣具有多個曲率，其允許中央窗熱膨脹而沒有破裂或破碎。本發明揭露的實施例參照以下圖示而更清楚地描述。
第1圖根據一個實施例繪示帶有圓頂組件160的背側加熱處理腔室100的概要截面圖。可經調整而受惠於本說明書所述實施例之處理腔室的一個示範例係Epi處理腔室，其可自位於加州聖塔克拉拉的應用材料公司取得。可以預期，包含來自其他製造商的其他處理腔室可用於實施本發明實施例。
處理腔室100可用於處理一或多個基板，包含將材料沉積於基板108的上表面上。處理腔室100可以包括處理腔室加熱裝置，如輻射加熱燈之陣列，其用於加熱設置於處理腔室100內的基板支撐件106的背側104或基板108的背側104等組件。基板支撐件106可係如圖所示的碟狀基板支撐件106，或可係將基板自基板邊緣支撐的環狀基板支撐件（未圖示），或可係藉由最少接觸支柱或銷而將基板自底部支撐的銷型支撐件。
在此實施例中，基板支撐件106被繪示位於上圓頂114與下圓頂112之間的處理腔室100內。圓頂組件160包括上圓頂114與下圓頂112。上圓頂114與下圓頂112以及設置於上圓頂114與下圓頂112之間的底環118界定處理腔室100的內部區域。基板108可以通過裝載埠而被帶入處理腔室100中及定位於基板支撐件106上，裝載埠沒有出現在第1圖中。上圓頂114參考第2A-2C圖而有更詳盡討論。
底環118一般可以包括裝載埠、處理氣體入口136與氣體出口142。底環118可具有與裝載埠103一樣長的任意所需形狀，處理氣體入口136與氣體出口142彼此相對90度且相對於裝載埠90度以角度地偏置。例如，裝載埠103可位於處理氣體入口136與氣體出口142間的一側，而處理氣體入口136與氣體出口142設置於底環118的相對端。在各式實施例中，裝載埠、處理氣體入口136與氣體出口142彼此對齊且設置在實質相同的水平高度。
基板支撐件106所示於上升處理位置，但可藉由致動器（未圖示）而垂直橫移至處理位置下的裝載位置以允許升舉銷105穿過基板支撐件106的孔與中央軸116而接觸下圓頂112，並將基板108自基板支撐件106舉起。機械臂（未圖示）可接著進入處理腔室100以通過裝載埠而嚙合基板108及將基板108自處理腔室100移除。基板支撐件106接著可經致動向上至處理位置而將基板108以其元件側面117向上的方式置放於基板支撐件106的前側110上。
當基板支撐件106位於處理位置時，基板支撐件106將處理腔室100的內部空間分為在基板上的處理區域120與在基板支撐件106下的淨化氣體區域122。基板支撐件106可以在處理期間被中央軸116旋轉以最小化處理腔室100內熱與處理氣體流動空間異常的影響以及因而利於基板108的均勻處理。基板支撐件106由中央軸116支撐，在基板108的裝載與卸載以及（在某些實例中）處理期間，中央軸116將基板108在上下方向上移動。基板支撐件106可由碳化矽或以碳化矽塗層的石墨形成以吸收來自燈的輻射能及將輻射能傳導至基板108。
一般來說，上圓頂114的中央窗部分與下圓頂112的底部由光學透明材料形成，如石英。上圓頂114的厚度與彎曲程度可經配置以操縱處理腔室中流場的均勻性。上圓頂114參考第2A與2B圖而有更詳盡的描述。
燈102可以指定方式鄰近於下圓頂112且在下圓頂112之下繞中央軸116而設置以當處理氣體通過時，燈102獨立控制基板108各個區域處的溫度，從而促進材料沉積於基板108的上表面上。燈102可經配置而加熱基板108到約攝氏200度至約攝氏1600度的範圍內之溫度。雖然沒有於此處詳盡討論，但是沉積的材料可包括矽、摻雜的矽、鍺、摻雜的鍺、矽鍺、摻雜的矽鍺、砷化鎵、氮化鎵或氮化鋁鎵。
自處理氣體供應源134供應的處理氣體通過於底環118的側壁中形成的處理氣體入口136而被引入處理區域120。處理氣體入口136通過複數個氣體通道154而連接至處理氣體區域，複數個氣體通道154穿過襯墊組件150而形成。處理氣體入口136、襯墊組件150或以上之組合經配置而將處理氣體導向於可以係一般徑向向內的方向上。在薄膜形成處理期間，基板支撐件106位於處理位置（可以鄰近於處理氣體入口136且在約與處理氣體入口136相同的高度處）中，而允許處理氣體向上且繞流動路徑138流動（flow up and round along flow path 138），流動路徑138係跨基板108的上表面。處理氣體通過氣體出口142（沿著流動路徑140）離開處理區域120，氣體出口142位於相對於處理氣體入口136之處理腔室100的相對側。可藉由真空泵144來促進處理氣體通過氣體出口142的移除，真空泵144與氣體出口142耦接。
自淨化氣體源124供應的淨化氣體通過於底環118的側壁中形成的淨化氣體入口126而被引至淨化氣體區域122。淨化氣體入口126通過襯墊組件150而連接至處理氣體區域。淨化氣體入口126設置於處理氣體入口136下的高度。如果使用圓形屏蔽152，圓形屏蔽152可設置於處理氣體入口136與淨化氣體入口126之間。在此兩種情況中，淨化氣體入口126經配置而將淨化氣體導向於一般徑向向內的方向上。如果需要的話，淨化氣體入口126可經配置而將淨化氣體導向於向上方向上。
在薄膜形成處理期間，基板支撐件106位於一位置而使得淨化氣體流動向下並繞流動路徑128流動，流動路徑128跨基板支撐件106的背側104。不受限於任何特定理論，相信淨化氣體的流動會防止或實質避免處理氣體從進入而流動至淨化氣體區域122，或減少處理氣體進入淨化氣體區域122（即基板支撐件106下的區域）的擴散。淨化氣體（沿流動路徑130）離開淨化氣體區域122並經由氣體出口142而自處理腔室排出，氣體出口142位於相對於淨化氣體入口126的處理腔室100的相對側上。
第2A與2B圖係根據本發明揭露的實施例的可用於熱處理腔室中的上圓頂200之概要圖示。第2A圖繪示上圓頂200的頂面透視圖。第2B圖繪示上圓頂200的截面圖。上圓頂200具有實質圓形形狀（第2A圖）以及具有微凹外側表面202與微凸內側表面204（第2B圖）。如將在以下有更詳盡的討論，凹外側表面202足夠彎曲以抵抗基板處理期間外部大氣壓力對處理腔室中減少的內部壓力之壓縮力，但也夠平坦以促進處理氣體的整齊流動以及反應材料的均勻沉積。
上圓頂200一般包括對紅外線輻射實質透明的中央窗部分206，以及用於支撐中央窗部分206的周邊凸緣208。所示中央窗部分206具有一般圓形周邊。周邊凸緣208在沿著支撐介面210的中央窗部分206的周緣處且繞著該周緣嚙合中央窗部分206。中央窗部分206可具有相對於周邊凸緣的水平平面214之凸曲率。
上圓頂200的中央窗部分206可由如透明石英的材料形成，該材料對來自燈的直接輻射通常是光學透明的，而沒有顯著吸收所需波長的輻射。或者，中央窗部分206可由具有窄帶濾波能力的材料形成。自加熱基板與基板支撐件再輻射的熱輻射之部分可穿過進入中央窗部分206，而被中央窗部分206大幅吸收。此等再輻射（re-radiation）產生熱於中央窗部分206內，而產生熱膨脹力。
此處所示中央窗部分206在長度與寬度方向上是圓形的，帶有形成中央窗部分206與周邊凸緣208間的邊界之周緣。然而，中央窗部分可具有使用者所需的其他形狀。
周邊凸緣208可由不透明石英或其他不透明材料製成。（可製成透明的）周邊凸緣208較中央窗部分206保持相對冷，從而導致中央窗部分206向外彎曲而超過在初始室溫下的弧度（bow）。如此一來，中央窗部分206內的熱膨脹表示為熱補償彎曲。當處理腔室的溫度增加時，中央窗部分206的熱補償彎曲增加。中央窗部分206作得薄且具有充分彈性以容納此彎曲，而周邊凸緣208係厚的且具有足夠剛性（rigidness）以限制中央窗部分206。
在一個實施例中，上圓頂200以以下方式建構：中央窗部分206係帶有中央窗部分206的曲率半徑對寬度「W」之至少5:1比例的弧。在一個示範例中，曲率半徑對寬度「W」的比例大於10:1，如介於約10:1至50:1之間。在另一個實施例中，曲率半徑對寬度「W」的比例大於50:1，如介於約50:1至約100:1之間。寬度「W」係周邊凸緣208所設邊界之間的中央窗部分206的寬度，如通過中央窗部分206的中心所測量。以上比例的上下文中的大於或小於係指增加或減少前者（即曲率半徑）比上後者的值（即寬度「W」）。
在第2B圖中所示的另一個實施例中，上圓頂200以以下方式建構：中央窗部分206係帶有中央窗部分206的寬度「W」對高度「H」之至少5:1比例的弧。在一個示範例中，寬度「W」對高度「H」的比例大於10:1，如介於約10:1至50:1之間。在另一個實施例中，寬度「W」對高度「H」的比例大於50:1，如介於約50:1至約100:1之間。高度「H」係第一邊界線240與第二邊界線242所設邊界之間的中央窗部分206的高度。第一邊界線240與面向處理區域120的中央窗部分206中的彎曲部分之峰值點（peak point）相切。第二邊界線242與離處理區域120最遠的支撐介面210的點相交。
上圓頂200可具有約200mm至約500mm的總外直徑，如約240mm至約330mm，例如約295mm。中央窗部分206可具有約2mm至約10mm的固定厚度，例如約2mm至約4mm，約4mm至約6mm，約6mm至約8mm，約8mm至約10mm。在某些示範例中，中央窗部分206係約3.5mm至6.0mm厚度。在一個示範例中，中央窗部分206係約4mm厚度。
較薄的中央窗部分206提供較小的熱質量，而使上圓頂200能夠快速加熱與冷卻。中央窗部分206可具有約130mm至約250mm的外直徑，例如約160mm至約210mm。在一個示範例中，中央窗部分206係約190mm直徑。
周邊凸緣208可具有約25mm至約125mm的厚度，例如約45mm至約90mm。周邊凸緣208的厚度一般定義為平坦上表面216與平坦底表面220間的厚度。在一個示範例中，周邊凸緣208係約70mm厚度。周邊凸緣208可具有約5mm至90mm的寬度，例如約12mm至約60mm，寬度可與半徑一起改變。在一個示範例中，周邊凸緣208係約30mm厚度。如果襯墊組件未使用於處理腔室中，則周邊凸緣208的寬度可增加約50mm至約60mm且中央窗部分206的寬度可減少該相同的量。
中央窗部分206具有5mm至8mm間的厚度，如6mm厚度。上圓頂200的中央窗部分206之厚度選擇在如上討論的範圍以確保解決周邊凸緣208與中央窗部分206間介面處發展的切應力。在一個實施例中，較薄的石英壁（即中央窗部分206）係較有效率的熱傳遞媒介使得較少的能量被石英吸收。所以上圓頂保持相當冷。較薄的壁圓頂亦會於溫度中更快穩定且更快對對流冷卻反應，因為較少能量被儲存且至外側表面的傳導路徑較短。因此，上圓頂200的溫度可以更緊密保持在一所需的設定點以提供跨中央窗部分206更好的熱均勻性。此外，當中央窗部分206徑向傳導至周邊凸緣208時，較薄的圓頂壁使得改善基板上的溫度均勻性。亦有以下好處，沒有在徑向方向上過度冷卻中央窗部分206，而使得導致不必要的溫度梯度，此不必要的溫度梯度會反應於正被處理的基板表面上且使得薄膜均勻性受損。
第2C圖根據一個實施例繪示周邊凸緣208與中央窗部分206間連接的特寫示意圖。周邊凸緣208具有傾斜凸緣表面212，傾斜凸緣表面212具有如水平線（surface line）218所指的至少第一表面217。第一表面217是在相對於周邊凸緣208的平坦上表面216所界定的平面約20°至約30°的角度處。第一表面217的角度可以平坦上表面216或水平平面214界定。平坦上表面216是水平的。水平平面214平行於周邊凸緣208的平坦上表面216。
第一角度232可以更特定界定為周邊凸緣208（或水平平面214）的平坦上表面216與水平線218間的角度，水平線218是在穿過中央窗部分206與周邊凸緣208的交叉之中央窗部分206的凸內側表面204上。在各式實施例中，水平平面214與水平面218間的第一角度232一般係小於35°。在一個實施例中，第一角度232是約6°至約20°，如介於約6°至約8°之間，約8°至約10°之間，約10°至約12°之間，約12°至約14°之間，約14°至約16°之間，約16°至約18°之間，約18°至約20°之間。在一個示範例中，第一角度232是約10°。在另一個示範例中，第一角度232是約30°。帶有約20°的第一角度232之傾斜凸緣表面212為周邊凸緣208所支撐的中央窗部分206提供結構支撐。
在另一個實施例中，傾斜凸緣表面212可以具有一或多個額外角度，如此處所示的自第二表面219形成的第二角度230，如藉由水平線221所示。傾斜凸緣表面212的第二角度230是周邊凸緣208的支撐角度234與第一角度232之間的角度。支撐角度234是切表面222與水平平面214間的角度，切表面222是自在支撐介面210處的凸內側表面214所形成。例如，如果支撐角度234是3°且第一角度232是30°，則第二角度230是介於3°至30°之間。第二角度230藉由以兩個連續重定向（sequential redirections）而將力重新導向以提供額外的應力減少，而不是進一步擴散膨脹與壓力產生的力之單一重定向。
支撐角度234、第一角度232與第二角度230可具有產生端表面間流體過渡（fluid transition）之角度，該等端表面介於第一表面217、第二表面219與切表面222之間。在一個示範例中，切表面222具有與第二表面219的端表面具流體過渡之一端表面。在另一個示範例中，第二表面219具有與第一表面217的端表面具流體過渡之一端表面。本說明書所用的端表面係形成於第一表面217、第二表面219或切表面222的任何之間的假想分離。端表面間的流體過渡是沒有形成可見邊緣而連接的表面間之過渡。
可以相信，傾斜凸緣表面212的角度允許上圓頂200的熱膨脹，同時減少處理區域120中的處理空間。不受限於理論，用於熱處理的現有上圓頂之尺度將增加處理空間，因而浪費反應氣體、減少產量、減少沉積均勻性及增加成本。傾斜凸緣表面212允許膨脹應力被吸收而沒有改變以上所述的比例。藉由增加傾斜凸緣表面212，可以增加前述中央窗部分206曲率半徑對寬度的比例。藉由增加前述比例，中央窗部分206的曲率變得更為平坦而允許較小的腔室空間。
本發明揭露上圓頂的實施例。上圓頂包括至少一凸形中央窗及具有複數個角度的周邊凸緣。凸形中央窗減少處理區域中的空間且基板可以在熱處理期間被更有效率地加熱及冷卻。周邊凸緣具有與中央窗連接形成且遠離處理區域的複數個角度。該複數個角度在加熱與冷卻步驟期間為中央窗提供應力釋放。此外，周邊凸緣的角度允許較薄的凸緣與較薄的中央窗以進一步減少空間。藉由減少處理空間與元件大小，可以減少生產與處理成本而不需妥協成品的品質或圓頂組件的生命周期。
雖然前面所述係針對本發明揭露的裝置、方法與系統的實施例，但在不背離本發明的基本範圍下，可設計所揭露裝置、方法與系統的其他與進一步之實施例，而本發明之範圍由以下的專利申請範圍決定。
100 處理腔室 102 燈 103 裝載埠 105 升舉銷 106 基板支撐件 108 基板 112 下圓頂 114 上圓頂 116 中央軸 118 底環 120 處理區域 122 淨化氣體區域 124 淨化氣體源 126 淨化氣體入口 128 流動路徑 130 流動路徑 134 處理氣體供應源 136 處理氣體入口 138 流動路徑 140 流動路徑 142 氣體出口 144 真空泵 150 襯墊組件 152 圓形屏蔽 154 氣體通道 160 圓頂組件 200 上圓頂 202 凹外側表面 204 凸內側表面 206 中央窗部分 208 周邊凸緣 210 支撐介面 212 傾斜凸緣表面 214 水平平面 216 平坦上表面 217 第一表面 218 水平線 219 第二表面 220 平坦底表面 221 水平線 222 切表面 230 第二角度 232 第一角度 234 支撐角度 H 高度 240 第一邊界線 242 第二邊界線
本發明揭露之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本發明實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式只繪示了本發明的典型實施例，而由於本發明可允許其他等效之實施例，所附圖式並不會視為本發明範圍之限制。
第1圖根據一個實施例繪示具有襯墊組件的背側加熱處理腔室之概要截面圖。
第2A圖根據某些實施例繪示上圓頂的示意圖。
第2B圖是根據某些實施例的上圓頂的側視圖。
第2C圖根據一個實施例繪示周邊凸緣與中央窗部分206間連接的特寫圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。此外，一個實施例的元件可有利地用於本說明書所述的其它實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200 上圓頂 202 凹外側表面 210 支撐介面 212 傾斜凸緣表面 214 水平平面 216 平坦上表面 220 平坦底表面 H 高度 240 第一邊界線 242 第二邊界線

Claims (18)

  1. 一種上圓頂，包括：一凸形中央窗部分，該凸形中央窗部分具有：一寬度；一內側表面與一外側表面，該外側表面係彎曲的，其中該內側表面的曲線與該外側表面的曲線係由曲率半徑對該寬度的一比例至少為10：1所界定；及一周邊凸緣，該周邊凸緣具有：一平坦上表面；一平坦下表面；及一傾斜凸緣表面，該周邊凸緣在該中央窗部分的一周緣處嚙合該中央窗部分，該傾斜凸緣表面具有一第一表面且具有一第一角度，該第一表面嚙合該平坦上表面，該第一角度自該平坦上表面測量係小於35度，該第一表面具有相對於該平坦上表面的一恆定斜率，其中該傾斜凸緣表面進一步包括一第二表面，該第二表面連接該中央窗部分的該周緣與該第一表面，該第二表面具有一第二角度，該第二角度小於該第一角度但大於該中央窗部分的一表面的一角度。
  2. 如請求項1所述之上圓頂，其中該第二角度自該平坦上表面測量係小於15度。
  3. 如請求項1所述之上圓頂，其中該中央窗部分具有一切表面，該切表面帶有一支撐角度，該支撐角度小於10度。
  4. 如請求項3所述之上圓頂，其中該切表面具有一端表面，該切表面的該端表面具有與該第二表面的一端表面之一流體過渡。
  5. 如請求項3所述之上圓頂，其中該支撐角度小於該第二角度，且該第二角度小於該第一角度。
  6. 如請求項1所述之上圓頂，其中該周邊凸緣具有小於50mm的一厚度。
  7. 如請求項1所述之上圓頂，其中該曲率半徑對該寬度的該比例係大於50：1。
  8. 如請求項1所述之上圓頂，其中該第一角度的大小對該第二角度的大小之一比例係大約3：1。
  9. 一種用於一熱處理腔室中的圓頂組件，包括：一上圓頂，包含：一水平表面；一中央窗部分，該中央窗部分具有一寬度及一內側表面與一外側表面，該外側表面係彎曲的，該內側表面與該外側表面的曲線具有由曲率半徑對該寬度的一比例所界定的一曲率，該比例係至少10：1；及 一周邊凸緣，該周邊凸緣具有一傾斜凸緣表面與一上平坦表面，該周邊凸緣在該中央窗部分的一周緣處嚙合該中央窗部分，該傾斜凸緣表面嚙合一上平坦表面且在一第一角度處具有一第一表面，該第一角度自該水平表面測量係小於35度，該第一表面具有相對於該平坦上表面的一恆定斜率，其中該傾斜凸緣表面進一步包括一第二表面，該第二表面連接該中央窗部分的該周緣與該第一表面，該第二表面具有一第二角度，該第二角度小於該第一角度但大於該中央窗部分的一表面的一角度；及一下圓頂，該下圓頂相對於該上圓頂，該下圓頂與該上圓頂界定一內部區域。
  10. 如請求項9所述之圓頂組件，其中該第二角度自該水平表面測量係小於15度。
  11. 如請求項9所述之圓頂組件，其中該中央窗部分具有形成一切表面的一周緣，該切表面具有一支撐角度，該支撐角度小於10度。
  12. 如請求項11所述之圓頂組件，其中該切表面具有一端點，該切表面的該端點與該第二表面的一端點共線，以及其中該第二表面具有一端點，該第二表面的該端點與該第一表面的一端點共線。
  13. 如請求項11所述之圓頂組件，其中該支撐 角度小於該第二角度，該第二角度小於該第一角度。
  14. 如請求項9所述之圓頂組件，其中該周邊凸緣具有小於50mm的一厚度。
  15. 如請求項9所述之圓頂組件，其中該曲率半徑對該寬度的該比例係介於約50：1至約100：1之間。
  16. 如請求項9所述之圓頂組件，其中該第一角度的大小對該第二角度的大小之一比例係約3：1。
  17. 一種上圓頂，包括：一水平平面；一中央窗部分，該中央窗部分具有：一寬度；一內側表面與一外側表面，該外側表面係彎曲的，其中該內側表面與該外側表面的曲線具有由曲率半徑對該寬度之一比例為至少50：1所界定的一曲率；及一平面邊界，該平面邊界在該中央窗部分的一周緣處；及一周邊凸緣，該周邊凸緣具有：一平坦水平上表面；一平坦水平下表面；及一傾斜凸緣表面，該傾斜凸緣表面帶有 一第一表面，該第一表面帶有自該平坦水平上表面測量小於35度的一第一角度且該第一表面嚙合該平坦水平上表面，該第一表面具有相對於該平坦上表面的一恆定斜率；及一第二表面，該第二表面介於該中央窗部分的該周緣與該第一表面之間，該第二表面具有自該平坦水平上表面測量小於15度的一第二角度，該第二表面連接該中央窗部分的該周緣與該第一表面，該第二角度大於該中央窗部分的一表面的一角度，其中該周邊凸緣在該中央窗部分的該周緣處嚙合該中央窗部分。
  18. 如請求項17所述之上圓頂，其中該第一角度的大小對該第二角度的大小之一比例係約3：1。
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