JPH02237029A - 乾燥装置 - Google Patents
乾燥装置Info
- Publication number
- JPH02237029A JPH02237029A JP5687789A JP5687789A JPH02237029A JP H02237029 A JPH02237029 A JP H02237029A JP 5687789 A JP5687789 A JP 5687789A JP 5687789 A JP5687789 A JP 5687789A JP H02237029 A JPH02237029 A JP H02237029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dried
- drying
- water
- rinsing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 abstract 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- RFAXLXKIAKIUDT-UHFFFAOYSA-N IPA-3 Chemical compound C1=CC=C2C(SSC3=C4C=CC=CC4=CC=C3O)=C(O)C=CC2=C1 RFAXLXKIAKIUDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、乾燥処理技術、特に、洗浄処理された被乾燥
物を汚染なく乾燥するための技術に閲し、例えば、半導
体装置の製造工程において、洗浄処理された半導体ウエ
ハを乾燥するのに利用して有効なものに閲する. (従来の技術〕 半導体装置の製造工程において、洗浄処理された半導体
ウエハ(以下、単にウエハという.)を乾燥する装置と
して、ウエハを高速回転させて遠心力により水分を分離
させるスピン乾燥装置と、特開昭56−168072号
公報および実開昭59−138232号公報に開示され
ているように、ウエハ表面の水分とアルコール蒸気とを
置換することにより乾燥させるベーパ乾燥装置と、特開
昭56−91432号公報および特開昭60−1601
27号公報に開示されているように、誘導加熱によって
ウエハ表面の水分を蒸気させることにより乾燥させるマ
イクロ波乾燥装置とがある.〔発明が解決しようとする
課題〕 しかし、このような各種乾燥装置においては、次のよう
な問題点がある. スピン乾燥装置においては、遠心分離により水切り乾燥
が実施されるため、高速回転させると、振動によってウ
エハが破損したり、飛沫による再付着が発生する. ベーパ乾i装置においては、アルコール中の異物が蒸気
中に飛散してウエハに付着し、乾燥後、ウエハに異物が
付着したままになる.また、危険な有機溶剤を加熱して
蒸気を大量に発生させるため、安全対策が高度化する.
さらに、乾燥後、ウエハ表面に単分子層の被膜が形成さ
れて残存する.マイクロ波乾燥装置においては、マグネ
トロンが高価であり、テフロンキャリア等のような不導
体は乾燥することができないため、別の乾燥装置の併用
が必要になる. 本発明の目的は、再汚染を防止しつつ、安価にして完全
な乾燥を実現することができる乾燥装置を提供すること
にある. 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
. (!II!を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである.すなわち、被乾燥物を
保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャ
ックに保持された被乾燥物にリンス液を供給するリンス
液供給管と、被乾燥物を加熱する加熱装置とを備えてい
ることを特徴とする. 〔作用〕 前記した手段によれば、スピンチャックによって、被乾
燥物を回転させて遠心分離により、スピン乾燥させる隙
に、被乾燥物にリンス液を滴下させると、リンス効果に
より水分の表面張力を低下させることができるため、比
較的低速度の回転によっても水分を被乾燥物から遠心分
離させることができる.低速度回転であると、被乾燥物
の破損や、飛沫の再付着等の発生は防止される.また、
被乾燥物を加熱しながら、スピンさせることにより、接
触雰囲気を常に変化させて水分の蒸発の促進させること
ができるため、乾燥を迅速化することができ、ウオータ
マークの発生等が防止される.このとき、加熱装置はス
ピン乾燥を助けるものであれば、充分であるため、加熱
装置の高級化を抑えることができる. 〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例であるウエハ乾燥装置を示す
縦断面図、第2図はローディング作動を説明するための
縦断面図、第3図はアンローディング作動を説明するた
めの縦断面図である.本実施例において、本発明に係る
ウエハ乾燥装置11は、洗浄処理を実施されたウエハ1
を直ちに乾燥するように構成されており、洗浄装置2の
終端部に設備されている.すなわち、洗浄装置2は水1
3を備えており、水槽3には洗浄液としての純水4が給
水口5から供給されて貯留されるように構成されており
、この水槽3の終端部における純水4中には洗浄済みの
ウエハ1が1枚宛、ウエハlの下面に噴流を斜め上方に
噴き付けることにより搬送させろうオータコンベア(図
示せず)により、送られて来るようになっている.そし
て、送られて来たウエハ1は後記するホルダにより純水
4中から取り上げられて乾燥装211に送り込まれる. ウエハ乾燥装置11は被乾燥物としての洗浄済みウエハ
1を乾燥するための乾燥室13を構成するチャンバ12
を備えており、チャンバ12杜ウエハ1の口径よりも大
きい内径を有する略円筒形状に形成されている.チャン
バ12は水槽3の終端部の上方に垂直に配されて、適当
な構造物(図示せず)により固定的に支持されており、
下端開口が水[3の水面に近接するように対向されてい
る.チャンバ12の下端開口部にはチャンネル形状の排
出溝14が、その開口が内側を向くように配されて全周
にわたってリング形状に形成されており、この排出溝1
4には排気装置に接続される排気口15が外壁の一部に
開設されている.また、チャンバ12の側壁上部には給
気口16が開設されており、この給気口l6には不活性
ガスとしての窒素ガスl7を供給するための窒素ガス供
給ユニット18が接続されている. 乾燥室13の内部には加熱手段としてのランプ装t2Q
が設備されており、このランプ装1F.20はハウジン
グ21を備えている.ハウジング21はチャンバ12よ
りも小さ目の円筒形状に形成されており、チャンバ12
と同心的に配され、その天井壁から乾燥室13の内部に
下向きに挿入されて固定されている.ハウジング2lの
内部には加熱源としてのハロゲンランプ22が複数本、
水平面内において互いに等間隔に配されて水平に支持さ
れており、ハロゲンランプ22群の上方には反射仮23
が、ランプ22の熱線を下方に全て照射し得るように敷
設されている.また、ハウジング21の下端には石英板
24がランプ22の前面を被覆するように建て込まれて
おり、この石英板24によりランプ22は外界に対して
気密封止されている.さらに、ハウジング2lの内部に
は冷却パイプ25がハロゲンランプ22の過熱を効果的
に防止し得るように配管されており、このパイプ25に
は水や空気等のような冷却媒体26が流通されるように
なっている. 乾燥室13の内部にはリンス液供給管27が、ランプ装
置20のハウジング21および石英板24を介して、そ
の滴下口28が乾燥室13の中心線上において垂直下向
きに臨むように配管されており、この供給管27にはリ
ンス液供給ユニット29が接続されている.このリンス
液供給ユニット29はリンス液30として、例えば、2
%濃度のイソピロピルアルコール(IPA)、を供給す
るようになっている. 他方、水槽3の下にはねじ式のジャッキ等から成るエレ
ベータ31が乾燥装11.11の真下位置に配されて、
垂直上向きに据え付けられており、エレベータ31のス
トローク軸32の上端にはテーブル33が水平に配され
て支持されている.テーブル33は垂直に立設された複
数本のガイドロッド34によりX内されるようになって
いる.テーブル34上にはサーボモータ35が同心的に
配されて垂直上向きに据え付けられており、サーボモー
タ35の回転軸36はシール軸受37を介して水槽3の
底壁を貫通されている.回転軸36の上端には円板形状
に形成されたホルダ38が同心的に配されて、一体回転
するように水平に支持されており、ホルダ38の外周上
にはホルダピン39が複数本、周方向に等間隔に配され
て垂直上向きに若干突出するように固着されている.各
ホルダピン39の上端は、それらを結ぶ平面が水平に対
して傾斜するように設定されており、このホルダピン3
9ff!上に載1されて保持されたウェハ1が傾斜する
ようになっている. 次に作用を説明する. 洗浄装置2において洗浄されたウェハ1が水槽3の終端
部に第2図に示されているように、送られて来ると、エ
レベータ3lが上昇され、回転軸36の上端に支持され
たホルダ38がウェハ1を受け取って、さらに上昇され
る.このとき、ホルダ38の外周に配されて上向きに突
設された各ホルダピン39が、互いに適当な段差を有す
るように構成されているため、ウェハ1はホルダピン3
9により水平に傾斜した状態に保持される.したがって
、ウエハ1が純水4中を上昇する際、ウェハ1の上面側
の純水4はその斜面に沿って効果的に排水されることに
なる. 他方、乾燥装211のチャンバ12における乾燥室l3
には窒素ガス供給ユニット18から窒素ガス供給ユニッ
トから窒素ガス17が供給されている. ホルダ38に保持されたウエハ1が乾燥室13内に挿入
されると、サーボモータ35が駆動さ瓢ウエハlは回転
軸36、ホルダ38およびホルダビン39を介して回転
される.同時に、リンス液供給ユニット29からリンス
液としてのI PA30が供給管27に供給され、IP
A30が供給管27の滴下口28からウェハ1上面の中
心に滴下される. 滴下されたIPA30はウェハlの回転に伴って遠心力
と表面張力の作用により、ウェハ1表面に沿って径方向
外向きに拡散される.そして、ウエハ1の表面に付着し
た水分はこのリンス液としてのI PA3 0によりそ
の表面張力を低下される.しhがって、水分はウエハ1
の回転による遠心カによりウエハ1の表面から効果的に
分離されることになる. このように、水分はリンス液によってウエハ表面からの
分離作用を助長されているため、ウエハ1の回転速度は
低速度に抑制させることができる.したがって、ウエハ
1の保持はホルダビン39による載置状態の保持でも充
分可能となる.そして、ウエハlから遠心分離された水
分およびI PA3 0はウエハ1の外周方に開口され
ている排出溝14に回収され、排気口15から窒素ガス
17と共に排出される. この遠心分離による乾燥作業中、ノ1ロゲンランプ22
が点灯されることにより、ウエハ1が加熱される.この
とき、ハロゲンランブ22による熱線は反射板23によ
り反射されて、その全量がウエハ1に照射されるため、
きわめて効果的な加熱が実行される.このとき、ハロゲ
ンランプ22による発塵は石英板24により封止されて
いるため、ウエハ1が汚染されることはない.また、石
英板24はランブ22の熱線を遮断することなく、ウエ
ハ1に効果的に透過させる. このような効果的なランプ加熱によりウエハ1の水分は
蒸発される. ハロゲンランブ22によって加熱されて蒸発された蒸気
は窒素ガス17と共に、排気溝14に回収されて排気口
l5から排出されて行く.そして、ウエハ1の周囲には
、給気口16から排気口14への窒素ガス17の流れが
形成されているため、遠心分離された水滴やIPA30
の粒子等がウエハ1の表面に再付着することはない. このようにして、ウエハ1は遠心分離およびランプ加熱
によりきわめて短時間に乾燥されるため、ウオータマー
クの発生は防止される.すなわち、純水4から上げられ
た後、ウエハlに純水4が付着していると、空気中の酸
素(01)が純水4中に溶け込んで、ウエハ1の表面が
酸化される.しかし、短時間に乾燥される場合には酸素
が純水4中に溶け込む時間、および、それにより酸化さ
れる時間がないため、ウオータマークが発生することは
ない.さらに、本実施例においては、乾燥室13に窒素
ガス雰囲気が形成されるため、酸素の溶け込み、および
それによる酸化は確実に防止される. 乾燥が完了すると、第3図に示されているように、エレ
ベータ31によってテーブル33が下降されることによ
り、ウエハlは所定位置まで下降され、水槽3の片脇に
設備されたアンローディング装置(図示せず)により、
ウエハ1はホルダ38からアンローディングされ所定の
場所へ送給される.ウエハ1を下ろされたホルダ38は
エレベータ31の下降により、水槽3の純水4中に下降
されて所定の位置において、次回の作動に待機される. 以降、前記作動が操り返されることにより、ウエハ1に
ついて1枚宛、乾燥作業が順次実施されて行《. 前記実施例によれば次の効果が得られる.(1)被乾燥
物上にリンス液を供給し、被乾燥物を回転させて遠心分
離による乾燥を実行することにより、リンス液によって
被乾燥物の水分の分離作用を助長させることができるた
め、回転速度を低速度に抑制させることができる. (2)前記(1)により、被乾燥物の高速回転による破
損を防止することができるとともに、被乾燥物からの水
分の飛沫による再汚染等を防止することができる. (3) また、前記(1)により、被乾燥物をホルダ
ビンによって保持することができるため、裏面保持によ
る被乾燥物の汚染や、乾燥されない領域の発生を最小限
度に抑制することができるとともに、保持構造を簡単化
することができる. (4)遠心分離による乾燥作業中、被乾燥物を加熱する
ことにより、乾燥を促進させることができるため、ウオ
ータマークの発生を防止することができる. (5)遠心分離および加熱による乾燥作業中、被乾燥物
の周囲に窒素ガスの気流および雰囲気を形成することに
より、遠心分離された飛沫の跳ね返りによる再付着を防
止することができるとともに、ウオータマークの発生を
より一層確実に防止することができる. (6)被乾燥物を水中から上げる際に、斜めに上昇させ
ることにより、被乾燥物上における水切れを効果的に実
行することができる. 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない. 例えば、リンス液はIPAを使用するに限らず、表面張
力を低下させる他の界面活性剤を使用してもよい. 被乾燥物の保持手段としては、ホルダピンを使用するに
限らず、真空吸着チャック等を使用してもよい. 被乾燥物の加熱装置としては、ランプ加熱装置を使用す
るに限らず、マイクロ波加熱装置等を使用してもよい. 窒素ガス供給装置は省略することができるし、被乾燥物
を乾燥室に対して搬入、搬出する構成は前記実施例に示
されている構造を使用するに限らない. 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウエハの乾燥技術に
適用した場合について説明した力(それに限定されるも
のではなく、ホトマスクやプリント配線基板等の乾燥技
術全般に適用することができる.特に、高度の清浄度が
必要な板状物の乾燥技術に適用して優れた効果が得られ
る.〔発明の効果〕 本願において間示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである. 被乾燥物上にリンス液を供給し、被乾燥物を回転させて
遠心分諦による乾燥を実行することにより、リンス液に
よって被乾燥物の水分の分離作用を助長させることがで
きるため、回転速度を低速度に抑制させることができる
.これにより、被乾燥物の高速回転による破損を防止す
ることができるとともに、被乾燥物からの水分の飛沫に
よる再汚染等を防止することができる.
物を汚染なく乾燥するための技術に閲し、例えば、半導
体装置の製造工程において、洗浄処理された半導体ウエ
ハを乾燥するのに利用して有効なものに閲する. (従来の技術〕 半導体装置の製造工程において、洗浄処理された半導体
ウエハ(以下、単にウエハという.)を乾燥する装置と
して、ウエハを高速回転させて遠心力により水分を分離
させるスピン乾燥装置と、特開昭56−168072号
公報および実開昭59−138232号公報に開示され
ているように、ウエハ表面の水分とアルコール蒸気とを
置換することにより乾燥させるベーパ乾燥装置と、特開
昭56−91432号公報および特開昭60−1601
27号公報に開示されているように、誘導加熱によって
ウエハ表面の水分を蒸気させることにより乾燥させるマ
イクロ波乾燥装置とがある.〔発明が解決しようとする
課題〕 しかし、このような各種乾燥装置においては、次のよう
な問題点がある. スピン乾燥装置においては、遠心分離により水切り乾燥
が実施されるため、高速回転させると、振動によってウ
エハが破損したり、飛沫による再付着が発生する. ベーパ乾i装置においては、アルコール中の異物が蒸気
中に飛散してウエハに付着し、乾燥後、ウエハに異物が
付着したままになる.また、危険な有機溶剤を加熱して
蒸気を大量に発生させるため、安全対策が高度化する.
さらに、乾燥後、ウエハ表面に単分子層の被膜が形成さ
れて残存する.マイクロ波乾燥装置においては、マグネ
トロンが高価であり、テフロンキャリア等のような不導
体は乾燥することができないため、別の乾燥装置の併用
が必要になる. 本発明の目的は、再汚染を防止しつつ、安価にして完全
な乾燥を実現することができる乾燥装置を提供すること
にある. 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
. (!II!を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである.すなわち、被乾燥物を
保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャ
ックに保持された被乾燥物にリンス液を供給するリンス
液供給管と、被乾燥物を加熱する加熱装置とを備えてい
ることを特徴とする. 〔作用〕 前記した手段によれば、スピンチャックによって、被乾
燥物を回転させて遠心分離により、スピン乾燥させる隙
に、被乾燥物にリンス液を滴下させると、リンス効果に
より水分の表面張力を低下させることができるため、比
較的低速度の回転によっても水分を被乾燥物から遠心分
離させることができる.低速度回転であると、被乾燥物
の破損や、飛沫の再付着等の発生は防止される.また、
被乾燥物を加熱しながら、スピンさせることにより、接
触雰囲気を常に変化させて水分の蒸発の促進させること
ができるため、乾燥を迅速化することができ、ウオータ
マークの発生等が防止される.このとき、加熱装置はス
ピン乾燥を助けるものであれば、充分であるため、加熱
装置の高級化を抑えることができる. 〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例であるウエハ乾燥装置を示す
縦断面図、第2図はローディング作動を説明するための
縦断面図、第3図はアンローディング作動を説明するた
めの縦断面図である.本実施例において、本発明に係る
ウエハ乾燥装置11は、洗浄処理を実施されたウエハ1
を直ちに乾燥するように構成されており、洗浄装置2の
終端部に設備されている.すなわち、洗浄装置2は水1
3を備えており、水槽3には洗浄液としての純水4が給
水口5から供給されて貯留されるように構成されており
、この水槽3の終端部における純水4中には洗浄済みの
ウエハ1が1枚宛、ウエハlの下面に噴流を斜め上方に
噴き付けることにより搬送させろうオータコンベア(図
示せず)により、送られて来るようになっている.そし
て、送られて来たウエハ1は後記するホルダにより純水
4中から取り上げられて乾燥装211に送り込まれる. ウエハ乾燥装置11は被乾燥物としての洗浄済みウエハ
1を乾燥するための乾燥室13を構成するチャンバ12
を備えており、チャンバ12杜ウエハ1の口径よりも大
きい内径を有する略円筒形状に形成されている.チャン
バ12は水槽3の終端部の上方に垂直に配されて、適当
な構造物(図示せず)により固定的に支持されており、
下端開口が水[3の水面に近接するように対向されてい
る.チャンバ12の下端開口部にはチャンネル形状の排
出溝14が、その開口が内側を向くように配されて全周
にわたってリング形状に形成されており、この排出溝1
4には排気装置に接続される排気口15が外壁の一部に
開設されている.また、チャンバ12の側壁上部には給
気口16が開設されており、この給気口l6には不活性
ガスとしての窒素ガスl7を供給するための窒素ガス供
給ユニット18が接続されている. 乾燥室13の内部には加熱手段としてのランプ装t2Q
が設備されており、このランプ装1F.20はハウジン
グ21を備えている.ハウジング21はチャンバ12よ
りも小さ目の円筒形状に形成されており、チャンバ12
と同心的に配され、その天井壁から乾燥室13の内部に
下向きに挿入されて固定されている.ハウジング2lの
内部には加熱源としてのハロゲンランプ22が複数本、
水平面内において互いに等間隔に配されて水平に支持さ
れており、ハロゲンランプ22群の上方には反射仮23
が、ランプ22の熱線を下方に全て照射し得るように敷
設されている.また、ハウジング21の下端には石英板
24がランプ22の前面を被覆するように建て込まれて
おり、この石英板24によりランプ22は外界に対して
気密封止されている.さらに、ハウジング2lの内部に
は冷却パイプ25がハロゲンランプ22の過熱を効果的
に防止し得るように配管されており、このパイプ25に
は水や空気等のような冷却媒体26が流通されるように
なっている. 乾燥室13の内部にはリンス液供給管27が、ランプ装
置20のハウジング21および石英板24を介して、そ
の滴下口28が乾燥室13の中心線上において垂直下向
きに臨むように配管されており、この供給管27にはリ
ンス液供給ユニット29が接続されている.このリンス
液供給ユニット29はリンス液30として、例えば、2
%濃度のイソピロピルアルコール(IPA)、を供給す
るようになっている. 他方、水槽3の下にはねじ式のジャッキ等から成るエレ
ベータ31が乾燥装11.11の真下位置に配されて、
垂直上向きに据え付けられており、エレベータ31のス
トローク軸32の上端にはテーブル33が水平に配され
て支持されている.テーブル33は垂直に立設された複
数本のガイドロッド34によりX内されるようになって
いる.テーブル34上にはサーボモータ35が同心的に
配されて垂直上向きに据え付けられており、サーボモー
タ35の回転軸36はシール軸受37を介して水槽3の
底壁を貫通されている.回転軸36の上端には円板形状
に形成されたホルダ38が同心的に配されて、一体回転
するように水平に支持されており、ホルダ38の外周上
にはホルダピン39が複数本、周方向に等間隔に配され
て垂直上向きに若干突出するように固着されている.各
ホルダピン39の上端は、それらを結ぶ平面が水平に対
して傾斜するように設定されており、このホルダピン3
9ff!上に載1されて保持されたウェハ1が傾斜する
ようになっている. 次に作用を説明する. 洗浄装置2において洗浄されたウェハ1が水槽3の終端
部に第2図に示されているように、送られて来ると、エ
レベータ3lが上昇され、回転軸36の上端に支持され
たホルダ38がウェハ1を受け取って、さらに上昇され
る.このとき、ホルダ38の外周に配されて上向きに突
設された各ホルダピン39が、互いに適当な段差を有す
るように構成されているため、ウェハ1はホルダピン3
9により水平に傾斜した状態に保持される.したがって
、ウエハ1が純水4中を上昇する際、ウェハ1の上面側
の純水4はその斜面に沿って効果的に排水されることに
なる. 他方、乾燥装211のチャンバ12における乾燥室l3
には窒素ガス供給ユニット18から窒素ガス供給ユニッ
トから窒素ガス17が供給されている. ホルダ38に保持されたウエハ1が乾燥室13内に挿入
されると、サーボモータ35が駆動さ瓢ウエハlは回転
軸36、ホルダ38およびホルダビン39を介して回転
される.同時に、リンス液供給ユニット29からリンス
液としてのI PA30が供給管27に供給され、IP
A30が供給管27の滴下口28からウェハ1上面の中
心に滴下される. 滴下されたIPA30はウェハlの回転に伴って遠心力
と表面張力の作用により、ウェハ1表面に沿って径方向
外向きに拡散される.そして、ウエハ1の表面に付着し
た水分はこのリンス液としてのI PA3 0によりそ
の表面張力を低下される.しhがって、水分はウエハ1
の回転による遠心カによりウエハ1の表面から効果的に
分離されることになる. このように、水分はリンス液によってウエハ表面からの
分離作用を助長されているため、ウエハ1の回転速度は
低速度に抑制させることができる.したがって、ウエハ
1の保持はホルダビン39による載置状態の保持でも充
分可能となる.そして、ウエハlから遠心分離された水
分およびI PA3 0はウエハ1の外周方に開口され
ている排出溝14に回収され、排気口15から窒素ガス
17と共に排出される. この遠心分離による乾燥作業中、ノ1ロゲンランプ22
が点灯されることにより、ウエハ1が加熱される.この
とき、ハロゲンランブ22による熱線は反射板23によ
り反射されて、その全量がウエハ1に照射されるため、
きわめて効果的な加熱が実行される.このとき、ハロゲ
ンランプ22による発塵は石英板24により封止されて
いるため、ウエハ1が汚染されることはない.また、石
英板24はランブ22の熱線を遮断することなく、ウエ
ハ1に効果的に透過させる. このような効果的なランプ加熱によりウエハ1の水分は
蒸発される. ハロゲンランブ22によって加熱されて蒸発された蒸気
は窒素ガス17と共に、排気溝14に回収されて排気口
l5から排出されて行く.そして、ウエハ1の周囲には
、給気口16から排気口14への窒素ガス17の流れが
形成されているため、遠心分離された水滴やIPA30
の粒子等がウエハ1の表面に再付着することはない. このようにして、ウエハ1は遠心分離およびランプ加熱
によりきわめて短時間に乾燥されるため、ウオータマー
クの発生は防止される.すなわち、純水4から上げられ
た後、ウエハlに純水4が付着していると、空気中の酸
素(01)が純水4中に溶け込んで、ウエハ1の表面が
酸化される.しかし、短時間に乾燥される場合には酸素
が純水4中に溶け込む時間、および、それにより酸化さ
れる時間がないため、ウオータマークが発生することは
ない.さらに、本実施例においては、乾燥室13に窒素
ガス雰囲気が形成されるため、酸素の溶け込み、および
それによる酸化は確実に防止される. 乾燥が完了すると、第3図に示されているように、エレ
ベータ31によってテーブル33が下降されることによ
り、ウエハlは所定位置まで下降され、水槽3の片脇に
設備されたアンローディング装置(図示せず)により、
ウエハ1はホルダ38からアンローディングされ所定の
場所へ送給される.ウエハ1を下ろされたホルダ38は
エレベータ31の下降により、水槽3の純水4中に下降
されて所定の位置において、次回の作動に待機される. 以降、前記作動が操り返されることにより、ウエハ1に
ついて1枚宛、乾燥作業が順次実施されて行《. 前記実施例によれば次の効果が得られる.(1)被乾燥
物上にリンス液を供給し、被乾燥物を回転させて遠心分
離による乾燥を実行することにより、リンス液によって
被乾燥物の水分の分離作用を助長させることができるた
め、回転速度を低速度に抑制させることができる. (2)前記(1)により、被乾燥物の高速回転による破
損を防止することができるとともに、被乾燥物からの水
分の飛沫による再汚染等を防止することができる. (3) また、前記(1)により、被乾燥物をホルダ
ビンによって保持することができるため、裏面保持によ
る被乾燥物の汚染や、乾燥されない領域の発生を最小限
度に抑制することができるとともに、保持構造を簡単化
することができる. (4)遠心分離による乾燥作業中、被乾燥物を加熱する
ことにより、乾燥を促進させることができるため、ウオ
ータマークの発生を防止することができる. (5)遠心分離および加熱による乾燥作業中、被乾燥物
の周囲に窒素ガスの気流および雰囲気を形成することに
より、遠心分離された飛沫の跳ね返りによる再付着を防
止することができるとともに、ウオータマークの発生を
より一層確実に防止することができる. (6)被乾燥物を水中から上げる際に、斜めに上昇させ
ることにより、被乾燥物上における水切れを効果的に実
行することができる. 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない. 例えば、リンス液はIPAを使用するに限らず、表面張
力を低下させる他の界面活性剤を使用してもよい. 被乾燥物の保持手段としては、ホルダピンを使用するに
限らず、真空吸着チャック等を使用してもよい. 被乾燥物の加熱装置としては、ランプ加熱装置を使用す
るに限らず、マイクロ波加熱装置等を使用してもよい. 窒素ガス供給装置は省略することができるし、被乾燥物
を乾燥室に対して搬入、搬出する構成は前記実施例に示
されている構造を使用するに限らない. 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウエハの乾燥技術に
適用した場合について説明した力(それに限定されるも
のではなく、ホトマスクやプリント配線基板等の乾燥技
術全般に適用することができる.特に、高度の清浄度が
必要な板状物の乾燥技術に適用して優れた効果が得られ
る.〔発明の効果〕 本願において間示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである. 被乾燥物上にリンス液を供給し、被乾燥物を回転させて
遠心分諦による乾燥を実行することにより、リンス液に
よって被乾燥物の水分の分離作用を助長させることがで
きるため、回転速度を低速度に抑制させることができる
.これにより、被乾燥物の高速回転による破損を防止す
ることができるとともに、被乾燥物からの水分の飛沫に
よる再汚染等を防止することができる.
第L図は本発明の一実施例であるウエノ1乾燥装亘を示
す縦断面図、 第2図はローデイング作仙を説明するための縦断面図、 第3図はアンローデイング作動を説明するための縦断面
図である. 1・・・ウエハ(被乾燥物)、2・・・洗浄装置、3・
・・水槽、4・・・純水、5・・・給水口、11・・・
ウエノ\乾燥装置、12・・・チャンバ、13・・・乾
燥室、14・・・排出溝、15・・・排気口、16・・
・給気口、17・・・窒素ガス、18・・・窒素ガス供
給ユニット、20・・・ランプ加熱装置、21・・・ハ
ウジング、22・・・ノ\ロゲンランプ(加熱@)、2
3・・・反射板、24・・・石英板、25・・・冷却パ
イプ、26・・・冷却媒体、27・・・リンス液供給管
、28・・・滴下口、29・・・リンス液供給ユニット
、30・・・リンス液、31・・・エレベータ、32・
・・ストローク軸、33・・・テーブル、34・・・力
゛イドロッド、35・・・サーボモータ、36・・・回
転蛛37・・・シール軸受、38・・・ホルダ、39・
・・ホノレダピン. 第1図 ソニλ−161&七『
す縦断面図、 第2図はローデイング作仙を説明するための縦断面図、 第3図はアンローデイング作動を説明するための縦断面
図である. 1・・・ウエハ(被乾燥物)、2・・・洗浄装置、3・
・・水槽、4・・・純水、5・・・給水口、11・・・
ウエノ\乾燥装置、12・・・チャンバ、13・・・乾
燥室、14・・・排出溝、15・・・排気口、16・・
・給気口、17・・・窒素ガス、18・・・窒素ガス供
給ユニット、20・・・ランプ加熱装置、21・・・ハ
ウジング、22・・・ノ\ロゲンランプ(加熱@)、2
3・・・反射板、24・・・石英板、25・・・冷却パ
イプ、26・・・冷却媒体、27・・・リンス液供給管
、28・・・滴下口、29・・・リンス液供給ユニット
、30・・・リンス液、31・・・エレベータ、32・
・・ストローク軸、33・・・テーブル、34・・・力
゛イドロッド、35・・・サーボモータ、36・・・回
転蛛37・・・シール軸受、38・・・ホルダ、39・
・・ホノレダピン. 第1図 ソニλ−161&七『
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被乾燥物を保持して回転させるスピンチャックと、
このスピンチャックに保持された被乾燥物にリンス液を
供給するリンス液供給管と、被乾燥物を加熱する加熱装
置とを備えていることを特徴とする乾燥装置。 2、被乾燥物の周囲に不活性ガスを供給する不活性ガス
供給装置を備えていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の乾燥装置。 3、前記加熱装置が、被乾燥物に熱線を照射するランプ
装置により構成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5687789A JPH02237029A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5687789A JPH02237029A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02237029A true JPH02237029A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13039650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5687789A Pending JPH02237029A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02237029A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
US10460961B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-10-29 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate processing apparatus |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5687789A patent/JPH02237029A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
US10460961B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-10-29 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate processing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3958539B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US6395101B1 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
US7354484B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
TWI584367B (zh) | Heater cleaning method and substrate processing method | |
CN101253604B (zh) | 衬底处理方法和衬底处理设备 | |
KR100929809B1 (ko) | 기판처리장치 | |
US6286524B1 (en) | Wafer drying apparatus and method with residual particle removability enhancement | |
KR101866640B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP3958594B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102325059B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2007103956A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4069316B2 (ja) | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 | |
JP2003031538A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JPH02237029A (ja) | 乾燥装置 | |
JP4091335B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP3892687B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5999625B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP4777322B2 (ja) | 洗浄処理方法および洗浄処理装置 | |
TW202226415A (zh) | 具有改良乾燥特徵之旋轉清洗乾燥機 | |
JP2004303836A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3540550B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2003031537A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004304138A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102548765B1 (ko) | 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2015070208A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 |