CN107887300A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。有关实施方式的基板处理装置具备：处理室(20)，空气从上方向下方流动；支承部(40)，设在处理室(20)内，支承具有被处理面(Wa)的基板(W)；加热部(80)，避开支承部(40)的上方而设置，射出加热用的光；光学部件(90)，避开支承部(40)的上方而设在处理室(20)内，将由加热部(80)射出并通过支承部(40)的上方的光向被支承部(40)支承的基板(W)的被处理面(Wa)引导。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置。
背景技术
基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中将晶片或液晶基板等的基板的被处理面用药液处理、将药液处理后的基板的被处理面用漂洗液冲洗、将漂洗液处理后的基板干燥的装置。
在干燥处理工序中，由于近年来的半导体的伴随着高集成化及高容量化的微细化，例如发生存储单元或栅极周围的图案破坏的问题。这是起因于图案彼此的间隔及构造、漂洗液的表面张力等。
所以，为了抑制上述的图案破坏，提出了使用表面张力比漂洗液(例如DIW：超纯水)小的挥发性溶媒(例如IPA：2－丙醇，异丙醇)的基板干燥方法。在该基板干燥方法中，将基板的被处理面上的漂洗液替换为挥发性溶媒而进行基板干燥。此时，为了促进干燥，有用位于基板的被处理面的上方的灯将基板加热而进行基板干燥的情况。
此外，在药液处理工序中，有进行使用硫酸或磷酸等作为药液的150℃以上的高温处理的情况。在此情况下，由于将药液加热到150℃以上而用于处理，所以由位于基板的被处理面的上方的灯将基板的被处理面上的药液加热到150℃以上的高温。
但是，在上述干燥处理工序及药液处理工序中，由于灯位于基板的被处理面的上方，所以在基板处理中处理液的雾或微粒附着在灯表面上。有该处理液的雾或微粒等的附着物从灯表面落下而附着到基板的被处理面上、基板被污染的情况。
另一方面，在通常的基板处理装置中，设有ULPA(Ultra Low Penetration Air、超高效空气)过滤器或HEPA(High Efficiency Particulate Air、高效粒子空气)过滤器。通过了该过滤器的清洁的空气作为下降流(垂直层流)在基板处理装置内流动，基板处理装置内被保持为清洁。由此，能够抑制微粒附着在基板处理装置内特别是基板的被处理面上。
但是，在上述基板处理装置中，由于灯位于基板的被处理面的上方，所以从过滤器朝向基板的被处理面的清洁的空气被灯妨碍，没有被向基板的被处理面充分地供给。因此，难以从基板的被处理面或其周围将微粒除去，基板被污染。
发明内容
本发明所要解决的课题是提供一种能够抑制基板的污染的基板处理装置。
有关本发明的实施方式的基板处理装置具备：处理室，空气从上方向下方流动；支承部，设在处理室内，支承具有被处理面的基板；加热部，避开支承部的上方而设置，射出加热用的光；光学部件，避开支承部的上方而设在处理室内，将由加热部射出并通过了支承部的上方的光向被支承部所支承的基板的被处理面引导。
根据有关上述实施方式的基板处理装置，能够抑制基板的污染。
附图说明
图1是表示有关第1实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
图2是表示有关第1实施方式的基板处理部的概略结构的图。
图3是表示有关第1实施方式的基板处理部的基板处理的流程的流程图。
图4是表示有关第2实施方式的基板处理装置的概略结构的图。
图5是表示有关第2实施方式的相邻的两个基板处理部的概略结构的图。
图6是表示有关第3实施方式的基板处理部的一部分的图。
图7是表示有关第4实施方式的基板处理部的一部分的图。
图8是表示有关第5实施方式的基板处理部的一部分的图。
图9是表示有关第6实施方式的基板处理部的一部分的图。
图10是表示有关第6实施方式的光量抑制部件的变形例的图。
具体实施方式
<第1实施方式>
参照图1至图3对第1实施方式进行说明。
(基本结构)
如图1所示，有关第1实施方式的基板处理装置10具备多个开闭单元11、第1输送机器人12、缓冲单元13、第2输送机器人14、多个基板处理部15和装置附带单元16。
各开闭单元11被排列设置为一列。这些开闭单元11将作为输送容器发挥功能的专用箱(例如FOUP)的门开闭。另外，在专用箱是FOUP的情况下，开闭单元11被称作FOUP开启器。在该专用箱中，以规定间隔层叠容纳着基板W。
第1输送机器人12以沿着在各开闭单元11排列的第1输送方向上延伸的轨道12a移动的方式设在各开闭单元11的列的旁边。该第1输送机器人12从被开闭单元11将门打开的专用箱将未处理的基板W取出，根据需要而在第1输送方向上移动，向缓冲单元13运入。此外，第1输送机器人12从缓冲单元13将已处理的基板W取出，根据需要而在第1输送方向上移动，向希望的专用箱运入。例如可以使用具有机械手臂或机械手、移动机构等的机器人作为第1输送机器人12。
缓冲单元13位于第1输送机器人12移动的第1机器人移动路的中央附近，设在该第1机器人移动路的单侧、即与各开闭单元11相反的单侧。该缓冲单元13作为用来在第1输送机器人12与第2输送机器人14之间进行基板W的换持的缓冲台(基板交接台)发挥功能。在该缓冲单元13中，以规定间隔层叠容纳着基板W。
第2输送机器人14被设置为，从缓冲单元13附近沿着与上述第1输送方向正交的第2输送方向(与第1输送方向交叉的方向的一例)延伸的轨道14a移动。该第2输送机器人14从缓冲单元13将未处理的基板W取出，根据需要而沿着第2输送方向移动，向希望的基板处理部15运入。此外，第2输送机器人14从基板处理部15将已处理的基板W取出，根据需要而在第2输送方向上移动，向缓冲单元13运入。作为第2输送机器人14，与第1输送机器人12同样，例如可以使用具有机械手臂或机械手、移动机构等的机器人。
基板处理部15在第2输送机器人14移动的第2机器人移动路的两侧例如各设有4个。该基板处理部15是向晶片或液晶基板等的基板W的被处理面Wa供给药液而进行处理、然后向基板W的被处理面Wa供给漂洗液而进行漂洗、在漂洗后将基板W干燥的装置(详细情况后述)。
装置附带单元16设在第2机器人移动路的一端、即与缓冲单元13相反侧的端部。该装置附带单元16容纳液供给单元16a和控制单元(控制部)16b。液供给单元16a向各基板处理部15供给各种处理液(例如，药液或DIW等)及挥发性溶媒(例如IPA)。控制单元16b具备集中地控制各部的微型计算机、和存储关于基板处理的基板处理信息及各种程序等的存储部(都未图示)。该控制单元16b基于基板处理信息及各种程序，控制各开闭单元11及第1输送机器人12、第2输送机器人14、各基板处理部15等的各部。
(基板处理部)
如图2所示，基板处理部15具备处理室20、杯30、支承部40、旋转机构50、处理液供给部60、溶媒供给部70、加热部80和光学部件90。
处理室20是用来处理具有被处理面Wa的基板W的处理盒。该处理室20形成为例如长方体或立方体等的箱形状，将杯30及支承部40、旋转机构50等收容。处理室20设有过滤器21及开闭器22。
过滤器21设在处理室20的上表面上，将外部的空气清洁化并取入。例如可以使用ULPA过滤器或HEPA过滤器等作为该过滤器21。
开闭器22可开闭地形成在处理室20的侧面(图1所示的基板处理部15的第2机器人移动路侧的侧面)上。该开闭器22被设为开状态，进行对于处理室20的基板W的运入及运出。
这里，外部的空气被过滤器21清洁化而向处理室20内流入，流入到处理室20内的空气从上向下流动。因此，在处理室20内存在由清洁空气形成的下降流(垂直层流)，处理室20内被保持为清洁。此外，向处理室20内供给N2等的惰性气体，抑制了处理室20内的氧浓度。
杯30形成为圆筒形状，位于处理室20内的大致中央，设置为，在其内部收容支承部40及旋转机构50。杯30的周壁的上部朝向内侧倾斜，并且开口以使支承部40上的基板W的被处理面Wa露出。该杯30将从旋转的基板W飞散的处理液及流下来的处理液承接。另外，在杯30的底面上，形成有用来将承接的处理液排出的排出口(未图示)，在该排出口上连接着排出管(未图示)。
支承部40位于杯30内的大致中央，可在水平面内旋转地设在旋转机构50上。该支承部40例如被称作自旋工作台。支承部40具有多个支承部件41，由这些支承部件41将基板W支承为水平状态。另外，基板W其被处理面Wa的中心位于支承部40的旋转轴上，被支承部40支承，在平面内旋转。
旋转机构50设置为保持支承部40，构成为，使该支承部40在水平面内旋转。例如，旋转机构50具有连结在支承部40的中央的旋转轴及使该旋转轴旋转的马达(都未图示)等，通过马达的驱动，经由旋转轴使支承部40旋转。该旋转机构50电气地连接在控制单元16b上，其驱动被控制单元16b控制。
处理液供给部60具备第1喷嘴61和第1喷嘴移动机构62。
第1喷嘴61位于支承部40的上方，形成为能够通过第1喷嘴移动机构62而沿着支承部40上的基板W的被处理面Wa摆动。该第1喷嘴61从与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心(或中心附近)对置的位置朝向该支承部40上的基板W的被处理面Wa供给处理液(例如药液、DIW)。另外，对于第1喷嘴61，将处理液从液供给单元16a(参照图1)经由配管(未图示)供给。
第1喷嘴移动机构62具有可动臂62a和臂摆动机构62b。可动臂62a在一端保持着第1喷嘴61，被臂摆动机构62b水平地支承。臂摆动机构62b保持着可动臂62a的与第1喷嘴61相反侧的一端，使该可动臂62a沿着支承部40上的基板W的被处理面Wa摆动。该臂摆动机构62b电气地连接在控制单元16b上，其驱动受控制单元16b控制。
例如，第1喷嘴61通过第1喷嘴移动机构62，能够在与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的供给位置、和从支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方退避而能够进行基板W的运入及运出的待机位置之间往复移动。另外，在图2中，第1喷嘴61处于不与支承部40上的基板W的被处理面Wa对置的待机位置(杯30之外的位置)。
溶媒供给部70具备第2喷嘴71和第2喷嘴移动机构72。
第2喷嘴71位于支承部40的上方，形成为能够通过第2喷嘴移动机构72而沿着支承部40上的基板W的被处理面Wa摆动。该第2喷嘴71从与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心(或中心附近)对置的位置朝向该支承部40上的基板W的被处理面Wa供给挥发性溶媒(例如IPA)。该挥发性溶媒是表面张力比处理液(例如DIW)小的液体。另外，对于第2喷嘴71，从液供给单元16a(参照图1)经由配管(未图示)供给挥发性溶媒。
第2喷嘴移动机构72与第1喷嘴移动机构62同样，具有可动臂72a和臂摆动机构72b。可动臂72a在一端上保持着第2喷嘴71，被臂摆动机构72b水平地支承。臂摆动机构72b保持着可动臂72a的与第2喷嘴71相反侧的一端，使该可动臂72a沿着支承部40上的基板W的被处理面Wa摆动。该臂摆动机构72b电气地连接在控制单元16b上，其驱动受控制单元16b控制。
例如，第2喷嘴71通过第2喷嘴移动机构72，能够在与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的供给位置、和从支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方退避而能够进行基板W的运入及运出的待机位置之间往复移动。另外，在图2中，第2喷嘴71处于与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的位置。
这里，作为挥发性溶媒，在IPA以外，也可以使用例如乙醇等的1价的醇类，或二乙醚、甲乙醚等的醚类，还有碳酸乙烯等。
加热部80避开处理室20内的支承部40的上方而设在处理室20的外表面、即处理室20的与开闭器22相反侧的外表面上。该加热部80例如形成为长方体形状，在其内部具备多个灯81，从各灯81射出将支承部40上的基板W加热的加热用的光。加热用的光具有紫外线或可视光线、红外线等的规定范围的波长。另外，在加热部80内也可以设有反射器。该反射器将不朝向处理室20侧的光反射而向处理室20侧引导。此外，反射器也具有以使从各灯81出来的光照在处理室20内的光学部件90上的方式抑制该光扩散的作用。
各灯81例如是直管形的灯，以在水平状态下为相互平行的方式设置。例如可以使用卤素灯或红外线灯作为各灯81。加热部80电气地连接在控制单元16b上，其驱动受控制单元16b控制。
这里，在处理室20的侧面、即处理室20的与开闭器22相反侧的侧面上，以与加热部80对置的方式设有透过部20a。该透过部20a由从加热部80射出的光通过的材料、例如玻璃或树脂等形成。
光学部件90被用支承部件91避开处理室20内的支承部40的上方而安装在处理室20的内部、即处理室20的与加热部80相反侧的内表面上。支承部件91被固定在处理室20的与加热部80相反侧的内表面上，在其一端部上保持光学部件90。光学部件90具有形状弯曲的部分(弯曲部)，将由加热部80射出的光反射，并使光扩散而引导照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上。由此，由加热部80射出的光被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa上，该支承部40上的基板W被加热。例如可以使用反射板或各种棱镜等作为光学部件90。光学部件90的尺寸比基板W大，光学部件90的形状是圆形或长方形、正方形等的形状。
控制单元16b基于基板处理信息及各种程序，进行由旋转机构50进行的支承部40的旋转动作、由处理液供给部60进行的处理液的供给动作、由溶媒供给部70进行的挥发性溶媒的供给动作、由加热部80进行的加热动作(照射动作)等的控制。
(基板处理工序)
接着，对上述基板处理装置10进行的基板处理的流程进行说明。另外，在各处理室20中，进行相同的基板处理(药液处理、漂洗处理及干燥处理)。
首先，用第1输送机器人12将未处理的基板W从开闭单元11内的专用箱取出。第1输送机器人12根据需要而沿着第1机器人移动路移动，在与缓冲单元13对置的位置处停止。并且，第1输送机器人12在其停止的地方转弯，将未处理的基板W向缓冲单元13运入。由此，未处理的基板W被容纳到缓冲单元13中。
然后，由第2输送机器人14将缓冲单元13内的未处理的基板W取出。第2输送机器人14根据需要而沿着第2机器人移动路移动，在与缓冲单元13对置的位置处停止。并且，第2输送机器人14在该停止的地方转弯，将未处理的基板W向希望的基板处理部15运入。由此，未处理的基板W被设置到基板处理部15内。然后，在基板处理部15中对基板W进行处理(药液处理、漂洗处理及干燥处理)。关于该基板处理部15中的处理详细情况后述。
如果基板处理部15中的处理结束，则由第2输送机器人14从基板处理部15内将已处理的基板W取出。第2输送机器人14根据需要而沿着第2机器人移动路移动、停止。并且，第2输送机器人14在停止的地方转弯，将已处理的基板W向缓冲单元13运入。由此，已处理的基板W被容纳到缓冲单元13中。
然后，由第1输送机器人12将缓冲单元13内的已处理的基板W取出。第1输送机器人12根据需要而沿着第1机器人移动路移动、停止。并且，第1输送机器人12在停止的地方转弯，将已处理的基板W向希望的专用箱运入。由此，已处理的基板W被容纳到专用箱中。
接着，参照图3对上述基板处理部15中的处理(药液处理、漂洗处理及干燥处理)的流程进行说明。作为前期准备，将基板W设置到支承部40上，处理液供给部60的第1喷嘴61处于与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的位置。另外，基板W的转速及液体的供给时间等的处理条件虽然被预先设定在控制单元16b中，但能够由操作者任意地变更。
如图3所示，在步骤S1中，旋转机构50通过支承部40的旋转，使支承部40上的基板W以规定的转速旋转。该基板W的转速被预先设定在控制单元16b中，以使得当后述的药液或DIW、IPA等的液体被以规定的供给量供给到基板W的被处理面Wa上时，基板W的被处理面Wa上的液膜的厚度成为希望值。
在步骤S2中，处理液供给部60将药液从第1喷嘴61向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给规定时间，在经过规定时间后将药液的供给停止。药液被从第1喷嘴61向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给，通过由基板W的旋转带来的离心力，扩展到基板W的被处理面Wa的整体上。由此，在支承部40上的基板W的被处理面Wa上形成药液的液膜，基板W的被处理面Wa被药液的液膜覆盖而被进行药液处理。
在步骤S3中，处理液供给部60在上述药液的供给停止后，将DIW从第1喷嘴61向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给规定时间，在经过规定时间后将DIW的供给停止。DIW被从第1喷嘴61向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给，通过由基板W的旋转带来的离心力而扩展到基板W的被处理面Wa的整体上。处于基板W的被处理面Wa上的药液通过被供给的DIW而被推压流动，最终基板W的被处理面Wa被DIW的液膜覆盖。由此，在基板W的被处理面Wa上形成DIW的液膜，基板W的被处理面Wa被DIW的液膜覆盖而被漂洗处理。
在步骤S4中，第1喷嘴移动机构62在上述DIW的供给停止后，使第1喷嘴61从与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的供给位置向不与支承部40上的基板W的被处理面Wa对置的待机位置移动。此外，第2喷嘴移动机构72在上述DIW的供给停止后，使第2喷嘴71从不与支承部40上的基板W的被处理面Wa对置的待机位置向与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的供给位置移动。
在步骤S5中，溶媒供给部70在上述第1喷嘴61及第2喷嘴71的移动完成后，将IPA(挥发性溶媒的一例)从第2喷嘴71向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给规定时间，在经过规定时间后将IPA的供给停止。该IPA的供给在DIW干燥之前进行。IPA被从第2喷嘴71向旋转的支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心供给，通过由基板W的旋转带来的离心力，扩展到基板W的被处理面Wa的整体上。由此，基板W的被处理面Wa上的DIW被IPA置换，在该被处理面Wa上形成IPA的液膜。
另外，如果IPA的供给被停止，则基板W的被处理面Wa上的IPA通过由基板W的旋转带来的离心力而从被处理面Wa上流下，液膜的厚度逐渐变薄。但是，液膜被维持在基板W的被处理面Wa上以使其厚度不为规定值以下，直到加热部80向支承部40上的基板W的被处理面Wa照射光而开始将基板W加热的加热开始定时。即，在各液处理之间直到加热处理工序，基板W的被处理面Wa被液膜覆盖。如果在加热处理工序前基板W的被处理面Wa自然干燥，则被处理面Wa上的干燥变得不均匀，发生水痕等的干燥不良。因此，在各液处理之间直到加热处理工序，基板W的被处理面Wa被浸润，抑制了干燥不良的发生。
在步骤S6中，第2喷嘴移动机构72在上述IPA的供给停止后，使第2喷嘴71从与支承部40上的基板W的被处理面Wa的中心对置的供给位置向不与支承部40上的基板W的被处理面Wa对置的待机位置移动。由此，在后述的步骤S7中，防止第2喷嘴移动机构72的可动臂72a及第2喷嘴71将由光学部件90引导到支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上的光遮挡，能够将支承部40上的基板W的被处理面Wa均匀地加热。但是，由于光会绕过物体，所以根据可动臂72a的粗细及第2喷嘴71的粗细、或照射的光量等，可以将步骤S6的工序省略。此外，通过使可动臂72a的材质为不吸收光的材质，还能够将步骤S6的工序省略。
在步骤S7中，加热部80在上述第2喷嘴71的移动完成后，将各灯81点亮，将旋转的支承部40上的基板W加热规定时间，在经过规定时间后将各灯81灭掉。由加热部80射出的光被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上，该支承部40上的基板W被加热。由此，基板W的被处理面Wa瞬间地干燥。另外，由加热部80的照射进行的加热在第2喷嘴71的移动完成后开始，但并不限于此，例如也可以从IPA的供给停止或IPA的供给中开始加热。
这里，由上述加热部80射出的光虽然稍稍扩散，但照在光学部件90上。由光学部件90反射后的光比从加热部80射出的光进一步扩散。这是因为光学部件90弯曲。从光学部件90扩散的光的范围被调整为能够将支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体加热的范围。另外，只要能够将光引导到基板W的被处理面Wa的整体上，光学部件90不需要弯曲。
在步骤S8中，旋转机构50在上述各灯81的灭掉后，将基板W的旋转停止。然后，将已处理的基板W从支承部40上取出并输送。此时，处理室20的开闭器22打开，第2输送机器人14的一部分(手或臂等)从处理室20的开口侵入到内部中，从支承部40上将已处理的基板W取出。
根据这样的基板处理工序，在上述步骤7中，从加热部80射出的光被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上，将支承部40上的基板W加热。由此，液体从基板W的被处理面Wa上的图案的周围气化，所以基板W的被处理面Wa瞬间地干燥。此时，加热部80仅将基板W瞬间地加热，以使被供给了液体的基板W的被处理面Wa产生气层而使液体液珠化(生成液体的液珠)。如果基板W被加热部80瞬间地加热，则接触在基板W的被处理面Wa上的图案上的液体比其他部分的液体更早地开始气化。由此，在基板W的被处理面Wa上的图案的周围，通过液体的气化而如薄膜那样生成气体的层、即气层。因此，相邻的图案间的液体被气层从图案间挤出，干燥进展。
因而，通过如上述那样将基板W瞬间地加热，接触在基板W的被处理面Wa上的图案上的液体瞬间地气化，该被处理面Wa上的其他部分的液体直接液珠化(液珠化现象)。被处理面Wa上的各液珠在由基板W的旋转带来的离心力下从基板W上飞走，基板W迅速地干燥。这样，能够抑制液体残留在一部分的图案间，基板W的被处理面Wa上的液体的干燥速度变得均匀，所以能够抑制由于残留的液体带来的破坏力(例如表面张力等)而图案破坏。
另外，加热部80至少能够将基板W的被处理面Wa非接触地迅速(例如从几秒到十几秒的范围内)加热到莱顿弗罗斯特(Leidenfrost)温度(莱顿弗罗斯特现象，即发生液珠化现象的温度)以上。由此，加热部80将支承部40上的基板W迅速加热到莱顿弗罗斯特温度以上，能够使基板W的被处理面Wa上的处理液液珠化。另外，为了可靠地使基板W的被处理面Wa上的处理液液珠化，优选的是不将挥发性溶媒(例如IPA)加热而仅将基板W加热。因此，优选的是使用射出不被挥发性溶媒吸收的光的加热部80。
另一方面，在不使用加热部80而进行干燥的情况下，在液体干燥的过程中在液体的干燥速度中发生不均匀，液体残留在一部分的图案之间，通过由该部分的液体带来的破坏力(表面张力)而图案破坏。例如，图案的一个的宽度是20nm，其高度是200nm(高度相对于宽度是10倍)。这样，图案是微细的图案，进入到该图案之间的间隙中的液体难以干燥。因此，在其他部分干燥后，也在一部分的图案之间残留液体，有由于该液体带来的破坏力而图案破坏的情况。
此外，在上述基板处理部15中，加热部80及光学部件90避开支承部40的上方而设置，不会位于支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方。即，由于加热部80位于处理室20外，所以防止在处理室20内的处理中处理液的雾或微粒附着到加热部80的表面上。因此，不会有由于附着在加热部80的表面上的附着物落下而支承部40上的基板W的被处理面Wa被污染的情况，所以能够抑制基板W的污染。进而，由于加热部80处于处理室20外，所以能够容易地进行对于加热部80的维护作业。
此外，由于加热部80位于处理室20外，所以每当由该加热部80进行的加热处理时处理室20内的温度上升，抑制了该处理室20内成为高温状态，所以不再有等待处理室20内的温度下降而将未处理的基板W运入的情况。另外，如果在处理室20内为高温状态下进行处理，则被供给到基板W的被处理面Wa上的液体不均匀地干燥，所以有发生干燥不匀等的干燥不良的情况。
此外，由于光学部件90不会位于支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方，所以即使处理液的雾或微粒附着在处理室20中的光学部件90的表面上、该处理液的雾或微粒等的附着物在某个时候从光学部件90的表面落下，也防止其附着在支承部40上的基板W的被处理面Wa上。由此，能够抑制基板W的污染。
进而，由于加热部80及光学部件90不会位于支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方，所以从过滤器21朝向基板W的被处理面Wa的清洁的空气不会被加热部80或光学部件90妨碍，而被向基板W的被处理面Wa充分地供给。由此，容易从基板W的被处理面Wa及其周围将微粒除去，能够抑制基板W的污染。
此外，通过使用光学部件90，能够由光学部件90将从加热部80射出的光引导到支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体，所以可以将加热部80避开支承部40的上方而设置在例如处理室20外。因而，能够使加热部80的设置自由度提高。进而，通过使用光学部件90，也能够避免将长方体形状的加热部80倾斜设置那样的情况，能够抑制装置的大型化。
如以上说明，根据第1实施方式，加热部80避开支承部40的上方、即设在处理室20之外，将由加热部80射出的光向支承部40上的基板W的被处理面Wa引导的光学部件90相对于支承部40设在加热部80的相反侧。由此，在处理室20内的处理中不会有处理液的雾或微粒附着到加热部80的表面上的情况。即，由于加热部80不位于支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方，所以不会有由于附着在加热部80的表面上的附着物落下而将支承部40上的基板W的被处理面Wa污染的情况，能够抑制基板W的污染。进而，从过滤器21朝向基板W的被处理面Wa的清洁的空气不会被加热部80妨碍，从而被向基板W的被处理面Wa充分地供给。由此，容易从基板W的被处理面Wa及其周围将微粒除去，能够抑制基板W的污染。
此外，光学部件90也避开支承部40的上方而设在处理室20内。由此，光学部件90不位于支承部40上的基板W的被处理面Wa的上方，所以即使处理液的雾或微粒附着在处理室20内的光学部件90的表面上，该附着物在某个时候落下，也不会附着到支承部40上的基板W的被处理面Wa上，能够抑制基板W的污染。进而，从过滤器21朝向基板W的被处理面Wa的清洁的空气不会被光学部件90妨碍，被向基板W的被处理面Wa充分地供给。由此，更容易从基板W的被处理面Wa及其周围将微粒除去，能够可靠地抑制基板W的污染。
<第2实施方式>
参照图4及图5对第2实施方式进行说明。另外，在第2实施方式中，对与第1实施方式的不同点(相邻的两个基板处理部共用加热部)进行说明，省略其他的说明。
如图4及图5所示，在有关第2实施方式的基板处理装置10中，相邻的两个基板处理部15共用一个加热部80。一个加热部80设在相邻的两个基板处理部15之间。
如图5所示，一个加热部80被相邻的两个处理室20的各个处理室的透过部20a夹着。即，相邻的两个处理室20的各透过部20a以夹着加热部80的方式形成在各个处理室20中。加热部80经由各透过部20a朝向相邻的两个处理室20内的各光学部件90照射光。由该加热部80照射的光在相邻的两个处理室20的各自中被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上，将该支承部40上的基板W加热。
在各处理室20上分别设有光阻断部件23。该光阻断部件23形成为能够通过移动机构(未图示)而在上下方向上移动，作为开闭器发挥功能。例如，光阻断部件23能够在对置于加热部80而将从加热部80射出的光遮挡的光阻断位置、和不对置于加热部80而不将从加热部80射出的光遮挡的待机位置之间往复移动。另外，在图5中，光阻断部件23处于待机位置。
作为光阻断部件23，例如可以使用阻断板或反射板。在使用反射板的情况下，反射板在光阻断位置将光向加热部80侧反射。因此，光阻断部件23作为将从各灯81照射的光反射的反射器发挥功能，将从各灯81出来的光向进行加热处理的处理室20侧反射而引导。
作为光阻断部件23的移动机构，例如可以使用线性马达式的移动机构或进给丝杠式的移动机构等各种移动机构。光阻断部件23的移动机构电气地连接在控制单元16b上，其驱动受控制单元16b控制。
这里，在相邻的两个处理室20中，在同时进行通过加热部80的加热处理的情况下，两方的光阻断部件23移动到待机位置。但是，有不同时进行通过加热部80的加热处理的情况。此时，一方的光阻断部件23、即不进行通过加热部80的加热处理的处理室20内的光阻断部件23移动到光阻断位置。这样的光阻断部件23的移动被控制单元16b控制。
如以上说明，根据第2实施方式，能够得到与第1实施方式同样的效果。此外，通过在相邻的两个处理室20中共用一个加热部80，能够使装置结构简略化。进而，通过设置光阻断部件23，即使是在相邻的两个处理室20中不同时进行加热处理的情况，也能够共用一个加热部80。
另外，在第2实施方式中，由相邻的两个处理室20共用一个加热部80，但并不限于此，例如也可以由三个以上的处理室20共用一个加热部80。在此情况下，根据需要可以再配置反射板或棱镜等的光学部件。
<第3实施方式>
参照图6对第3实施方式进行说明。另外，在第3实施方式中，对与第1实施方式的不同点(光学部件移动机构)进行说明，省略其他的说明。
如图6所示，在第3实施方式中，设有光学部件移动机构92。该光学部件移动机构92是上下移动机构(升降机构)，保持支承部件91的一端、即保持支承部件91的与光学部件90相反侧的一端，使光学部件90在上下方向上移动。由此，在支承部40上的基板W的被处理面Wa中，能够使被光学部件90照射的照射区域移动。作为上述上下移动机构，例如可以使用线性马达式的移动机构或进给丝杠式的移动机构等各种移动机构。光学部件移动机构92电气地连接在控制单元16b(参照图2)上，其驱动被控制单元16b控制。
另外，有关第3实施方式的光学部件90的尺寸比有关第1实施方式的光学部件90的尺寸小。即，有关第1实施方式的光学部件90将由加热部80射出的光引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上，但有关第3实施方式的光学部件90将由加热部80射出的光引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的一部分上。此外，有关第3实施方式的光学部件90与有关第1实施方式的光学部件90同样，其形状是圆形或长方形、正方形等的形状，此外具有弯曲部。
在这样的结构中，在由加热部80进行的加热处理中(参照图3中的步骤S7)，光学部件移动机构92使光学部件90在上下方向上移动。由加热部80射出的光被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的一部分上，该被处理面Wa上的照射区域通过光学部件90的上下方向的移动而在支承部40上的基板W的被处理面Wa的直径方向上从端到端移动。此时，基板W旋转，在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上被照射光，支承部40上的基板W被加热。另外，光学部件移动机构92使光学部件90移动，以在支承部40上的基板W的被处理面Wa的直径方向上将光从端到端(或从端到中心)照射。
如以上说明，根据第3实施方式，能够得到与第1实施方式同样的效果。此外，在使光学部件90小型化的情况下，通过设置光学部件移动机构92，光学部件90通过光学部件移动机构92而移动，也能够向支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体照射光，光所以能够实现光学部件90的小型化。
另外，在第3实施方式中，使光学部件90在上下方向上移动，但并不限于此，例如也可以使其在前后方向或左右方向上移动，或使其旋转或偏心旋转而移动。在旋转或偏心旋转中，在光学部件90的旋转方向与支承部40上的基板W的旋转方向相同的情况下，需要使它们的转速产生差别。此外，也可以使光学部件90的旋转方向与支承部40上的基板W的旋转方向相反。
另一方面，在上述上下方向的移动中，使由光学部件移动机构92带来的光学部件90的移动范围变大，例如在不进行通过加热部80的加热处理的情况下，也可以使光学部件90移动而使其在比支承部40上的基板W的被处理面Wa低的位置待机。在此情况下，由于在加热处理以外的处理中、例如药液处理中，能够抑制药液的雾附着到光学部件90上，所以能够抑制光学部件90的污染。
<第4实施方式>
参照图7对第4实施方式进行说明。另外，在第4实施方式中，对与第3实施方式的不同点(光学部件移动机构)进行说明，省略其他的说明。
如图7所示，在第4实施方式中，设有光学部件移动机构93。该光学部件移动机构93是摆头机构，设在支承部件91的一端、即设在支承部件91的光学部件90侧的一端上。该光学部件移动机构93保持着光学部件90，进行振动，以使光学部件90(光学部件90的尺寸及形状与第3实施方式相同)以保持点为旋转中心旋转。由此，在支承部40上的基板W的被处理面Wa中，能够使被光学部件90照射的照射区域移动。上述的摆头机构例如具有能够改变旋转方向的马达(未图示)，通过该马达的旋转而使光学部件90振动。光学部件移动机构93电气地连接在控制单元16b(参照图2)上，其驱动被控制单元16b控制。
在这样的结构中，在由加热部80进行的加热处理中(参照图3中的步骤S7)，光学部件移动机构93使光学部件90振动。由加热部80射出的光被光学部件90引导而照在支承部40上的基板W的被处理面Wa的一部分上，该被处理面Wa上的照射区域通过光学部件90的摆动而在支承部40上的基板W的被处理面Wa的直径方向上从端到端移动。此时，基板W旋转，在支承部40上的基板W的被处理面Wa的整体上被照射光，支承部40上的基板W被加热。另外，光学部件移动机构93使光学部件90移动，以使其在支承部40上的基板W的被处理面Wa的直径方向上从端到端(或从端到中心)照射光。
如以上说明，根据第4实施方式，能够得到与第1实施方式同样的效果，进而能够得到与第3实施方式同样的效果。
另外，在第4实施方式中，将光学部件90振动，但并不限于此，与第3实施方式同样，例如也可以使其在前后方向或左右方向上移动，或使其旋转或偏心旋转而移动。
<第5实施方式>
参照图8对第5实施方式进行说明。另外，在第5实施方式中，对与第1实施方式的不同点(清扫部)进行说明，省略其他的说明。
如图8所示，在第5实施方式中，设有清扫部94。该清扫部94例如设在光学部件90的上端部，使流体沿着光学部件90的表面流动，将光学部件90清扫。作为流体，可以使用液体(例如DIW)或气体(例如惰性气体)。清扫部94电气地连接在控制单元16b(参照图2)上，其驱动被控制单元16b控制。另外，清扫部94连接在供给流体的流体供给部(未图示)上。
在这样的结构中，在基板处理以外的待机期间中或维护期间中等，清扫部94吐出流体以使流体沿着光学部件90的表面流动。被吐出的流体沿着光学部件90的表面流动，将附着在光学部件90的表面上的附着物除去。该附着物例如是在处理室20内的处理中处理液的雾或微粒附着在光学部件90的表面上的物质。
如以上说明，根据第5实施方式，能够得到与第1实施方式同样的效果。此外，通过设置清扫部94，由于将附着在光学部件90的表面上的附着物除去，所以能够抑制光学部件90的污染。
另外，在第5实施方式中，将清扫部94设在光学部件90的上端部，但并不限于此，清扫部94的设置位置只要是能够清扫光学部件90的位置就可以。或者，也可以使光学部件90移动到规定的清扫位置(待机位置)，在该清扫位置进行光学部件90的清扫。
此外，使流体沿着光学部件90的表面流动，但并不限于此，也可以对光学部件90的表面喷吹流体。或者，也可以不是流体，而用接触部件(例如布或海绵)擦拭光学部件90的表面。另外，也可以在将光学部件90的表面用液体清洁后，对该光学部件90的表面喷吹气体而使其干燥，或从加热部80向光学部件90的表面照射光而使其干燥。
<第6实施方式>
参照图9对第6实施方式进行说明。另外，在第6实施方式中，对与第1实施方式的不同点(光量抑制部件)进行说明，省略其他的说明。
如图9所示，在第6实施方式中，设有光量抑制部件21a。该光量抑制部件21a在处理室20的上表面(顶棚)上设在不阻碍通过了过滤器21的空气的加热部80侧的位置处，抑制由加热部80射出的光向过滤器21入射的光量。作为光量抑制部件21a，例如可以使用光不透过的板或网状的板等，金属制或树脂制的板，也可以使用将光完全阻断的板而使向过滤器21入射的光量成为0(零)。
在这样的结构中，在通过加热部80的加热处理中(参照图3中的步骤S7)，由加热部80射出而朝向过滤器21的光的一部分或全部被光量抑制部件21a遮挡，向过滤器21入射的光量被抑制。由此，抑制了过滤器21被光加热而劣化或损伤，所以能够维持过滤器21的性能，能够将过滤器21的更换时期延后。
(光量抑制部件的变形例)
接着，参照图10对作为上述光量抑制部件21a的变形例的光量抑制部件21b进行说明。
图10所示，光量抑制部件21b设在过滤器21的下表面(过滤器21的处理室20侧的面：参照图9)上，以将该下表面整体覆盖。该光量抑制部件21b能够使空气通过，例如由网状的板或具有多个孔的板形成。因此，通过了过滤器21的空气能够通过光量抑制部件21b。
在这样的结构中，在由加热部80进行的加热处理中(参照图3中的步骤S7)，由加热部80射出并朝向过滤器21的光的一部分被光量抑制部件21a遮挡，向过滤器21入射的光量被抑制。由此，抑制了过滤器21被光加热而劣化或损伤的情况，所以能够维持过滤器21的性能，能够将过滤器21的更换时期延后。
如以上说明，根据第6实施方式，能够得到与第1实施方式同样的效果。此外，通过设置光量抑制部件21a或21b，能抑制向过滤器21入射的光量，所以抑制了过滤器21被光加热而劣化或损伤的情况。由此，能够维持过滤器21的性能，能够延长过滤器21的寿命。
<其他实施方式>
在上述各实施方式中，例示了将加热部80设在处理室20外的形态，但并不限于此，例如也可以将加热部80避开处理室20内的支承部40的上方地设在处理室20内。在此情况下，也可以设置将加热部80清洁的清洁部。此外，还可以设置使加热部80移动的移动机构。例如，在没有进行通过加热部80的加热处理的情况下，也能够使加热部80移动而在比支承部40上的基板W的被处理面Wa低的位置待机。
此外，在上述各实施方式中，例示了将加热部80设在处理室20外、处理室20的侧面(外侧面)上，但并不限于此，例如也可以设在处理室20外、处理室20的底面上。在此情况下，还配置反射板及棱镜等的光学部件，将来自加热部80的光向处理室20内的光学部件90引导。另外，在将加热部80设在处理室20的外侧面的下侧的情况下，也可以还配置反射板或棱镜等的光学部件。
此外，在上述各实施方式中，例示了将光学部件90避开处理室20内的支承部40的上方而设在处理室20内的形态，但并不限于此，例如也可以将光学部件90设在处理室20外，在处理室20中设置光学部件90用的透过部。在此情况下，由于能够在处理室20内的处理中防止处理液的雾或微粒附着到光学部件90上，所以能够可靠地抑制光学部件90的污染。
此外，在上述各实施方式中，在干燥处理工序中使用加热部80，但并不限于此，在作为药液而使用硫酸或磷酸等的药液处理工序中，为了将供给到支承部40上的基板W的被处理面Wa上的硫酸或磷酸加热到例如150℃以上的高温，也可以使用加热部80。在此情况下，在处理液将光吸收的情况下，处理液自身也被光加热。
以上，说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，不是要限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围中能够进行各种各样的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理室，空气从上方向下方流动；
支承部，设在上述处理室内，支承具有被处理面的基板；
加热部，避开上述支承部的上方而设置，射出加热用的光；以及
光学部件，避开上述支承部的上方而设在上述处理室内，将由上述加热部射出并通过了上述支承部的上方的上述光向被上述支承部支承的上述基板的被处理面引导。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备使上述光学部件移动的光学部件移动机构。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备将上述光学部件清扫的清扫部。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热部设在上述处理室外。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热部设在上述处理室的侧面。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备：
过滤器，设置于上述处理室的上表面，用来将清洁空气取入到上述处理室内；以及
光量抑制部件，抑制由上述加热部射出的上述光入射到上述过滤器中的光量。
7.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理室设有多个；
上述加热部被上述多个处理室共用。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备多个光阻断部件，该多个光阻断部件分别设置于上述多个处理室，形成为能够移动到将上述加热部射出并向上述光学部件前进的上述光遮挡的位置。
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