JP7073691B2 - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に処理液を供給するための液処理装置及び液処理方法に関する。
半導体製造工程の中には、基板に対して処理液をノズルから供給して液処理する工程があり、例えばレジストパターン形成システムにおけるレジスト液や反射防止膜形成用の処理液の塗布、あるいは絶縁膜形成用の処理液の塗布などが挙げられる。このような塗布膜の形成は、処理液をノズルから基板に吐出させて、基板の回転により塗布膜を形成するスピンコーティングが用いられている。このような液処理装置においては、ノズルアームの先端のノズルまで処理液供給路を引き回し、処理液供給路を介して処理液供給源に貯留されている処理液をノズルに供給するように構成し、処理液供給路に介設されたポンプやバルブにより処理液の給断を行うように構成している。
一方、デザインルールの微細化が進んでいることから、基板に付着するパーティクルの許容サイズが厳しくなっており、処理液供給路にて発生するパーティクルの低減が重要な課題になってきている。処理液供給路の主な発塵源はバルブやポンプでありであり、特にディスペンスバルブなどと呼ばれている、処理液の供給停止を行う吐出バルブの発塵が多い問題がある。またノズルアーム付近の部品の数が増えることから構成が複雑になる問題がある。
このような問題に対して、特許文献1、2には、レジスト液貯留部に貯留されたレジスト液をシリンジ式のノズルにより吸引し、基板に供給する装置が記載されている。しかしながらレジスト液をレジスト液貯留部に進入させる必要があるためレジスト液貯留部の上方が開放されており、液処理装置内におけるミストの飛散や、貯留されたレジスト液の品質の劣化などの問題がある。
特許第4227171号公報 特許第4328658号公報
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、ノズルから処理液を基板に供給して液処理を行うにあたって、処理液の供給に伴い配管に設けられる部品点数を抑え、さらに処理液の品質の劣化及び周囲への飛散を抑制する技術を提供することにある。
本発明の液処理装置は、 基板に対して処理液により液処理を行う装置において、
処理液を貯留し、上面に処理液の取り出し口が設けられた処理液タンクと、
処理液の吸い上げ及び吐出の機能を備えたノズルと、
前記ノズルを、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置との間で移動させるノズル移動機構と、
前記取り出し口を開閉する開閉機構と、
前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構と、を備え
前記処理液タンクは、処理液タンクの中心から外れた上面の位置に第1の開口部が形成されているタンク本体と、前記タンク本体の上面側に設けられ、前記第1の開口部と重なったときに当該第1の開口部と共に前記取り出し口を構成する第2の開口部が形成された蓋部と、を備え、
前記開閉機構は、前記蓋部を固定する機構と、前記第1の開口部及び第2の開口部が互に重なる位置と重ならない位置との間で前記タンク本体を回転させる機構と、を備えたことを特徴とする。
本発明の液処理方法は、前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を備えた上述の液処理装置を用い、前記ノズルを、前記取り出し口に挿入し、当該ノズルにより処理液タンク内の処理液を吸い上げる吸引工程と、
次いで前記ノズルから基板に処理液を供給する吐出工程と、
前記補充用貯留部に貯留された処理液を前記流路を介して、前記処理液タンクに補充する補充工程と、
前記処理液を前記ポンプ部により循環路内を循環させる循環工程と、を含み、
前記循環工程は、前記吸引工程、吐出工程及び補充工程の内の少なくとも一つの実行時に重複するように実行されることを特徴とする。
本発明は、ノズルが処理液タンクから処理液を直接吸引して基板に吐出するようにしている。そのためノズルに接続される配管系を短く抑えると共に配管に設けられる部品点数を抑えることができる。そして処理液タンクの上面に開閉自在に構成された処理液の取り出し口を設け、前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構を設けている。そのため処理液の品質の劣化及び周囲への飛散を抑制することができる。
また本発明は、さらに前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を設けることで処理液を循環させる循環工程を行うことで処理液中の成分の析出を抑制することができる。さらにノズルに処理液を吸引し、ノズルから処理液を吐出する吸引吐出工程と、補充用貯留部の圧力を高めて補充用貯留部から処理液タンクに処理液を補充する補充工程と、を処理液を循環させる動作と、同時に実行することができる。従って処理液中の成分の析出をより確実に抑制することができる。
液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムの斜視図である。 液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムの平面図である。 前記液処理装置を示す斜視図である。 前記液処理装置に設けられるノズルユニットを示す斜視図である。 前記ノズルユニットに設けられるレジスト液ノズルを示す縦断面図である。 前記レジスト液ノズルを示す縦断面図である。 前記液処理装置に設けられるレジスト液貯留部の分解斜視図である。 前記液処理装置に設けられるレジスト液貯留部の縦断面図である。 前記レジスト液貯留部の開口部の開閉を説明する説明図である。 前記レジスト液貯留部の開口部の開閉を説明する説明図である。 前記レジスト液貯留部を含むレジスト液供給系を示す説明図である。 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す斜視図である。 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す縦断面図である。 前記レジスト液貯留部の本体部を回転させる回転機構を示す平面図である。 洗浄液貯留部及び乾燥タンクを示す縦断面図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液貯留部へのレジスト液ノズルの進入動作を示す説明図である。 レジスト液ノズルを保持するノズル保持部の他の例を示す説明図である。 レジスト液ノズルを保持するノズル保持部のさらに他の例を示す説明図である。 塗布、現像装置に設けられる処理液供給系を示す説明図である。 本体部を加熱する加熱部の他の例を示す斜視図である。 開閉機構の他の例を示す説明図である。 開閉機構の他の例を示す説明図である。 開閉機構の他の例を示す説明図である。 開閉機構の他の例を示す説明図である。 ノズルユニットの他の例を示す説明図である。
本発明の実施の形態に係る液処理装置を備えた塗布、現像装置及び露光装置を含む基板処理システムについて図1及び図2を参照しながら説明する。このシステムは、キャリアブロックS1と、処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックS3には、更に露光ステーションS4が接続されている。
キャリアブロックS1は、同一のロットの円形の基板である半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wを複数枚含むキャリアCを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置台11と、開閉部12と、開閉部12を介してキャリアCからウエハWを搬送するための搬送機構13とを備えている。
処理ブロックS2はウエハWに液処理を行うための第1~第6の単位ブロックB1~B6が下から順に積層されて構成され、各単位ブロックB1~B6は、概ね同じ構成である。図1において各単位ブロックB1~B6に付したアルファベット文字は、処理種別を表示しており、COTはレジスト膜形成処理、DEVは現像処理を表している。この例では、4層のレジスト膜形成処理を行う層COTが積層され、さらに2層の現像処理を行う層DEVが積層されている。
図2は、代表して第3の単位ブロックB3を示す平面図である。単位ブロックB3には、キャリアブロックS1からインターフェイスブロックS3へ向かう直線状の搬送領域R3を移動するメインアームA3と、液処理装置であるレジスト塗布モジュール10と、ウエハWを加熱、冷却するための熱系モジュールを積層した棚ユニットU1~U6とを備えている。
搬送領域R3のキャリアブロックS1側には、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている棚ユニットU7が設けられている。搬送機構13とメインアームA3との間のウエハWの受け渡しは、棚ユニットU7のモジュールと受け渡しアーム30とを介して行なわれる。
インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2と露光ステーションS4との間でウエハWの受け渡しを行うためのものであり複数のモジュールが互いに積層された棚ユニットU8、U9、U10を備えている。図2中の3A、3Bは、棚ユニットU8、U9、U10の間でウエハWの受け渡しを行うための搬送アームであり、3Cは、インターフェイスブロックS3と、露光ステーションS4との間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームである。
この基板処理システムでは、キャリアCにより搬送されたウエハWは受け渡しアーム30により、処理ブロックS2に搬送され、レジスト膜形成処理COTを行う単位ブロックB1(B2~B4)に搬送され、インターフェイスブロックS3を介して露光ステーションS4へと搬送され露光処理が行われる。露光後のウエハWはインターフェイスブロックS3を介して現像処理DEVを行う単位ブロックB5(B6)へと搬送されて現像処理が行われ、棚ユニットU7、受け渡しアーム30を介してキャリアブロックS1のキャリアCへと戻される。
レジスト塗布モジュール10について、図3も参照して説明する。処理液であるレジスト液をウエハWに供給する液処理装置であるレジスト塗布モジュール10は、図2に示すように例えば一列に横並びに配列されたカップモジュール1と、複数のカップモジュール1に共通化され、カップモジュール1の並ぶ方向に移動自在に設けられたノズルが設けられたノズルユニット5を備えている。
カップモジュール1は、図3に示すようにウエハWの裏面中央部を吸着して水平に保持して鉛直軸周りに回転させるスピンチャック11を備えている。スピンチャック21の周囲にはスピンチャック21上のウエハWを囲むようにして、上方側に開口部を備えたカップ体(詳しくはカップ組立体)22が設けられている。カップ体22はウエハWから振り切られた溶剤を受け止め、排出すると共に、下部の排気路から排気してミストが処理雰囲気に飛散しないように構成されている。
ノズルユニット5は、図3に示すように水平方向に進退自在に構成されたアーム55、移動体53、昇降機構56及び基台100上に設けられたガイドレール54を含む移動機構により、昇降自在、移動自在に構成されている。
図4に示すようにノズルユニット5は、シンナーノズル57と、レジスト液ノズル6とを備えている。シンナーノズル57は、ノズルユニット5の先端部下面に設けられ、下方に向けてシンナーを吐出するように構成されている。シンナーノズル57の基端側は、ノズルユニット5内に形成されたシンナー供給路58の一端に接続されており、シンナー供給路58の他端側は、例えば流量調整部M58及びバルブV58を介して、シンナー供給源59に接続されている。
またレジスト液ノズル6は、ノズルユニット5の先端部下面に設けられたノズル保持部7を介して着脱自在に設けられている。レジスト液ノズル6は、ノズルユニット5の先端側にシンナーノズル57と並んでも配置されている。図4、図5に示すようにレジスト液ノズル6は筒状のノズル部60と、ノズル部60の周囲を囲むように設けられたベローズ(ベローズ体)61とを備えている。ノズル部6は、下方側(先端側)が吐出吸引口62となっていると共に、上端側(基端側)が、ノズル保持部7に保持される保持端63になっている。ベローズ61は、上下方向に伸縮するように構成され、上端部の内面が、ノズル部60の保持端63の下方側に固定され、下端部は、ノズル部60の断面よりも広く開口し、ノズル部60の先端よりも下方に位置する自由端になっている。従って図6に示すようにベローズ61を縮ませたときに、ベローズ61の下端は、ノズル部60に接触せずにノズル部60に沿って上昇するように構成されている。またベローズ61の下端はリング状の突起部64となっており、突起部64は、後述するレジスト液貯留部4、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91の各々の蓋部41の孔部46の周囲に形成された段部48に係止されるように構成されている。
続いてノズル保持部7について説明する。ノズル保持部7は、例えば公知の絞り機構により開口径を縮小拡大できるように構成され、内部にノズル部60の保持端63を挿入し、絞り機構により開口径を狭めることにより挿入されたレジスト液ノズル6の保持端63が保持される。これによりノズル保持部7の中心軸と、レジスト液ノズル6の中心軸とが揃うように固定される。また絞り機構により開口径を広げることでノズルユニット5からレジスト液ノズル6が取り外される。
また図4に戻ってノズルユニット5には、ガス流路65が形成されており、ガス流路86の一端側がノズル保持部7により保持されるレジスト液ノズル6の基端に接続されるように構成されている。ガス流路65の他端側は、2本に分岐しており、一方の端部からガスを吸引する吸引部66が接続されていると共に、他方の端部には、例えば窒素ガスを注入するガス供給部67が接続されている。なお図4中のV66及びV67はバルブである。そしてノズルユニット5にてレジスト液ノズル6を保持し、レジスト液ノズル6におけるノズル部60の先端をレジスト液に浸して、吸引部66により吸引することにより、レジスト液ノズル6の先端から所定量のレジスト液が吸引される。また吸引部66は、吸引流量を調整する流量調整部を備えており、レジスト液ノズル6内に吸引するレジスト液の量を調整できるように構成されている。さらにレジスト液を吸引した後、ガス供給部67によりガスを供給することで、レジスト液ノズル6の先端からレジストと液が吐出される。
また図3に示すように基台100上にはレジスト液ノズル6が載置されているノズルホルダー8が設けられている。ノズルホルダー8は、箱状に形成され、上面に各レジスト液ノズル6に対応する複数の孔部81が一列に並んで形成されている。レジスト液ノズル6は、例えば処理を行う種別により容量や材質などが異なる複数種のレジスト液ノズル6が配置されている。これらレジスト液ノズル6は、各々先端の吐出吸引口62を下方に向けた姿勢で各孔部81に挿入された状態で保持されている。ノズルホルダー8においては、ノズルユニット5のノズル保持部7によりノズルホルダー8に載置されたレジスト液ノズル6の保持端63を保持し、ノズルユニット5を上昇させることにより、ノズルホルダー8に載置されたレジスト液ノズル6の内、ノズルユニット5に保持されたレジスト液ノズル6が引き抜かれる。
また図3に示すように基台100上にはレジスト液貯留部4(レジスト液タンク)が設けられている。レジスト液貯留部4は、図7、図8に示すように本体部40と、蓋部41とを備ええている。本体部40は、円筒形状の部材で構成され、天板部における中心部から外れた位置に第1の開口部である円形の開口部42が形成されている。また本体部40はその底面が、すり鉢状に構成されており、底面部の中心部には、排液管43が接続されている。排液管43は、本体部40を回転させたときに本体部40が排液管43に対して独立して鉛直軸周りに回転できるように構成されたコネクタ44を介して接続されている。また本体部40の周囲には、例えば加熱部であるリボンヒータ49が設けられ、本体部40が所定の温度に加熱されるように構成されている。
さらに本体部40には、後述するレジスト液供給管401の下流側端部が天板部を貫通するように接続されている。また天板部には、本体部40内に洗浄液を供給する洗浄液供給管23、本体部40内に例えば乾燥空気を導入し、本体部40内の圧力を高め洗浄液を前記排液管43から排液し、本体部40内を乾燥させるためのガス供給管24が天板部を貫通するように接続されている。また本体部40に貯留されたレジスト液に含まれる溶剤の揮発を抑制するために本体部40内に溶剤雰囲気を供給する溶剤雰囲気供給管25が天板部を貫通するように接続されている。レジスト液供給管401、洗浄液供給管23、ガス供給管24及び溶剤雰囲気供給管25は、本体部40の中心軸Cを中心とした同じ円周上に並んで配置されている。
本体部40の上部には、蓋部41が設けられる。蓋部41は、下面が開口した扁平な円筒形状に構成され、本体部40の上部を覆い、本体部40の回転を妨げないようにごくわずかな隙間を介して配置される。蓋部41には、本体部40の開口部42と対応する位置に第2の開口部である円形の孔部46が形成され、本体部40を鉛直軸周りに回転させ、図9に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が互いにずらしたがいに重ならない位置とすることで、開口部42の上方が塞がれる。また図10に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置を揃い互いに重なる位置となるように回転させることで、本体部40の開口部42と、蓋部41の孔部46とが連通して、レジスト液貯留部4の取り出し口が開口する。
また蓋部41には、本体部40を回転させて、本体部40の開口部42が開口する位置と、本体部40の開口部42が塞がれる位置との間で切り替えたときに、レジスト液供給管401、洗浄液供給管23、ガス供給管24及び溶剤雰囲気供給管25が移動する移動路に沿って形成され、本体部40の回転を妨げないように円弧状の溝部47が形成されている。また蓋部41における孔部46の周囲には、リング状の段部48が設けられている。そして既述のレジスト液ノズル6に設けられたベローズ61の先端の突起部64を段部48に係止することにより、ベローズ61の位置ずれを防ぎベローズ61の下方側における隙間の形成を抑制すると共に、ベローズ61の下降が規制されるように構成されている。ベローズ61及びベローズ61を下降させる昇降機構、さらに蓋部41に形成され、ベローズ61の突起部64が係止される段部48は遮断機構を構成する。
続いてレジスト液貯留部4にレジスト液を供給するレジスト供給系について説明する。レジスト供給系400Aは、図11に示すように補充用貯留部であるメインタンク410からレジスト液貯留部4にレジスト液を供給する処理液供給路の一部を構成するレジスト液供給管401を備え、レジスト液供給管401には、レジスト液をろ過して異物を除去するためのフィルタ402及びチューブバルブ403が上流側からこの順に設けられている。
またフィルタ402の二次側であってチューブバルブ403の一次側の部位からは戻り流路をなす戻り管路404が分岐され、この戻り管路404はフィルタ402の一次側に接続されている。戻り管路404の途中には、例えばベアリングレスポンプなどのポンプ405が介設されている。メインタンク410の上部には、不活性ガス例えば図示しない窒素(N)ガスの供給源と接続された気体供給管路407が設けられている。なお図11中のV401、V404、V405はバルブである。またV407はメインタンク410に供給されるNガスを給断するためのバルブである。
続いて本体部40を回転させて、開口部42を開閉する回転機構について図12~図14を参照して説明する。本体部40の側面における本体部40を介して対向する位置には、水平方向に伸び出す水平突片31が設けられ、各水平突片31の下方には、本体部40の側面の形状に沿って湾曲した支持部32が接続されている。支持部32は、下方が台部33に固定されており、台部33は、基台100の表面に形成され、レジスト液貯留部4の中心軸Cを中心とした円周上に配置された環状のガイドレール34に沿って移動できるように構成されている。
一方の支持部32の外周面には、本体部40の周方向に沿ってギアが並べて配置されたギア部35が設けられている。またギア部35のギアに対応するように駆動ギア部36が設けられ、駆動ギア部36は基台100の上面に設けられた回転機構38に回転軸37を介して接続されている。
また蓋部41の側面には、水平方向に並行して伸び出し、互いに並んで配置された2枚の板状体で構成される突起部29が蓋部41の中心を介して対向する位置に各々設けられている。各突起部29に対応する位置には、基台100から上方に向かって伸びる支柱27が配置され、突起部29の2枚の板状体を、支柱27を挟み、支柱27の上方寄りの位置に設けられた梁部28に係止するように配置することで、蓋部41の高さ位置が固定されると共に蓋部41の鉛直軸周りの回転が規制される。
このような構成により、駆動ギア部36を回転させることにより本体部40の周方向にギア部35が移動し、支持部32がガイドレール34に沿って回転する。これにより本体部40に中心軸Cを中心に回転する力が加わる。この時蓋部41は支柱27により回転が規制されるため、蓋部41が固定された状態で本体部40が鉛直軸周りに回転する。
また図3に示すように本発明の液処理装置は、洗浄液貯留部(洗浄液タンク)90と乾燥タンク91とを備えている。図14に示すように洗浄液貯留部90は、内部に洗浄液が供給されることを除いて、レジスト液貯留部4とほぼ同様に構成された本体部40と蓋部41とを備えている。なお洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91においてレジスト液貯留部4とほぼ同じ構造の部位については、レジスト液貯留部4と同じ符号を付している。洗浄液貯留部90における本体部40の底面には、本体部40に貯留された洗浄液を排液する排液管43が接続されると共に、本体部40の天井面には、洗浄液を供給する洗浄液供給管92が接続されている。洗浄液供給管92には、洗浄液供給源93が接続されている。洗浄液供給管92は、本体部40の側面を貫通し、本体部に進入したレジスト液ノズル6に向けてレジスト液を吐出するように設けられていてもよい。
また乾燥タンク91もレジスト液貯留部4とほぼ同様に構成された本体部40と蓋部41とを備えている。乾燥タンク91の本体部40には、乾燥タンク91内にレジスト液ノズル6が挿入されたときにレジスト液ノズル6の先端に向けて、例えば乾燥空気を吹き付ける乾燥ガスノズル94が設けられていると共に、本体部の底板部には、乾燥タンク91内に零れ落ちた洗浄液を排液する排液管43が接続されている。乾燥ガスノズル94は、例えばガス供給管95を介して乾燥ガス供給源96に接続されている。
また洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91においても各々本体部40を鉛直軸周りに回転させる図示しない回転機構が設けられ、本体部40を回転させて蓋部41の孔部46と本体部40の開口部42とを揃えることにより、本体部40の開口部42が開口するように構成されている。洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91の回転機構は、レジスト液貯留部の回転機構と同様に構成すればよい。
また図3に示すように本発明の液処理装置は、制御部101を備えている。制御部101には、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されたプログラムがインストールされる。インストールされたプログラムは、レジスト塗布モジュール10の各部に制御信号を送信してその動作を制御するように命令(各ステップ)群が組み込まれている。
本発明の実施の形態の作用について説明する。先ずウエハWの処理を開始する前に、レジスト液貯留部4にレジスト液を貯留しておく。例えばバルブV407まずメインタンク410にNガスを供給し、メインタンク410内の圧力が高める。さらにチューブバルブ403を閉じた状態でバルブV401、V404、V405を開く。これによりメインタンク410に貯留されているレジスト液がレジスト液供給管401を介してフィルタ402を通過し、戻り管路404に流れ込む。次いでバルブV401を閉じ、ポンプ405を駆動し、レジスト液を循環路に通流させ、フィルタ402を繰り返し通過させて清浄度を高める。
その後バルブV404、V405を閉じ及びバルブV401及びチューブバルブ403を開く。これにより清浄度の高められたレジスト液がレジスト液貯留部4に供給される。この動作を繰り返し、レジスト液を清浄化して順次レジスト液貯留部4に貯留していく。この時レジスト液貯留部4においては、本体部40の開口部42が蓋部41により塞がれた状態となっており、さらに溶剤雰囲気供給管25から溶剤雰囲気が本体部40内に供給された状態で待機している。またレジスト液貯留部4にレジスト液を貯留して待機するときには、チューブバルブ403、V401を閉じV404、V405を開いた状態でポンプ405を駆動しておくことで、レジスト液供給系400A内のレジスト液に液流を形成しておく。これによりレジスト液中の成分の析出によるパーティクルの発生を抑制する。
続いてウエハWへのレジスト供給処理について説明する。例えば被処理基板であるウエハWがスピンチャック21に受け渡されると、次いでノズルユニット5がノズルホルダー8の上方に移動する。さらにノズルユニット5を下降させ、ノズル保持部7により、当該ウエハWに液処理を行うためのレジスト液ノズル6を保持して上昇する。続いてレジスト液ノズル6は洗浄液貯留部90におけるレジスト液ノズル6の洗浄、乾燥タンク91におけるレジスト液ノズル6の乾燥を行う。その後レジスト液ノズル6は、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液を吸引する。洗浄液貯留部90、乾燥タンク91及びレジスト液貯留部4の各々において、本体部40内にノズル部60を進退させる時の動作は、同じであるため、ここでは、レジスト液貯留部4にレジスト液ノズル6を進退させる例について説明する。
例えばレジスト液貯留部4においては、図16に示すようにレジスト液ノズル6がレジスト液貯留部4の上方に待機しており、図17に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が揃っておらず、本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との間の角度θ分離間している。
次いで図18に示すようにレジスト液ノズル6を降下させて、ベローズ61の先端の突起部64を段部48に係止させる。これにより孔部46の上方及びノズル部60の先端がベローズ61により密閉された状態になる。この時図19に示すように本体部40の開口部42と蓋部41の孔部46との位置が揃っていない状態のままである。
続いて図20、図21に示すように本体部40を上方から見て反時計回りに、鉛直軸周りに角度θ回転させる。これにより図21に示すように蓋部41の孔部46と、本体部40の開口部42の位置とを揃える。これによりレジスト液ノズル6のノズル部60の下方に本体部40の開口部42が位置する。
そして図22、図23に示すように蓋部41の孔部46と、本体部40の開口部42の位置とを揃えた状態でノズルユニット5を下降させると、ベローズ61は、先端の突起部64が孔部46の周囲の段部48に係止されているため下降が規制されて縮み、ノズル部60のみがレジスト液貯留部4に進入する。そして例えば吸引部66によりノズル部60を陰圧にして、レジスト液を吸引する。その後レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の外部に退出させるにあたっては、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4に進入させたときと逆の順番で操作を行い、ベローズ61により密閉された状態で開口部42を閉じ、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の外部に退出させる。
従って上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6は、まず洗浄液貯留部90の上方に移動し、洗浄液貯留部90に進入する。そして洗浄液貯留部90にて、レジスト液ノズル6に洗浄液を吸引し、続けて吸引した洗浄液を洗浄液貯留部90内に吐出する。この洗浄液の吸引と洗浄液の吐出とを交互に複数回繰り返す。これによりノズル部60に付着していたパーティクル等が洗い流されて除去される。
次いでレジスト液ノズル6を乾燥タンク91の上方に移動させ、既述のようにノズル部60を洗浄液貯留部90に挿入したときと同様の操作を行って、ノズル部60を乾燥タンク91の内部に進入させる。そしてノズル部60にエアーを吹き付けて乾燥させる。さらに洗浄液貯留部90からノズル部60を引き抜いたときと同様にノズル部60を乾燥タンク91から引き抜き、さらにベローズ61の突起部64を段部48から引き離す。
続いてレジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の上方に移動させ、既述のようにノズル部60をレジスト液貯留部4に進入させ、ノズル部60の先端をレジスト液に浸す。さらに吸引部66によりレジスト液ノズル6の内部を陰圧にすることにより、レジスト液ノズル6の内部に所定量のレジスト液が吸引される。
その後既述のようにノズルユニット5を上昇させ、ノズル部60をレジスト液貯留部4から引き抜き、さらにノズルユニット5を上昇させて、ベローズ61の突起部64を段部48から引き離す。次いでスピンチャック21に保持されたウエハWの上方に移動させ、例えば回転するウエハWに向けてレジスト液ノズル6内のすべてのレジスト液を吐出して、液処理を行う。
さらにレジスト液を吐出した後、レジスト液ノズル6をレジスト液貯留部4の上方に移動させ、同様にノズル部60をレジスト液貯留部4に挿入して、レジスト液を吸引する。そしてカップモジュール1においては、処理済みのウエハWを搬出し、後続のウエハWをカップモジュール1に受け渡す。続いてレジスト液ノズルをカップモジュール1の上方に移動させ、ウエハWにレジスト液の供給を行う。
このようにウエハWの処理を行い、例えば当該ロットのウエハWの処理を終えると、ノズルユニット5をノズルホルダー8の上方に移動させ、ノズルユニット5に装着しているレジスト液ノズル6が保持されていた孔部81にて、当該レジスト液ノズル6を取り外す。その後ノズルユニット5は、後続のロットに使用するレジスト液ノズル6を保持し、同様に処理を行う。
上述の実施の形態によれば、レジスト液ノズル6により、レジスト液貯留部4内のレジスト液を直接吸引し、次いでウエハWに供給するようにしている。そのため中間タンクから、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給すると共にレジスト液ノズル6からレジスト液を吐出するための機器であるディスペンスバルブ等が不要となり、配管に設けられる部品点数を少なくすることができる。従ってレジスト液中のパーティクルの発生を抑制することができ、膜中に取り込まれて欠陥となる、パーティクルを起点としたポリマーの凝集を抑制することができる。またレジスト液を貯留しておく中間タンクであるレジスト液貯留部4から、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給するための配管がなくなることで、配管中のレジスト液の滞留によるレジスト液中の成分の析出のリスクが低減する。
そしてレジスト液貯留部4に、本体部40を鉛直軸周りに回転させることにより開閉する開口部42を設けると共に、レジスト液ノズル6にノズル部60の先端部の周囲を囲むようにベローズ61を設けている。これにより蓋部41にベローズの先端を係止させて、レジスト液ノズル6の先端及び孔部46をベローズ61の外気と区画し、開口部42を開閉させることができる。従ってレジスト液貯留部4の内部がレジスト液貯留部4及びベローズ61の外部の雰囲気にさらされず外気へのミストの放出や、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液の変質を防ぐことができる。またミストの飛散を防ぐことができるため、ダウンフローの効かない場所に設けることができる効果がある。
また例えばレジスト液貯留部4のバルブV43を開く。さらにレジスト液貯留部4内にNガスを供給してレジスト液貯留部4内の圧力を高めて、レジスト液を押し流す。さらにレジスト液貯留部4内に洗浄液を供給してレジスト液貯留部4内を洗浄することができる。
また本発明はレジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液がウエハWに供給されるまでに、レジスト液が接触する部材が少なくなる。そのためレジスト液が接触する部材に含まれる成分のレジスト液中への溶出を抑制でき、さらに部品の洗浄の時間を短くすることができる。
またレジスト液をフィルタ402に通過させて清浄化するにあたって、効率よくフィルタ402により不純物を除去するためには、フィルタ402を通過させる時のレジスト液の流速を遅くする必要がある。そのためレジスト液ノズル6と、フィルタ402とが一体的に構成された処理液供給系の場合には、レジスト液の吐出速度となるようにレジスト液を通流させたときにフィルタ402が効率よく不純物を除去できないことがある。上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6と、レジスト液を通流させフィルタリングを行う系とが互いに独立した構成となっている。そのためレジスト液の吐出速度によりフィルタ402による不純物の除去効率が制限されることがない。
また複数の液処理部に対して共通の処理液を供給するノズルを設けた構成の場合には、レジスト液ノズル6に処理液供給管を接続して、レジスト液を供給する構成にすると、レジスト液ノズル6が移動するカップモジュール1の位置によって、処理液供給管の撓みや処理液供給管内のレジスト液の移動により、レジスト液ノズル6先端の液量が変動してしまうことがある。本発明の実施の形態によれば、レジスト液ノズル6の先端からレジスト液を吸引して、レジスト液ノズル6にレジスト液を供給する。そのため、カップモジュール1間において、移動したカップモジュール1の位置に寄らずノズルから吐出する処理液の量の差が生じにくくなる。そのため装置のレイアウトの制限が少なくなる。
またレジスト液ノズル6に吐出する量のレジスト液のみをレジスト液ノズル内に吸引し、レジスト液ノズル6に吸引したすべての量のレジスト液をウエハWに供給することができる。そのためレジスト液ノズル6にレジスト液を送液する配管内のたわみや、バルブを閉じるときの液切れの差によるレジスト液ノズル6の吐出量の差が生じにくくなる効果がある。また本発明は、レジスト液ノズル6の内部に吸引されたレジスト液を例えばカメラにより撮像し、吸引量が所定の量であるかを確認して、ウエハWに吐出するようにしてもよい。さらにダミーディスペンスを行うための配管等を設ける必要がないためスペースを削減できる。
また本発明はレジスト液ノズル6をノズルユニット5に着脱自在に構成すると共にノズルホルダー8に吐出容量や材質が異なる複数種のノズルを配置している。そのため、ウエハWのレシピごとに、レジスト液ノズル6を簡単に交換を行うことができる。またレジスト液ノズル6が汚れたときには、速やかに交換することができる。
また本発明の実施の形態に係る液処理装置は、レジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液に液流を形成して、パーティクルの析出を抑える液流形成機構を設けるようにしてもよい。例えばレジスト液貯留部4の下方に本体部40を左右に搖動させて液流を形成する搖動機構を設ける。このように構成することで、レジスト液貯留部4にレジスト液を貯留している間に貯留させたレジスト液を搖動させ液流を形成することができるためパーティクルの析出を抑制することができる。また搖動機構に代えて、本体部40内に投入された磁石性の撹拌子を磁力により回転させて液流を形成するスターラーを設けてもよい。
またノズル保持部7の他の例について説明する。図24に示すように、ノズル保持部7に、ノズルユニット5の前方及び後方に伸びるガイド70に沿って、移動する駆動ガイド部71を前後に並べて設ける。そして、レジスト液ノズル6の基端を前方及び後方から挟み込んで固定するように構成してもよい。
また図25に示すようにノズルユニット5の下面にガス流路65と連通する管状突起部72を設け、管状突起部72をノズル部60の基端側から挿入することにより、管状突起部72の外周と、ノズル部60の内周面との摩擦力により、レジスト液ノズル6がノズルユニット5に保持されるように構成してもよい。さらにこのような構成の場合には、管状突起部72の周囲を囲むように、管状突起部72に挿入されたレジスト液ノズル6を下方に押し下げて、取り外すための押し出し部73ノズルユニット5に突没自在に設ける。このように構成した場合にも同様の効果がある。また図25に示すような管状突起部72をレジスト液ノズル6に挿入し、さらに図24に示すような駆動ガイド部71、あるいは、実施の形態にて示した絞り機構よりレジスト液ノズル6を固定するようにしてもよい。
また本発明はレジスト液貯留部4に貯留されたレジスト液をレジスト液供給管401に戻して清浄度を高めるようにしてもよい。例えば排液管43と共に、戻り管路404におけるポンプ405の二次側に液を戻す配管を設ければよい。このように構成し、例えばレジスト液ノズル6により、レジスト液貯留部4に貯留したレジスト液を吸引し、ウエハWに液処理を行う間に、レジスト液貯留部4に貯留されていたレジスト液を戻り管路404に戻す。その後ポンプ405を駆動してレジスト液を循環させて、繰り返しフィルタ402を通過させ、レジスト液供給管401からレジスト液貯留部4に戻すようにすればよい。またフィルタ402を備えている、備えていないに関わらず、レジスト液をレジスト液供給管401と戻り管路404を循環させ続けることで、滞留によるレジスト液成分の析出を抑制する効果がある。
さらに上述の実施の形態では、レジスト液ノズル6内にレジスト液を吸引すると共に吐出する吸引吐出機構を構成する配管系と、レジスト液を循環させておく配管系とが、互いに独立した構成となっている。従って、レジスト液ノズル6にレジスト液を充填し、レジスト液ノズル6からレジスト液を吐出する動作と、レジスト液を循環させておく動作と、が互いに干渉せず影響を及ぼしあわず、同時に実行することができる。またレジスト液貯留部4にレジスト液を補充するにあたっては、メインタンク410の気相にNガスを供給して、メインタンク410内の圧力を高めることで、メインタンク410からレジスト液貯留部4にレジスト液を補充することができる。従ってレジスト液貯留部4へのレジスト液補充動作に影響を与えずに、レジスト液供給管401と戻り管路404を循環させ続けることが可能である。従ってレジスト液の吐出吸引動作や、レジスト液貯留部4へのレジスト液の補充の間においてもレジスト液を循環させておくことができ、よりレジスト液中の成分の析出を抑制することができる。
またレジスト液供給系400Aは、循環路を備えていなくてもよい。この場合にもメインタンク410にガスを供給し、内部の圧力を高めてレジスト液貯留部4に供給することができるため。パーティクルの混入を抑制することができる効果がある。
また複数のカップモジュール1を設けた構成において、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91は、各カップモジュール1ごとに設けられていてもよく、あるいはすべてのカップモジュール1に共通するように設けられていてもよい
またベローズ61は、ノズル部60側ではなく、レジスト液貯留部4、洗浄液貯留部90及び乾燥タンク91側の蓋部41の孔部46の周りに設けられていてもよい。この場合には、ノズル部60をベローズ61に挿入し、その後開口部42を開くようにすることで同様の効果を得ることができる。あるいは、ベローズ61は、ノズル部60側及び蓋部41側との両方に設けられていてもよい。この場合にはノズル部60側及び蓋部41側の双方のベローズ同士が係合し、気密になるように構成すればよい。
またシンナーノズル57についても、レジスト液ノズル6を同様の構成とすると共に、液処理装置にレジスト液貯留部4と同様の構成のシンナー貯留部を設けるようにしてもよい。
さらに上述の実施の形態では、図26に示すように各レジスト膜形成処理COTを行う単位ブロックB1~B4毎にレジスト液供給系400Aが設けられ、各レジスト液供給系400Aに共通のメインタンク410を設けられている。また2層の現像処理DEVを行う単位ブロックB5、B6ごとにレジスト液供給系400Aとほぼ同じ構成の現像液供給系400Bが設けられ、共通の現像液のメインタンク411が設けられている。また各層ごとにメインタンク410、411を設けるようにしてもよい。
また図27に示すようにレジスト液貯留部4を加熱する加熱部は、本体部40の周囲に光吸収体490を設け、例えば赤外ランプにより光吸収体に赤外線を照射して、光吸収体を発熱させて、レジスト液貯留部を加熱する構成でも良い。また本体部40の周囲に加熱機構に加えてペルチェなどにより冷却された冷却水を通流させるための冷却管を設けてもよい。
またレジスト液貯留部4の開口部42を開閉する開閉機構は、蓋部41を鉛直軸周りに回転させるように構成してもよい。あるいは、開閉機構は、例えば平板をスライドさせて開口部42を塞ぐように構成してもよい。また絞り機構により開口部を開閉するようにしてもよい。例えば図28に示すように図7に示したレジスト液貯留部4における蓋部41を除き、開口部42に絞り機構420を設けて構成する。なお開口部42の周囲には、突起部64を係止するための段部48が形成されている。このような構成において、例えばレジスト液ノズル6によりレジスト液を吸引する前には、レジスト液貯留部4は、レジスト液を貯留し、絞り機構を閉じた状態で待機している。
そして図29に示すようにレジスト液ノズル6を下降させて、絞り機構420を閉じた状態で、突起部64を段部48に係止させる。次いで図30に示すように突起部64を段部48に係止させたまま、絞り機構420を開く。その後図31に示すようにレジスト液ノズル6を下降させて、ノズル部60を本体部40内に進入させるように構成すればよい。
このような構成においても同様の効果を得ることができるが、蓋部41と、本体部40と、を相対的に鉛直軸周りに回転させて開口部42を開閉する構成にすることで、開口部42の上方に駆動する機構を配置させる必要がないため、レジスト液貯留部4内に駆動機構により生じるパーティクルが混入するおそれが少なくなる効果が得られる。
また本発明の実施の形態の他の例に係るノズルユニット5について説明する。図32に示すようにノズルユニット5は、レジスト液ノズル206を備え、レジスト液ノズル206の先端寄りの位置には、レジスト液供給管203の一端が接続されている。レジスト液供給管203の他端側はフィルタ204及びバルブV203をこの順で介してメインボトル401に接続されている。またレジスト液ノズル206におけるレジスト液供給管203の接続位置よりも基端側におけるレジスト液ノズル206の内部には、ピストン202が設けられ、ピストンは、ピストン202を昇降させる昇降機構201が接続されている。このピストンを上昇させることにより、レジスト液ノズル206内が陰圧になると共に、ピストンを下降させることにより、レジスト液ノズル206の先端からレジスト液が吐出される。
またレジスト液ノズル6の先端を覆うように蓋部20が設けられており、蓋部208におけるレジスト液が吐出される方向の面に開閉機構209が設けられ、開閉自在に構成されている。開閉機構209には、絞り機構を用いた構成を採用することができる。なお図中の207がレジスト液ノズル206に吸引された液量を測定するためのカメラである。またレジスト液ノズル206におけるレジスト液供給管203の接続位置よりも先端側にバルブを設けてもよい。
このように構成し、ピストン202を上昇させてメインタンク410側のレジスト液を吸引してレジスト液ノズル206に供給する。その後レジスト液ノズル206をウエハWの上方に移動させ、開閉機構209を開き、ノズルユニット5を下降させてウエハWにレジスト液を供給する。このように構成することでレジスト液ノズル106にレジスト液を供給するにあたって、ピストン202によりレジスト液を吸引してレジスト液ノズル206にレジスト液を供給することができる。そのためレジスト液供給管203にポンプを設けなくてもよいため、レジスト液中へのパーティクルの混入を抑制することができる。
1 カップ体
4 レジスト液貯留部
6 レジスト液ノズル
10 レジスト塗布ユニット
40 本体部
41 蓋部
42 開口部
48 段部
60 ノズル部
61 ベローズ
64 突起部
90 洗浄液貯留部
91 乾燥タンク
404 戻り管路
410 メインタンク

Claims (10)

  1. 基板に対して処理液により液処理を行う装置において、
    処理液を貯留し、上面に処理液の取り出し口が設けられた処理液タンクと、
    処理液の吸い上げ及び吐出の機能を備えたノズルと、
    前記ノズルを、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置との間で移動させるノズル移動機構と、
    前記取り出し口を開閉する開閉機構と、
    前記取り出し口へのノズルの挿入時に処理液タンク内を外気から遮断するための遮断機構と、を備え
    前記処理液タンクは、処理液タンクの中心から外れた上面の位置に第1の開口部が形成されているタンク本体と、前記タンク本体の上面側に設けられ、前記第1の開口部と重なったときに当該第1の開口部と共に前記取り出し口を構成する第2の開口部が形成された蓋部と、を備え、
    前記開閉機構は、前記蓋部を固定する機構と、前記第1の開口部及び第2の開口部が互に重なる位置と重ならない位置との間で前記タンク本体を回転させる機構と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記タンク本体の側面に固定され、前記側面の形状に沿って湾曲した支持部を備え、
    前記タンク本体を回転させる機構は、前記支持部の外周面に接触して当該支持部を回転させる機構であることを特徴とする請求項1記載の液処理装置。
  3. 前記タンク本体の底面部の中心部に、当該タンク本体に対して鉛直軸周りに回転可能なコネクタを介して接続された排液管と、
    前記支持部の下方側に位置する基台と、
    前記基台に設けられ、前記タンク本体の中心軸を中心とする円周に沿って配置された環状のガイドレールと、を備え
    前記支持部は前記ガイドレールに沿って移動可能に設けられていることを特徴とする請求項2記載の液処理装置。
  4. 前記遮断機構は、ノズル及び前記処理液タンクの少なくとも一方に、ノズルが前記取り出し口に挿入されるときに、当該取り出し口を囲むようにかつその上端部がノズルの根本部位に密着するように構成されたべローズ体により構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の液処理装置。
  5. 前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と、
    前記補充用貯留部と前記処理液タンクとの間に設けられ、ポンプ部が介設された循環路を含む処理液供給路と、を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の液処理装置。
  6. 前記処理液タンクに処理液供給管を介して接続され、前記処理液タンクに補充する処理液が貯留された補充用貯留部と
    前記処理液供給管に設けられたフィルタと、
    前記フィルタの二次側にて前記処理液供給管から分岐され、前記フィルタの一次側に接続された戻り管路と、
    前記戻り管路に設けられ、前記フィルタに処理液を繰り返し通過させるためのポンプと、を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の液処理装置。
  7. 前記処理液タンク内に貯留された処理液に液流を形成する液流形成機構を備えることを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  8. 洗浄液を貯留し、上面にノズルが進退する進入口が設けられた洗浄液タンクを備え、
    前記ノズル移動機構は、前記取り出し口に挿入される位置と基板上に吐出する位置と前記進入口との間でノズルを移動させ、
    前記ノズルを進入口を介して洗浄液タンクに進入させてノズルを洗浄することを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の液処理装置。
  9. 前記ノズルを前記ノズル移動機構によって内部に挿入できるように形成された開口部を備えた乾燥タンクと、前記乾燥タンク内に設けられ、前記ノズルに乾燥ガスを供給する乾燥ガスノズルと、を備えたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の液処理装置。
  10. 請求項5に記載の液処理装置を用い、前記ノズルを、前記取り出し口に挿入し、当該ノズルにより処理液タンク内の処理液を吸い上げる吸引工程と、
    次いで前記ノズルから基板に処理液を供給する吐出工程と、
    前記補充用貯留部に貯留された処理液を前記処理液供給路を介して、前記処理液タンクに補充する補充工程と、
    前記処理液を前記ポンプ部により循環路内を循環させる循環工程と、を含み、
    前記循環工程は、前記吸引工程、吐出工程及び補充工程の内の少なくとも一つの実行時に重複するように実行されることを特徴とする液処理方法。
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