TWI769469B - 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法 - Google Patents

用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI769469B
TWI769469B TW109121269A TW109121269A TWI769469B TW I769469 B TWI769469 B TW I769469B TW 109121269 A TW109121269 A TW 109121269A TW 109121269 A TW109121269 A TW 109121269A TW I769469 B TWI769469 B TW I769469B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
liquid
supply
valve
substrate
Prior art date
Application number
TW109121269A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202100255A (zh
Inventor
李成洙
鄭富榮
崔氣勳
田明娥
朴修永
Original Assignee
南韓商細美事有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商細美事有限公司 filed Critical 南韓商細美事有限公司
Publication of TW202100255A publication Critical patent/TW202100255A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI769469B publication Critical patent/TWI769469B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

提供一種用於對基板執行液體處理之設備及方法。用於處理基板之設備包括：處理容器，其具有處於處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，其用於將基板支撐於處理空間中；以及液體供應單元，其用於將處理液體供應至由基板支撐單元支撐的基板。前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，其用於將處理液體供應至噴嘴且在前述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，其自作為供應管線中之第一閥之下游的點的分支點分支，以自供應管線排出處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥。在前述供應管線中，在分支點與噴嘴之間的區域中沒有閥。

Description

用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法
本文所述之本發明概念之實施例係關於一種用於處理基板之設備及方法，且更具體地係關於一種用於對基板執行液體處理之設備及方法。
為了製造半導體裝置，所要圖案係通過諸如光刻、蝕刻、灰化、離子植入以及薄膜沈積製程的各種製程形成於基板上。該等製程係各種各樣的，且隨時間而變複雜，因此會產生污染物及粒子。因此，清潔製程係於該等製程之前及之後的階段中執行。
清潔製程包括用於將化學物質供應至基板上之液體處理製程。圖1為例示用於供應液體之典型單元之視圖。參照圖1，用於供應液體之單元具有液體供應管線2及閥6。液體供應管線2係連接至噴嘴4以將液體供應至噴嘴4。閥6係安裝於液體供應管線2中以打開或閉合液體供應管線2，以便供應液體或停止液體的供應。閥6藉由對化學物質流過的流體通路執行打開或閉合操作來調整液體的供應。閥6之此種打開或閉合操作包括隔膜之碰撞過程，這是產生粒子的主要原因。
因此，供應含有粒子之化學物質會導致液體處理製程失敗。
本發明概念之實施例提供一種能夠將純化液體供應至基板之設備。
本發明概念之實施例提供一種能夠使液體供應管線之閥中之粒子的產生最小化的設備。
根據示範性實施例，提供一種用於對基板執行液體處理之設備及方法。
用於處理該基板之該設備包括：處理容器，該處理容器具有處於該處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，該基板支撐單元用於將基板支撐於該處理空間中；以及液體供應單元，該液體供應單元將處理液體供應至由該基板支撐單元支撐的該基板。該液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，該供應管線將該處理液體供應至該噴嘴且在該供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，該排出管線自作為該供應管線中之該第一閥之下游的點的分支點分支以自該供應管線排出該處理液體，且具有安裝於該排出管線中之第二閥。在該供應管線中，在該分支點與該噴嘴之間的區域中沒有閥。
基於該分支點，該供應管線之下游區域之末端係可以定位成高於該排出管線。
該下游區域之該末端可以定位成高於該分支點。該下游區域之自該分支點沿下游方向延伸之區域可以設置成具有彎曲形狀。該下游方向可以基於該分支點在該供應管線之上游區域中向下設置，且該彎曲形狀可以以凸面向上的形狀設置。
該液體供應單元可以進一步包括第一感測器，該第一感測器用於感測該下游區域中之該處理液體之第一水位。該下游區域可以包括：第一部分，該第一部分自該分支點延伸且具有該彎曲形狀；第二部分，該第二部分自該第一部分延伸且設置在與該第一部分之一位置成直線或設置在低於該第一部分之該位置的一位置處；以及第三部分，該第三部分自該第二部分延伸，定位成高於該第一部分且包括該末端。該第一感測器可以安裝於該第三部分中。
該液體供應單元可以進一步包括緩衝器，該緩衝器在該排出管線中安裝於該第二閥之下游，以將該處理液體暫時儲存於該緩衝器中。該緩衝器可以包括外殼，該外殼安裝於該排出管線中且於該外殼中具有緩衝空間；以及第二感測器，該第二感測器用於感測填充於該緩衝空間中之該處理液體之第二水位。
該液體供應單元可以進一步包括：泵，該泵用於向沿著該供應管線流動的該處理液體施加流動壓力；以及控制器，該控制器用於調整該處理液體向該噴嘴的供應，且該控制器可以控制該第二閥以使得該第二閥在供應模式下切斷，以將該處理液體供應至該噴嘴，而在待用模式下打開，以停止該處理液體向該噴嘴的供應。在該待用模式下，該控制器可以在自該第一感測器或該第二感測器接收到針對該處理液體之感測訊號時切斷該第一閥及該第二閥。
該控制器可以調整該泵，以使得該處理液體在該待用模式下填充於該第二部分中。
根據示範性實施例，一種用於將液體供應至基板之設備包括：噴嘴；供應管線，該供應管線用於將處理液體供應至該噴嘴且在該供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，該排出管線自作為該供應管線中之第一閥之下游的點的分支點分支，以自該供應管線排出該處理液體，且在該排出管線中安裝有第二閥。在該供應管線中，在該分支點與該噴嘴之間的區域中沒有閥。
基於該分支點，該供應管線之下游區域之末端係可以定位成高於該分支點及該排出管線。
該下游區域之自該分支點沿下游方向延伸之區域可以具有彎曲形狀。該下游方向可以基於該分支點在該供應管線之上游區域中向下設置，且該彎曲形狀可以以凸面向上的形狀設置。該液體供應單元可以進一步包括第一感測器，該第一感測器用於感測該下游區域中之該處理液體之第一水位。該下游區域可以包括：第一部分，該第一部分自該分支點延伸且具有該彎曲形狀；第二部分，該第二部分自該第一部分延伸且於設置在與該第一部分之一位置成直線或設置在低於該第一部分之該位置的一位置處；以及第三部分，該第三部分自該第二部分延伸、設置成高於該第一部分且包括該末端。該第一感測器可以安裝於該第三部分中。
該液體供應單元可以進一步包括：緩衝器，該緩衝器在該排出管線中安裝於該第二閥之下游以將該處理液體暫時儲存於該緩衝器中，且該緩衝器可以包括：外殼，該外殼安裝於該排出管線中且於該外殼中具有緩衝空間；以及第二感測器，該第二感測器用於感測填充於該緩衝空間中之該處理液體之第二水位。
該液體供應單元可以進一步包括：控制器，該控制器用於調整該處理液體向該噴嘴的供應，且該控制器可以控制該第二閥，使得該第二閥在供應模式下切斷，以將該處理液體供應至該噴嘴，而在待用模式下打開，以停止該處理液體向該噴嘴的供應。
根據示範性實施例，一種使用用於處理基板之設備來處理基板之方法包括：在將該處理液體供應至該基板時，在該第一閥係打開的且該第二閥係切斷的狀態下，向該供應管線施加流動壓力以將該處理液體供應至高於該供應管線中之該下游區域之最高點的點；以及當停止向該基板供應該處理液體時，打開該第二閥，且保持該流動壓力以防止該處理液體流動至該最高點。
當停止供應該處理液體時且當該處理液體自該排出管線溢出時，可以切斷該第一閥及該第二閥，以防止該處理液體流動至該最高點。
本發明概念之實施例可以以各種形式修改，且本發明概念之範疇不應解釋為由以下所述之本發明概念之實施例限制。本發明概念之實施例經提供來為熟習此項技術者更完整地描述本發明概念。因此，圖式中之組件的形狀及其類似物經誇大來強調更清晰的描述。
在下文中，本發明概念之一實例將參考圖2至圖9進行詳細描述。
圖2為根據本發明概念之實施例之基板處理設施之平面圖。
參照圖2，基板處理設施1具有索引模組10及製程處理模組20，且索引模組10包括裝載端口120及饋給框架140。裝載端口120、饋給框架140以及製程處理模組20可以順序地佈置成一列。在下文中，裝載端口120、饋給框架140以及製程處理模組20的佈置方向將稱為第一方向12，當自上方觀察時，垂直於第一方向12的方向將稱為第二方向14，且垂直於含有第一方向12及第二方向14之平面的方向將稱為第三方向16。
於其中接納有基板「W」之載體18係安置於裝載端口120上。提供複數個裝載端口120，且該複數個裝載端口沿第二方向14佈置成直線。圖2例示了提供裝載端口120。然而，裝載端口120的數量可以視條件而增加或減少，該條件諸如製程處理模組20之處理效率或佔據面積。狹槽(未例示)係形成於載體18中以支撐基板之邊緣。複數個狹槽係沿第三方向16提供，且基板係定位於載體18中，以使得基板在彼此間隔開的同時沿第三方向堆疊。前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod，FOUP)可用作為載體18。
製程處理模組20包括緩衝單元220、饋給腔室240以及製程腔室260及280。饋給腔室240係設置成使得其縱向平行於第一方向12。製程腔室260及280係沿第二方向14佈置於饋給腔室240之相反側處。製程腔室260及280可以靠近饋給腔室240彼此對稱地提供。製程腔室260及280中之一些係沿饋給腔室240之縱向佈置。另外，製程腔室260及280中之一些係佈置為彼此堆疊。換言之，製程腔室260及280可以以矩陣A×B(「A」及「B」為自然數)的形式佈置於饋給腔室240之相反側處。在此情況下，「A」為沿第一方向12成直線對齊之製程腔室260及280的數目，且「B」為沿第三方向16成直線對齊之製程腔室260及280的數目。當於饋給腔室240之相反側處提供四個或六個製程腔室260及280時，製程腔室260及280可以以2×2或3×2佈置。製程腔室260及280的數目可以增大或減小。
不太可能地，製程腔室260可以僅設置於饋給腔室240之任一側處。另外，製程腔室260及280可以以單一層設置於饋給腔室240之一側處及相反側處。另外，與以上描述不同，製程腔室260及280可以不同地佈置。
本實施例之以下描述將關於以下內容進行：於製程腔室260及280中之一者(製程腔室260)中執行液體處理製程，且於製程腔室260及280中之另一者(製程腔室280)中執行乾燥製程。該乾燥製程可以為超臨界處理製程。
緩衝單元220係插置於饋給框架140與饋給腔室240之間。緩衝單元220提供一空間，在基板「W」於饋給腔室240與饋給框架140之間運送之前，基板「W」停留於該空間中。緩衝單元220在其中設置有狹槽(未例示)，基板「W」係放置於該狹槽中且複數個狹槽(未例示)沿第三方向16彼此間隔開。緩衝單元220於面向饋給框架140及饋給腔室240之表面中係開放的。
饋給框架140於安置於裝載端口120中之載體18與緩衝單元220之間運送基板「W」。索引軌道142及索引機器人144係設置於饋給框架140上。索引軌道142係設置成使得其縱向平行於第二方向14。索引機器人144係安裝於索引軌道142上，以便沿著索引軌道142於第二方向14上線性地移動。索引機器人144具有基座114a、本體114b以及複數個索引臂141c。基座114a係安裝成可沿著索引軌道142移動。本體114b可以接合至基座114a。本體114b可以設置成可於基座114上沿第三方向16移動。此外，本體114b可以設置成可於基座114a上旋轉。索引臂114c可以接合至本體114b，以使得索引臂114c可相對於本體114b向前及向後移動。可以提供複數個索引臂114c，且可以彼此獨立地驅動。索引臂114c係設置成在沿第三方向16彼此間隔開的同時堆疊。索引臂114c中之一些係於將基板「W」自製程處理模組20運送至載體18時使用，且索引臂114c中之另一些可以於將基板「W」自載體18運送至製程處理模組20時使用。該結構可以防止於製程處理之前自基板「W」產生之粒子在索引機器人144引入及抽出基板「W」的過程中黏附至製程處理之後的基板「W」。
饋給腔室240於緩衝單元220與製程腔室260之間運送基板「W」。饋給腔室240包括導引軌道242及索引機器人244。導引軌道242係設置成使得其縱向平行於第一方向12。索引機器人244係安裝於導引軌道242上以於導引軌道242上沿第一方向12線性地移動。
在下文中，將描述於製程腔室260中提供的用於處理基板之設備(基板處理設備) 300。本實施例之以下描述將關於基板處理設備300執行液體處理製程而進行描述。液體處理製程包括清潔基板之製程。
圖3為例示圖2之基板處理設備之截面圖。參照圖3，基板處理設備300可以包括腔室310、處理容器320、旋轉頭340、提升單元360、用於供應液體(處理液體)之單元(液體供應單元)400、以及控制器500。腔室310提供用於執行處理基板「W」之製程的空間。風扇314係安裝於腔室310之頂面上以在處理空間中形成向下流動。風扇314可以定位成面向處理容器310。由風扇314形成的向下流動可以被提供至位於處理容器320中之基板「W」。
處理容器320位於腔室310中，且具有杯形狀，該杯具有開放的上部部分。處理容器320具有用於在其中處理基板之處理空間。處理容器320包括內部回收器皿322及外部回收器皿326。內部回收器皿322及外部回收器皿326回收於製程中所用之互不相同的處理液體。內部回收器皿322係設置成具有環繞旋轉頭340之環形環的形狀，且外部回收器皿326係設置成具有環繞內部回收器皿322之環形環的形狀。內部回收器皿322之內部空間322a及外部回收器皿326與內部回收器皿322之間的空間326a分別充當用於將處理液體引入內部回收器皿322及外部回收器皿326中之入口。回收管線322b及326b係與內部回收器皿322及外部回收器皿326連接，以自內部回收器皿322及外部回收器皿326之底表面豎直地向下延伸。回收管線322b及326b充當排出管，以分別排出引入內部回收器皿322及外部回收器皿326中之處理液體。所排出處理液體可以通過外部處理液體再循環系統(未例示)進行再循環。
旋轉頭340充當基板支撐單元(340)，以支撐基板「W」且使其旋轉。旋轉頭340係設置於處理容器320中。旋轉頭340支撐基板「W」且於製程期間使基板「W」旋轉。旋轉頭340具有本體342、支撐銷344、夾頭銷346、以及支撐軸348。當自上方觀察時，本體342具有設置成基本上圓形形狀的頂表面。支撐軸348固定地耦接至本體342之底表面以便可藉由馬達349旋轉。提供複數個支撐銷344。支撐銷344可以佈置成在自本體342向上突出的同時於本體342之頂表面之邊緣部分處彼此間隔開。支撐銷344係佈置以通過其組合形成典型的環形環形狀。支撐銷344支撐基板「W」之後表面之邊緣，以使得基板「W」與本體342之頂表面間隔開特定距離。提供複數個夾頭銷346。夾頭銷346可以設置成比支撐銷344更遠離本體342之中心。夾頭銷346係設置成自本體342向上突出。夾頭銷346支撐基板「W」之側部分，以使得基板「W」在旋轉頭340旋轉時不會側向偏離其右側位置。夾頭銷346係設置成可沿本體342之徑向方向於待用位置與支撐位置之間線性地移動。待用位置比支撐位置更遠離本體342之中心。當基板「W」係裝載至旋轉頭340上或自該旋轉頭卸載時，夾頭銷346係位於待用位置處。當相對於基板「W」執行製程時，夾頭銷346係位於支撐位置處。夾頭銷346於支撐位置處與基板「W」之側部分接觸。
提升單元360可以調整處理容器320與基板「W」之間的相對高度。提升單元360使處理容器320線性地向上和向下移動。隨著處理容器320向上和向下移動，處理容器320至旋轉頭340之相對高度得以改變。提升單元360具有托架362、可移動軸364、以及驅動器366。當基板「W」係放置於旋轉頭340上或自旋轉頭340提升時，托架362係固定地安裝於處理容器320之外壁上，且可移動軸364係固定地耦接至托架362以藉由驅動器366向上和向下移動，處理容器320向下移動以使得旋轉頭340自處理容器320向上突出。調整處理容器320之高度，以使得根據執行製程時供應至基板「W」之處理液體的類型而將處理液體引入預設的處理容器320中。
替代地，提升單元360可以代替處理容器320來使旋轉頭340向上和向下移動。
液體供應單元400可以將各種處理液體供應至基板「W」上。液體供應單元400包括噴嘴410、供應管線420、泵428、排出管線440、緩衝器450、循環管線460、以及控制器500。
噴嘴410移動製程位置及待用位置。在此情況下，製程位置係界定為噴嘴410能夠將液體排出至位於處理容器320中之基板「W」上的位置，且待用位置係界定為噴嘴410偏離製程位置且待用的位置。根據實例，在製程位置中，噴嘴410供應至液體的位置包括基板「W」之中心。舉例而言，當自上方觀察時，噴嘴410可以圍繞軸線線性地移動或旋轉，以於製程位置與待用位置之間移動。
自噴嘴410排出之處理液體可以包括化學物質、沖洗液體、以及乾燥流體。舉例而言，化學物質對應於用於對形成於基板「W」上之膜進行蝕刻或用於將殘留粒子自基板「W」移除之液體。化學物質可以為具有強酸或強鹼性質之液體。化學物質可以包括硫酸、磷酸、氫氟酸或氨。沖洗液體可以為能夠沖洗基板「W」上所殘留化學物質的液體。舉例而言，沖洗液體可以為純水。乾燥流體可以提供為能夠置換基板「W」上所殘留沖洗液體的液體。乾燥流體可以為表面張力低於沖洗液體的表面張力的液體。乾燥流體可以為有機溶劑。乾燥流體可以為異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。
圖4為例示圖3之液體供應單元之視圖，且圖5為例示圖4之供應管線之分支點及下游區域的放大部分之視圖。參照圖4及圖5，供應管線420將液體槽415連接至噴嘴410。儲存於液體槽415中之液體通過供應管線420供應至噴嘴410。泵428及第一閥424係安裝於供應管線420中，泵428向處理液體施加流動壓力，且第一閥424打開/閉合供應管線420。舉例而言，第一閥424位於泵428之下游。排出管線440自供應管線420分支以排出液體。第二閥442係安裝於排出管線440中，且排出管線440係由第二閥442打開及閉合。排出管線440之分支點在供應管線420中位於第一閥424之下游。舉例而言，排出管線440可以自供應管線420分支且可以連接至液體槽415。第二閥442可以定位成低於分支點。
根據本實施例，基於排出管線440之分支點，將供應管線420分成上游區域422及下游區域430。
自分支點沿下游方向延伸之下游區域430之末端係定位成高於分支點，且於下游區域430中不提供額外單元來打開或閉合供應管線420或調整液體的供應。換言之，閥未安裝於下游區域430中，且液體的供應係使用分支點與下游區域430之末端之間的高度差來調整。
下游區域430具有第一部分432、第二部分434、以及第三部分436。第一部分432自分支點延伸，具有彎曲形狀，定位成低於下游區域430之末端。第二部分434自第一部分432沿下游方向延伸。第二部分434係定位成與第一部分432成一直線或定位成低於第一部分432。第三部分436自第二部分434延伸且連接至噴嘴410。第三部分436係定位成高於第二部分434且包括末端。舉例而言，下游方向可以在上游區域422中向下設置。第一部分432之彎曲形狀可以設置成具有凸面向上的形狀。因此，與分支點相鄰之上游區域422、下游區域430以及排出管線440可以具有基本上「Y」形狀。「Y」形狀可以防止自上游區域422供應至排出管線440之處理液體流動至下游區域430。第一感測器426係安裝於第三部分436中以感測處理液體之第一水位。第一感測器426係定位成高於第一部分432。第一感測器426可以為位準感測器。當於第三部分436中感測到處理液體達到第一水位時，第一感測器426將所感測訊號傳輸至控制器。
緩衝器450係安裝於排出管線440中。緩衝器450包括外殼452及第二感測器454。外殼452係設置於桶形狀中，該桶在其中具有緩衝空間。外殼452在排出管線440上位於第二閥442之下游。外殼452具有相對末端，該等末端係開放的，相對末端中之一者充當用於處理液體之入口，而相對末端中之另一者充當用於處理液體之出口。因此，在排出期間，處理液體流過外殼452，而沒有填充於超過特定水位之緩衝空間中。第二感測器454感測填充於緩衝空間中之處理液體之第二水位。第二感測器454感測高於緩衝器450的空間中之特定水位的第二水位。因此，當於緩衝器450的空間中感測到處理液體達到第二水位時，第二感測器454將感測訊號傳輸至控制器。
循環管線460將沿著供應管線420流動的液體循環至液體槽415。循環管線460於供應管線420之上游區域422中自供應管線420分支且連接至液體槽415。循環管線460於第一閥424之上游分支，且第三閥462係安裝於循環管線460中。
控制器500調整第一閥424、第二閥442及第三閥462以及泵428以控制液體的流動。控制器500可以根據供應模式、待用模式以及維護模式來不同地調整每個閥。根據實施例，供應模式可以為用於將處理液體供應至噴嘴410之模式。待用模式可以為處理液體未供應至噴嘴410之模式。維護模式為用於解決以下問題之模式：即使在待用模式下亦因處理液體之回流及溢出而將處理液體供應至噴嘴410。
在供應模式下，控制器500打開第一閥424且切斷第二閥442及第三閥462。因此，處理液體可以自液體槽415供應至噴嘴410。
在待用模式下，控制器500打開第一閥424及第二閥442且切斷第三閥462。因此，處理液體可以通過排出管線440排出。舉例而言，通過排出管線440排出的處理液體可以循環至液體槽415。另外，在待用模式下，控制器500可以調整泵428之流動壓力，以使得將處理液體填充於供應管線420之下游區域430之第一部分432及第二部分434中而沒有填充於第三部分436中。此為藉由將處理液體填充於第一部分432及第二部分434中來防止通過噴嘴410將異物引入管中。
在維護模式下，控制器500可以切斷第一閥424及第二閥442且打開第三閥462。因此，可以防止將處理液體供應至供應管線420之下游區域430。
在下文中，將描述對基板「W」執行液體處理之過程。圖6為例示圖4之液體供應單元中之待用模式之視圖，圖7為例示圖4之液體供應單元中之供應模式之視圖，且圖8為例示圖4之液體供應單元中之維護模式之視圖。參照圖6至圖8，在將基板「W」放置於基板支撐單元340上之前或當噴嘴410待用時，應用待用模式。換言之，第一閥424及第二閥442係打開的，而第三閥462係切斷的。在待用模式下，處理液體可以通過供應管線420及排出管線440循環。
當將基板「W」放置於基板支撐單元340上時，噴嘴410移動至製程位置以排出液體，且將供應模式應用於液體供應單元400。在供應模式下，第一閥424係打開的，而第二閥442及第三閥462係切斷的。因此，液體槽415中之處理液體沿著供應管線420傳送至噴嘴410且供應至基板「W」上。當將處理液體完全供應至基板「W」時，再次將待用模式應用於液體供應單元，因此第一閥424及第二閥442係打開的，而第三閥462係切斷的。在應用待用模式的同時，處理液體之回流及溢出可因高壓而發生於排出管線440中。在此情況下，處理液體可以填充於緩衝器450及第三部分436的空間中。在此情況下，第一感測器426及第二感測器454感測到第一水位處的處理液體到達第三部分436或第二水位處的處理液體到達緩衝器450的空間，且將感測訊號傳輸至控制器500。控制器500藉由基於感測訊號切斷第一閥424及第二閥442來防止處理液體傳送至噴嘴410。然而，即使在供應模式下接收到感測訊號，控制器500亦可保持第一閥424打開。
根據上述實施例，當供應處理液體或停止處理液體的供應時，第一閥424始終打開。因此，可以在打開或閉合第一閥424之過程中防止粒子。另外，當供應處理液體或停止處理液體的供應時，第二閥442閉合或打開。然而，可以防止於第二閥442中產生之粒子在第二閥442之下游流動及傳送至噴嘴410。因此，可以防止因閥之打開/閉合操作而產生之粒子傳送至噴嘴410。
另外，已經描述了上述實施例，其中供應管線420之第一部分432具有凸面向上的形狀。然而，如圖9所示，第一部分432於縱向上與第二部分434沒有高度差。
根據本發明概念之實施例，液體可以藉由供應管線之頭差供應，且閥未設置於分支點之下游區域中。因此，可以防止因閥而產生粒子，且可以供應清潔液體。
另外，根據本發明概念之實施例，安裝於供應管線及緩衝器中之位準感測器可以感測液體之回流及溢出，且切斷每個閥以防止液體於不期望時刻供應至噴嘴。
另外，根據本發明概念之實施例，供應管線之下游區域係保持為填充有特定量的液體。因此，噴嘴之外部粒子至供應管線中之引入可得以最小化。
儘管本發明概念已關於示範性實施例加以描述，但熟習此項技術者應瞭解的是可在不脫離本發明概念之精神及範疇下進行各種變化及修改。因此，應當理解，以上實施例不是限制性的，而是例示性的。
1:基板處理設施 2:液體供應管線 4:噴嘴 6:閥 10:索引模組 20:製程處理模組 12:第一方向 14:第二方向 16:第三方向 18:載體 114a:基座 114b:本體 114c:索引臂 120:裝載端口 140:饋給框架 142:索引軌道 144:索引機器人 220:緩衝單元 240:饋給腔室 242:導引軌道 244:索引機器人 260:製程腔室 280:製程腔室 300:基板處理設備 310:腔室 314:風扇 320:處理容器 322:內部回收器皿 322a:內部空間 322b:回收管線 326:外部回收器皿 326a:空間 326b:回收管線 340:旋轉頭/基板支撐單元 342:本體 344:支撐銷 346:夾頭銷 348:支撐軸 349:馬達 360:提升單元 362:托架 364:可移動軸 366:驅動器 410:噴嘴 415:液體槽 420:供應管線 422:上游區域 424:第一閥 426:第一感測器 428:泵 430:下游區域 432:第一部分 434:第二部分 436:第三部分 400:液體供應單元 440:排出管線 442:第二閥 450:緩衝器 452:外殼 454:第二感測器 460:循環管線 462:第三閥 500:控制器 W:基板
以上及其他目的及特徵將藉由參考以下圖式之以下描述而變得顯而易見，其中除非另外指明，否則遍及各個圖式，相同參考標號是指相同部分且其中：
[圖1]係例示用於供應液體之典型單元之視圖；
[圖2]係例示根據本發明概念之實施例之基板處理設施之平面圖；
[圖3]係例示圖2之基板處理設備之截面圖；
[圖4]係例示圖3之液體供應單元之視圖；
[圖5]係例示圖4之供應管線之分支點及下游區域的放大部分之視圖；
[圖6]係例示圖4之液體供應單元中之待用模式之視圖；
[圖7]係例示圖4之液體供應單元中之供應模式之視圖；
[圖8]係例示圖4之液體供應單元中之維護模式之視圖；以及
[圖9]係例示根據另一實施例之圖5之液體供應單元之視圖。
1:基板處理設施
10:索引模組
12:第一方向
14:第二方向
16:第三方向
18:載體
20:製程處理模組
114a:基座
114b:本體
114c:索引臂
120:裝載端口
140:饋給框架
142:索引軌道
144:索引機器人
220:緩衝單元
240:饋給腔室
242:導引軌道
244:索引機器人
260:製程腔室
280:製程腔室

Claims (25)

  1. 一種用於處理基板之設備，前述設備包含：處理容器，前述處理容器具有處於前述處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，前述基板支撐單元經配置以將基板支撐於前述處理空間中；以及液體供應單元，前述液體供應單元經配置以將處理液體供應至由前述基板支撐單元支撐的前述基板；其中前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將前述處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥；其中在前述供應管線中，在前述分支點與前述噴嘴之間的區域中沒有閥，且其中自前述供應管線的前述分支點在下游方向與前述分支點之相鄰區域具有凸面向上的形狀。
  2. 如請求項1所記載之設備，其中基於前述分支點，前述供應管線之下游區域之末端係定位成高於前述排出管線。
  3. 如請求項2所記載之設備，其中前述下游區域之前述末端係定位成高於前述分支點。
  4. 一種用於處理基板之設備，前述設備包含：處理容器，前述處理容器具有處於前述處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，前述基板支撐單元經配置以將基板支撐於前述處理空間中； 以及液體供應單元，前述液體供應單元經配置以將處理液體供應至由前述基板支撐單元支撐的前述基板；其中前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將前述處理液體供應至前述噴嘴；以及排出管線，前述排出管線自分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，其中前述供應管線之上游區域基於前述分支點在自上而下的方向上設置，其中前述供應管線之下游區域基於前述分支點在前述上游區域的側方向上設置，且在前述下游區域中與前述噴嘴之相鄰區域定位成高於前述分支點的前述相鄰區域，其中前述分支點定位成低於前述供應管線之前述下游區域中與前述噴嘴之前述相鄰區域，且其中前述排出管線自前述分支點在向下方向中設置。
  5. 如請求項3所記載之設備，其中前述下游方向係基於前述分支點在前述供應管線之上游區域中向下設置。
  6. 如請求項5所記載之設備，其中前述液體供應單元進一步包括：第一感測器，前述第一感測器經配置以感測前述下游區域中之前述處理液體之第一水位；以及緩衝器，前述緩衝器安裝在前述排出管線中之前述第二閥之下游，且經配置以將前述處理液體暫時儲存於前述緩衝器中，其中前述下游區域包括：第一部分，前述第一部分自前述分支點延伸且具有彎曲形狀； 第二部分，前述第二部分自前述第一部分延伸且設置在與前述第一部分之一位置成直線或設置在低於前述第一部分之前述位置的一位置處；以及第三部分，前述第三部分自前述第二部分延伸，定位成高於前述第一部分且包括前述末端；其中前述第一感測器係安裝於前述第三部分中。
  7. 一種用於處理基板之設備，前述設備包含：處理容器，前述處理容器具有處於前述處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，前述基板支撐單元經配置以將基板支撐於前述處理空間中；以及液體供應單元，前述液體供應單元經配置以將處理液體供應至由前述基板支撐單元支撐的前述基板；其中前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將前述處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥；以及緩衝器，前述緩衝器安裝在前述排出管線中之前述第二閥的下游，且經配置以將前述處理液體暫時儲存於前述緩衝器中。
  8. 如請求項7所記載之設備，其中前述緩衝器包括：外殼，前述外殼安裝於前述排出管線中且於前述外殼中具有緩衝空間；以及第二感測器，前述第二感測器經配置以感測填充於前述緩衝空間中之前述處理液體之第二水位。
  9. 如請求項6至8中任一項所記載之設備，其中前述液體供應單元進一步包括：泵，前述泵經配置以向沿著前述供應管線流動的前述處理液體施加流動壓力；以及控制器，前述控制器經配置以調整前述處理液體向前述噴嘴的供應；其中前述控制器控制前述第二閥，使得前述第二閥在供應模式下切斷，以將前述處理液體供應至前述噴嘴，而在待用模式下打開，以停止前述處理液體向前述噴嘴的前述供應。
  10. 如請求項9所記載之設備，其中在前述待用模式下，前述控制器在自前述第一感測器或前述第二感測器接收到針對前述處理液體之感測訊號時，切斷前述第一閥及前述第二閥，前述第二感測器經配置以感測填充於前述緩衝器中之前述處理液體之第二水位。
  11. 如請求項9所記載之設備，其中前述控制器調整前述泵，使得前述處理液體在前述待用模式下填充於前述第二部分中。
  12. 一種用於供應液體至基板之液體供應單元，前述液體供應單元包含：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥；其中在前述供應管線中，在前述分支點與前述噴嘴之間的區域中沒有閥，其中自前述供應管線的前述分支點在下游方向與前述分支點之相鄰區域具有凸面向上的形狀。
  13. 如請求項12所記載之液體供應單元，其中基於前述分支點，前述供應管線之下游區域之末端係定位成高於前述分支點及前述排出管線。
  14. 一種用於供應液體至基板之液體供應單元，前述液體供應單元包含：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將處理液體供應至前述噴嘴；以及排出管線，前述排出管線自分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體；其中前述供應管線之上游區域基於前述分支點在自上而下的方向上設置，其中前述供應管線之下游區域基於前述分支點在前述上游區域的側方向上設置，在前述下游區域中與前述分支點之相鄰區域以凸面向上的形狀設置，且在前述下游區域中與前述噴嘴之相鄰區域定位成高於前述分支點的前述相鄰區域，其中前述分支點定位成低於前述供應管線之前述下游區域中與前述噴嘴之前述相鄰區域，且其中前述排出管線自前述分支點在向下方向中設置。
  15. 如請求項13所記載之液體供應單元，其中前述下游方向係基於前述分支點在前述供應管線之上游區域中向下設置。
  16. 如請求項15所記載之液體供應單元，其中前述液體供應單元進一步包括：第一感測器，前述第一感測器經配置以感測前述下游區域中之前述處理液體之第一水位；其中前述下游區域包括：第一部分，前述第一部分自前述分支點延伸且具有彎曲形狀； 第二部分，前述第二部分自前述第一部分延伸且設置在與前述第一部分之一位置成直線或設置在低於前述第一部分之前述位置的一位置處；以及第三部分，前述第三部分自前述第二部分延伸，定位成高於前述第一部分且包括前述末端；其中前述第一感測器係安裝於前述第三部分中。
  17. 一種用於供應液體至基板之液體供應單元，前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥；以及緩衝器，前述緩衝器安裝在前述排出管線中之前述第二閥之下游，且經配置以將前述處理液體暫時儲存於前述緩衝器中；其中前述緩衝器包括：外殼，前述外殼安裝於前述排出管線中，且於前述外殼中具有緩衝空間；以及第二感測器，前述第二感測器經配置以感測填充於前述緩衝空間中之前述處理液體之第二水位。
  18. 如請求項12至17中任一項所記載之液體供應單元，其中前述液體供應單元進一步包括：控制器，前述控制器經配置以調整前述處理液體向前述噴嘴的供應；其中前述控制器控制前述第二閥，使得前述第二閥在供應模式下切斷，以將前述處理液體供應至前述噴嘴，而在待用模式下打開，以停止前述處理液體 向前述噴嘴的前述供應。
  19. 一種使用如請求項3所記載之用於處理基板之設備來處理基板之方法，前述方法包含以下步驟：在將前述處理液體供應至前述基板時，在前述第一閥係打開的且前述第二閥係切斷的狀態下，向前述供應管線施加流動壓力，以將前述處理液體供應至高於前述供應管線中之前述下游區域之最高點的點；以及當停止向前述基板供應前述處理液體時，打開前述第二閥，且保持前述流動壓力，以防止前述處理液體流動至前述最高點。
  20. 如請求項19所記載之方法，其進一步包含以下步驟：當停止供應前述處理液體時且當前述處理液體自前述排出管線溢出時，切斷前述第一閥及前述第二閥以防止前述處理液體流動至前述最高點。
  21. 一種用於處理基板之設備，前述設備包含：處理容器，前述處理容器具有處於前述處理容器內部之處理空間；基板支撐單元，前述基板支撐單元經配置以將基板支撐於前述處理空間中；以及液體供應單元，前述液體供應單元經配置以將處理液體供應至由前述基板支撐單元支撐的前述基板；其中前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將前述處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥，其中前述供應管線之上游區域之末端基於前述分支點定位成高於前述排出 管線。
  22. 一種用於供應液體至基板之液體供應單元，前述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，前述供應管線經配置以將處理液體供應至前述噴嘴，且在前述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，前述排出管線自作為前述供應管線中之前述第一閥之下游的一點的分支點分支，以自前述供應管線排出前述處理液體，且在前述排出管線中安裝有第二閥，其中前述供應管線之上游區域之末端基於前述分支點定位成高於前述排出管線。
  23. 如請求項1、7和21中任一項所記載之設備，其中即使在停止前述處理液體的前述供應，前述第一閥仍打開。
  24. 如請求項12、17和22中任一項所記載之液體供應單元，其中即使在停止前述處理液體的前述供應，前述第一閥仍打開。
  25. 如請求項19所記載之方法，其中即使在停止前述處理液體的前述供應，前述第一閥仍打開。
TW109121269A 2019-06-24 2020-06-23 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法 TWI769469B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0075144 2019-06-24
KR1020190075144A KR102346529B1 (ko) 2019-06-24 2019-06-24 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202100255A TW202100255A (zh) 2021-01-01
TWI769469B true TWI769469B (zh) 2022-07-01

Family

ID=73850307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109121269A TWI769469B (zh) 2019-06-24 2020-06-23 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11658048B2 (zh)
JP (1) JP7290607B2 (zh)
KR (1) KR102346529B1 (zh)
CN (1) CN112133645A (zh)
TW (1) TWI769469B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR20220085582A (ko) * 2020-12-15 2022-06-22 세메스 주식회사 약액 수용 어셈블리 및 이를 포함하는 약액 토출 장치
KR102584512B1 (ko) * 2020-12-31 2023-10-05 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 온도 변화가 수반되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서의 보관 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158597A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2198810A (en) * 1986-12-19 1988-06-22 Philips Electronic Associated Apparatus suitable for processing semiconductor slices
US5922138A (en) * 1996-08-12 1999-07-13 Tokyo Electron Limited Liquid treatment method and apparatus
JP2003215002A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
EP1347496A3 (en) * 2002-03-12 2006-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4527670B2 (ja) 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US8303797B2 (en) * 2006-06-16 2012-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning system and cleaning method
JP4688741B2 (ja) * 2006-06-26 2011-05-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008153521A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
TWI439571B (zh) * 2007-01-15 2014-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Sulfuric acid electrolysis device, electrolysis method and substrate processing device
JP4825178B2 (ja) * 2007-07-31 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5033108B2 (ja) * 2008-11-05 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、および記憶媒体
US8950414B2 (en) * 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP5761521B2 (ja) * 2010-06-07 2015-08-12 栗田工業株式会社 洗浄システムおよび洗浄方法
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5616312B2 (ja) * 2011-11-07 2014-10-29 トーステ株式会社 ゴム栓洗浄方法及びゴム栓洗浄装置
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
US20130269599A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and Apparatus for Continuous Pressure Control Processing
WO2014050941A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法、基板処理方法、処理液処理装置および処理液処理方法
US9831016B2 (en) * 2012-11-29 2017-11-28 Abb Schweiz Ag Stripping structure and method for removing enamel insulation from lead ends
JP6010457B2 (ja) 2012-12-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および薬液回収方法
KR101499248B1 (ko) 2013-01-04 2015-03-05 제일모직주식회사 봉지용 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
JP6502633B2 (ja) * 2013-09-30 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2015136872A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび配管洗浄方法
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP5897226B1 (ja) * 2014-07-16 2016-03-30 オリンパス株式会社 液体供給装置及び内視鏡リプロセス装置
JP2016037365A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社カワタ 分岐装置および気力輸送装置
JP6439964B2 (ja) 2014-09-17 2018-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9972513B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Shibaura Mechatronics Corporation Device and method for treating a substrate with hydrofluoric and nitric acid
JP6884523B2 (ja) 2016-07-22 2021-06-09 株式会社東芝 画像形成装置
US10822219B2 (en) * 2017-01-19 2020-11-03 The Coca Cola Company Automated cleaning system for beverage dispensing machine
JP6975018B2 (ja) 2017-02-22 2021-12-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6743724B2 (ja) 2017-02-22 2020-08-19 株式会社デンソー 通信ネットワーク及び通信端末
JP6959743B2 (ja) 2017-02-22 2021-11-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6986933B2 (ja) 2017-11-08 2021-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7096004B2 (ja) * 2018-02-07 2022-07-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158597A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112133645A (zh) 2020-12-25
KR20210000362A (ko) 2021-01-05
US20200402818A1 (en) 2020-12-24
JP7290607B2 (ja) 2023-06-13
US11658048B2 (en) 2023-05-23
JP2021002653A (ja) 2021-01-07
TW202100255A (zh) 2021-01-01
KR102346529B1 (ko) 2021-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769469B (zh) 用於供應液體之單元、用於處理具有該單元之基板的設備及方法
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
US20200406311A1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
CN107785290B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN109585335B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR102098599B1 (ko) 약액공급유닛
KR20130052997A (ko) 버퍼
KR102075674B1 (ko) 액 공급장치, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
KR20180070220A (ko) 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20120126384A (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
JP7406601B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102666204B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102290675B1 (ko) 약액 충전 장치 및 방법
US20230207306A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
US20220090859A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
US20230089188A1 (en) Unit for storing liquid and apparatus for treating substrate
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230094942A (ko) 약액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 약액 공급 방법
US20230201865A1 (en) Home pot and an apparatus for treating a substrate
KR20230141344A (ko) 약액 탱크 및 이를 가지는 약액 공급 장치
KR102037917B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240031470A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101910798B1 (ko) 배출 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20140017753A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법