CN112987499A - 液体处理装置以及处理液的温度调整方法 - Google Patents

液体处理装置以及处理液的温度调整方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112987499A
CN112987499A CN202011405465.7A CN202011405465A CN112987499A CN 112987499 A CN112987499 A CN 112987499A CN 202011405465 A CN202011405465 A CN 202011405465A CN 112987499 A CN112987499 A CN 112987499A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
gas
pipe
processing
processing container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011405465.7A
Other languages
English (en)
Inventor
山内刚
柴田大树
川上浩平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN112987499A publication Critical patent/CN112987499A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/002—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour incorporating means for heating or cooling, e.g. the material to be sprayed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L53/00—Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
    • F16L53/30—Heating of pipes or pipe systems
    • F16L53/32—Heating of pipes or pipe systems using hot fluids
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明涉及一种液体处理装置以及处理液的温度调整方法。在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止水分混入该处理液。液体处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；喷出喷嘴，其向保持于基板保持部的基板喷出处理液；液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向喷出喷嘴供给；气体管，其内包液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与液体供给管之间的空间流通；处理容器，其在内部设有基板保持部、喷出喷嘴、液体供给管以及气体管；以及气氛气体供给部，其向处理容器内供给气氛气体，气体管在处理容器内的上游侧端与内包有液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置。

Description

液体处理装置以及处理液的温度调整方法
技术领域
本公开涉及一种液体处理装置以及处理液的温度调整方法。
背景技术
专利文献1中公开了一种膜涂敷装置，该膜涂敷装置包括：用于向内部导入基板并对基板进行膜涂敷的涂敷容器；保持涂敷液的涂敷液容器；将涂敷液从涂敷液容器向涂敷容器输送的液体输送系统。在该膜涂敷装置设有用于抑制所涂敷的膜内含有水分的单元。另外，在专利文献1中公开了如下内容：抑制单元包括双重树脂配管，使含有非活性气体的气体存在于双重树脂配管的内管与外管之间的空间，将双重树脂配管用于液体输送系统。另外，对于专利文献1中的作为膜涂敷装置的抗蚀剂涂布装置，抗蚀剂喷出装置和作为液体输送系统的抗蚀剂线路由作为涂敷液容器的抗蚀剂供给容器和将这些连结的配管构成。抗蚀剂喷出装置具有3重结构的抗蚀剂温度调整配管和喷嘴。另外，在3重结构的抗蚀剂温度调整配管设有供温度调整用冷却水流入的由聚氯乙烯(PVC)系的管构成的调温冷却水流入配管以及供温度调整用冷却水排出的由四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)管构成的调温冷却水流出配管。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-85263号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止在该处理液混入不必要的水分。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是一种液体处理装置，该液体处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置。
对于上述液体处理装置，也可以是，该液体处理装置还具有使所述喷出喷嘴沿俯视下的预定的方向移动的移动机构。
对于上述液体处理装置，也可以是，所述气体管设为，所述延伸部向所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向折返。
对于上述液体处理装置，也可以是，所述气体管设为，所述延伸部向与所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向正交的方向折返。
对于上述液体处理装置，也可以是，所述气体管设为，所述延伸部在所述处理容器内环绕。
对于上述液体处理装置，也可以是，该液体处理装置具有将所述气体管固定于所述处理容器内的固定器具，所述固定器具由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
对于上述液体处理装置，也可以是，所述气体管的外周形成为波纹管形状。
对于上述液体处理装置，也可以是，在所述处理容器内具有连接导入管与所述气体管的接头，该导入管将来自非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入，所述接头由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
对于上述液体处理装置，也可以是，所述气体管的外径比将来自所述非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入的导入管的外径大。
本公开的一技术方案是一种处理液的温度调整方法，其是液体处理装置的处理液的温度调整方法，所述液体处理装置具有：基板保持部，其用于保持基板；喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置，该温度调整方法具有如下工序：利用来自所述气氛气体供给部的气氛气体调整在所述气体管内流通的非活性气体的温度；以及利用被调整了温度的非活性气体调整在所述液体供给管内流通的处理液的温度。
发明的效果
利用本公开，能够在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止在该处理液混入不必要的水分。
附图说明
图1是表示作为本实施方式的液体处理装置的抗蚀剂涂敷装置的结构的概略的纵剖视图。
图2是表示图1的抗蚀剂涂敷装置的处理容器内的样子的立体图。
图3是表示气体管的概略的剖视图。
图4是表示气体管的具体例的放大俯视图。
图5是用于说明液体供给管的另一例子的剖视图。
具体实施方式
对于半导体器件等的制造工艺中的光刻工序，为了在半导体晶圆(以下，有时称为晶圆)上形成期望的抗蚀图案，进行将抗蚀液向晶圆涂敷而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成处理等。
在进行上述的抗蚀剂膜形成处理的抗蚀剂涂敷装置设有向晶圆喷出抗蚀液的喷出喷嘴和向喷出喷嘴供给抗蚀液的液体供给管。液体供给管大多使用由PFA等构成的树脂管。
另外，在抗蚀剂涂敷装置设有调整抗蚀液的温度的温度调整机构，以使晶圆面内以及晶圆间的膜厚均匀。在专利文献1中为了调整抗蚀液的温度而使用温度调整用冷却水。
顺便提及，若在抗蚀液中混入多余水分，则有时会发生无法得到期望的形状的抗蚀图案等问题。
在专利文献1中公开了如下内容：对于膜涂敷装置，抑制所涂敷的膜内含有水分的单元包括双重树脂配管，使含有非活性气体的气体存在于双重树脂配管的内管与外管之间的空间，将双重树脂配管用于液体输送系统。在专利文献1中，液体输送系统是指将来自保持涂敷液的涂敷液容器的涂敷液向用于将基板导入内部并对基板进行膜涂敷的涂敷容器输送的液体输送系统。
但是，对于专利文献1的作为膜涂敷装置的抗蚀剂涂布装置，在作为液体输送系统的抗蚀剂管线中的、设有抑制含有水分的单元的管线是连接具有抗蚀剂温度调整配管以及喷嘴的抗蚀剂喷出装置和作为涂敷液容器的抗蚀剂供给容器的配管。而且在喷嘴附近的抗蚀剂温度配管设有抗蚀液的调温冷却水。像这样，对于使用水进行抗蚀剂的温度调整的情况，若针对隔开温度调整用的水与抗蚀液的配管使用PFA等树脂，则有时温度调整用的水会混入抗蚀液内。
上述方面，对于用于半导体器件等的制造的、抗蚀液以外的需要温度调整的处理液也同样。
在此，本公开的技术在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止水分混入该处理液。
以下，参照附图对本实施方式的液体处理装置以及处理液的温度调整方法进行说明。此外，在本说明书中，对于实质上具有相同的功能结构的要素，通过附加相同的附图标记而省略重复的说明。
图1是表示本实施方式的作为液体处理装置的涂敷装置的结构的概略的纵剖视图。图2是表示图1的抗蚀剂涂敷装置的后述的处理容器内的样子的立体图。图3是表示后述的气体管的概略的剖视图。
如图1所示，抗蚀剂涂敷装置1具有能够使内部密闭的处理容器10。在处理容器10的侧面形成有晶圆W的送入送出口(未图示)，在该送入送出口设有开闭闸门(未图示)。
在处理容器10内设有两个处理部P1、P2。处理部P1、P2以沿装置宽度方向(图中的±X方向)排列的方式配设。
处理部P1具有作为基板保持部的旋转卡盘11，该旋转卡盘11通过真空吸附晶圆W的背面中央部而将该晶圆W保持为水平。该旋转卡盘11连接于旋转机构12，利用该旋转机构12而绕铅垂轴线旋转。另外，以包围被保持于旋转卡盘11的晶圆W的方式设有防止处理液从晶圆W飞散的杯13。排液口14在该杯13的底部开口。另外，在杯13的底部设有排气管15，在晶圆W的处理中，杯13内利用连接于排气管15的排气装置(未图示)进行排气。
旋转卡盘11的周围配置有升降销21。该升降销21能够利用升降机构22垂直升降，并支承晶圆W而使该晶圆W升降。利用升降销21，能够在旋转卡盘11与晶圆输送机构(未图示)之间传送晶圆W。
处理部P2的结构与处理部P1同样，因此省略其说明。
如图2所示，在处理容器10的底壁10a处的处理部P1、P2的装置进深方向一方侧(图中的Y方向负方向侧)形成有沿装置宽度方向(图中的±X方向)延伸的引导槽30。引导槽30形成为例如从处理部P1的杯13的装置宽度方向一方侧(图中的X方向负方向侧)的外方至装置宽度方向另一方侧(图中的X方向正方向侧)的外方。臂31借助作为移动机构的驱动机构32安装于引导槽30。
臂31从驱动机构32向与引导槽30的延伸方向正交的装置进深方向延伸，在其顶端连接有喷嘴头33。如图1所示，喷出喷嘴33a支承于喷嘴头33的下表面，该喷出喷嘴33a相对于被保持于旋转卡盘11的晶圆W喷出作为处理液的抗蚀液。
从喷出喷嘴33a喷出的抗蚀液是例如用于EUV曝光的含金属抗蚀剂。
图2的驱动机构32沿引导槽30在装置宽度方向(图中的±X方向)上移动。利用该驱动机构32的驱动，喷出喷嘴33a能够从设于处理部P1的杯13的装置宽度方向一方侧(图中的X方向负方向侧)的外侧的待机部34移动至杯13内的晶圆W的中央部上方。另外，利用驱动机构32，臂31升降自如，而能够调节喷出喷嘴33a的高度。
进而，如图1所示，抗蚀剂涂敷装置1具有作为向处理容器10内供给气氛气体的气氛气体供给部的风扇过滤器单元(FFU)16。风扇过滤器单元16设为用于将进行了温度调整的清洁的空气作为气氛气体向被保持于旋转卡盘11的晶圆W供给。来自风扇过滤器单元16的空气被温度调整为例如大约23℃。
而且，对于抗蚀剂涂敷装置1，在喷嘴头33还连接有气体管40。如图3所示，气体管40内包有液体供给管41。液体供给管41用于将来自抗蚀液的储存源(未图示)的抗蚀液向喷嘴头33的喷出喷嘴33a供给。另外，来自N2气体等非活性气体的储存源(未图示)的非活性气体在气体管40的内壁面与液体供给管41之间的空间流通。在气体管40流通的非活性气体于流通中通过与来自风扇过滤器单元16的空气进行热交换来进行温度调整。然后，利用该进行了温度调整的非活性气体对抗蚀液进行温度调整。换言之，在气体管40流通的非活性气体用于抗蚀液的温度调整。
对于气体管40，使用例如PFA管、在由PFA等形成的树脂管的表面实施了疏水处理而成的高阻隔管。另外，对于气体管40中的、利用驱动机构32使喷出喷嘴33a移动时不会变形的部分，也可以使用由SUS等热传导率高的金属材料形成的管。对于液体供给管41也能够使用与气体管40同样的管。
此外，气体管40并不是在其全部的区域内包有液体供给管41，而是仅在其下游测的部分内包有液体供给管41。在本例中，气体管40仅在比后述的固定器具71的附近靠下游测的部分内包有液体供给管41。气体管40的内包有液体供给管41的内包部40a借助限制构件35连接于喷嘴头33。限制构件35是用于限制气体管40的相对于喷嘴头33等的运动的构件。为了保证气体管40的密闭性，对于该气体管40的贯穿有液体供给管41的贯穿部分，在液体供给管41的周围设有密封构件(未图示)。
另外，气体管40在处理容器10内的上游侧端与内包有液体供给管41的内包部40a之间的部分、即延伸部40b在该处理容器10内以俯视为折返的方式设置。在本实施方式中，在处理容器10内，气体管40的上游侧端与接头60连接，该接头60与将来自非活性气体的储存源的非活性气体向处理容器10内导入的导入管50相对。因而，在本实施方式中，上述延伸部40b从气体管40的与接头60连接的部分至内包部40a。
在处理容器10内，气体管40配设为上述的延伸部40b在俯视为折返。具体而言，气体管40配设为，延伸部40b向在俯视下的喷出喷嘴33a利用驱动机构32进行移动的移动方向、即装置宽度方向(图2中的±X方向)折返，并且，向与在俯视下的上述装置宽度方向正交的方向、即装置进深方向(图2中的±Y方向)折返。更具体而言，延伸部40b以在处理容器10内沿其侧壁环绕的方式在底壁10a上行进。因此，延伸部40b在处理容器10内的四角附近具有弯折部。
进一步，在处理容器10内具有将气体管40固定于该处理容器10内的、俯视呈L字状的固定器具70和俯视呈直线状的固定器具71。固定器具70将气体管40的延伸部40b的在处理容器10内的四角附近的弯折部固定于该处理容器10的底壁10a。固定器具71将气体管40的比延伸部40b的最下游的上述弯折部更靠下游侧的部分固定于处理容器10的底壁10a。固定器具70、71的材料可以使用热传导率比气体管40的热传导率高的不锈钢等金属材料。此外，固定器具70、71能够使用被称为贯通接头的具有贯通孔的部件。但是，作为固定器具70、71的贯通接头并不是以连接气体管彼此间为目的使用的，而是以在气体管40贯穿于贯通接头的贯通孔的部分的状态下通过固定贯通接头使气体管40的位置稳定为目的使用的。
不只是固定器具70、71，接头60的材料也能够使用热传导率比气体管40的热传导率高的金属材料。
接下来对抗蚀剂涂敷装置1的晶圆处理的一例进行说明。
首先，晶圆W被向处理容器10内输送，而被吸附并载置于处理部P1、P2中的任一者的旋转卡盘11上。在此，晶圆W被吸附并载置于处理部P1的旋转卡盘11上。
接着，喷出喷嘴33a利用驱动机构32的驱动向被保持于处理部P1的旋转卡盘11的晶圆W的中央上方移动。
而且，保持于旋转卡盘11的晶圆W利用旋转机构12的驱动而旋转，喷出喷嘴33a向旋转中的晶圆W喷出进行了温度调整的抗蚀液。
为了进行抗蚀液的温度调整，在抗蚀剂涂敷装置1，首先利用来自风扇过滤器单元16的进行了温度调整的空气，利用该空气将在气体管40的延伸部40b流通的非活性气体的温度调整至例如大约23℃。然后，在比延伸部40b靠下游侧的内包部40a，利用被调整了温度的非活性气体将在液体供给管41内流通的抗蚀液的温度调整至例如大约23℃。
在喷出抗蚀液并于晶圆W上形成了抗蚀剂膜后，喷出喷嘴33a向待机部34退避，晶圆W从处理容器10内排出。
由此晶圆处理完成。
如上所述，在本实施方式中，抗蚀剂涂敷装置1具有保持晶圆W的旋转卡盘11和向保持于旋转卡盘11的晶圆W喷出抗蚀液的喷出喷嘴33a。而且，抗蚀剂涂敷装置1具有：液体供给管41，其将来自抗蚀液的储存源的抗蚀液向喷出喷嘴33a供给；和气体管40，其内包液体供给管41，抗蚀液的温度调整用的非活性气体在该气体管40与该液体供给管41之间的空间流通。另外，抗蚀剂涂敷装置1具有：处理容器10，其内部设有旋转卡盘11、喷出喷嘴33a、液体供给管41以及气体管40；和风扇过滤器单元16，其向处理容器10内供给气氛气体。另外，对于抗蚀剂涂敷装置1，气体管40具有其在处理容器10内的上游侧端与内包有液体供给管41的内包部40a之间的部分、即延伸部40b。因此，能够将在延伸部40b与来自风扇过滤器单元16的气氛气体之间进行了热交换的非活性气体向内包有液体供给管41的内包部40a供给。而且，在本实施方式中，气体管40以其延伸部40b在处理容器10内在俯视为折返的方式配设且该延伸部40b较长，因此在延伸部40b能够促进上述热交换。因而，能够更可靠地使抗蚀液的温度与来自风扇过滤器单元16的气氛气体的温度大致相等。换言之，能够更可靠地适当调整抗蚀液的温度。另外，在本实施方式中，为了进行喷出喷嘴33a附近的抗蚀液的温度调整，不使用调温水而使用非活性气体，因此不必要的水分不会混入抗蚀液内。在使用含有金属的抗蚀液作为抗蚀液的情况下，若在该抗蚀液内混入不必要的水分，则有时会产生抗蚀图案的线宽的变动，但利用本实施方式，能够防止上述这样的变动。
与本实施方式的技术不同，也可以考虑使用在抗蚀剂涂敷装置1的外部进行了温度调整的非活性气体来调整抗蚀液的温度的方法。但是，在这种方法的情况下，需要将非活性气体的温度调整机构与抗蚀剂涂敷装置1相独立地配置，另外，为了使非活性气体的温度在直到到达抗蚀剂涂敷装置1的期间不受外部的影响，需要使上述温度调整机构的配置位置在抗蚀剂涂敷装置1的附近。因而，在与本实施方式的技术不同的上述方法中，在包含非活性气体的温度调整机构在内的抗蚀剂涂敷装置的载置空间上存在问题。相对于此，在本实施方式中无需将非活性气体的温度调整机构与抗蚀剂涂敷装置1相独立地配置，因此能够削减与抗蚀剂涂敷装置1相关的空间，因此不会产生上述这样的载置空间上的问题。
另外，在本实施方式中，用于将气体管40固定于处理容器10内的固定器具71、72的材料可以使用热传导率比气体管40的热传导率高的金属材料。因而，利用来自风扇过滤器单元16的气氛气体易于对固定器具71、72加热、冷却。因此，能够在固定器具71、72的配设位置进一步促进来自风扇过滤器单元16的气氛气体与在气体管40流通的非活性气体之间的热交换。
进而，在本实施方式中，接头60的材料可以使用热传导率比气体管40的热传导率高的金属材料。因而，利用来自风扇过滤器单元16的气氛气体易于对接头60加热、冷却。因此，能够在接头60的配置位置进一步促进来自风扇过滤器单元16的气氛气体与在气体管40流通的非活性气体之间的热交换。
此外，在将气体管40分割成多个并使分割体彼此间利用接头互相连接的情况下，该接头也可以使用热传导率比气体管40的热传导率高的金属材料。
图4是表示气体管40的具体例的放大俯视图。
如图所示，气体管40的外周也可以形成为波纹管形状。通过形成为波纹管形状而能够增大气体管40的外周面的表面积，其结果，能够进一步促进来自风扇过滤器单元16的气氛气体与在气体管40流通的非活性气体之间的热交换。
另外，气体管40的外径R1也可以设为比将来自非活性气体的储存源的非活性气体向处理容器10内导入的导入管50的外径R2大。由此，能够增大气体管40的外壁面的表面积。其结果，能够进一步促进来自风扇过滤器单元16的气氛气体与在气体管40流通的非活性气体之间的热交换。另外，也可以将气体管40的内径设为比导入管50的内径大。由此，能够降低气体管40内的非活性气体的流速，因此能够进一步促进上述热交换。
此外，在以上的例子中，在气体管40内内包有一根液体供给管41，但在气体管40内内包的液体供给管41的根数也可以是多个。
图5是用于说明液体供给管41的另一例子的剖视图。
如图所示，也可以是，将液体供给管设为包括内管41a和外管41b的双重管结构，作为抗蚀液的含有金属的抗蚀液在内管41a内流通，酸性溶剂在内管41a与外管41b之间流通。若在本来被调整为酸性的含有金属的抗蚀液中混入水分而变为中性，则水解反应与缩聚反应中的后者的反应的比例变大，其结果，有时微粒数以及线宽会变大。相对于此，如本例所述，通过在供抗蚀液流通的内管41a的外侧使酸性溶剂流通，即使假设在抗蚀液混入水分，也能够有意地将酸性溶剂向抗蚀液混入，而能够将抗蚀液维持为酸性。因而，能够防止微粒数的增加以及线宽的增大。
此外，作为酸性溶剂，能够使用例如将甲酸、醋酸等羧酸混合于有机溶剂而成的酸性溶剂。
而且，优选液体供给管41的管厚比以往的液体供给管的管厚厚。通过使液体供给管较厚，能够进一步抑制向在液体供给管41内流通并由喷出喷嘴33a喷出的抗蚀液混入的水分的量。
另外，优选抗蚀液流通时的液体供给管41的内压比以往高。通过提高内压，能够进一步抑制向在液体供给管41内流通并由喷出喷嘴33a喷出的抗蚀液混入的水分的量。
此外，在以上的例子中，气体管40配设为延伸部40b在处理容器10内环绕。换言之，气体管40配设为延伸部40b向装置宽度方向折返且向装置进深方向折返。不限于此例，气体管40也可以配设为延伸部40b仅向装置宽度方向折返，还可以配设为延伸部40b仅向装置进深方向折返。
另外，在以上的例子中，使用了抗蚀液作为向喷出喷嘴供给的处理液，但处理液不限于此。例如，处理液也可以是除抗蚀液以外的利用旋涂等形成涂覆膜用的涂敷液，更具体而言，也可以是除含有金属的抗蚀剂以外的含有有机物和无机物这两者的涂敷液(例如用于形成SiARC膜、Spin On金属膜的涂敷液)。
应该认为本次公开的实施方式在全部方面均为例示而非限制性的。对于上述的实施方式，只要不脱离权利要求书的范围及其主旨，就可以以各种方式省略、置换或变更。
此外，以下结构也属于本公开的技术范围。
第一技术方案是一种液体处理装置，
该液体处理装置具有：
基板保持部，其用于保持基板；
喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；
液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；
气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；
处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及
气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，
所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置。
采用所述第一技术方案，能够在对向喷出喷嘴供给的处理液进行温度调整时防止水分混入该处理液。另外，针对处理液的温度调整所使用的非活性气体的温度调整，使用进行了温度调整的来自气氛气体供给部的气氛气体，通过如所述第一技术方案那样设置气体管，能够进一步促进上述非活性气体与上述气氛气体之间的热交换。
第二技术方案根据所述第一技术方案所述的液体处理装置，该液体处理装置还具有使所述喷出喷嘴沿俯视下的预定的方向移动的移动机构。
第三技术方案根据所述第二技术方案所述的液体处理装置，所述气体管设为，所述延伸部向所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向折返。
第四技术方案根据所述第二技术方案或第三技术方案所述的液体处理装置，所述气体管设为，所述延伸部向与所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向正交的方向折返。
第五技术方案根据上述第二技术方案～第四技术方案中任一项所述的液体处理装置，所述气体管设为，所述延伸部在所述处理容器内环绕。
第六技术方案根据上述第一技术方案～第五技术方案中任一项所述的液体处理装置，该液体处理装置具有将所述气体管固定于所述处理容器内的固定器具，所述固定器具由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
采用所述第六技术方案，能够进一步促进上述非活性气体与上述气氛气体之间的热交换。
第七技术方案根据所述第一技术方案～第六技术方案中任一项所述的液体处理装置，所述气体管的外周形成为波纹管形状。
采用所述第七技术方案，能够进一步促进上述非活性气体与上述气氛气体之间的热交换。
第八技术方案根据所述第一技术方案～第七技术方案中任一项所述的液体处理装置，在所述处理容器内具有连接导入管与所述气体管的接头，该导入管将来自非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入，所述接头由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
利用所述第八技术方案，能够进一步促进上述非活性气体与上述气氛气体之间的热交换。
第九技术方案根据所述第一技术方案～第八技术方案中任一项所述的液体处理装置，所述气体管的外径比将来自所述非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入的导入管的外径大。
利用所述第九技术方案，能够进一步促进上述非活性气体与上述气氛气体之间的热交换。
第十技术方案是一种处理液的温度调整方法，其是液体处理装置的处理液的温度调整方法，
所述液体处理装置具有：
基板保持部，其用于保持基板；
喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；
液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；
气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；
处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及
气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，
所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置，
该温度调整方法具有如下工序：
利用来自所述气氛气体供给部的气氛气体调整在所述气体管内流通的非活性气体的温度；以及
利用被调整了温度的非活性气体调整在所述液体供给管内流通的处理液的温度。

Claims (10)

1.一种液体处理装置，其特征在于，
该液体处理装置具有：
基板保持部，其用于保持基板；
喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；
液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；
气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；
处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及
气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，
所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置。
2.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，
该液体处理装置还具有使所述喷出喷嘴沿俯视下的预定的方向移动的移动机构。
3.根据权利要求2所述的液体处理装置，其特征在于，
所述气体管设为，所述延伸部向所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向折返。
4.根据权利要求2所述的液体处理装置，其特征在于，
所述气体管设为，所述延伸部向与所述喷出喷嘴利用所述移动机构进行移动的移动方向正交的方向折返。
5.根据权利要求2所述的液体处理装置，其特征在于，
所述气体管设为，所述延伸部在所述处理容器内环绕。
6.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，
该液体处理装置具有将所述气体管固定于所述处理容器内的固定器具，
所述固定器具由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
7.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，
所述气体管的外周形成为波纹管形状。
8.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，
在所述处理容器内具有连接导入管与所述气体管的接头，该导入管将来自非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入，
所述接头由热传导率比所述气体管的热传导率高的金属材料形成。
9.根据权利要求1所述的液体处理装置，其特征在于，
所述气体管的外径比将来自所述非活性气体的储存源的非活性气体向所述处理容器内导入的导入管的外径大。
10.一种处理液的温度调整方法，其是液体处理装置的处理液的温度调整方法，其特征在于，
所述液体处理装置具有：
基板保持部，其用于保持基板；
喷出喷嘴，其向保持于所述基板保持部的基板喷出处理液；
液体供给管，其将来自处理液的储存源的处理液向所述喷出喷嘴供给；
气体管，其内包所述液体供给管，处理液的温度调整用的非活性气体在该气体管与所述液体供给管之间的空间流通；
处理容器，其在内部设有所述基板保持部、所述喷出喷嘴、所述液体供给管以及气体管；以及
气氛气体供给部，其向所述处理容器内供给气氛气体，
所述气体管在所述处理容器内的上游侧端与内包有所述液体供给管的内包部分之间的部分、即延伸部在该处理容器内以俯视为折返的方式设置，
该温度调整方法具有如下工序：
利用来自所述气氛气体供给部的气氛气体调整在所述气体管内流通的非活性气体的温度；以及
利用被调整了温度的非活性气体调整在所述液体供给管内流通的处理液的温度。
CN202011405465.7A 2019-12-12 2020-12-03 液体处理装置以及处理液的温度调整方法 Pending CN112987499A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-224551 2019-12-12
JP2019224551A JP7365220B2 (ja) 2019-12-12 2019-12-12 液処理装置及び処理液の温度調整方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112987499A true CN112987499A (zh) 2021-06-18

Family

ID=76312761

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011405465.7A Pending CN112987499A (zh) 2019-12-12 2020-12-03 液体处理装置以及处理液的温度调整方法
CN202022881855.3U Active CN214098108U (zh) 2019-12-12 2020-12-03 液体处理装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202022881855.3U Active CN214098108U (zh) 2019-12-12 2020-12-03 液体处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11561473B2 (zh)
JP (1) JP7365220B2 (zh)
KR (1) KR20210075010A (zh)
CN (2) CN112987499A (zh)
TW (1) TW202135948A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4737809B2 (ja) * 2000-10-04 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4381247B2 (ja) 2004-07-22 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5257915B2 (ja) 2006-09-29 2013-08-07 国立大学法人東北大学 膜塗布装置および膜塗布方法
JP4845668B2 (ja) * 2006-10-17 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 複合配管及び複合配管を備える塗布・現像処理装置
JP5195673B2 (ja) * 2009-07-06 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US8501025B2 (en) * 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP5251941B2 (ja) * 2010-09-01 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR101637170B1 (ko) * 2010-10-14 2016-07-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법
JP5939204B2 (ja) * 2013-06-12 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2017027966A (ja) 2013-12-03 2017-02-02 リソテック ジャパン株式会社 薬液温度調整機構及び小型製造装置
JP6281162B2 (ja) 2014-12-04 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 処理液供給管、処理液供給装置及び液処理装置
JP7055061B2 (ja) 2018-05-01 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 温調機構及び液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN214098108U (zh) 2021-08-31
US20210181638A1 (en) 2021-06-17
US11561473B2 (en) 2023-01-24
JP7365220B2 (ja) 2023-10-19
US20230152703A1 (en) 2023-05-18
KR20210075010A (ko) 2021-06-22
TW202135948A (zh) 2021-10-01
US11860542B2 (en) 2024-01-02
JP2021093486A (ja) 2021-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11860542B2 (en) Liquid treatment apparatus and method of adjusting temperature of treatment liquid
JP4985183B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
US7641404B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4926433B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102234619B1 (ko) 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치
JP4697882B2 (ja) 処理液供給装置及び処理液供給方法並びに処理液供給用制御プログラム
US7722267B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5575706B2 (ja) 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。
US20080135207A1 (en) Heat treatment device
JP5867462B2 (ja) 液処理装置
KR102541370B1 (ko) 가열 처리 장치 및 가열 처리 방법
US11656557B2 (en) Apparatus for treating substrate
KR20070077784A (ko) 기판 냉각 장치
JP2011205004A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2021171810A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2009194237A (ja) 熱処理装置、熱処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
KR101849839B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP7275087B2 (ja) 基板処理装置及び方法
JP2006190828A (ja) 基板処理装置
CN114530395A (zh) 用于处理基板的装置
US20230051256A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
JP7073691B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
CN215576095U (zh) 基板处理装置
CN215576096U (zh) 基板处理装置
JP2013071022A (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination