DE3717985A1 - Elektrochrome vorrichtung - Google Patents
Elektrochrome vorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrochrome
Vorrichtung (electrochromic device, im folgenden als
ECD bezeichnet), die als Anzeigevorrichtung, optischer
Verschluß, aktiver Farbfilter od. dgl. anwendbar ist
und, im speziellen, eine ECD, die durch einen Plasmapolymerisationsvorgang
hergestellt wird.
Die ECD wird benutzt für eine passive Festkörperanzeigevorrichtung,
deren Farbe sich ändert, wenn positive oder
negative Ladungen in sie injiziert werden. Sie beinhaltet
eine Farbschicht des oben genannten Materials und
eine ionische Leitungsschicht, die zwischen zwei sich
gegenüberstehenden Elektroden angeordnet ist.
Die als ionische Leitungsschichten verwendeten
Materialien werden in drei Gruppen klassifiziert:
Flüssige Elektrolyte, feste Elektrolyte und Dielektrika.
Bei einer ECD, in der ein flüssiger Elektrolyt
wie Schwefelsäure oder Lithiumperchlorat/
Propylenkarbonat verwendet wird, ist eine vollständige
Abdichtung gegen die Flüssigkeit erforderlich, um ein
Undichtwerden oder ein Gefrieren der Flüssigkeit zu
verhindern, so daß sie nur beschränkt verwendet werden
kann. Im Gegensatz dazu kann eine ECD vom Festkörpertyp,
bei der feste Elektrolyte eingesetzt
werden, insbesondere makromolekulare Festkörperelektrolyte,
nicht nur die oben genannten Probleme
lösen, sondern auch in einem weiten Temperaturbereich
mit hoher Zuverlässigkeit eingesetzt werden, und kann
ferner in einfacher Weise durch eine Matrixtreibereinrichtung
(z. B. US-PS Nr. 44 56 337), getrieben werden.
Deshalb wurde eine Festkörper ECD entwickelt.
Die in einer Festerkörper ECD verwendeten festen
Elektrolyte können in drei Klassen eingeordnet
werden: Ionische Leiter mit Metallionen oder Materialien,
in denen Metallionen dispergiert sind, ferrodielektrische
Filme und makromolekulare feste Elektrolyte. Besonders
beachtet und untersucht wurden makromolekulare Festkörperelektrolyte
aufgrund ihrer exzellenten Formbarkeit.
Eine Festkörper ECD, bei dem Nafion (eingetragenes
Warenzeichen von du Pont Chemicals) für ein polymeres
ionenaustauschendes Harz aus Perfluoroschwefelsäure
als Elektrolytschicht dient, wurde
bereits entwickelt. Nafion kann jedoch nur in Form
eines dünnen Filmes bis herunter zu 20 µm hergestellt
werden. Des weiteren ist die Reaktionszeit
von Nafion sehr lang, in der Größenordnung von etwa
1 Sekunde, da die in den Makromolekülen absorbierten
H⁺-Ionen eine lange Zeit für die Durchwanderung benötigen.
Es wurde berichtet, daß eine Festkörper ECD,
bei der ein gemischter makromolekularer Festkörperelektrolyt
verwendet wird, einen Kontrast und eine
Reaktionszeit von der gleichen Größenordnung wie eine
Flüssigelektrolyt-ECD aufweist. Der gemischte makromolekulare
Festkörperelektrolyt ist ein Material,
das durch Vermischen eines Elektrolyten mit Teflonpulver
und einem weißen Pigment und durch Verdichten
des vermischten Materials erhalten wird.
Andererseits wurde eine ECD entwickelt, bei der ein
fester Elektrolyt mit einem Makromolekularkomplex
verwendet wird (z B japanische Offenlegungsschrift
Nr. 40 531/1983 und Nr. 1 34 431/1984) Der feste
Elektrolyt mit Makromolekularkomplex wird durch
Dispergieren eines anorganischen Salzes und/oder
eines Weichmachers in einem makromolekularen Polymer
hergestellt. Die Zufügung des Weichmachers bewirkt
eine vereinfachte Migration der Ionen, so daß der
Elektrolyt sehr effektiv als fester Elektrolyt in
einer ECD arbeitet. Eine ECD mit diesem Elektrolyttyp
hat eine Reaktionszeit von etwa 0,2 Sek. und einen
Kontrast in der Größenordnung wie die bekannten
ECDs mit flüssigen Elektrolyten, während er eine
exzellente Formbarkeit aufweist. Sie kann deshalb
für viele verschiedenen Anwendungen verwendet werden.
Des weiteren wurde eine ECD, bei der ein fester organischer
Elektrolytfilm verwendet wird, ebenfalls vorgeschlagen,
um die Betriebscharakteristiken der ECD zu
verbessern (z. B. japanische Offenlegungsschrift Nr.
30 731/1983). Eine derartige ECD ist vom Gesichtspunkt
der Herstellung vorteilhaft, da sie einfach herzustellen
ist, eine Vielzahl von ECDs entsprechend den Anforderungen
hergestellt werden kann und die Produktionskosten
reduziert werden können.
Die Farbschicht einer ECD kann aus einem von zwei
Typen von elektrochromen (EC) Materialien zusammengesetzt
sein: Eine anorganische Verbindung und eine
organische Verbindung. Bei den anorganischen Verbindungen
wurden einige anorganische Verbindungen der
Übergangsmetalle, insbesondere WO3, für eine Farbschicht
entwickelt. Ein EC-Material aus einem Übergangsmetalloxid
zeigt jedoch im allgemeinen nur eine
Farbe, und der Ton der Farbe ist nicht notwendigerweise
klar. Es ist entsprechend schwer ein volles
Farbbild anzuzeigen. Im Gegensatz dazu ist es bei
EC-Materialien aus organischen Verbindungen bekannt,
daß sie überragend in den Farbeigenschaften sind.
EC-Materialien aus organischen Verbindungen können,
mit Bezug auf den Farbmechanismus, eingeteilt werden
in reversible Elektroabscheidungstypen und Ioneninjektionstypen.
Als EC-Material, das zum ersten Typ
gehört, sind Viologenfarbstoffe und Anthrachinonfarbstoffe
bekannt, während Tetrathiafluvalen (TTF) und
Diphthalozyanine von seltenen Erden (US-PS Nr. 44 32 612 und
Nr. 44 56 337) als EC-Materialien des letzteren Typs
bekannt sind. Ein Abscheidungsfilm aus Diphthalozyanin
einer seltenen Erde, z. B. Lutetiumdiphthalozyanin, wechselt
seine Farbe von rot über orange, grün, blau nach violett,
entsprechend der angelegten elektrischen Spannung im
Bereich zwischen +1,5 V - -1,5 V. Auf diese Weise kann
durch den Gebrauch von EC-Materialien des letzteren
Typs Vielfarbigkeit realisiert werden, so daß gehofft
werden kann, daß vielfarbige ECs praktisch in den
Handel gebracht werden können.
Es bleiben jedoch noch viele Probleme für den
praktischen Gebrauch zu lösen. Insbesondere wurden
diese Probleme aufgezeigt, daß die Wiederholungslebensdauer
kurz ist, daß die Reaktionszeit langsam
ist und daß der Kontrast gering ist.
Was die Wiederholungslebensdauer betrifft, so
unterliegen sowohl die EC-Schicht als auch die Elektroden
und der Elektrolyt einer Alterung, und die
Lebensdauer liegt in der Größenordnung von etwa
107 Wiederholungen maximal in einem praktischen Bereich.
Falls die Wiederholungslebensdauer auf eine
Größenordnung von 108 verbessert wird, könnte eine
ECD dieses Typs für zahlreiche Anwendungen verwendet
werden, so daß eine Wiederholungslebensdauer von etwa
108 der angestrebte Zielbereich ist. Es hat sich gezeigt,
daß die Verschlechterung der EC-Schicht durch
einen Einfang und das Halten von Alkalimetallionen
in der Elektrolytschicht (unabhängig ob flüssig
oder fest) in der EC-Schicht beim Vorgang des wiederholten
Eindringens und Ausgehens der Ionen in der
EC-Schicht bewirkt wird.Ein weiterer Grund, der die
Verschlechterung bewirkt, liegt darin, daß Joulesche
Wärme, die von einem über den Treiber angelegten
elektrischen Strom erzeugt wird, eine chemische Reaktion
beschleunigt, so daß in der EC-Schicht eine
Farbabscheidung bewirkt wird, die die Farbgebung matt
macht.
Bezüglich der langsamen Reaktionsrate ist es bekannt,
daß die Reaktionsrate für organische EC-
Materialien bis herunter zu einigen 10 msec. (z. B.
50-100 msec.) verbessert werden kann. Es ist jedoch
für den praktischen Gebrauch erforderlich, eine
Reaktionsrate von 10 msec. zu erreichen. Die Langsamkeit
der Reaktion kann der Langsamkeit in der
Mobilität in der Elektrolytschicht zugeschrieben
werden. Sie wird ferner durch die Größe des Kontaktbereiches
zwischen der Elektrolytschicht und der Farbschicht
beeinflußt.
Bezüglich des geringen Kontrastes kann die Farbdichte
durch Erhöhung der angewandten Spannung vergrößert
werden. Dies verkürzt jedoch die Wiederholungslebensdauer
und bewirkt ein Verschlechtern der Anzeigeelektroden.
Es ist deshalb unter dem Gesichtspunkt
der praktischen Gebrauchs nicht angeraten, die angewandte
Spannung zu erhöhen. Eine höhere Porösität
des EC-Films ist ebenfalls eine Lösung zur Verbesserung der Kontrastes und kann durch Erhöhung
des Abscheidedruckes bewirkt werden.
Dies vermindert jedoch die mechanische
Stabilität des EC-Films aufgrund der elektrochemischen
Reaktion zwischen der EC-Elektrode und dem Elektrolyten,
so daß die Lebensdauer kurz wird. Mit anderen Worten
werden chemische Änderungen wie Elution und Abscheidung
der Elektrolytschicht groß, sofern die Elektrolytschicht in einer ECD angeordnet ist.
Es ist eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
eine verbesserte ECD zu schaffen.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine ECD zu schaffen, die eine exzellente Wiederholungslebensdauer,
Reaktionsrate und Kontrast aufweist.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine verbesserte ECD zu schaffen, die eine
makromolekulare feste Elektrolytschicht hoher
Qualität aufweist.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine ECD zu schaffen, die eine Farbschicht von
exzellenter Qualität aufweist.
Es ist noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine ECD mit exzellenten Eigenschaften zu
schaffen, die durch den Gebrauch eines Plasmapolymerisationsvorgangs
realisiert werden.
Die elektrochrome Vorrichtung gemäß der Erfindung
weist eine erste transparente Elektrode auf, eine
elektrochrome Schicht, eine makromolekulare feste
Elektrolytschicht und eine zweite Elektrode, die
nacheinander aufgebracht werden, und ist dadurch
gekennzeichnet, daß die makromolekulare feste Elektrolytschicht
ein Plasmapolymerisationsfilm ist, der
eine Kohlenwasserstoffverbindung, ein Alkalimetall
und ein Element mit großer Elektronegativität beinhaltet.
Eine weitere elektrochrome Vorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung weist eine transparente Elektrode
auf, ein elektrochromes Material, das aus einem organischen
Material des Ioneninjektionstyps hergestellt ist,
eine ionische Leitungsschicht und eine zweite Elektrode,
die nacheinander aufgebracht werden, wobei die elektrochrome
Schicht ein Film ist, der durch einen Plasmapolymerisationsprozeß
einer Phthalozyaninverbindung
unter der Zuführung eines Trägergases bei einer niedrigen
Frequenz zwischen 1 kHz und 2 MHz eines elektrischen
Wechselfeldes zugeführt wird.
Ein Vorteil der ersten erfindungsgemäßen ECD besteht
darin, daß eine ECD für den praktischen Gebrauch geschaffen
werden kann, die durch Verwendung einer
Elektrolytschicht aus plasmapolymerisiertem Film
aus Kohlenwasserstoffverbindungen hergestellt wird,
die ein Alkalimetall und ein Element mit großer Elektronegativität
beinhaltet. D. h., daß die Ionenmobilität
verbessert wird, daß die Farbabscheidung an der Schnittstelle
mit der EC-Schicht wirksam verhindert werden
kann, daß die Reaktionsrate schnell wird und daß die
Wiederholungslebensdauer lang wird. Ein Vorteil der
zweiten erfindungsgemäßen ECD besteht darin, daß die
Farbreaktion schnell wird, da eine sehr feine Netzwerkstruktur
der Farbschicht aufgrund der Plasmapolymerisation
realisiert wird, was eine Vereinfachung
des Injizierens der Elektrolytionen in die Farbschicht
bewirkt.
Ein weiterer Vorteil der zweiten erfindungsgemäßen ECD
besteht darin, daß die Farbschicht selbst aufgrund der
Plasmapolymerisation fest ist, so daß die Farbabscheidung,
die aufgrund der Wiederholung der Färbung bewirkt
wird, deutlich reduziert ist und die Wiederholungslebensdauer
verlängert ist.
Ein Vorteil der zweiten erfindungsgemäßen ECD besteht
darin, daß die Aufrauhung der Schnittstelle
zwischen der Farbschicht und der Elektrolytschicht
den Kontaktbereich zwischen ihnen vergrößert, so
daß die Wiederholungslebensdauer und der Kontrast
verbessert werden und die Reaktionsrate der EC-Schicht
sehr verbessert wird.
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden
anhand der Zeichnung erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Teilschnittdarstellung einer
elektrochromen Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung einer Herstellungsvorrichtung
für eine elektrochrome Anzeigevorrichtung;
Fig. 3 eine schematische teilweise Schnittdarstellung
einer elektrochromen Anzeigevorrichtung einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Schnittdarstellung eines
Plasmapolymerisationsgerätes, und
Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung einer
elektrochromen Anzeigevorrichtung einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bezugnehmend auf die Zeichnungen, in denen gleiche Bezugszeichen
in den verschiedenen Ansichten entsprechende
Teile bezeichnen, zeigt Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung
einer elektrochromen Anzeigevorrichtung 20
einer Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung.
Ein Indiumzinnoxid(ITO)-Elektrodenfilm 22 wird auf
ein Glassubstrat 21 oder ein NESA-Glassubstrat aufgebracht.
Dann wird eine makromolekulare Elektrolytschicht
23 auf dem ITO-Elektrodenfilm 22 durch einen Plasmapolymerisationsprozeß,
der im folgenden in Detail erläutert
wird, aufgebracht. Eine EC-Schicht 24 ist eine Wolframoxid(WO3)-
Schicht, die auf der makromolekularen Elektrolytschicht
23 durch Anwendung eines Vakuumabscheidungsvorganges
abgeschieden wird. Dann wird ein anderes Substrat
26, auf das ein anderer ITO-Elektrodenfilm 25
aufgebracht wurde, so angeordnet, daß der ITO-Film 25
die EC-Schicht 24 kontaktiert. Ein Abstandshalter 27
ist an der Seite der ECD 20 zwischen den beiden ITO-
Elektrodenschichten 22, 25 angeordnet. Eine elektrische
Gleichstromquelle 29, die in der Lage ist, die Polarität
der angelegten elektrischen Spannung zu ändern,
wird zwischen den Elektroden 22, 25 angeschlossen.
Die makromolekulare feste Elektrolytschicht 23 ist
ein Plasmapolymerisationsfilm aus einer Kohlenwasserstoffverbindung,
die ein Alkalimetall und Element mit
großer Elektronegativität beinhaltet. Das Element mit
großer Elektronegativität kann Fluor, Sauerstoff,
Stickstoff oder Chlor sein, und kann eins von ihnen
sein, das in eine polare organische Gruppe eingeschlossen
ist, und das Element wirkt auf Ionen eines Alkalimetalls
wie Li⁺, NA⁺, K⁺ od. dgl. und bewirkt eine elektrostatische
Anziehung. Das Element mit großer Elektronegativität
kann ein Element sein, das eine Gruppe in
dem Plasmapolymerisationsfilm bildet wie z. B. Sauerstoff
in einer Äthergruppe.
Beispiele für Materialien, die wünschenswert zur Einlagerung
von Alkalimetallatomen in dem Plasmapolymerisationsfilm
sind, wobei das Alkalimetall entweder Lithium,
Natrium, Kalium, Rubidium oder Celsium ist, sind die
folgenden:
- (a) Die oben genannten Alkalimetalle. Sie werden durch Aufheizen auf einem Schiffchen verdampft, da sie in festem Zustand sind.
- (b) Organometallische Verbindung.
- Methyllithium, Lithiumazetylid-Äthylendiaminkomplex, n-Butyllithium, Sec-Butyllithium, Tert-Butyllithium und Phenyllithium.
- (c) Metallhydride.
- Lithiumhydrid, Lithiumaluminiumhydrid, Lithiumtri(tert- Butoxy)Aluminiumhydrid, Lithiumborohydrid, Natriumhydrid, Natriumbis(2-Methoxyethoxy)Aluminiumhydrid, Natriumborohydrid, Natriumcyanoborohydrid, Kaliumhydrid und Kaliumborohydrid.
- (d) Metallazide und -amide.
- Lithiumazid, Natriumazid, Lithiumamid, Natriumamid, Lithiumdiisopropylamid, Lithiumdizyklohexylamid, und Lithiumbis(Trimethylsilyl) Amid.
- (e) Alkoxide.
- Lithiummethoxid, Natriummethoxid, Kaliummethoxid, Kaliumtert-Butoxid und Kaliumtert-Butylat.
- (f) Andere metallische Verbindungen.
- Natriumhexachlororhodat(III)Dihydrat, Kaliumtetrachloropalladat(II),
Natriumhexachloroiridat(IV)Hexahydrat,
Natriumhexachloroiridat(III)Dihydrat und Kaliumhexafluorophosphat.
Alkalimetallacrylate, Alkalimetallmethacrylate und Alkalimetallphthalozyanine sind ebenfalls eingeschlossen.
Beispiele für Materialien, die verwendbar zum Einschluß
eines Elementes mit großer Elektronegativität sind,
wobei das Element eins der Halogene ist, d. h. Fluor,
Chlor, Brom oder Jod, Sauerstoff, Schwefel oder Stickstoff,
sind die folgenden. Das Element ist vorzugsweise
entweder Fluor, Chlor, Sauerstoff oder Stickstoff und
wirkt so, daß die Alkalimetallionen wie Li⁺, Na⁺ oder
K⁺ in einem plasmapolymerisiertem Film angezogen werden.
- (a) Halogene und Halogenide.
- Fluor, Chlor, Brom und Jod. Anorganische Halogenide wie Fluorwasserstoff, Chlorfluor, Bromfluor, Jodfluor, Chlorwasserstoff, Bromchlor, Jodchlor, Bromwasserstoff, Jodbrom und Jodwasserstoff.
- Organische Halogenide wie Alkylhalogenide, Arylhalogenide einschließlich halogenisierte Styrole, Polymethylenhalogenide, Haloforme, Halogenkieselsäureester, halogensubstituierte Organosilane und Alkylmetallhalogenide.
- Im einzelnen schließen die Alkylhalogenide z. B. ein Methylfluorid, Methylchlorid, Methylbromid, Methyljodid, thylfluorid, Äthylchlorid, Äthylbromid, Äthyliodid, Propylfluorid, Propylchlorid, Propylbromid, Propyljodid, Butylfluorid, Butylchlorid, Butylbromid, Butyljodid, Amylfluorid, Amylchlorid, Amylbromid, Amyljodid, Hexylfluorid, Hexylchlorid, Hexylbromid, Hexyljodid, Heptylfluorid, Heptylchlorid, Heptylbromid und Heptyliodid.
- Die Arylhalogenide beinhalten z. B. Fluorbenzol, Chlorbenzol, Brombenzol, Jodbenzol, Chlortoluol, Bromtoluol, Chlornaphthalen und Bromnaphthalen.
- Die halogenisierten Styrole beinhalten z. B. Chlorstyrol, Bromstyrol, Jodstyrol und Fluorstyrol.
- The Polymethylhalogenide beinhalten z. B. Methylenchlorid, Methylenbromid, Methylenjodid, Äthylenchlorid, Äthylenbromid, Äthylenjodid, Trimethylenchlorid, Trimethylenbromid, Trimethylenjodid, Butandichlorid, Butandibromid, Butandÿodid, Pentandichlorid, Pentandibromid, Pentandÿodid, Hexandichlorid, Hexandibromid, Hexandÿodid, Heptandichlorid, Heptandibromid, Heptandÿodid, Octandichlorid, Octandibromid, Octandÿodid, Nonandichlorid und Nonandibromid.
- Die Haloforme beinhalten z. B. Fluoroform, Chloroform, Bromoform und Jodoform.
- Die Halogenkieselsäureester beinhalten z. B. Monomethoxytrichlorsilan, Dimethoxydichlorosilan, Trimethoxymonochlorosilan, Monoethoxytrichlorosilan, Diethoxydichlorosilan, Triethoxymonochlorosilan, Monoaryloxytrichlorosilan, Diaryloxydichlorosilan und Triaryloxymonochlorosilan.
- Die halogensubstituierten Organosilane beinhalten z. B. Chloromethyltrimethylsilan, Dichloromethyltrimethylsilan, Bischloromethyltrimethylsilan, Trischloromethylmethylsilan, Chloroäthyltriäthylsilan, Dichloroäthyltriäthylsilan, Bromomethyltrimethylsilan, Jodomethyltrimethylsilan, Bisiodomethyldimethylsilan, Chlorophenyltrimethylsilan, Bromophenyltrimethylsilan, Chlorophenyltriäthylsilan, Bromophenyltriäthylsilan und Jodophenyltriethylsilan.
- Die Alkalimetallhalogenide beinhalten z. B. Dimethylaluminiumchlorid, Dimethylaluminiumbromid, Diäthylaluminiumchlorid, Diäthylaluminiumiodid, Methylaluminiumdichlorid, Methylaluminiumdibromid, Äthylaluminiumdiiodid, Trimethyltinchlorid, Trimethyltinbromid, Trimethyltinjodid, Triäthyltinchlorid, Triäthyltinbromid, Dimethyltindichlorid, Dimethyltindibromid, Dimethyltindÿodid, Methyltintrichlorid, Methyltintribromid, Methyltintrÿodid und Äthyltintribromid.
- (b) Sauerstoff und Oxide.
- Sauerstoff und inorganische Oxide wie Ozon, Wasserdampf, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid und Kohlensuboxid.
- Organische Verbindungen, die eine funktionelle Gruppe oder eine Bindung haben wie eine Hydroxygruppe (-OH), eine Aldehydgruppe (-COH), eine Alkylgruppe (RCO-, -CRO), eine Ketongruppe (≦λτCO), eine Äthergruppe (-O-), eine Esterbindung (-COO-) und ein heterozyklischer Ring mit Sauerstoff.
- Im einzelnen beinhaltet die organische Verbindung, die eine Hydroxygruppe aufweist, z. B. Methanol, Äthanol, Propanol, Butanol, Arylalkohol, Fluoroäthanol, Fluorobutanol, Phenol, Zyklohexanol, Benzylalkohol und Furfurylalkohol.
- Die organische Verbindung, die eine Aldehydgruppe aufweist, beinhaltet z. B. Formaldehyd, Azetoaldehyd, Propioaldehyd, Butylaldehyd, Glyoxal, Akrolein, Benzaldehyd und Furfural.
- Die organische Verbindung, die eine Akylgruppe aufweist, beinhaltet z. B. Ameisensäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure, Valeriansäure, Palmitinsäure, Stearinsäure, Ölsäure, Oxalsäure, Malonsäure, Bernsteinsäure, Benzolsäure, Toluylsäure, Salicylsäure, Zimtsäure, Naphtholsäure, Phthalsäure und Furansäure.
- Die organische Verbindung, die eine Ketongruppe hat, beinhaltet z. B. Azeton, Äthylmethylketon, Methylpropylketon, Butylmethylketon, Pinacolin, Diäthylketon, Methylvinylketon, Mesityloxid, Methylheptenon, Zyklobutanon, Zyklopentanon, Zyklohexanon, Azetophenon, Propiophenon, Butylophenon, Valerophenon, Dibenzylketon, Azetonnaphton, Azetothienon und Azetofuron.
- Die organische Verbindung, die eine Ätherbindung aufweist, beinhaltet z. B. Methyläther, Äthylether, Propyläther, Butyläther, Amyläther, Ethylmethyläther, Methylpropyläther, Methylbutyläther, Methylamyläther, Ethylpropyläther, Ethylbutyläther, Methylamyläther, Ethylpropyläther, Ethylbutyläther, Ethylamyläther, Vinyläther, Aryläther, Methylvinyläther, Methylaryläther, Ethylvinyläther, Ethylaryläther, Anisol, Phenetol, Phenyläther, Benzyläther, Phenylbenzyläther, Naphthyläther, Äthylenoxid, Propylenoxid, Trimethylenoxid, Tetrahydropyran und Dioxan.
- Die organische Verbindung, die eine Esterbindung aufweist, beinhaltet z. B. Methylformiat, Äthylformiat, Propylformiat, Butylformiat, Amylformiat, Methylazetat, Äthylazetat, Propylazetat, Butylazetat, Amylazetat, Methylpropionat, Äthylpropionat, Propypropionat, Butylpropionat, Amylproprionat, Methylbutyrat, Äthylbutyrate, Propylbutyrat, Butylbutyrat, Amylbutyrat, Methylvalerat, Äthylbalerat, Propylvalerat, Butylvalerat, Amylvalerat, Methylbenzoat, Äthylbenoat, Methylcinnamat, Äthylcinnamat, Propylcinnamat, Methylsalicylat, Äthylsalicylat, Propylsalicylat, Butylsalicylat, Amylsalicylat, Methylanthranilat, Äthylanthranilat, Butylanthranilat, Amylanthranilat, Methylphthalat, Ethylphthalat und Butylphthalat.
- Die organische Verbindung, die einen heterozyklischen Ring mit Sauerstoff aufweist, beinhaltet z. B. Furan, Oxazool, Frazan, Pyran, Oxazin, Morpholin, Benzofuran, Benzooxazol, Chromen, Chroman, Dibenofuran, Xanthen, Phenoxazin, Oxolan, Dioxolan, Oxiatiolan, Oxadiazin und Benzoisooxazol.
- (c) Stickstoff und Nitride.
- Stickstoff und organische Nitride wie Ammoniak, Stickstoffmonooxid, Stickstoffdioxid, Distickstofftrioxid, Distickstoffpentaoxid und Stickstofftrioxid.
- Organische Nitride, die eine funktionelle Gruppe aufweisen, wie eine Aminogruppe (-NH2), eine Zyanogruppe (-CN), eine Nitrogruppe (-NO2), eine Nitrosogruppe (-NO), eine Isozyanesterbindung (-NCO), eine Isothiozyanesterbindung (-NCS), eine Azothioätherdoppelbindung (-N=NS-), eine Peptidbindung (-CONH-) und einen heterozyklischen Ring mit einem Stickstoffatom.
- Im einzelnen beinhaltet die organische Verbindung, die eine Aminogruppe aufweist, z. B. Methylamin, Äthylamin, Propylamin, Butylamin, Amylamin, Hexylamin, Heptylamin, Octylamin, Cetylamin, Dimethylamin, Diäthylamin, Dipropylamin, Dibutylamin, Diamylamin, Trimethylamin, Triäthylamin, Tripropylamin, Tributylamin, Triamylamin, Arylamin, Diarylamin, Triarylamin, Zyklopropylamin, Zyklobutylamin, Zyklopentylamin, Zyklohexylamin, Anilin, Methylanilin, Dimethylanilin, Äthylanilin, Diethylanilin, Toluidin, Benzylamin, Bibenzylamin, Tribenzylamin, Diphenylamin, Triphenylamin, Naphthylamin, Äthylendiamin, Trimethylendiamin, Tetramethylendiamin, Pentamethylendiamin, Hexamethylendiamin, Diaminoheptan, Diaminooktan und Phenylendiamin.
- Die organische Verbindung, die eine Cyanogruppe aufweist, beinhaltet z. B. Azetonitril, Propionitril, Butyronitril, Valeronitril, Capronitril, Enanthonitril, Caprylonitril, Phellargonitril, Caprinitril, Lauronitril, Palmitonitril, Stearonitril, Crotononitril, Malononitril, Succinonitril, Adiponitril, Benzonitril, Tolunitril, Cyanobenzylcinnamoylnitril, Naphthonitril und Cyanopyridin.
- Die organische Verbindung, die eine Nitrogruppe aufweist, beinhaltet z. B. Nitrobenzol, Nitrotoluol, Nitrixylol und Nitronaphthalen.
- Die organische Verbindung, die eine Nitrosogruppe aufweist ist z. B. Nitrosobenzol, Nitrosotoluol, Nitrosonaphthalen und Nitrosocresol.
- Die organische Verbindung, die eine Isocyanoesterbindung aufweist, ist z. B. Methylisocyanat, Äthylisocyanat, Propylisocyanat, Butylisocyanat, Phenylisocyanat und Naphthylisocyanat.
- Die organische Verbindung, die eine Isothiocyanidesterbindung beinhaltet, ist z. B. Methylisothiocyanat, Äthylisothiocyanat, Propylisothiocyanat, Butylisothiocyanat, Amylisothicyanat, Arylisothiocyanat, Phenylisocyanat und Benzylisothiocyanat.
- Die organische Verbindung, die eine Azothioätherbindung aufweist, ist z. B. Benzoldiazothiophenyläther, Chlorobenzoldiazothiophenyläther, Bromobenzoldiazothiophenyläther, Nitrobenzoldiazothiophenyläther, Phenyldiazomercaptonaphthalen, Methoxyphenyldiazomercaptonaphthalen, Benzoldiazothioglycolat, Bromobenzoldiazothioglycolat und Nitrobenzoldiazothioglycolat.
- Die organische Verbindung, die eine Peptidbindung aufweist, ist z. B. Glycerglopeptid und Gluceroidpeptid.
- Die organische Verbindung, die einen heterozyklischen Ring mit einem Stickstoffatom aufweist, ist z. B. Pyrol, Pyrrolin, Pyrrolidin, Oxazol, Thiazol, Imidazol, Imidazolin, Imidazolidin, Pyrazol, Pyrazolin, Pyrazolidin, Triazol, Tetrazol, Pyridin, Piperidin, Oxazin, Morpholin, Thiazin, Pyridazin, Pyrimidin, Pyrazin, Piperazin, Triazin, Indol. Indolin, Benzooxazol, Indazol, Benzoimidazol, Quinolin, Cinnolin, Phthalazin, Phthaloxyanin, Quinazolin, Quinoxalin, Carbazol, Acridin, Phenanthridin, Phenazin, Phenoxazin, Indolizin, Quinolizin, Quinuclidin, Naphthyridin, Purin, Pteridin, Aziridin, Azepin, Oxadiazin, Dithiazin, Benzoquinolin und Imidazothiazol.
- (d) Sulfide.
- Schwefelwasserstoff, Thiophen und bekannte organische Komponenten, die ein Schwefelatom beinhalten.
Beispiele von Materialien, die verwendbar zum Einfügen
des Kohlenwasserstoffes in den Plasmapolymerisationsfilm
sind, sind die folgenden: Gesättigte
Kohlenwasserstoffe, ungesättigte Kohlenwasserstoffe,
alizyklische Kohleneasserstoffe und aromatische Kohlenwasserstoffe.
- (a) Die gesättigten Kohlenwasserstoffe sind, z. B. normale Paraffine wie Methan, Äthan, Propan, Butan, Pentan, Hexan, Heptan, Octan, Nonan, Decan, Undecan, Dodecan, Tridecan, Tetradecan, Pentadecan, Hexadecan, Heptadecan, Octadecan, Nonadecan, Eicosan, Heneicosan, Docosan, Tricosan, Tetracosan, Pentacosan, Hexaconan, Heptacosan, Octacosan, Nonacosan, Triacontan, Dotriacontan und Petatriacontan, und Isoparaffine wie Isobutan, Isopentan, Neopentan, Isohexan, Neohaxan, 2,3-Dimethylbutan, 2-Methylbutan, 2-Methylhexan, 3-Äthylpentan, 2,2-Dimethylpentan, 2,4-Dimethylpentan, 3,3-Dimenthylpentan, Triptan, 2-Methylheptan, 3-Methylheptan, 2,2-Dimethylhexan, 2,2,5-Dimethylhexan, 2,2,3- Trimethylpentan, 2,2,4-Trimethylpentan, 2,3,3-Trimenthylpentan, 2,3,4-Trimethylpentan und Isononan.
- Die ungesättigten Kohlenwasserstoffe sind z. B. Olefine wie Äthylen, Propylen, Isobutylen, 1-Buten, 2-Buten, 1-Penten, 2-Penten, 2-Methyl-1-Buten, 3-Methyl-1-Buten, 2-Methyl-2-Buten, 1-Hexen, Tetramethyläthylen, 1-Hepten, 1-Octen, 1-Nonen und 1-Decen, Diolefine wie Allen, Methylallen, Butadien, Pentadien, Hexadien und Zyklopentadien, Triolefine wie Ocimen, Alocimen, Myrcen und Hexatrien, und andere wie Acetylen, Methylacetylen, 1-Butyn, 1-Pentyn, 1-Hexyn, 1-Heptyn, 1-Octyn, 1-Nonyn und 1-Decyn.
- Die alizyklischen Verbindungen sind z. B. Zykloparaffine wie Zyklopropan, Zyklobutan, Zyklopentan, Zyklohexan, Zykloheptan, Zyklooctan, Zyklononan, Zyklodecan, Zykloundecan, Zyklododecan, Zyklotridecan, Zyklotetradecan, Zyklopentadecan und Zyklohexadecane, Zykloolefine wie Zyklopropen, Zyklobuten, Zyklopenten, Zyklohexen, Zyklohepten, Zykloocten, Zyklononen und Zyklodecan, Terpene wie Limonen, Terpinolen, Phellandren, Sylvestren, Thujen, Caren, Pinen, Bornlen, Camphen, Fenchen, Zyklofenchen, Tricyclen, Bisabolen, Zingiberen, Curcumen, Humulen, Cadinenesisquibenihen, Selinen, Caryophyllen, Cedren, Camphoren, Phyllocladen, Podocarpren, Santaren und Miren, und Steroide.
- Die aromatischen Kohlenwasserstoffe sind z. B. Benzol, Toluol, Xylol, Hemimelliten, Pseudocumen, Mesitylen, Prehniten, Isoduren, Duren, Pentamethylbenzol, Äthylbenzol, Propylbenzol, Cumen, Styrol, Biphenyl, Terphenyl, Diphenylmethan, Triphenylmethan, Dibenzylstilben, Inden, Naphthalen, Tetra ilin, Anthracen und Phenanthren.
Die meisten der oben genannten Materialien sind
nicht im gasförmigen Zustand, sondern bei Raumtemperatur
und unter Umgebungsdruck im flüssigen oder
festen Zustand. Sie können jedoch benutzt werden,
wenn sie durch Schmelzen, Verdampfen, Sublimation
od. dgl. in den gasförmigen Zustand überführt werden
können.
Verschiedene Arten der Kombination der oben genannten
Materialien sind möglich, und eine angemessene Kombination
kann verwendet werden.
Das Trägergas für den Plasmapolymerisationsprozeß
kann vorzugsweise zwischen H2, Ar, Ne und He ausgewählt
werden.
Die Schicht 24 aus elektrochromen Material kann entweder
ein fester Körper oder ein Harz sein, in dem
das elektrochrome Material in einer hohen Dichte dispergiert
ist. Im ersten Fall, ist die EC-Schicht 24
vorzugsweise durch einen Plasmapolymerisationsprozeß
gefertigt. Dann können die EC-Schicht 24 und die
Elektrolytschicht 23 unter Verwendung des Plasmapolymerisationsprozesses
gebildet werden, so daß eine
ECD 20 unter Verwendung der gleichen Geräte oder
Herstellungsprozesse gefertigt werden kann. Auf diese
Weise kann das Herstellungsverfahren vereinfacht werden.
Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittdarstellung zur
Erläuterung eines Gerätes zur Herstellung einer ECD
in einer Ausführungsform gemäß der Erfindung. Auf der
Grundplatte 1 ist ein Rezipient 2 luftdicht aufgesetzt.
Die Luft aus dem Rezipienten 2 kann mit einer nicht
dargestellten Unterdruckpumpe evakuiert werden, und
der Grad des Vakuums wird durch eine nicht dargestellte
Unterdruckmeßsonde gemessen.
Ein Substrathalter 4, auf dem ein Substrat 3 für eine
ECD gelegt ist, hat einen Unterstützungsstab 4 a, der
in die Grundplatte 1 so eingreift, daß er auf- und
abgleiten kann. Aufrund dessen kann die Position des
Substrates 3 in der vertikalen Richtung geändert
werden. Der Substrathalter 4 hat eine Heizung 5 zum
Heizen des Substrats 3, so daß, falls notwendig, die Temperatur konstantgehalten
werden kann durch Betätigung einer nicht
dargestellten externen Temperatursteuerung. Ein
nicht dargestellter Temperatursensor zum Erfassen
der Temperatur des Substrats 3 ist in einer vorgegebenen
Position des Substrathalters 4 angeordnet. Desweiteren
ist eine Wasserkühlung (nicht dargestellt) für den
Substrathalter 4 installiert, um das Substrat 3, falls
notwendig, zu kühlen.
Um den oberen Teil des Rezipienten 2, der einen kleinen
Durchmesser hat, ist eine Hochfrequenzspule 7 angeordnet,
die mit einer elektrischen Radiofrequenzleistungsquelle
6 verbunden ist. Die Hochfrequenzspule 7 versetzt
eingeführt Gas durch elektromagnetische Induktion
in den Plasmazustand. Die Hochfrequenzspule 7 hat eine
nicht dargestellte Rohrleitung, in der Kühlwasser
zirkuliert.
Das Trägergas wird durch eine an der Oberseite des
Rezipienten 2 vorgesehene Gaseinlaßöffnung 8 eingeführt. Das Materialgas für den auf dem Substrat 3
auszubildenden Film wird durch drei Gaseinlässe 9,
10, 11, die im mittleren Bereich des Rezipienten 2
vorgesehen sind, eingelassen. Die Quelle des
Materialgases kann gasförmig, flüssig oder festes
monomeres Material oder Kohlenwasserstoff aus der
Methanreihe sein. Im Fall einer Flüssigkeit oder
eines Festkörpers, kann es bei reduziertem Druck
und durch Steuerung der Temperatur mit einer Temperatursteuerung
verdampft werden, so daß sein
Dampf erzeugt wird. In dieser bevorzugten Ausführungsform
sind die Materialgase für die prinzipiellen
Komponenten des Films, der auszubilden ist,
durch den ersten und den zweiten Gaseinlaß 9, 10
eingeführt, während ein zu mischendes Gas durch
den dritten Gaseinlaß 11 eingeführt wird. Natürlich
kann ein monomeres Gas, einschließlich Sauerstoff,
durch den dritten Gaseinlaß 11 eingelassen werden.
In Fig. 2 ist der Gaseinlaß 11 in einer solchen Weise
dargestellt, daß sein Oberteil, zur vereinfachten
Erklärung, in den Mitte des Rezipienten 2 angeordnet
ist. Praktisch wird das Gas senkrecht zur Papierebene
der Fig. 2 eingeführt, um die Gase gut zu vermischen
und um mögliche Unebenheiten des zu bildenden Films
zu vermeiden. Der Grund dafür, das drei Gaseinlässe
9, 10, 11 in verschiedenen Höhen angeordnet sind ist,
den Abstand zwischen den Entladungselektroden oder der
Hochfrequenzspule 7 und dem Eingangsbereich für
das Materialgas zu ändern. Die Lebensdauer eines
freien Radikals oder einer aktiven Spezies oder
einem Ion kann durch Veränderung des Abstandes gesteuert
werden, so daß die Struktur oder die Eigenschaften
des Films verändert werden können. Wie
oben dargestellt ist der Substrathalter so ausgebildet,
daß er vertikal auf- und abbewegt werden
kann. Auf diese Weise kann die Anzahl der Radikale,
die das Substrat 3 erreichen, gesteuert werden, durch
Änderung der Höhe des Substrathalters 4. Es ist
deshalb möglich durch Kombination der beiden Steuerungsarten
einen Film herzustellen, der optimale
Eigenschaften hat.
Zwei metallische Netzelektrodenplatten 12, 13, die
einen vorgegebenen Abstand zwischen sich haben, sind
parallel zum Substrathalter 4 zwischen dem Substrathalter
4 und dem dritten Gaseinlaß 11, der tiefste
der Gaseinlässe 9-11, im Rezipienten 2 angeordnet.
Eine Gleichspannung von +V b kann durch eine an die
obere Netzelektrode 12 angeschlossene Gleichspannungsquelle
16 zugeführt werden, während das Massenpotential
oder eine Gleichspannung von -V b über eine weitere
Gleichspannungsquelle 17, die mit der unteren Netzelektrode
13 verbunden ist, angelegt werden kann.
Die Netzelektroden 12, 13 wirken als Gitter zum
Sammeln und Einfangen von Elektronen und geladenen
Partikeln im Plasma und zur Verhinderung von Plasmabeschuß.
Auch andere Elektroden als die Netzelektroden mit
gegensätzlicher Polarität, z. B. ein elektrischer
Leitungsfilter, der eine Anzahl feiner Löcher trägt,
können ebenso als Gitter verwendet werden. Die Netzelektroden
sind jedoch am besten geeignet, da bei
ihnen nicht die Gefahr der Verstopfung von Löchern
besteht. Desweiteren können mehr als zwei Netzelektroden
verwendet werden, um den Einfang zu verbessern
und zu steuern. Die Größe der Maschen der Elektroden
beträgt vorzugsweise 8 mm im Quadrat, oder noch bevorzugter
1-4 mm im Quadrat. Falls die Größe 8 mm
im Quadrat übersteigt, können Elektronen oder geladene
Partikel durch die Öffnungen der Netzelektroden entweichen,
so daß der Effekt, daß nur Radikale (neutrale
Spezies) das Substrat 3 zu erreichen, deutlich reduziert
wird. Im Gegensatz dazu werden, falls die Größe kleiner
als 1 mm im Quadrat ist, geladene Partikel in den Netzmaschen
haften, so daß die Anzahl der Radikale, die
das Substrat 3 erreichen, vermindert wird und die Abscheidungsrate
deutlich abnimmt.
Im folgenden wird ein Beispiel der Herstellung
einer makromolekularen Elektrolytschicht 23 auf
einem ITO-Elektrodenfilm 22, der auf einem NESA-
Glassubstrat 21, wie in Fig. 2 dargestellt, ausgebildet
ist, erläutert:
Das Plasma wird bei einem Druck (Absolutdruck,
gemessen mit einer Diaphragmaunterdrucksonde) von
0,9 Torr (120 Pascal), einer Frequenz von 13,56 MHz
und einer elektrischen Leistung von 80 W erzeugt.
Argongas wird durch den Gaseinlaß 8 für das Trägergas
mit einer Rate von 40 ccm/min. (bei Raumtemperatur),
eingeleitet. Monomeres n-Butyllithium
(CH3(CH2)3Li), das mit einer Hexanlösung um 65%
verdünnt wurde, wird durch den Gaseinlaß 9 für das
Materialgas mit einer Rate von etwa 10 ccm/min. eingeleitet.
(anstatt des n-Butyllithiums, kann auch
Natriummethylat (CH3Na), das mit Methanol um 65%
verdünnt wurde, verwendet werden). Monomere von
Methylmethacrylat (MMA) werden durch den Gaseinlaß 10
mit einer Rate von etwa 50 ccm/min. eingelassen.
100% O2-Gas, als Gas zum Mischen, wird durch den Gaseinlaß
11 mit einer Rate von etwa 1,5 ccm/min. eingelassen.
Anstatt von O2 kann N2O als Gas zum Mischen
verwendet werden.
Wenn die Schalter 16 a, 17 a zum Anlegen der Spannung
eingeschaltet sind, werden die Vorspannungen +V b
und -V b gleichzeitig an die Netzelektroden 12, 13
angelegt.
Das Substrat 3 ist aus einem Glas gefertigt, auf dem
ein leitender transparenter Film aus Indiumzinnoxid
(ITO) ausgebildet ist, d. h. ein NESA-Glas. Die Temperatur
des Substrats 3 wird auf etwa 100°C gehalten.
Es soll betont werden, daß die Heizung 5 und die
oben genannte Wasserkühlung nicht betrieben werden.
Das Substrat 3 kann aufgrund der Energie des Plasmas
von Raumtemperatur (etwa 30°C) auf etwa 100°C aufgeheizt
werden. Falls die Temperatur des Substrats 3
aufgrund der Energie des Plasmas anomal hoch wird,
wird die Wasserkühlung betrieben, um die Temperatur
zu erniedrigen.
Das monomere n-Butyllithium hat ein Molekulargewicht
von 64,06 und einen Siedepunkt von 80-90°C. Es ist
in n-Hexan (CH3(CH2)4CH3) aufgelöst und die Lösung
wird durch Ar-Gas aufgeperlt. Die Lösung wird mit
einer elektronischen Temperatursteuerung des Umlauftyps
bei einer konstanten Temperatur gehalten, um
verdampfte Monomere mit einem konstanten Dampfdruck
in den Rezipienten 2 einzuführen.
Anschließend wird ein Film aus Polymeren aus Makromolekühlen,
die Äthergruppen aufweisen, auf dem NESA-
Glas 3 mit einer Abscheidungsrate von etwa 7 µm/h.
angelagert. Bei dieser Ausführungsform wird eine
Filmdicke von ungefähr 20 µm hergestellt.
Das eingeführte AR-Gas wird durch die Entladungselektrode
7 in den Plasmazustand überführt. Das Ar-Plasma
14 aktiviert das n-Buthyllithiumgas, das MMA-Gas und
das O2-Gas mit der Aktivierungsenergie des Ar-Plasmas
14, so daß die Gase in den Plasmazustand transformiert
werden. Das Plasmagas 15 des letzteren Gases beinhaltet
Radikale, Ionen, aktivierte Atome und Moleküle und
Elektronen. Negative Ladungen werden durch die Netzelektrode
12 mit positiver Vorspannung eingefangen und
gesammelt. Desweiteren werden Ionen mit positiver Ladung
durch die Netzelektrode 13 mit negativer Vorspannung
eingefangen. Auf diese Weise können nur neutrale Radikale
und neutrale aktivierte Atome und Moleküle die beiden
Netzelektroden 12, 13 passieren.
Ein Vorrichtung ohne Netzelektroden, in der das Substrat
vom Plasma getrennt ist, kann einen Film sicher abscheiden,
ohne die Struktur der Materialgase zu zerstören
und ohne die Charakteristiken der Materialgase zu verschlechtern.
Bei einer solchen Vorrichtung muß jedoch
die elektrische Leistung um einiges erhöht werden, um
eine angemessene Abscheidungsrate zu erreichen. Dieses
Ansteigen der angelegten elektrischen Leistung bewirkt
ein Ausdehnen des Plasmas bis in die Nähe des Substrats,
so daß ein Plasmaschaden bewirkt werden kann. Desweiteren
tritt der Nachteil auf, daß Lithiumatome nicht ausreichend
in dem Film dispergiert werden und daß die Brückenbildung
zu schnell auftritt, um die Lithiumatome angemessen in
dem Film zu dispergieren. Im Gegensatz dazu ermöglicht
der Einsatz der beiden Netzelektroden 12, 13 die Elimination
der meisten Partikeln, die einen Plasmaschaden
verursachen. Auf diese Weise tragen nur neutrale angeregte
Partikel wie neutrale Radikale zu der Abscheidung
bei, und es wird möglich, daß ein Film mit gewünschten
Eigenschaften mit einer für kommerziellen Gebrauch geeigneten
Abscheidungsrate hergestellt werden kann.
Das Materialgas kann durch einen der Gasdurchlässe 9, 10 eingeführt
werden. In dieser Ausführungsform beträgt der Abstand
zwischen den beiden Gaseinlässen 9, 10 etwa 2 cm.
Es wurde herausgefunden, daß die Eigenschaften des Films
besser sind, wenn die Materialgase aus n-Buthyllithium
und MMA vermischt sind und durch den Gaseinlaß 10,
der in der Nähe des Endes des Ar-Plasmas angeordnet
ist, eingefügt werden. Auf diese Weise erscheint
es besser, daß das Materialgas nicht direkt in
Plasma transformiert wird, sondern indirekt durch
das Ar-Plasma angeregt wird und daß die Anregung
sanft durchgeführt wird.
Es wurde dementsprechend vermutet, daß sich das Materialgas
auf dem Substrat hauptsächlich aufgrund der graduellen
Polymerisation oder der Diffusion von Radikalen (neutrale
Partikel) abscheidet, und daß der Effekt des Beschusses,
so vorhanden, extrem klein ist, so daß die
Eigenschaften des Films als fester Polymerelektrolyt verbessert
sind.
Das durch den Gaseinsatz 10 eingeleitete Materialgas kann
ferner mit O2-Gas gemsicht werden. Falls es, aufgrund
der Auswahl der Bedingungen, erforderlich ist, können
alle oben genannten vermischten Gase durch den Gaseinlaß 11
für das Mischgas eingeleitet werden.
Auf diese Weise wird eine makromolekulare Elektrolytschicht
23 unter Verwendung des Plasmapolymerisationsprozesses
auf einem Glassubstrat 21, auf dem der ITO-Elektrodenfilm ausgebildet
ist, angelagert. Wie in Fig. 2 dargestellt, wird
in dieser Ausführungsform eine EC-Schicht 24 durch die
Vakuumabscheidung von Wolframoxid WO3 auf der makromolekularen
Elektrolytschicht 23 ausgebildet. In Fig. 1 ist
25 ein ITO-Film als Anzeigeelektrode, 26 ein Glassubstrat
und 27 ein Abstandshalter.
Eine auf diese Weise hergestellte ECD 20 dieser Ausführungsform
zeigt eine gute Färbung, wenn etwa 2,5 V durch
eine Gleichspannungsquelle 29 angelegt werden. Die Reaktionsrate
ist schnell, einige wenige Millisekunden, die
Wiederholungslebensdauer wird auf etwa 108 oder mehr
erhöht und der Temperaturbereich zum Gebrauch ist zwischen
-30 und 85°C. Zum Vergleich wurde eine ECD mit
einer Elektrolytschicht aus 1 Mol Elektrolytflüssigkeit
aus Lithiumchlorat (LiClO4), dem Propylencarbonat
zugefügt wurde, hergestellt; die anderen Bedingungen,
mit Ausnahme der Elektrolytschicht, sind die gleichen wie
im oben genannten Ausführungsbeispiel. Die Reaktionsrate
des ECD beträgt 100 Millisekunden, die Wiederholungslebensdauer
ist 106 Mal oder weniger und die Farbabscheidung
ist bemerkenswert. Der Temperaturbereich für den Gebrauch
ist zwischen -20 und 70°C. Wenn die ECD 20 mit diesem
Beispiel zu Vergleichszwecken verglichen wird, ist die
Reaktionsrate um eine Größenordnung verbessert und die
Wiederholungslebensdauer ist um eine oder zwei Größenordnungen
verbessert.
In dem in Fig. 1 gezeigten Beispiel ist die EC-Schicht 24
durch einen Vakuumabscheidungsprozeß erzeugt. Es ist andererseits
ebenfalls möglich, die EC-Schicht 24 mit einem
Plasmapolymerisationsprozeß von Monomeren aus organischen
Verbindungen aus z. B. Metallphthalocyanin, die durch thermische
Sublimation erzeugt wurden, herzustellen. In diesem
Fall kann Ar + CF4 als Trägergas verwendet werden
(andere halogenenthaltende Gase zum Trockenätzen sind
anstatt von CF4 ebenso verwendbar).
Das gleiche Plasmapolymerisationsgerät kann sowohl verwendet
werden, wenn diese Art von EC-Schicht 24 auf der
makromolekularen festen Elektrolytschicht 23 mit dem
Plasmapolymerisationsprozeß ausgebildet wird, als
auch wenn die makromolekulare feste Elektrolytschicht 23
dieses Ausführungsbeispiels auf dieser Art von EC-Schicht
24 ausgebildet wird. Aufgrund dessen kann der Produktionsprozeß
sehr vereinfacht werden.
Im praktischen Gebrauch wurden bekannte ECDs nicht sehr
weitreichend verwendet, aufgrund der Schwierigkeiten in
der Reaktionsrate und der Wiederholungslebensdauer. D. h.,
sowohl die Färbungsreaktionsrate an der Kontaktschnittstelle
zwischen der EC-Schicht und dem Ioneninjektionsteil
(einer Flüssigkeit oder einer festen Elektrolytschicht)
und die Ionmobilität in der Elektrolytschicht sind langsam,
und die Färbung wird verschlechtert, da die Joulesche
Aufheizung aufgrund des zugeführten Stroms die chemische
Reaktion beschleunigt und so eine Farbabscheidung bewirkt.
Im Gegensatz dazu hat die ECD dieser Ausführungsform einen
makromolekularen festen Elektrolyten, der durch den Plasmapolymerisationsprozeß
hergestellt wird, alsElektrolytschicht,
so daß die Ionmobilität verbessert wird und
die chemische Abscheidung aufgrund des zugeführten Stroms
wirksam verhindert werden kann.
Es wird vermutet, daß die Ionenbeweglichkeit aufgrund
der folgenden Gründe verbessert wird. In einem makromolekularen
festen Elektrolyten werden Ionen der Alkalimetalle
(z. B. Li⁺) elektrostatisch durch Elemente mit größerer
Elektronegativität (z. B. Sauerstoff) oder solche
Elemente in polaren Gruppen wie ein Äther, angezogen.
Die elektrostatische Anziehungskraft zwischen positiven
und negativen Ionen in diesem Elektrolyt wird dann in
normalen Elektrolytflüssigkeiten (Li⁺ und ClO4 - in
LiClO4) geschwächt, so daß die Ionen sich leichter bewegen
können. Desweiteren können die Alkalimetalle durch
Verwendung des Plasmapolymerisationsprozesses wirksamer
in die Polymere gebracht werden. Desweiteren ist der
Grad der Brückenbildung eines Films, der mit einem Plasmapolymerisationsgerät
des induktiven Typs abgeschieden
wird, geringer, als der bei einem Gerät mit kapazitiver
Kopplung. Dann hat die Struktur selbst bis zu einem gewissen
Grad eine flexible Netzstruktur, so daß die Dichte
der Alkalimetalle ansteigt.
Obwohl in dieser Ausführungsform ein Gerät mit induktiver
Kopplung, wie in Fig. 2 dargestellt, verwendet wird, kann
das mit der kapazitiven Kopplung ebenso verwendet werden.
Im letzteren Fall ist es jedoch z. B. notwendig, die Radikale
der neutralen Species allmählich auf einen Substrat,
z. B. durch elektrisches Floaten des Substrats, aufzubringen.
Die Verschlechterung der Färbung wird bewirkt durch das
Festlegen von stabilen Verbindungen an der Schnittstelle
zwischen der festen Phase im Bezugsbeispiel und der flüssigen
Phase. Die stabilen Verbindungen werden durch chemische
Reaktionen von Ionen erzeugt, da diese Reaktionen
an der Schnittstelle heftig werden, während die Joulesche
Aufheizung aufgrund des Stroms die chemischen Reaktionen
(Färbungsreaktionen) beschleunigt. Im Gegensatz dazu wird
in der vorliegenden Ausführungsform die Erzeugung von
Joulescher Wärme unterdrückt, da die elektrische Leitfähigkeit
kleiner wird als die im Bezugsbeispiel. Desweiteren
existiert die Schnittstelle im wesentlichen zwischen
festen Phasen, so daß die chemischen Reaktionen nicht heftig
werden. Es wird deshalb angenommen, daß eine Farbabscheidung
nicht stattfindet.
Eine ECD dieser Ausführungsform kann in einfacher Weise
dünn ausgeführt werden, da das Materialgas am Ort polymerisiert
werden kann und die Dicke des Films nur mit der
Abscheidungszeit gesteuert werden kann. Im Gegensatz dazu
wird ein gebräuchlicher Polymerfilm z. B. durch Eintauchen
oder Aufsprühen ausgebildet. Dabei kann ein Film auf eine
Dicke von wenigen Hunderten bis wenigen µm durch Verwendung
eines Binders, der die Viskosität deutlich vermindert
und das Polymer verdünnt, verdünnt werden. Dies bewirkt
ein Absinken des absoluten Betrags der polaren Gruppen
und Alkalimetalle in dem Film, da der Betrag der Lösungskomponente
und des Binders groß ist.
Desweiteren wird ein Plasmapolymerisationsfilm aufgrund
von chemischen Bindungen erzeugt, im Gegensatz zu einem
Abscheidungsfilm, der durch physikalische und chemische
Abscheidung erzeugt wird. Auf diese Weise hat ein Film
die Vorteile, daß die Eigenschaften des Films selbst
stark sind und daß der Film eine gute Feuchtebeständigkeit,
Hitzebeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit und eine gute
Gasbeständigkeit hat, oder daß er schwer durch die Umgebung
beeinflußt werden kann.
Die ECD dieser Ausführungsform, die in Fig. 1 gezeigt ist,
ist vom Transmissionstyp. Andererseits kann eine ECD vom
Reflexionstyp, in der z. B. ein weißes Hintergrundmaterial
zwischen die Anzeigeelektrode und einer Zählelektrode eingebracht
ist, ebenfalls in den Rahmen der Erfindung eingeschlossen
sein und verläßt nicht den Erfindungsgedanken.
Im folgenden wird eine ECD gemäß der Erfindung mit einer
Färbungsschicht (EC-Schicht) 44 aus organischem Material
vom Ioninjektionstyp erläutert:
Fig. 3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung der
elektrochromen Anzeigevorrichtung 40 einer Ausführungsform
gemäß der Erfindung. Ein Indiumtinoxyd (ITO)-Elektrodenfilm
42 wird auf ein Glassubstrat 41 bzw. ein NESA-
Glassubstrat aufgebracht. Dann wird eine Elektrolytschicht
43 auf dem ITO-Elektrodenfilm 42 mit einem Plasmapolymerisationsprozeß
ausgebildet. Die EC-Schicht 44 ist aus
organischem Material vom Ioninjektionstyp, der im einzelnen
später erläutert wird, gefertigt, und auf die
makromolekulare Schicht 43 aufgebracht. Dann wird ein anderes
Substrat 46, auf dem ein anderer ITO-Film 45 aufgebracht
ist, so angeordnet, daß der andere ITO-Film 45
in Kontakt mit der EC-Schicht 44 ist. Ein Abstandshalter
47 ist an der Seite der ECD 40 zwischen den beiden ITO-
Elektrodenschichten 42 und 45 angeordnet. Eine Gleichstromquelle
49, mit der die Polarität der zugeführten elektrischen
Spannung geändert werden kann, ist mit den Elektroden 42,
45 verbunden.
Das organische Material, das zur Herstellung der EC-Schicht
44 verwendet wird, ist eine Phthalocyaninverbindung, und
die Färbungsschicht wird durch einen Plasmapolymerisationsprozeß
gefertigt, wobei das Plasma mit einer elektrischen
Leistung von niedriger Frequenz von 1 kHz bis 3 MHz unter
Zuführung eines Trägergases hergestellt wird.
Die Phthalocyaninverbindung, die als elektrochromes Material
benutzt wird, kann entweder ein bekanntes Phthalocyanin
oder sein Derivat sein. Um konkret zu werden,
kann das metallische Atom Kupfer, Silber, Berylium, Magnesium,
Kalzium, Gallium, Zink, Cadmium, Barium, Quecksilber,
Aluminium, Indium, Lanthan, Neodym, Samarium,
Europium, Gadolimium, Dysprosium, Holmium, Natrium,
Lithium, Ytterbium, Lutetium, Titan, Zinn, Hafnium,
Blei, Thorium, Vanadium, Antimon, Chrom, Molybdän,
Uran, Mangan, Eisen, Kobalt, Nickel, Rhodium, Palladium,
Osmium, Platin oder anderes sein. Der Zentralkern
des Phthalocyanins soll nicht ein Metallatom, sondern
ein Metallhalogenid sein, das drei oder mehr Atomvalenzen
hat. Desweiteren kann ebenso ein Phthalocyaninderivat
verwendet werden, wie Kupfer-4-Aminophthalocyanin,
Eisenpolyhalophthalocyanin oder Kobalthexaphenylphthalocyanin,
oder desweiteren ein Phthalocyaninderivat ohne
Metallatom wie Tetraazophthalocyanin, Tetramethylphthalocyanin
oder Dialkylaminophthalocyanin. Diese Phthalocyanine
können einzeln oder vermischt verwendet werden.
Eine Mischung aus Phthalocyaninmaterialien kann ebenso
verwendet werden, die durch Mischung eines Phthalocyaninderivats,
in dem ein oder mehrere Wasserstoffatome in einem
oder mehreren Benzolkernen in einem Phthalocyaninmolekül
ersetzt ist durch zumindest eine Art von elektronattraktiven
Gruppen, die unter einer Nitro-Gruppe, einer Cyano-
Gruppe, einem Halogen-Atom, einer Sulfo-Gruppe oder einer
Carboxyl-Gruppe ausgewählt ist mit zumindest einer Art
von nichtsubstituierten Phthalocyaninverbindungen, die
unter den Phthalocyaninen und Phthalocyaninverbindungen,
die oben genannt wurden, ausgewählt sind, und desweiteren
mit einer anorganischen Säure, die mit ihnen ein Salz
bilden können, und durch Ausfällen der Mischung mit
Wasser oder einem basischen Material hergestellt werden.
In diesem Fall kann das Phthalocyaninderivat, das mit
einer elektronenattraktiven Gruppe substituiert ist,
substituierte Gruppen in einer Anzahl zwischen eins und
sechzehn in einem Molekül aufweisen. Desweiteren ist
das Verhältnis der Zusammensetzung der Anzahl der substituierten
Gruppen in dem Phthalocyaninderivat zu den
Phthalocyaninmoleküleinheiten in der Zusammensetzung
zwischen 0,001 und 2, vorzugsweise zwischen 0,002 und 1.
Die anorganische Säure, die bei der Herstellung der
Phthalocyaninzusammensetzung verwendet wird, kann Schwefelsäure,
Orthophosphorsäure, Chlorsulfonsäure, Chlorsäure,
Jodwasserstoffsäure, Flußsäure oder Bromwasserstoffsäure
sein.
Die Farbschicht 44 wird durch einen Plasmapolymerisationsprozeß
bei niedriger Frequenz zwischen 1 kHz und
3 MHz unter Zuführung von Trägergas hergestellt.
Das Trägergas wird ausgewählt zwischen Sauerstoffgas,
Stickstoffgas, Wasserstoffgas, Chlorgas, Edelgas wie
Argon, Kohlenstoffhalogenidgas und Halogenidgas. Das
Kohlenstoffhalogenidgas kann ein Gas aus CCl4, CF4,
C2F6, C3F8 oder C4F8 sein. Das Halogenidgas kann ein
Schwefelhalogenid wie SF6-Gas, ein Stickstoffhalogenid
wie NF3-Gas oder ein Gas der allgemeinen Formel C1F m X n
(wobei X ein Halogenelement mit der Ausnahme von Fluor
ist) wie CF3Cl, CF2Cl2, C2F5Cl, CF3Br, CF4+Cl2 oder
CF4+I2 (+ bedeutet eine Mischung) sein. Ein Gas wie
CHF3, CClF3, CBrF3, BCl3 oder SiCl4 kann ebenso verwendet
werden.
Das für die Plasmapolymerisation verwendete Gerät ist
vorzugsweise das vom kapazitiven Kopplungstyp, insbesondere
eines mit parallelen Plattenelektroden. Unter bestimmten
Bedingungen kann ebenso ein Gerät mit induktiver
Kopplung verwendet werden.
Die Bedingungen für die Plasmapolymerisation sind die folgenden:
Der Gasdruck für die Glimmentladung beträgt beispielsweise
zwischen 0,01 und 3,0 Torr (1,33 bis 400 Pascal).
Die FRequenz des elektrischen Wechselfeldes wird in einem
niedrigen Frequenzbereich zwischen 1 kHz und 3 MHz, vorzugsweise
zwischen 5 kHz und 500 kHz ausgewählt. Die untere
Grenze für den Frequenzbereich wird sowohl durch die
Qualität des Filmwachstums, der durch Ungleichmäßigkeiten
bei der Entladung bei der Plasmapolymerisation
beeinflußt wird, als auch durch die Homogenität der
Färbung bestimmt. Andererseits ist die obere Grenze
durch die Fähigkeit der Ionen begrenzt, einem elektrischen
Wechselfeld zu folgen oder durch die Reaktionsrate der
Färbungsschicht, d. h. durch die Qualität der Ausbildung
einer sehr feinen Netzstruktur aufgrund des Effekts des
Beschusses durch Ionen. Die Temperatur des Substrats 41,
auf dem die Färbungsschicht 44 ausgebildet wird, kann
bei Raumtemperatur verbleiben. Die Temperatur des Substrats
41 kann auf eine Temperatur oder in einem Temperaturbereich
gesteuert werden, aber die Temperatur steigt
aufgrund der Energie des Plasmas an. Dann wird die Temperatur
des Substrats 41 im allgemeinen auf einer Temperatur
in Übereinstimmung mit der Leistung, die für die
Erzeugung des Plasmas verwendet wird, gehalten.
Fig. 4 zeigt eine Schnittdarstellung eines Plasmapolymerisationsgerätes
vom Parallelplattentyp, wobei 61 einen
Rezipienten bezeichnet, der luftdicht auf einer metallischen
Grundplatte 62 aufliegt. Parallele Plattenelektroden,
die aus einer oberen Platte 63 und einer unteren
Platte 64 bestehen, sind im Rezipienten 61 angeordnet.
Ein Glassubstrat 41 bzw. ein NEAS-Glassubstrat mit einer
transparenten Elektrode 42 z. B. aus ITO ist auf der oberen
Elektrode 63 befestigt. Ein EC-Material 66 aus Phthalocyanin,
das als Film auf dem Substrat 41 ausgebildet werden
soll, wird durch Heizen mit einer Temperatursteuerung
67 sublimiert und als Monomer verdampft, und die Monomere
werden in den Rezipienten 61 über ein Ventil V 2 eingebracht.
Ein Trägergas 68, wie z. B. Ar-Gas oder CF4-Gas,
wird ebenfalls in den Rezipienten 61 über ein Ventil V 1
gleichzeitig mit der oben genannten Einführung von EC-
Materialgas eingebracht.
Der Rezipient 61 wird mittels einer Vakuumpumpe 69 durch
Öffnung eines Ventils V 3 evakuiert. Das durch die Evakuierung
herausgezogene EC-Material wird in einer Kühlfalle
abgeschieden. Der Unterdruck wird durch eine nicht
dargestellte Vakuummeßsonde gemessen, und der Gasdruck
wird für die Glimmentladung bei ungefähr 0,05 bis 0,1 Torr
(ca. 6 bis 14 Pascal) bzw. bei 0,05 bis 2,0 Torr (ca. 6
bis 250 Pascal) gehalten, je nachdem, ob das Trägergas 68
Argon oder CF4 ist. Das elektrische Wechselfeld, das zwischen
den parallelen Plattenelektroden 63, 64 erzeugt wird,
wird durch eine niederfrequente Spannungsquelle 72 über
eine Anpassungsschaltung 71 zugeführt. Die niederfrequente
Spannungsquelle ist von der Bauart, bei der die
Frequenz verändert werden kann. In der Ausführungsform
werden Frequenzen von 50 kHz, 1 MHz, 3 MHz und 5 MHz
verwendet, während Frequenzen von 13,56 MHz und 500 Hz
zum Vergleich angewendet werden.
Typische Bedingungen sind, falls das Trägergas 68 Argon
ist, die folgenden: Die elektrische Leistung beträgt 30 W,
die Entladungsfrequenz ist 50 kHz, die Flußrate beträgt
0 bis 20 sccm (Standardkubikzentimeter), der Gasdruck
beträgt 0,05 bis 0,1 Torr (ca. 6,5 bis 13,5 Pascal), und
das Substrat 65 wird bei Raumtemperatur nicht geheizt.
Die EC-Materialien 66 aus Phthalocyanin sind α-chlorierte
Kupferphthalocyanine mit vier Chloratomen an Paraplätzen.
Der ITO-Film 42 auf dem Substrat 41 ist mit Masse verbunden.
Die Unterschiede in den typischen Bedingungen sind die
folgenden, falls das Trägergas 68 CF4 ist: Die Flußrate
des Trägergases beträgt 40 bis 60 sccm (Standardkubikzentimeter),
der Gasdruck 0,1 bis 0,3 Torr (ca. 13,5 bis
40 Pascal), und das EC-Material 66 aus Phthalocyanin
ist Lutetiumdiphthalocyanin.
Monomere des EC-Materials 66 und des Trägergases 68 werden
in den Rezipienten 61 eingebracht, und ein elektrisches
Wechselfeld mit niedriger Frequenz von 50 kHz wird zwischen
die Parallelplattenelektroden 63, 64 angelegt. Dann
werden die Moleküle durch freie Elektronen in dem Gas
ionisiert und durch das elektrische Feld beschleunigt,
und ein Plasmagas mit elektrischen Leitungseigenschaften
wird erzeugt. Das Plasmagas beinhaltet verschiedene angeregte
Partikel wie Elektronen, Ionen und Radikale. Dieses
System ist jedoch im Tieftemperaturplasmazustand, die
chemischen Partikeln sind vergleichsweise keiner thermischen
Beschädigung ausgesetzt, und zusätzliche chemische
Reaktionen werden von angeregten Partikeln wie Radikalen
fortgesetzt. Da die Entladungsfrequenz so niedrig wie
50 kHz gewählt ist, bewegen sich verschiedene Ionenarten,
einschließlich Argonionen unter den verschiedenen Arten,
die im Plasma erzeugt werden, wechselseitig zwischen
der oberen und der unteren Elektrode 63, 64. Die sich bewegenden
Ionenarten beeinflussen einen dünnen Film, der
auf dem Substrat 64 in dem Plasmapolymerisationsprozeß
wächst. Auf diese Weise wächst der Polymerisationsfilm
unter Anwesenheit von Ionenbeschuß, und dies beeinflußt
die Struktur des Films stark. D. h. der Film selbst hat
eine feine netzartige Struktur, die durch die hohe Temperatur
und den hohen Druck in mikroskopischen Bereichen
aufgrund des Ionenbeschusses beeinflußt wird, während die
starke Polymerisationseigenschaft aufgrund der dreidimensionalen
Brückenbildung erhalten bleibt.
Im Gegensatz dazu laden sich die Ionenarten, die im
Plasma erzeugt werden, wenn die Entladungsfrequenz kleiner
ist als 1 kHz (z. B. 50 Hz bis 1 kHz), an einem Film
oder in der Nähe der Elektrode auf, so daß ein Ionenmantel
(elektrisches Mantelfeld) eines elektrischen Gleichstromfeldes
gebildet wird, wenn der Film im Glimmentladungsprozeß wächst. Dies kann eine anormale Entladung
oder ein Beenden der kontinuierlichen Entladung bewirken.
Das bedeutet, daß der Film praktisch nicht wächst.
Falls andererseits die Entladungsfrequenz 3 MHz oder
mehr beträgt, können die Ionenarten in dem Plasma dem
Wechsel des elektrischen Wechselfeldes praktisch nicht
folgen, so daß der Effekt des Ionenbeschusses nicht erwartet
werden kann. Dann hat der Plasmapolymerisationsfilm
eine sehr feine Struktur.
EC-Schichten für ECDs des Querschnitts der gewöhnlichen,
in Fig. 3 gezeigten Struktur werden bei verschiedenen
Entladungsbedingungen hergestellt.
Die Elektrolytflüssigkeit, die die Elektrolytschicht 44
bildet, kann eine wässrige Lösung von z. B. KCl, NaClO4,
KClO4, LiClO4, K2SO4, Na2SO4 oder Li2SO4 sein. In dieser
Ausführungsform wird ein Mol wässriger Lösung von
LiClO4 verwendet.
Die Dicke der Farbschicht 43 beträgt zwischen 0,1 und 10 µm,
vorzugsweise zwischen 1 und 7 µm. Falls die Dicke weniger
als 1 µm beträgt, ist der Kontrast bei der Färbung nicht
ausreichend, während, wenn die Dicke größer als 7 µm ist,
der Wechsel in der Farbe deutlich schwach wird. Falls die
Dicke im oben genannten Bereich ist, ist der Kontrast
ausreichend und der Farbwechsel wird scharf, wenn eine
Vorspannung angewendet wird. Die Dicke der ITO-Elektroden
42, 46 beträgt zwischen 0,03 und 0,5 µm, vorzugsweise
zwischen 0,05 und 0,1 µm. Die geringste Filmdicke, bei
der die Elektroden 42, 46 wirksam arbeiten, beträgt etwa
0,05 µm.
Die ECD 40 einer Ausführungsform (A 2), die wie oben dargestellt
unter Verwendung von α-chloriertem Kupferphthalocyanin
bei einer Entladungsfrequenz von 50 kHz hergestellt
wurde, zeigt gute EC-Charakteristiken. D. h., die
Farbschicht 43 zeigt eine grüne Farbe, während die Farbe
von blau bis kobalt wechselt, wenn -2 V Gleichspannung
anliegen. Die Reaktionsrate (response rate) beträgt etwa 3 msec, die
Wiederholungslebensdauer ist 107 bis 108 Mal und der
Temperaturbereich für den Gebrauch ist zwischen -30 bis
80°C. Auf diese Weise sind alle Punkte der EC-Eigenschaften
gut.
Eine andere ECD (C 2) 40, die wie oben beschrieben unter
Verwendung von Lutetiumphthalocyanin bei einer Entladungsfrequenz
von 50 kHz hergestellt wurde, zeigt gute EC-Eigenschaften.
D. h., die Farbschicht 43 zeigt eine grüne
Farbe, während die Farbe nach rot wechselt, wenn -2 V
bis +2 V Gleichspannung anliegen. Die Reaktionsrate beträgt
etwa 10 msec, die Wiederholungslebensdauer ist etwa
107 bis 108 Mal und der Temperaturbereich für den Gebrauch
ist zwischen -30 bis 80°C. Auf diese Weise sind alle
Punkte der EC-Eigenschaften gut.
Die Verbesserungen, insbesondere der Reaktionsrate und
der Färbungseigenschaften von beiden Ausführungsformen
ist der oben genannten feinen Netzstruktur der Färbungsschicht
43 zuzuordnen. Die Struktur kann feine Poren,
nicht nur an der Schnittstelle zwischen der Elektrolytschicht
44, sondern auch im Volumen der Färbungsschicht
aufweisen, und die Ionen (Li⁺) in der Elektrolytflüssigkeit
dringen durch die feinen Poren, so daß der Kontaktbereich
der Färbungsschicht 23 mit den Ionen bemerkenswert
ansteigt.
Tabelle 1 gibt Daten der EC-Eigenschaften wie Reaktionsrate,
Zuverlässigkeit (Wiederholungslebensdauer), Färbung,
verwendbarer Temperaturbereich, Filmwachstum, Farbhomogenität
und Bemerkungen für jedes der Ausführungsbeispiele
A1-A5 und der Vergleichsbeispiele A6,B. Die Proben haben
eine Farbschicht aus α-chloriertem Kupferphthalocyanin.
Sie sind alle unter den gleichen Bedingungen, mit Ausnahme
der Entladungsfrequenz, hergestellt.
Es wurde herausgefunden, daß die Probe A2, die oben beschrieben
günstigste Probe, die besten Gesamteigenschaften hat. Auf
der anderen Seite hat die bei einer Frequenz von 1 kHz hergestellte
Probe A1 zwar exzellente EC-Eigenschaften wie z. B. Reaktionsrate,
ist aber nur ausreichend in bezug auf das Filmwachstum und
die Farbhomogenität, da die Entladung hier nicht gleichmäßig
ist. Eine Probe A5, die bei einer Frequenz von 5 MHz
hergestellt wurde, ist schlecht in der Reaktionsrate und
ausreichend in der Färbung, während sie exzellent für das
Filmwachstum und die Zuverlässigkeit ist. Eine Probe A6,
die bei einer Frequenz von 13,56 MHz hergestellt wurde,
zeigte im wesentlichen kein EC.
Im Gegensatz zu diesen Ausführungsbeispielen kann ein
Film nicht bei einer Entladungsfrequenz von 500 Hz gefertigt
werden, aufgrund der anormalen Entladung oder des
Beendens der Entladung beim Wachstum des Films. Die
Farbschicht der ECD 40 der Vergleichsprobe B ist durch
einen Vakuumabscheidungsprozeß hergestellt. Es wurde
herausgefunden, daß diese Probe B ihre Farbe in einem
Bereich von blau bis kobalt ändert, wenn -2 V Gleichspannung
angelegt werden, allerdings ist die Farbgebung
schwach, die Reaktionsrate ist ungefähr 100 msec, die
Wiederholungslebensdauer ist 106 bis 107 Mal und der Temperaturbereich
wird kleiner, zu einem Bereich von -10 bis 50°C. Die Eigenschaften des Films sind in Klammern in
der Tabelle 1 angegeben.
In gleicher Weise gibt Tabelle 2 die Daten der EC-Eigenschaften
verschiedener Ausführungsbeispiele C1-C5 und
Vergleichsbeispiele, die alle eine Farbschicht aus Lutetiumphthalocyanin
haben. Sie sind alle unter den gleichen
Bedingungen hergestellt, mit der Ausnahme der Entladungsfrequenz.
Es wurde festgestellt, daß die Probe C2, die wie oben
dargestellt, günstigste Probe, die beste von allen ist.
Andererseits ist die bei einer Frequenz von 1 kHz hergestellte
Probe C1 hervorragend in den EC-Eigenschaften,
wie Reaktionsrate, aber ausreichend bezüglich des Filmwachstums
und der Farbhomogenität, da die Entladung nicht
gleichmäßig ist. Eine Probe C5, die bei einer Frequenz
von 5 MHz hergestellt wurde, ist schlecht bezüglich der
Reaktionsrate und angemessen für die Färbung, während
sie für das Filmwachstum und die Zuverlässigkeit exzellent
ist. Die bei einer Frequenz von 13,56 MHz hergestellte
Probe C6 zeigt nahezu keine EC.
Im Gegensatz zu den Ausführungsbeispielen C1-C5, kann
ein Film bei einer Entladungsfrequenz von 500 Hz, aufgrund
der anormalen Entladung oder der Beendigung der
Entladung beim Filmwachstum, nicht hergestellt werden.
Die Farbschicht der ECD 40 der Vergleichsprobe D ist
in einem Vakuumablagerungsprozeß hergestellt. Es wurde
herausgefunden, daß diese Probe ihre Farbe nach rot
wechselt, wenn -2 V bis +2 V Gleichspannung angelegt
werden, aber diese Färbung ist schwach, die Reaktionsrate
ist etwa 50 bis 100 msec, die Wiederholungslebensdauer
ist 106 bis 107 Mal, und der Temperaturbereich
wird eingeschränkt auf einen Bereich von -10 bis 50°C.
Die Eigenschaften des Films sind in Tabelle 2 in Klammern
dargestellt.
Der mit einem Vakuumabscheidungsprozeß hergestellte Film
wächst auf einem Substrat, und hat eine Inselstruktur,
so daß Lücken zwischen den Kristallkörnern vorhanden sind,
und diese Struktur erlaubt es den Elektrolytionen zu
diffundieren, so daß sie elektrochemisch aktiviert werden.
Andererseits hat der Plasmapolymerisationsfilm eine feste
und kompakte Filmstruktur, aufgrund der Polymerisation in
Verbindung mit der Brückenbildung, so daß er im allgemeinen
elektrochemisch inaktiv ist. Desweiteren hat der erfindungsgemäße
plasmapolymerisierte Film feine Poren, so
daß die Ionen des Elektrolyten den Film durchdringen können.
Desweiteren hält der plasmapolymerisierte Film gemäß
der Erfindung die chemische Stabilität selbst dann, wenn
die chemischen Reaktionen an der Schnittstelle der Elektrolytschicht
aufgrund der Jouleschen Wärme heftig werden,
da der Film selbst fest ist und kompakt ist. Aufgrund
dessen ist die Färbung verbessert und die Wiederholungslebensdauer ausgedehnt.
Die oben genannten Ausführungsformen wurden hergestellt
durch Aufbringen des Substrats 41′ auf die obere Elektrode
63 wie in dem in Fig. 4 gezeigten Gerät. Es wurde jedoch
auch ein ECD hergestellt, durch Auflegen des Substrats
41′ auf die untere Elektrode 64.
Als nächstes wird eine ECD 90 erläutert, die eine aufgerauhte
Schnittstelle 98 zwischen der Elektrochromschicht
94 und der Elektrolytschicht 93 gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat. Fig. 5
zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer elektrochromen
Anzeigevorrichtung 90 einer Ausführungsform gemäß
der vorliegenden Erfindung. Ein Indiumzinnoxyd (ITO)-
Elektrodenfilm 92 ist auf ein Glassubstrat 91 bzw. ein
NESA-Glassubstrat aufgebracht. Dann wird eine Färbungsschicht
93 auf dem ITO-Elektrodenfilm 92 mit einem
Plasmapolymerisationsprozeß aufgebracht. Die Elektrolytschicht
92 ist eine einmolare wässrige Lösung von
LiClO4. Dann wird ein weiteres Substrat 96, an dem ein
weiterer ITO-Film 95 angebracht ist, so angeordnet, daß
der andere ITO-Film 95 die Elektrolytschicht 94 kontaktiert.
Ein Abstandshalter 97 ist an der Seite der ECD
90 zwischen den beiden ITO-Elektrodenschichten 92, 95
angeordnet. Eine elektrische Gleichstromquelle 99, mit
der die Polarität des zugeführten elektrischen Stroms
geändert werden kann, ist zwischen die Elektroden 92, 95
geschaltet.
Die Farbschicht 93 ist aus organischem elektrochromen
Material, das eine organische Verbindung sein kann, eine
Mischung aus organischen und inorganischen Verbindungen
oder eine organometallische Verbindung, vorzugsweise
eine Phthalocyaninverbindung, die oben erwähnt wurde.
Der Prozeß zur Ausbildung einer elektrochromen Schicht 93
aus elektrochromen Material kann ein Beschichtungsprozeß,
ein Vakuumabscheidungsprozeß oder ein Sputterprozeß
sein, oder, vorzugsweise, ein Plasmapolymerisationsprozeß
unter Zuführung eines Trägergases bei vorgegebenen
Bedingungen.
Das Aufrauhen der Schnittstelle 98 wird vorzugsweise durch
die Wirkung des Beschusses des Halogengasplasmas auf die
Oberfläche der oben genannten elektrochromen Schicht 93
durchgeführt.
Das Halogenidgas ist vorzugsweise eine Verbindung, die
ein oder mehrere der Elemente Kohlenstoff, Stickstoff
oder Schwefel, oder vorzugsweise, Fluor oder Chlor oder
noch bevorzugter ein Gas zum reaktiven Ionätzen wie
CF4, NF3, SF6 oder CCl4 enthält. Andere Gase wie H2,
He, N2, Cl2 oder Ar können ebenfalls verwendet werden,
in Bedingungen, die von der Länge der Reaktionszeit abhängt.
Im folgenden wird das Aufrauhen der Schnittstelle 98 erläutert:
Eine EC-Schicht 93 aus Lutetiumdiphthalocyanin
wurde mit einem Plasmapolymerisationsprozeß bei einer
Entladungsfrequenz von 50 kHz auf einem mit einem ITO-Film 92
bedeckten NESA-Glassubstrat 91′ ausgebildet. Dann wird das
Substrat 91″ auf der oberen Elektrode 63 in dem in Fig. 4
dargestellten Gerät befestigt. Die Frequenz der elektrischen
Radiofrequenzspannungsquelle 72 ist auf 13,56 MHz eingestellt,
und die zugeführte Leistung beträgt 50 W. Als
nächstes wird NH3-Gas 68′ in den Rezipienten 61 durch
das Ventil V 1 eingebracht, anstatt des Trägergases 68,
das in den oben genannten Ausführungsformen verwendet
wurde. Das Substrat 91″ wird nicht geheizt (bei Raumtemperatur),
und der Druck in dem Rezipienten 61 wird auf
0,2 Torr (26,66 Pascal) gehalten. Anschließend wird das
Plasma aus NH3-Gas 68 zwischen den parallelen Plattenelektroden
63, 64 erzeugt, und das Plasma bewegt sich
heftig zwischen den Platten 63, 64. Die Oberfläche des
Substrats 91″, also die Oberfläche der Schicht 93, wird
durch das Plasma beschossen. Der Plasmabeschuß wird während
etwa 20 Minuten durchgeführt.
Eine Anzahl von sehr feinen Unregelmäßigkeiten wird durch
den Plasmabeschuß auf der Oberfläche der EC-Schicht 93
ausgebildet. Dies erfolgt, da der Beschuß der Ionen intensiv
auf Punkte wirkt, an denen Bindungen zwischen
Kohlenstoffatomen schwach sind, und somit wird die Oberfläche
scharf nach innen aufgebrochen und Unregelmäßigkeiten
werden gebildet. Auf diese Weise wird die Oberfläche
der EC-Schicht 93 eine rauhe Fläche 98, wie es in Fig. 5
schematisch dargestellt ist.
Das Gas zum Aufrauhen der Oberfläche der EC-Schicht 93
kann CF4, SF6 oder CCl4 sein. Es kann ferner H2, He, N2,
Cl2 oder ein Edelgas wie Argon sein. Falls jedoch ein
Gas mit niedriger Atomnummer verwendet wird, ist der Effekt
des Aufrauhens der Oberfläche durch das Plasma geringer,
so daß für die Aufrauhung eine längere Zeit benötigt
wird. Falls Sauerstoff eingesetzt wird, kann ein
derartiger Effekt in gewissem Grade für eine Färbungsschicht
aus anorganischem Material wie WO3 erwartet
werden. Im Gegensatz dazu tritt für eine Farbschicht
aus organischem Material durch das Sauerstoffplasma
eine Einäscherung auf, so daß es zu CO2-Gas zersetzt
wird. Desweiteren wird, selbst wenn die Bedingungen so
beschränkt sind, daß die Oberfläche schwach aufgerauht
wird, und so eine Zersetzung verhindert wird, die Farbschicht
in der Nähe der Oberfläche sich qualitativ chemisch
ändern, und die EC-Eigenschaften, insbesondere
die Färbung, wird verschlechtert. Deshalb kann Sauerstoffgas
nicht für eine Farbschicht aus organischem Material
verwendet werden.
In Fig. 5 sind die Schichten 91 bis 97, genauso wie ihre
Dicke, ähnlich zu denen von Fig. 3. Der Elektrolyt 94
ist eine einmolige wässrige Lösung von LiClO4. Es wird
vermutet, daß die Oberfläche 96 der EC-Schicht 93, die
in Kontakt mit der Elektrolytflüssigkeit steht, um einige
wenige Male größer ist als die in Fig. 3 gezeigte.
Aufgrund dessen wird erwartet, daß die Reaktionsrate bei
der Anwendung einer Spannung stark ansteigt.
Wenn die Gleichspannung von -2 bis +2 V an einer ECD gemäß
dieser Ausführungsform mit steigendem Wert der Spannung
angelegt wird, ändert sich die Farbe in Folge von blau
nach rot, die Farbgebung ist scharf und der Farbwechsel
reagiert empfindlich auf Änderungen der angelegten Spannung.
Die Reaktionszeit und die Wiederholungslebensdauer
sind gut, nämlich 2 bis 3 msec, bzw. 8,4 × 107 Male.
Tabelle 3 faßt die EC-Eigenschaften dieses Ausführungsbeispiels
zusammen, sowie die einer Vergleichsprobe und
einer vorbekannten Form (C6 in Tabelle 2). Das Vergleichsbeispiel
ist das gleiche wie die Probe nach C1 bis C5 in
Tabelle 2 (Fig. 3). Es wurde herausgefunden, daß die
Probe C6 klare EC-Eigenschaften zeigt, wobei diese Vergleichsproben
C1 bis C6 bis zu einem gewissen Grade
EC-Eigenschaften zeigen, obwohl nicht so gut, daß sie
praktisch verwendet werden können. Auf diese Weise ist
die Effektivität der Aufrauhung der Grenzfläche offensichtlich.
In den oben genannten Ausführungsformen sind die Substrate
41, 91 auf die obere Elektrode 63 der Parallelplattenelektroden
aufgebracht, aber sie können ebenso auf die
untere Elektrode 64 aufgebracht werden. Es wurden keine
Unterschiede in den Wirkungen festgestellt.
Obwohl die Elektrolytschicht 94 in den oben genannten Ausführungsformen
eine Flüssigkeit ist, kann sie auch ein
Festkörper sein, wobei kolloidähnliche Materialien eingeschlossen
sind. Falls die Elektrolytschicht ein Festkörper
ist, kann die Oberfläche der Elektrolytschicht
(das ist die Schnittstelle mit der Farbschicht) vorher
aufgerauht werden, so daß die Farbschicht auf der aufgerauhten
Oberfläche ausgebildet werden kann.
Die Farbschicht 93 wird in den bevorzugten Ausführungsformen
durch Plasmapolymerisation ausgebildet, aber die
Wirkung der Aufrauhung der Schnittstelle ist nicht auf
die Farbschicht 93, die durch Plasmapolymerisation ausgebildet
ist, beschränkt. Sie ist ebenso für eine Farbschicht
wirksam, die durch einen Beschichtungsprozeß,
einen Vakuumabscheidungsprozeß, oder durch Sputtern hergestellt
wurde.
Claims (28)
1. Elektrochrome Anzeigevorrichtung mit:
Einer ersten transparenten Elektrode, einer elektrochromen Schicht, einer festen makromolekularen Elektrolytschicht und einer zweiten Elektrode, die jeweils nacheinander aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die feste makromolekulare Elektrolytschicht ein Plasmapolymerisationsfilm ist, der eine Kohlenwasserstoffverbindung, ein Alkalimetall und ein Element mit hoher Elektronegativität beinhaltet.
Einer ersten transparenten Elektrode, einer elektrochromen Schicht, einer festen makromolekularen Elektrolytschicht und einer zweiten Elektrode, die jeweils nacheinander aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die feste makromolekulare Elektrolytschicht ein Plasmapolymerisationsfilm ist, der eine Kohlenwasserstoffverbindung, ein Alkalimetall und ein Element mit hoher Elektronegativität beinhaltet.
2. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Element mit großer
Elektronegativität aus der Gruppe ausgewählt wird, die
durch Fluor, Sauerstoff, Stickstoff und Chlor gebildet
wird.
3. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das Alkalimetall
aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Lithium, Natrium,
Kalium, Rubidium und Cäsium besteht.
4. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die feste makromolekulare
Elektrolytschicht durch einen Plasmapolymerisationsprozeß
von Materialien mit zumindest einer Kohlenwasserstoffverbindung,
die ein Alkalimetall aufweist,
und einer organischen Verbindung, die ein Element mit
großer Elektronegativität aufweist, gebildet ist.
5. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Material zur
Schaffung des Plasmapolymerisationsfilms mit dem Element
mit großer Elektronegativität eine organische Verbindung
ist, die das Element mit großer Elektronegativität beinhaltet.
6. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Material zur Schaffung
des Plasmapolymerisationsfilms mit dem Element mit
großer Elektronegativität eine anorganische Verbindung
ist, die das Element mit großer Elektronegativität beinhaltet.
7. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Material zur Schaffung
des Plasmapolymerisationsfilms mit dem Alkalimetall,
ein aus der Gruppe ausgewähltes Material ist, die aus
metallischen Elementen, organometallischen Verbindungen,
Metallhydriden, Metallaciden, Metallamiden und Alkoxyden
besteht, die Alkalimetalle beinhalten.
8. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kohlenwasserstoff
eine Verbindung ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus gesättigten Kohlenwasserstoffen, ungesättigten
Kohlenwasserstoffen, alizyklischen Kohlenwasserstoffen
und aromatischen Kohlenwasserstoffen besteht.
9. Elektrochrome Vorrichtung mit:
Einer transparenten Elektrode, einem elektrochromen Material, das aus einem organischen Material vom Ioneninjektionstyp gefertigt ist, einer ionischen Leitungsschicht und einer zweiten Elektrode, die jeweils nacheinander aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrochrome Schicht ein Film ist, der durch einen Plasmapolymerisationsprozeß einer Phthalocyaninverbindung unter Zuführung von Trägergas bei einer niedrigen Frequenz zwischen 1 kHz und 3 MHz eines elektrischen Wechselfeldes durchgeführt wird.
Einer transparenten Elektrode, einem elektrochromen Material, das aus einem organischen Material vom Ioneninjektionstyp gefertigt ist, einer ionischen Leitungsschicht und einer zweiten Elektrode, die jeweils nacheinander aufgebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrochrome Schicht ein Film ist, der durch einen Plasmapolymerisationsprozeß einer Phthalocyaninverbindung unter Zuführung von Trägergas bei einer niedrigen Frequenz zwischen 1 kHz und 3 MHz eines elektrischen Wechselfeldes durchgeführt wird.
10. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Phthalocyaninverbindung
aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Phthalocyaninverbindungen
ohne Metallelemente, Kupferphthalocyanin
und seiner Derivate und aus seltenen Erden-Diphthalocyaninen
besteht.
11. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß das Trägergas aus der
Gruppe ausgewählt wird, die aus Sauerstoffgas, Stickstoffgas,
Wasserstoffgas, Edelgas, und Halogenidgasen, einschließlich
Kohlenstoffhalogenidgasen, besteht.
12. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schnittstelle der
elektrochromen Schicht mit der Ionenleiterschicht sehr
feine Unregelmäßigkeiten aufweist.
13. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Unregelmäßigkeiten
aufgrund der Wirkung eines Plasmabeschusses mit Halogeniden
besteht.
14. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halogenide ein
Element beinhalten, das aus der Gruppe aus Kohlenstoff,
Stickstoff und Schwefel ausgewählt ist.
15. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch
gekennzeichnet, daß das Halogen in den
Halogeniden entweder Fluor oder Chlor ist.
16. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Phthalocyaninverbindung
ein α-chloriertes Kupferphthalocyanindiphthalocyanin
ist.
17. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Phthalocyaninverbindung
α-chloriertes Kupfer Lutetiumdiphthalocyanin
ist.
18. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch
gekennzeichnet, daß das Trägergas ausgewählt
wird aus der Gruppe aus Sauerstoffgas, Stickstoffgas,
Wasserstoffgas, Edelgas, und Halogenidgas, einschließlich
Kohlenstoffhalogenid.
19. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schnittstelle der
elektrochromen Schicht mit der Ionenleiterschicht sehr
feine Unregelmäßigkeiten aufweist.
20. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch
gekennzeichnet, daß die Unregelmäßigkeiten
durch die Wirkung eines Plasmabeschusses mit Halogeniden
ausgebildet werden.
21. Elektrochrome Vorrichtung anch Anspruch 20, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halogenide ein Element
aus der Gruppe aus Stickstoff, Kohlenstoff und
Schwefel beinhalten.
22. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch
gekennzeichnet, daß das Halogen in dem Halogenid
entweder Fluor oder Chlor ist.
23. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Frequenz zwischen
5 kHz und 500 kHz ist.
24. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß das Trägergas aus der
Gruppe aus Sauerstoffgas, Stickstoffgas, Wasserstoffgas,
Edelgas und Halogenidgas, einschließlich Kohlenstoffhalogenid,
ausgewählt ist.
25. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schnittstelle der
elektrochromen Schicht mit der Ionenleiterschicht sehr
feine Unregelmäßigkeiten aufweist.
26. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch
gekennzeichnet, daß die Unregelmäßigkeiten
durch die Wirkung eines Plasmabeschusses mit Halogeniden
gebildet werden.
27. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halogenide ein
Element aus der Gruppe aus Kohlenstoff, Stickstoff und
Schwefel aufweisen.
28. Elektrochrome Vorrichtung nach Anspruch 27, dadurch
gekennzeichnet, daß das Halogen in den Halogeniden
entweder Fluor oder Chlor ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP61135559A JPS62291625A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | エレクトロクロミツク表示素子 |
JP61143841A JPS62299822A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | エレクトロクロミツク表示素子 |
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ID=27314908
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Date | Code | Title | Description |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |