JPS62291625A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
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- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 241000894007 species Species 0.000 description 7
- 206010063836 Atrioventricular septal defect Diseases 0.000 description 6
- 238000001211 electron capture detection Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N Heavy water Chemical compound [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KEQGZUUPPQEDPF-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5,5-dimethylimidazolidine-2,4-dione Chemical compound CC1(C)N(Cl)C(=O)N(Cl)C1=O KEQGZUUPPQEDPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015210 Fockea angustifolia Nutrition 0.000 description 1
- 244000186654 Fockea angustifolia Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N chlorosulfonic acid Substances OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940071870 hydroiodic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
lλ五Δ机星座!
本発明はエレクトロクロミック表示素子、詳し材料とい
う)がイオン注入型の有機物であるエレクトロクロミッ
ク表示素子(ECDという)に関するものである。
う)がイオン注入型の有機物であるエレクトロクロミッ
ク表示素子(ECDという)に関するものである。
従迷!U彰1
EC性を示す無機化合物として遷移金属がよく知られて
おり、従来より特にWO□系ECDの研究開発が優んで
ある。しかし、遷移金属酸化物のEC材料は概ね単一の
発色しか示さず、また色調は必ずしも鮮明でない、さら
にフルカラー化が困難である等の問題がある。そこで、
最近、カラー設計が容易である有機物EC材料が注目さ
れている。
おり、従来より特にWO□系ECDの研究開発が優んで
ある。しかし、遷移金属酸化物のEC材料は概ね単一の
発色しか示さず、また色調は必ずしも鮮明でない、さら
にフルカラー化が困難である等の問題がある。そこで、
最近、カラー設計が容易である有機物EC材料が注目さ
れている。
有機物EC材料を発色メカニズムで分類すると、可逆的
電析型とイオン注入型に分かれる。そして、前者に属す
るEC材料にはビオロゲン系、アントラキノン系色素な
どがあり、後者では、テトラチアフルバレン系(TTF
)や希土類シフタロンアニン系が知られている。希土類
シフタロジアニン系の例えばルテチウム・シフタロジア
ニン蒸着膜では、±1.5■の範囲で印加電圧に応じて
赤〜橙〜緑〜青〜紫と変化することが知られている。こ
のように1種類のEC材料で多色化を達成できることか
ら、その実用化(=商品化)が大いに期待されている。
電析型とイオン注入型に分かれる。そして、前者に属す
るEC材料にはビオロゲン系、アントラキノン系色素な
どがあり、後者では、テトラチアフルバレン系(TTF
)や希土類シフタロンアニン系が知られている。希土類
シフタロジアニン系の例えばルテチウム・シフタロジア
ニン蒸着膜では、±1.5■の範囲で印加電圧に応じて
赤〜橙〜緑〜青〜紫と変化することが知られている。こ
のように1種類のEC材料で多色化を達成できることか
ら、その実用化(=商品化)が大いに期待されている。
明が解決しようとする間 α
しかしながら、実用化に向けては解決すべき問題点が多
く、特に■繰返しの寿命が短い、■応答速度が遅い、■
コントラストが低いといった問題点が指摘されている。
く、特に■繰返しの寿命が短い、■応答速度が遅い、■
コントラストが低いといった問題点が指摘されている。
■繰返し寿命の点に関しては、EC層、電極および電解
質層のそれぞれについて劣化が起こり、寿命は実用レベ
ルで107回程度である。10@回が達成されると用途
が拡大するので、現在この10”回が課題とされている
。EC層の劣化については、電解質層中(液体、固体を
問わない)のアルカリ金属イオンがEC層に繰り返し出
入りするうち、EC/I中に捕獲・蓄積されこの劣化を
引き起こすことが明らかになっている。これにより10
7回が限界で、未だ解決策が見出だされていない。
質層のそれぞれについて劣化が起こり、寿命は実用レベ
ルで107回程度である。10@回が達成されると用途
が拡大するので、現在この10”回が課題とされている
。EC層の劣化については、電解質層中(液体、固体を
問わない)のアルカリ金属イオンがEC層に繰り返し出
入りするうち、EC/I中に捕獲・蓄積されこの劣化を
引き起こすことが明らかになっている。これにより10
7回が限界で、未だ解決策が見出だされていない。
■応答速度が遅い点については、従来のW○。
系は0.1秒程度が限界であるのに対し、有fiEC材
料では数十m5ecまで可能であることが知られている
。しかし実用上は、10m5ecが課題とされている。
料では数十m5ecまで可能であることが知られている
。しかし実用上は、10m5ecが課題とされている。
■コントラストが低いことに関しては、印加電圧を上げ
ることにより発色濃度を高くすることができるが、繰返
し寿命の短縮化を招き表示電極の劣化などを引き起こす
ので余り電圧を上げることは適当でない。EC膜のpo
rosity(多孔度)を上げることも有効であるが、
機械的強度が低下し寿命が短くなる(EC電極と電解質
液間の通電化学反応による)。
ることにより発色濃度を高くすることができるが、繰返
し寿命の短縮化を招き表示電極の劣化などを引き起こす
ので余り電圧を上げることは適当でない。EC膜のpo
rosity(多孔度)を上げることも有効であるが、
機械的強度が低下し寿命が短くなる(EC電極と電解質
液間の通電化学反応による)。
上記の問題点をふまえて本発明は、繰返し寿命。
応答速度、コントラストを改善すること、より具体的に
は、繰返し寿命で10@回を達成するとともに応答速度
においても10m5ec以下をできるようにすることを
目的とする。
は、繰返し寿命で10@回を達成するとともに応答速度
においても10m5ec以下をできるようにすることを
目的とする。
・を 成するための手F
上記目的を達成するため、本発明は、発色層がイオン注
入型の有機物でなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、前記有機物が7タロシ7二ン系化合物であって、
前記発色層を、キャリアガスを供給しながら1KHzな
いし3MHzの低周波によるプラズマ重合で形成したこ
とを基本的な特徴とするものである。
入型の有機物でなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、前記有機物が7タロシ7二ン系化合物であって、
前記発色層を、キャリアガスを供給しながら1KHzな
いし3MHzの低周波によるプラズマ重合で形成したこ
とを基本的な特徴とするものである。
本発明において使用するフタロシアニン系化合物のエレ
クトロクロミック材料としては、それ自体公知の770
シアニンおよびその誘導体いずれでも使用でき、具体的
には、中心金属が銅、銀、ベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ガリウム、亜鉛、カドミウム、バリウム、
水根、アルミニウム、インノウム、ランタン、ネオジム
、サマ177ム、ユーロピウム、〃トリニウム、ノスプ
ロシウム、ホルミウム、ナトリウム、リチウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、チタン、錫、ハフニウム、鉛、
トリウム、パナノウム、7ンチモン、クロム、モリブデ
ン、ウラン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ロノ
ウム、パラジウム、オスミウム、および白金等である。
クトロクロミック材料としては、それ自体公知の770
シアニンおよびその誘導体いずれでも使用でき、具体的
には、中心金属が銅、銀、ベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ガリウム、亜鉛、カドミウム、バリウム、
水根、アルミニウム、インノウム、ランタン、ネオジム
、サマ177ム、ユーロピウム、〃トリニウム、ノスプ
ロシウム、ホルミウム、ナトリウム、リチウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、チタン、錫、ハフニウム、鉛、
トリウム、パナノウム、7ンチモン、クロム、モリブデ
ン、ウラン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ロノ
ウム、パラジウム、オスミウム、および白金等である。
また7りロシアニンの中心核として金属原子ではなく、
3価以上の原子価を有するハンデン化金属であってもよ
い。さらに、lN−4−7ミノフタロシアニン、鉄ポリ
ハロフタロシアニン、コバルトへキサフェニル7りロシ
7ニンやテトラ7ゾ7タロシ7ニン、テトラメチル7り
ロシアニン、ジフルキルアミシフタロシ7ニン等の無金
属フタロシアニンの誘導体などが使用できる。これらは
単独または混合して使用できる。
3価以上の原子価を有するハンデン化金属であってもよ
い。さらに、lN−4−7ミノフタロシアニン、鉄ポリ
ハロフタロシアニン、コバルトへキサフェニル7りロシ
7ニンやテトラ7ゾ7タロシ7ニン、テトラメチル7り
ロシアニン、ジフルキルアミシフタロシ7ニン等の無金
属フタロシアニンの誘導体などが使用できる。これらは
単独または混合して使用できる。
フタロシアニン分子中のベンゼン核の水素原子がニトロ
基、シアノ基、ハロゲン原子、スルホン基およびカルボ
キシル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の電子
吸引性基で置換されたフタロシアニン誘導体と、フタロ
シアニンおよび前記フタロシアニン化合物から選ばれる
非置換7タロシ7ニン化合物の少なくとも一種とを、そ
れらと塩を形成しうる無機酸と混合し、水または塩基性
物質によって析出させることによって得られるフタロシ
アニン系材料組生物を使用することもできる。この場合
、電子吸引性基置換フタロシアニン誘導体は、−分子中
の置換基の数が1〜16個の任意のものを使用でき、ま
たその電子吸引性置換基フタロシアニン誘導体と他の非
置換7タロシ7二ン化合物との組成割合は、前者の置換
基の数がその組成物中の単位フタロシアニン1分子当た
り0.001〜2個、好ましくは、0.002〜1個に
なるようにするのがよい。前記フタロシアニン系工レク
トロクロミツク材料組成物を製造する際使用されるフタ
ロシアニン化合物と塩を形成しうる無機酸としては、硫
酸、オルトリン酸、クロロスルホン酸、塩酸、ヨウ化水
素酸、7フ化水素酸、臭化水素酸等が挙げられる。
基、シアノ基、ハロゲン原子、スルホン基およびカルボ
キシル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の電子
吸引性基で置換されたフタロシアニン誘導体と、フタロ
シアニンおよび前記フタロシアニン化合物から選ばれる
非置換7タロシ7ニン化合物の少なくとも一種とを、そ
れらと塩を形成しうる無機酸と混合し、水または塩基性
物質によって析出させることによって得られるフタロシ
アニン系材料組生物を使用することもできる。この場合
、電子吸引性基置換フタロシアニン誘導体は、−分子中
の置換基の数が1〜16個の任意のものを使用でき、ま
たその電子吸引性置換基フタロシアニン誘導体と他の非
置換7タロシ7二ン化合物との組成割合は、前者の置換
基の数がその組成物中の単位フタロシアニン1分子当た
り0.001〜2個、好ましくは、0.002〜1個に
なるようにするのがよい。前記フタロシアニン系工レク
トロクロミツク材料組成物を製造する際使用されるフタ
ロシアニン化合物と塩を形成しうる無機酸としては、硫
酸、オルトリン酸、クロロスルホン酸、塩酸、ヨウ化水
素酸、7フ化水素酸、臭化水素酸等が挙げられる。
前記エレクトロクロミック材料のうち、本発明の目的達
成のために特に好適なものとしては、無金属フタロシア
ニン、#I7りロシアニン及びその・誘導体、例えば、
核電子吸引性基置換誘導体、及び希土類シフタロジアニ
ン等があげられる。
成のために特に好適なものとしては、無金属フタロシア
ニン、#I7りロシアニン及びその・誘導体、例えば、
核電子吸引性基置換誘導体、及び希土類シフタロジアニ
ン等があげられる。
前記キャリアガスは、酸素ガス、窒素がス、水素ガス、
塩素ガス、アルゴンなどの不活性ガス、ノへロデン化炭
素ガス、ハロゲン化合物ガスからなる群より選ばれる。
塩素ガス、アルゴンなどの不活性ガス、ノへロデン化炭
素ガス、ハロゲン化合物ガスからなる群より選ばれる。
ハロゲン化炭素ガスでは、CC1,。
CF、、C2F、、C,F、、C,F、などのガスが使
用できる。また、ハロゲン化合物ガスには、ハロゲン化
イオウたとえばS F iガス、ハロゲン化窒素たとえ
ばNFstfスが使用でき、さらに一般式〇 t F
mXn(Xはフッ素F以外のハロゲン元素)の構成をも
つもの例えばCF3Cf、CF2(j!2.C2F5C
/。
用できる。また、ハロゲン化合物ガスには、ハロゲン化
イオウたとえばS F iガス、ハロゲン化窒素たとえ
ばNFstfスが使用でき、さらに一般式〇 t F
mXn(Xはフッ素F以外のハロゲン元素)の構成をも
つもの例えばCF3Cf、CF2(j!2.C2F5C
/。
CF JryCF 4 + C121CF 4 + 1
2などのガスが使用できる(なお、十は混合を意味する
)。これらの他に、CHF 3− CCI F 3 l
CB r F iやBCl、。
2などのガスが使用できる(なお、十は混合を意味する
)。これらの他に、CHF 3− CCI F 3 l
CB r F iやBCl、。
5iCJ4などのガスを使用してもよい。
前記プラズマ重合に使用する装置は、容量結合型の装置
とくに平行平板電極を備える装置が好ましい。また、条
件によっては、誘導結合型の装置を使用することができ
る。
とくに平行平板電極を備える装置が好ましい。また、条
件によっては、誘導結合型の装置を使用することができ
る。
プラズマ重合の条件は、グロー放電を生起せしめる真空
度にだと、えばガス圧で0.001〜0.5Torrで
、交番電界の周波数は、特に低周波域1KHz〜3MH
zの一つの周波数が選択される。好ましくは、5KHz
〜500KHzの周波数とする。下限値は、プラズマ重
合中の放電むらに起因する成膜性及び発色の均一性の点
で、上限値はイオンの交番電界に対する追従性すなわち
イオンのボンバード効果による微細網目構造形成の良否
、換言すれば形成膜としての発色層の応答速度1発色性
の良否の点で制約を受ける。また発色層を形成する基板
の温度は室温のままでよい。加熱して所定温度または温
度範囲に制御してもよいが、プラズマ自体のエネルギー
で基板温度が上昇する。プラズマ生成のための投入電力
に応じて基板温度は概ね一定の温度域に維持される。も
し、基板温度が高くなりすぎるなら冷却するのが良い。
度にだと、えばガス圧で0.001〜0.5Torrで
、交番電界の周波数は、特に低周波域1KHz〜3MH
zの一つの周波数が選択される。好ましくは、5KHz
〜500KHzの周波数とする。下限値は、プラズマ重
合中の放電むらに起因する成膜性及び発色の均一性の点
で、上限値はイオンの交番電界に対する追従性すなわち
イオンのボンバード効果による微細網目構造形成の良否
、換言すれば形成膜としての発色層の応答速度1発色性
の良否の点で制約を受ける。また発色層を形成する基板
の温度は室温のままでよい。加熱して所定温度または温
度範囲に制御してもよいが、プラズマ自体のエネルギー
で基板温度が上昇する。プラズマ生成のための投入電力
に応じて基板温度は概ね一定の温度域に維持される。も
し、基板温度が高くなりすぎるなら冷却するのが良い。
K痰鮭
以下、添付図面に基づいて一実施例を説明する。
第1図は平行平板型プラズマ重合装置の概略断面を示し
、(1)は金属製のベースプレート(2)上に気密に設
置されたペルジャーである。このベルツヤ−(1)内に
、上部重水(3)と下部電極(4)からなる平行平板電
極が設けられている。上部電極(3)には、透明電極た
とえばITOを形成したガている。基板(5)上に薄膜
状に形成すべきフタロシアニン系EC材料(6)は、温
調器(7)の加熱により昇華させ、モノマー状態にして
気化させバルブ(v2)を経由してベルツヤ−(1)内
に導入される。
、(1)は金属製のベースプレート(2)上に気密に設
置されたペルジャーである。このベルツヤ−(1)内に
、上部重水(3)と下部電極(4)からなる平行平板電
極が設けられている。上部電極(3)には、透明電極た
とえばITOを形成したガている。基板(5)上に薄膜
状に形成すべきフタロシアニン系EC材料(6)は、温
調器(7)の加熱により昇華させ、モノマー状態にして
気化させバルブ(v2)を経由してベルツヤ−(1)内
に導入される。
キャリアガスたとえばAr7yス(8)は上記EC材料
ガスの導入と合わせてバルブ(vl)を経由してベルツ
ヤ−(1)内に導入される。
ガスの導入と合わせてバルブ(vl)を経由してベルツ
ヤ−(1)内に導入される。
ベルツヤ−(1)内はバルブ(V、)を開成して真空ポ
ンプ(9)により減圧される。この減圧により排出され
るEC材料は冷却器(コールド・トラップ)(10)で
析出させる。真空度は、図示しない真空計で計測され、
グロー放電をなすガス圧、たとえば0.050.ITo
rrに保持される。平行平板電極(3)。
ンプ(9)により減圧される。この減圧により排出され
るEC材料は冷却器(コールド・トラップ)(10)で
析出させる。真空度は、図示しない真空計で計測され、
グロー放電をなすガス圧、たとえば0.050.ITo
rrに保持される。平行平板電極(3)。
(4)に形成されるべき交番電界は、マツチングボック
ス(11)を介して低周波電源(12)により印加され
る。なお、この低周波電源(12)は、周波数可変のも
のを使用している。実施例は、放電周波数IK。
ス(11)を介して低周波電源(12)により印加され
る。なお、この低周波電源(12)は、周波数可変のも
のを使用している。実施例は、放電周波数IK。
50に、IM、3M、5MHzの各場合を試み、比較例
として13.56MHz、また500 Hzの場合を試
みた。
として13.56MHz、また500 Hzの場合を試
みた。
典譬的な実施例の条件とLfl十−電力(OW。
放電周波数50KHz、キャリアガスはArffスで流
量〜20 secm、基板(5)は室温で非加熱、ガス
圧を0.05〜0. I T orrとした。フタロシ
アニン系EC材料(6)は、C1がパラ位置に4つある
a型りロル銅フタロシアニンである。なお、基板(5)
のITO膜は接地電位に落としている。
量〜20 secm、基板(5)は室温で非加熱、ガス
圧を0.05〜0. I T orrとした。フタロシ
アニン系EC材料(6)は、C1がパラ位置に4つある
a型りロル銅フタロシアニンである。なお、基板(5)
のITO膜は接地電位に落としている。
αクロム銅フタロシアニン(6)を加熱し昇華させモノ
マー状態でペルジャー(1)内へ導入するとともに、A
+J’スを導入する。平行平板電極(3)。
マー状態でペルジャー(1)内へ導入するとともに、A
+J’スを導入する。平行平板電極(3)。
(4)に50KHzの低周波電源を印加する。平行平行
電極(3)、(4)間には、電界により加速されたガス
中の自由電子によりガス分子が電離され、導電性のプラ
ズマガスが生成する。プラズマガス中には電子やイオン
、ラジカルや種々の励起種が存在する。しかし、この系
は低温プラズマ状態であるから、化学種は比較的に熱破
壊を受けないでラジカル種や励起種から加酸的な化学反
応が進む6そして、放電周波数が50KHzと低周波に
選んであるから、プラズマ中で生じた様々なスピーシー
ズの内、Arのイオンを含む各種のイオン種が上部電極
(3)と下部電極(4)開を交番的に移動する。基板(
4)上にプラズマ重合しつつある薄膜をこの移動するイ
オン種がアタックする。重合膜はイオン・ボンバードの
存在下に成膜される。これが、膜質の構造に大きな影響
を及ぼす。即ち、3次元的に架橋する強固な重合性を保
ちながら、イオン・ボンバードによりミクロな部分での
高温・高圧化によって膜自体が微細な網目構造となる。
電極(3)、(4)間には、電界により加速されたガス
中の自由電子によりガス分子が電離され、導電性のプラ
ズマガスが生成する。プラズマガス中には電子やイオン
、ラジカルや種々の励起種が存在する。しかし、この系
は低温プラズマ状態であるから、化学種は比較的に熱破
壊を受けないでラジカル種や励起種から加酸的な化学反
応が進む6そして、放電周波数が50KHzと低周波に
選んであるから、プラズマ中で生じた様々なスピーシー
ズの内、Arのイオンを含む各種のイオン種が上部電極
(3)と下部電極(4)開を交番的に移動する。基板(
4)上にプラズマ重合しつつある薄膜をこの移動するイ
オン種がアタックする。重合膜はイオン・ボンバードの
存在下に成膜される。これが、膜質の構造に大きな影響
を及ぼす。即ち、3次元的に架橋する強固な重合性を保
ちながら、イオン・ボンバードによりミクロな部分での
高温・高圧化によって膜自体が微細な網目構造となる。
これに対し、放電周波数が1KHz未満(50Hz〜l
K11z)のより低い低周波である場合、同様にグロー
放電させてr&膜してゆくと、プラズマ中で生成したイ
オン種の電荷が膜上ないし電極近傍にチャーノアツブし
てDC電界的なイオンシース(シー入電界)が形成され
、これが原因となって異常放電を生じたり持続的な放電
を停止させたりする。
K11z)のより低い低周波である場合、同様にグロー
放電させてr&膜してゆくと、プラズマ中で生成したイ
オン種の電荷が膜上ないし電極近傍にチャーノアツブし
てDC電界的なイオンシース(シー入電界)が形成され
、これが原因となって異常放電を生じたり持続的な放電
を停止させたりする。
即ち、はとんど膜として形成されない。500Hzの場
合において確認されている。
合において確認されている。
他方、放電周波数が3MHz以上であると、プラズマ中
のイオン種は交番電界の変化にほとんど追従できず、イ
オン・ボンバード効果がない。このプラズマ重合膜はき
わめて1m密な構造となる。
のイオン種は交番電界の変化にほとんど追従できず、イ
オン・ボンバード効果がない。このプラズマ重合膜はき
わめて1m密な構造となる。
12図には、各放電周波数で作成したEC層をもったE
CDの共通な断面構造を示している。(21)はガラス
基板、(22)はITO電極、(23)は上記プラズマ
重合による発色層、(24)は電解液層、(26)は対
向ITO電極、(25)はプラス基板である。
CDの共通な断面構造を示している。(21)はガラス
基板、(22)はITO電極、(23)は上記プラズマ
重合による発色層、(24)は電解液層、(26)は対
向ITO電極、(25)はプラス基板である。
電解液層(24)を構成する電解液としては、例えば、
KCl、NaC10,、KCl0<、LiCl0.、に
2S04yNa2SO4yLi2SO4などの水溶液が
使用できる。この実施例では、L i C104の1モ
ル水溶液を用いた。
KCl、NaC10,、KCl0<、LiCl0.、に
2S04yNa2SO4yLi2SO4などの水溶液が
使用できる。この実施例では、L i C104の1モ
ル水溶液を用いた。
発色層(23)の膜厚は、0.1〜10μmで、望まし
くは1〜7μ鶴とする。1μm未満の薄い場合は発色時
のコントラストが十分にとれない、7μmより厚い場合
には色変化がかなり鈍(なる。上記の好ましい範囲であ
ると、充分なコントラストが得られるとともにバイアス
印加時の色変化も鮮明となる。なお、ITO電極(22
)、(26)の膜厚は0.03〜0.5μm、望ましく
は0.05〜0.1μmとする。電極度である。
くは1〜7μ鶴とする。1μm未満の薄い場合は発色時
のコントラストが十分にとれない、7μmより厚い場合
には色変化がかなり鈍(なる。上記の好ましい範囲であ
ると、充分なコントラストが得られるとともにバイアス
印加時の色変化も鮮明となる。なお、ITO電極(22
)、(26)の膜厚は0.03〜0.5μm、望ましく
は0.05〜0.1μmとする。電極度である。
上記のようにして構成した好ましい実施例(放電周波数
50KIlz)のE CD (20)は、その発色N(
23)が緑色を呈し、DC電圧−2■を印加すると青色
〜コバルト色に変化し、良好なEC性を示した。
50KIlz)のE CD (20)は、その発色N(
23)が緑色を呈し、DC電圧−2■を印加すると青色
〜コバルト色に変化し、良好なEC性を示した。
応答速度は約3 m5ec、繰返し回数は107〜10
8回、使用温度範囲は一30〜+80°Cで、EC特性
の全項目にわたり良好である。特に応答速度。
8回、使用温度範囲は一30〜+80°Cで、EC特性
の全項目にわたり良好である。特に応答速度。
発色性が良化するのは、前述のように発色ff1(23
)が微細な網目構造をとり、電解液層(24)との界面
だけでなく発色If!J(23)のバルク中でも電解液
イオン(Li”)がすりぬけるファイン・ボア(微細孔
)の多い構成となって接触面積が着しく増えたためであ
る。
)が微細な網目構造をとり、電解液層(24)との界面
だけでなく発色If!J(23)のバルク中でも電解液
イオン(Li”)がすりぬけるファイン・ボア(微細孔
)の多い構成となって接触面積が着しく増えたためであ
る。
上記の好ましい実施例を含みその他の実施例の開時性を
試料名(Al〜A5.A6)を付して第3図に示す。
試料名(Al〜A5.A6)を付して第3図に示す。
これらの実施例に対し、放電周波数500Hzでは上述
のように成膜時の異常放電や放電停止に上Q膜形者をな
Liなかうた。そこで、真空蒸着法に切換えて成膜し、
実施例と同様な構造のECD(20)を作成し、比較例
とした。この結果、DC電圧−2Vを印加すると、青色
〜コバルト色の変化は認められたが、発色性は弱く、応
答速度は約100 m5ec、繰返し回数は10’−1
0’回であった。この比較例のECC諸性性0を付し合
わせて第3図に示している6 真空蒸着膜は基板上で島構造をと9ながら結晶生成し、
結晶grain間にはvoidが存在するので、ここに
電解質イオンの拡散が生じ電気化学的に活性になるもの
である。これに対し、プラズマ重合膜は架橋反応に基づ
く高分子化によって強固・緻密な膜構造となるため一般
的には電気化学的に不活性であるが、上述のような分子
レベルでのファイン・ボア形成により電解質イオンの侵
入が可能なものとなった。
のように成膜時の異常放電や放電停止に上Q膜形者をな
Liなかうた。そこで、真空蒸着法に切換えて成膜し、
実施例と同様な構造のECD(20)を作成し、比較例
とした。この結果、DC電圧−2Vを印加すると、青色
〜コバルト色の変化は認められたが、発色性は弱く、応
答速度は約100 m5ec、繰返し回数は10’−1
0’回であった。この比較例のECC諸性性0を付し合
わせて第3図に示している6 真空蒸着膜は基板上で島構造をと9ながら結晶生成し、
結晶grain間にはvoidが存在するので、ここに
電解質イオンの拡散が生じ電気化学的に活性になるもの
である。これに対し、プラズマ重合膜は架橋反応に基づ
く高分子化によって強固・緻密な膜構造となるため一般
的には電気化学的に不活性であるが、上述のような分子
レベルでのファイン・ボア形成により電解質イオンの侵
入が可能なものとなった。
ECDに通電すると、ジュール熱が発生し、このエネル
ギーが化学反応(発色性ンを促進させるが、固相一液相
間の界面での化学反応が逆に激しくなるため、イオン種
が化学的に反応しくEC物質のしみ出しを含む)安定な
化合物となり界面に固定・沈着する(真空蒸発によるも
のでは発色性、応答速度が劣化)が、プラズマ重合では
膜質そのものが緻密・強固であるので化学的な安定性を
維持できる。したがって、発色性が改善され、繰返しか
命も延びることになる。
ギーが化学反応(発色性ンを促進させるが、固相一液相
間の界面での化学反応が逆に激しくなるため、イオン種
が化学的に反応しくEC物質のしみ出しを含む)安定な
化合物となり界面に固定・沈着する(真空蒸発によるも
のでは発色性、応答速度が劣化)が、プラズマ重合では
膜質そのものが緻密・強固であるので化学的な安定性を
維持できる。したがって、発色性が改善され、繰返しか
命も延びることになる。
上記実施例は、第1図の装置系を使用して作成したもの
であるが、この際、基板(5)を上部電極(3)に設置
したが、下部型ff1(4)に設置して成膜するように
してもよい。同様の好結果を得ている。
であるが、この際、基板(5)を上部電極(3)に設置
したが、下部型ff1(4)に設置して成膜するように
してもよい。同様の好結果を得ている。
l匪盆処來
以上の説明から明らかなように1、本発明はECDの発
色層をキャリアfスを供給しながら1KHz〜3MHz
の低周波によるプラズマ重合で形成したものであるから
、微細網目構造となって電解質イオンの注入が容易化す
るとともに接触面積が増え発色反応が速(なると共に、
重合によるものであるから膜自体が強固であり発消色の
繰返しによる着色が減少し、繰返し寿命も延びるなどの
優れた効果がある。
色層をキャリアfスを供給しながら1KHz〜3MHz
の低周波によるプラズマ重合で形成したものであるから
、微細網目構造となって電解質イオンの注入が容易化す
るとともに接触面積が増え発色反応が速(なると共に、
重合によるものであるから膜自体が強固であり発消色の
繰返しによる着色が減少し、繰返し寿命も延びるなどの
優れた効果がある。
第1図はプラズマ重合装置の概略断面図、第2図は実施
例に係るECIM)補遺断面図、第3図は実施例、比較
例の特性を合わせで示した表形式の図である。 3.4・・・平行平板電極、5・・・基板、6・・・フ
タロシアニン系化合物のEC材料、12・・・周波数可
変低周波電源、20・・・ECD、23・・・発色層。
例に係るECIM)補遺断面図、第3図は実施例、比較
例の特性を合わせで示した表形式の図である。 3.4・・・平行平板電極、5・・・基板、6・・・フ
タロシアニン系化合物のEC材料、12・・・周波数可
変低周波電源、20・・・ECD、23・・・発色層。
Claims (2)
- (1)発色層がイオン注入型の有機物でなるエレクトロ
クロミック表示素子において、 前記有機物がフタロシアニン系化合物であって、前記発
色層を、キャリアガスを供給しながら1KHzないし3
MHzの低周波によるプラズマ重合で形成したことを特
徴とするエレクトロクロミック表示素子。 - (2)前記キャリアガスは、酸素ガス、窒素ガス、水素
ガス、不活性ガス、ハロゲン化炭素ガス、ハロゲン化合
物ガスからなる群より選ばれる、特許請求の範囲第(1
)項記載のエレクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61135559A JPS62291625A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | エレクトロクロミツク表示素子 |
DE19873717985 DE3717985A1 (de) | 1986-05-28 | 1987-05-27 | Elektrochrome vorrichtung |
US07/054,873 US4828369A (en) | 1986-05-28 | 1987-05-27 | Electrochromic device |
US07/264,344 US4867541A (en) | 1986-05-28 | 1988-10-31 | Electrochromic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61135559A JPS62291625A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62291625A true JPS62291625A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15154639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61135559A Pending JPS62291625A (ja) | 1986-05-28 | 1986-06-11 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62291625A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855651A (en) * | 1994-11-29 | 1999-01-05 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61135559A patent/JPS62291625A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855651A (en) * | 1994-11-29 | 1999-01-05 | Asahi Denka Kogyo K.K. | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment |
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