JPS62291625A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents

エレクトロクロミツク表示素子

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JPS62291625A
JPS62291625A JP61135559A JP13555986A JPS62291625A JP S62291625 A JPS62291625 A JP S62291625A JP 61135559 A JP61135559 A JP 61135559A JP 13555986 A JP13555986 A JP 13555986A JP S62291625 A JPS62291625 A JP S62291625A
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JP
Japan
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phthalocyanine
gas
forming layer
display element
color
Prior art date
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Pending
Application number
JP61135559A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Yasutomi
英雄 保富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 lλ五Δ机星座! 本発明はエレクトロクロミック表示素子、詳し材料とい
う)がイオン注入型の有機物であるエレクトロクロミッ
ク表示素子(ECDという)に関するものである。
従迷!U彰1 EC性を示す無機化合物として遷移金属がよく知られて
おり、従来より特にWO□系ECDの研究開発が優んで
ある。しかし、遷移金属酸化物のEC材料は概ね単一の
発色しか示さず、また色調は必ずしも鮮明でない、さら
にフルカラー化が困難である等の問題がある。そこで、
最近、カラー設計が容易である有機物EC材料が注目さ
れている。
有機物EC材料を発色メカニズムで分類すると、可逆的
電析型とイオン注入型に分かれる。そして、前者に属す
るEC材料にはビオロゲン系、アントラキノン系色素な
どがあり、後者では、テトラチアフルバレン系(TTF
)や希土類シフタロンアニン系が知られている。希土類
シフタロジアニン系の例えばルテチウム・シフタロジア
ニン蒸着膜では、±1.5■の範囲で印加電圧に応じて
赤〜橙〜緑〜青〜紫と変化することが知られている。こ
のように1種類のEC材料で多色化を達成できることか
ら、その実用化(=商品化)が大いに期待されている。
明が解決しようとする間 α しかしながら、実用化に向けては解決すべき問題点が多
く、特に■繰返しの寿命が短い、■応答速度が遅い、■
コントラストが低いといった問題点が指摘されている。
■繰返し寿命の点に関しては、EC層、電極および電解
質層のそれぞれについて劣化が起こり、寿命は実用レベ
ルで107回程度である。10@回が達成されると用途
が拡大するので、現在この10”回が課題とされている
。EC層の劣化については、電解質層中(液体、固体を
問わない)のアルカリ金属イオンがEC層に繰り返し出
入りするうち、EC/I中に捕獲・蓄積されこの劣化を
引き起こすことが明らかになっている。これにより10
7回が限界で、未だ解決策が見出だされていない。
■応答速度が遅い点については、従来のW○。
系は0.1秒程度が限界であるのに対し、有fiEC材
料では数十m5ecまで可能であることが知られている
。しかし実用上は、10m5ecが課題とされている。
■コントラストが低いことに関しては、印加電圧を上げ
ることにより発色濃度を高くすることができるが、繰返
し寿命の短縮化を招き表示電極の劣化などを引き起こす
ので余り電圧を上げることは適当でない。EC膜のpo
rosity(多孔度)を上げることも有効であるが、
機械的強度が低下し寿命が短くなる(EC電極と電解質
液間の通電化学反応による)。
上記の問題点をふまえて本発明は、繰返し寿命。
応答速度、コントラストを改善すること、より具体的に
は、繰返し寿命で10@回を達成するとともに応答速度
においても10m5ec以下をできるようにすることを
目的とする。
・を 成するための手F 上記目的を達成するため、本発明は、発色層がイオン注
入型の有機物でなるエレクトロクロミック表示素子にお
いて、前記有機物が7タロシ7二ン系化合物であって、
前記発色層を、キャリアガスを供給しながら1KHzな
いし3MHzの低周波によるプラズマ重合で形成したこ
とを基本的な特徴とするものである。
本発明において使用するフタロシアニン系化合物のエレ
クトロクロミック材料としては、それ自体公知の770
シアニンおよびその誘導体いずれでも使用でき、具体的
には、中心金属が銅、銀、ベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ガリウム、亜鉛、カドミウム、バリウム、
水根、アルミニウム、インノウム、ランタン、ネオジム
、サマ177ム、ユーロピウム、〃トリニウム、ノスプ
ロシウム、ホルミウム、ナトリウム、リチウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、チタン、錫、ハフニウム、鉛、
トリウム、パナノウム、7ンチモン、クロム、モリブデ
ン、ウラン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、ロノ
ウム、パラジウム、オスミウム、および白金等である。
また7りロシアニンの中心核として金属原子ではなく、
3価以上の原子価を有するハンデン化金属であってもよ
い。さらに、lN−4−7ミノフタロシアニン、鉄ポリ
ハロフタロシアニン、コバルトへキサフェニル7りロシ
7ニンやテトラ7ゾ7タロシ7ニン、テトラメチル7り
ロシアニン、ジフルキルアミシフタロシ7ニン等の無金
属フタロシアニンの誘導体などが使用できる。これらは
単独または混合して使用できる。
フタロシアニン分子中のベンゼン核の水素原子がニトロ
基、シアノ基、ハロゲン原子、スルホン基およびカルボ
キシル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の電子
吸引性基で置換されたフタロシアニン誘導体と、フタロ
シアニンおよび前記フタロシアニン化合物から選ばれる
非置換7タロシ7ニン化合物の少なくとも一種とを、そ
れらと塩を形成しうる無機酸と混合し、水または塩基性
物質によって析出させることによって得られるフタロシ
アニン系材料組生物を使用することもできる。この場合
、電子吸引性基置換フタロシアニン誘導体は、−分子中
の置換基の数が1〜16個の任意のものを使用でき、ま
たその電子吸引性置換基フタロシアニン誘導体と他の非
置換7タロシ7二ン化合物との組成割合は、前者の置換
基の数がその組成物中の単位フタロシアニン1分子当た
り0.001〜2個、好ましくは、0.002〜1個に
なるようにするのがよい。前記フタロシアニン系工レク
トロクロミツク材料組成物を製造する際使用されるフタ
ロシアニン化合物と塩を形成しうる無機酸としては、硫
酸、オルトリン酸、クロロスルホン酸、塩酸、ヨウ化水
素酸、7フ化水素酸、臭化水素酸等が挙げられる。
前記エレクトロクロミック材料のうち、本発明の目的達
成のために特に好適なものとしては、無金属フタロシア
ニン、#I7りロシアニン及びその・誘導体、例えば、
核電子吸引性基置換誘導体、及び希土類シフタロジアニ
ン等があげられる。
前記キャリアガスは、酸素ガス、窒素がス、水素ガス、
塩素ガス、アルゴンなどの不活性ガス、ノへロデン化炭
素ガス、ハロゲン化合物ガスからなる群より選ばれる。
ハロゲン化炭素ガスでは、CC1,。
CF、、C2F、、C,F、、C,F、などのガスが使
用できる。また、ハロゲン化合物ガスには、ハロゲン化
イオウたとえばS F iガス、ハロゲン化窒素たとえ
ばNFstfスが使用でき、さらに一般式〇 t F 
mXn(Xはフッ素F以外のハロゲン元素)の構成をも
つもの例えばCF3Cf、CF2(j!2.C2F5C
/。
CF JryCF 4 + C121CF 4 + 1
2などのガスが使用できる(なお、十は混合を意味する
)。これらの他に、CHF 3− CCI F 3 l
CB r F iやBCl、。
5iCJ4などのガスを使用してもよい。
前記プラズマ重合に使用する装置は、容量結合型の装置
とくに平行平板電極を備える装置が好ましい。また、条
件によっては、誘導結合型の装置を使用することができ
る。
プラズマ重合の条件は、グロー放電を生起せしめる真空
度にだと、えばガス圧で0.001〜0.5Torrで
、交番電界の周波数は、特に低周波域1KHz〜3MH
zの一つの周波数が選択される。好ましくは、5KHz
〜500KHzの周波数とする。下限値は、プラズマ重
合中の放電むらに起因する成膜性及び発色の均一性の点
で、上限値はイオンの交番電界に対する追従性すなわち
イオンのボンバード効果による微細網目構造形成の良否
、換言すれば形成膜としての発色層の応答速度1発色性
の良否の点で制約を受ける。また発色層を形成する基板
の温度は室温のままでよい。加熱して所定温度または温
度範囲に制御してもよいが、プラズマ自体のエネルギー
で基板温度が上昇する。プラズマ生成のための投入電力
に応じて基板温度は概ね一定の温度域に維持される。も
し、基板温度が高くなりすぎるなら冷却するのが良い。
K痰鮭 以下、添付図面に基づいて一実施例を説明する。
第1図は平行平板型プラズマ重合装置の概略断面を示し
、(1)は金属製のベースプレート(2)上に気密に設
置されたペルジャーである。このベルツヤ−(1)内に
、上部重水(3)と下部電極(4)からなる平行平板電
極が設けられている。上部電極(3)には、透明電極た
とえばITOを形成したガている。基板(5)上に薄膜
状に形成すべきフタロシアニン系EC材料(6)は、温
調器(7)の加熱により昇華させ、モノマー状態にして
気化させバルブ(v2)を経由してベルツヤ−(1)内
に導入される。
キャリアガスたとえばAr7yス(8)は上記EC材料
ガスの導入と合わせてバルブ(vl)を経由してベルツ
ヤ−(1)内に導入される。
ベルツヤ−(1)内はバルブ(V、)を開成して真空ポ
ンプ(9)により減圧される。この減圧により排出され
るEC材料は冷却器(コールド・トラップ)(10)で
析出させる。真空度は、図示しない真空計で計測され、
グロー放電をなすガス圧、たとえば0.050.ITo
rrに保持される。平行平板電極(3)。
(4)に形成されるべき交番電界は、マツチングボック
ス(11)を介して低周波電源(12)により印加され
る。なお、この低周波電源(12)は、周波数可変のも
のを使用している。実施例は、放電周波数IK。
50に、IM、3M、5MHzの各場合を試み、比較例
として13.56MHz、また500 Hzの場合を試
みた。
典譬的な実施例の条件とLfl十−電力(OW。
放電周波数50KHz、キャリアガスはArffスで流
量〜20 secm、基板(5)は室温で非加熱、ガス
圧を0.05〜0. I T orrとした。フタロシ
アニン系EC材料(6)は、C1がパラ位置に4つある
a型りロル銅フタロシアニンである。なお、基板(5)
のITO膜は接地電位に落としている。
αクロム銅フタロシアニン(6)を加熱し昇華させモノ
マー状態でペルジャー(1)内へ導入するとともに、A
+J’スを導入する。平行平板電極(3)。
(4)に50KHzの低周波電源を印加する。平行平行
電極(3)、(4)間には、電界により加速されたガス
中の自由電子によりガス分子が電離され、導電性のプラ
ズマガスが生成する。プラズマガス中には電子やイオン
、ラジカルや種々の励起種が存在する。しかし、この系
は低温プラズマ状態であるから、化学種は比較的に熱破
壊を受けないでラジカル種や励起種から加酸的な化学反
応が進む6そして、放電周波数が50KHzと低周波に
選んであるから、プラズマ中で生じた様々なスピーシー
ズの内、Arのイオンを含む各種のイオン種が上部電極
(3)と下部電極(4)開を交番的に移動する。基板(
4)上にプラズマ重合しつつある薄膜をこの移動するイ
オン種がアタックする。重合膜はイオン・ボンバードの
存在下に成膜される。これが、膜質の構造に大きな影響
を及ぼす。即ち、3次元的に架橋する強固な重合性を保
ちながら、イオン・ボンバードによりミクロな部分での
高温・高圧化によって膜自体が微細な網目構造となる。
これに対し、放電周波数が1KHz未満(50Hz〜l
K11z)のより低い低周波である場合、同様にグロー
放電させてr&膜してゆくと、プラズマ中で生成したイ
オン種の電荷が膜上ないし電極近傍にチャーノアツブし
てDC電界的なイオンシース(シー入電界)が形成され
、これが原因となって異常放電を生じたり持続的な放電
を停止させたりする。
即ち、はとんど膜として形成されない。500Hzの場
合において確認されている。
他方、放電周波数が3MHz以上であると、プラズマ中
のイオン種は交番電界の変化にほとんど追従できず、イ
オン・ボンバード効果がない。このプラズマ重合膜はき
わめて1m密な構造となる。
12図には、各放電周波数で作成したEC層をもったE
CDの共通な断面構造を示している。(21)はガラス
基板、(22)はITO電極、(23)は上記プラズマ
重合による発色層、(24)は電解液層、(26)は対
向ITO電極、(25)はプラス基板である。
電解液層(24)を構成する電解液としては、例えば、
KCl、NaC10,、KCl0<、LiCl0.、に
2S04yNa2SO4yLi2SO4などの水溶液が
使用できる。この実施例では、L i C104の1モ
ル水溶液を用いた。
発色層(23)の膜厚は、0.1〜10μmで、望まし
くは1〜7μ鶴とする。1μm未満の薄い場合は発色時
のコントラストが十分にとれない、7μmより厚い場合
には色変化がかなり鈍(なる。上記の好ましい範囲であ
ると、充分なコントラストが得られるとともにバイアス
印加時の色変化も鮮明となる。なお、ITO電極(22
)、(26)の膜厚は0.03〜0.5μm、望ましく
は0.05〜0.1μmとする。電極度である。
上記のようにして構成した好ましい実施例(放電周波数
50KIlz)のE CD (20)は、その発色N(
23)が緑色を呈し、DC電圧−2■を印加すると青色
〜コバルト色に変化し、良好なEC性を示した。
応答速度は約3 m5ec、繰返し回数は107〜10
8回、使用温度範囲は一30〜+80°Cで、EC特性
の全項目にわたり良好である。特に応答速度。
発色性が良化するのは、前述のように発色ff1(23
)が微細な網目構造をとり、電解液層(24)との界面
だけでなく発色If!J(23)のバルク中でも電解液
イオン(Li”)がすりぬけるファイン・ボア(微細孔
)の多い構成となって接触面積が着しく増えたためであ
る。
上記の好ましい実施例を含みその他の実施例の開時性を
試料名(Al〜A5.A6)を付して第3図に示す。
これらの実施例に対し、放電周波数500Hzでは上述
のように成膜時の異常放電や放電停止に上Q膜形者をな
Liなかうた。そこで、真空蒸着法に切換えて成膜し、
実施例と同様な構造のECD(20)を作成し、比較例
とした。この結果、DC電圧−2Vを印加すると、青色
〜コバルト色の変化は認められたが、発色性は弱く、応
答速度は約100 m5ec、繰返し回数は10’−1
0’回であった。この比較例のECC諸性性0を付し合
わせて第3図に示している6 真空蒸着膜は基板上で島構造をと9ながら結晶生成し、
結晶grain間にはvoidが存在するので、ここに
電解質イオンの拡散が生じ電気化学的に活性になるもの
である。これに対し、プラズマ重合膜は架橋反応に基づ
く高分子化によって強固・緻密な膜構造となるため一般
的には電気化学的に不活性であるが、上述のような分子
レベルでのファイン・ボア形成により電解質イオンの侵
入が可能なものとなった。
ECDに通電すると、ジュール熱が発生し、このエネル
ギーが化学反応(発色性ンを促進させるが、固相一液相
間の界面での化学反応が逆に激しくなるため、イオン種
が化学的に反応しくEC物質のしみ出しを含む)安定な
化合物となり界面に固定・沈着する(真空蒸発によるも
のでは発色性、応答速度が劣化)が、プラズマ重合では
膜質そのものが緻密・強固であるので化学的な安定性を
維持できる。したがって、発色性が改善され、繰返しか
命も延びることになる。
上記実施例は、第1図の装置系を使用して作成したもの
であるが、この際、基板(5)を上部電極(3)に設置
したが、下部型ff1(4)に設置して成膜するように
してもよい。同様の好結果を得ている。
l匪盆処來 以上の説明から明らかなように1、本発明はECDの発
色層をキャリアfスを供給しながら1KHz〜3MHz
の低周波によるプラズマ重合で形成したものであるから
、微細網目構造となって電解質イオンの注入が容易化す
るとともに接触面積が増え発色反応が速(なると共に、
重合によるものであるから膜自体が強固であり発消色の
繰返しによる着色が減少し、繰返し寿命も延びるなどの
優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はプラズマ重合装置の概略断面図、第2図は実施
例に係るECIM)補遺断面図、第3図は実施例、比較
例の特性を合わせで示した表形式の図である。 3.4・・・平行平板電極、5・・・基板、6・・・フ
タロシアニン系化合物のEC材料、12・・・周波数可
変低周波電源、20・・・ECD、23・・・発色層。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発色層がイオン注入型の有機物でなるエレクトロ
    クロミック表示素子において、 前記有機物がフタロシアニン系化合物であって、前記発
    色層を、キャリアガスを供給しながら1KHzないし3
    MHzの低周波によるプラズマ重合で形成したことを特
    徴とするエレクトロクロミック表示素子。
  2. (2)前記キャリアガスは、酸素ガス、窒素ガス、水素
    ガス、不活性ガス、ハロゲン化炭素ガス、ハロゲン化合
    物ガスからなる群より選ばれる、特許請求の範囲第(1
    )項記載のエレクトロクロミック表示素子。
JP61135559A 1986-05-28 1986-06-11 エレクトロクロミツク表示素子 Pending JPS62291625A (ja)

Priority Applications (4)

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JP61135559A JPS62291625A (ja) 1986-06-11 1986-06-11 エレクトロクロミツク表示素子
DE19873717985 DE3717985A1 (de) 1986-05-28 1987-05-27 Elektrochrome vorrichtung
US07/054,873 US4828369A (en) 1986-05-28 1987-05-27 Electrochromic device
US07/264,344 US4867541A (en) 1986-05-28 1988-10-31 Electrochromic device

Applications Claiming Priority (1)

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JP61135559A JPS62291625A (ja) 1986-06-11 1986-06-11 エレクトロクロミツク表示素子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855651A (en) * 1994-11-29 1999-01-05 Asahi Denka Kogyo K.K. Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855651A (en) * 1994-11-29 1999-01-05 Asahi Denka Kogyo K.K. Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment

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