JP6501469B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体や液晶パネルなどの製造工程では、ウェーハや液晶基板などの基板の処理対象面に処理液（例えばレジスト剥離液や洗浄液など）を供給し、処理対象面を処理する基板処理装置が用いられている。この基板処理装置の中には、基板を水平状態で回転させて基板の処理対象面の略中央に処理液を供給し、その処理液を遠心力によって処理対象面に広げるスピン処理装置が開発されている。

例えば、基板の処理対象面上のレジストを除去する場合には、レジスト剥離液としてＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液）を用いることがあり、１００℃以上にＳＰＭを温めて基板の処理対象面上のレジストを除去する。このとき、ＳＰＭを温める方法としては、基板の処理対象面の上方に位置する加熱部によって処理対象面を加熱し、その処理対象面にＳＰＭを供給する方法が提案されている。加熱部は基板の処理対象面全体を均一に加熱するため、その全体を覆うように形成されている。

このような基板処理装置では、通常、ＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタを通過した清浄な空気がダウンフローとして基板処理装置内をクリーンな雰囲気にしている。これにより、基板処理装置内、特に、基板の処理対象面上に塵や埃などの不純物が付着することが抑えられるため、基板を清潔な状態で処理することが可能になっている。

特開２００８−３４７７９号公報

しかしながら、前述の基板処理装置では、加熱部が基板処理中に基板の処理対象面の上方に位置するため、基板の処理対象面に向かう清浄な空気の流れが加熱部によって妨げられ、清浄な空気が基板の処理対象面に直接供給されなくなる。このため、基板の処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物を除去することが困難となり、基板を清潔な状態で処理することができなくなってしまう。

本発明が解決しようとする課題は、基板を清潔な状態で処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

実施形態に係る基板処理装置は、基板を収容し、収容した前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気が流れる処理室と、
前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給するノズルと、
前記空気の流れを妨げる位置から前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する加熱部と、前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる移動機構と、を備え、
前記移動機構は、前記ノズルにより前記処理液が前記処理室内の前記基板の処理対象面に供給されている状態で、前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる。

実施形態に係る基板処理方法は、基板を収容する処理室内の前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気を流す工程と、
前記空気が前記処理室内の前記基板の処理対象面に向かって流れている状態で、前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給する工程と、
前記処理液を供給する工程前又は途中から、前記空気の流れを妨げる位置に存在する加熱部により前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する工程と、
前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる工程と、を有し、
前記加熱部を移動させる工程では、前記処理液が前記処理室内の前記基板の処理対象面に供給されている状態で、前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる。

本発明の実施形態によれば、基板を清潔な状態で処理することができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る加熱部を示す平面図である。 第１の実施形態に係る基板処理の流れを示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１乃至図３を参照して説明する。

図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、処理室となる処理ボックス２と、その処理ボックス２内に設けられたカップ３と、そのカップ３内で塗布対象物となる基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４と、そのテーブル４を水平面内で回転させる回転機構５と、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に処理液を供給するノズル６と、そのノズル６を移動させるノズル移動機構７と、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面を加熱する加熱部８と、その加熱部８を移動させる加熱移動機構９と、各部を制御する制御部１０とを備えている。

処理ボックス２は、カップ３やテーブル４などを収容する処理室である。この処理ボックスの側面には、加熱部８を格納する格納室２ａが形成されている。この格納室２ａの内部は開口部２ｂを介して処理ボックス２の内部につながっている。また、処理ボックス２の上部には、外部の空気を清浄化して取り込む空気清浄部２ｃが設けられている。この空気清浄部２ｃは、例えばフィルタやファンなどにより構成されている。空気清浄部２ｃは制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。フィルタとしては、例えば、ＵＬＰＡフィルタやＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタなどを用いることが可能である。

処理ボックス２外の空気は、空気清浄部２ｃにより清浄化され、処理ボックス２内に流入してダウンフローとなり、処理ボックス２内は上から下に空気が流れる雰囲気になっている。これにより、処理ボックス２内の塵や埃などが舞うことが抑えられ、特に、基板Ｗの処理対象面上に塵や埃などの不純物が付着することが抑えられる。なお、空気清浄部２ｃのファンは気流を生じさせる気流発生部として機能するが、必須ではなく、例えば、処理ボックス２の上部に空気清浄部２ｃとしてフィルタのみを設け、工場設備などによるダウンフローによって外部の空気がフィルタを介して処理ボックス２内に流入するようにしても良い。

カップ３は、円筒形状に形成されており、テーブル４を周囲から囲んで内部に収容する。カップ３の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面が露出するように開口している。このカップ３は、回転する基板Ｗ上から流れ落ちた処理液や飛散した処理液を受け取る。なお、カップ３の底部には、受け取った処理液を排出するための排出管（図示せず）が接続されている。この排気管は、ダウンフローの気流を排気する役割も有しており、排気及び排液が可能となるように分岐している。

テーブル４は、カップ３内の中央付近に位置付けられ、水平状態で回転可能に設けられている。このテーブル４は、ピンなどの支持部材４ａを複数有しており、それらの支持部材４ａにより、ウェーハや液晶基板などの基板Ｗを着脱可能に支持する。この基板Ｗの処理対象面には、例えばマスク用などのレジスト膜（レジスト層）が形成されている。この場合には、処理液としてレジスト剥離液を用いる。このレジスト剥離液としては、例えばＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液）などを用いることが可能である。

回転機構５は、テーブル４の中心を回転軸としてテーブル４を回転させる機構であり、例えば、テーブル４に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータなどを有している。この回転機構５は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。

ノズル６は、ノズル移動機構７によりテーブル４の上方に支持されており、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に沿う一方向（図１中の左右方向）に移動可能になっている。このノズル６は、配管を介して処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整するバルブなど（いずれも図示せず）に接続されており、液貯留部から配管を介して供給された処理液をテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に吐出する。

ノズル移動機構７は、ノズル６を保持してテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に沿う一方向（図１中の左右方向）に移動させる機構である。このノズル移動機構７は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。ノズル移動機構７としては、例えば、サーボモータを駆動源とする送りねじ式の移動機構やリニアモータを駆動源とするリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。

加熱部８は、複数のランプ８ａ及びそれらのランプ８ａを収容する筐体となるボックス８ｂを有し、各ランプ８ａの点灯によりテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に光を照射する。この加熱部８は加熱移動機構９によりテーブル４の上方に支持されており、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に沿う一方向（図１中の左右方向）に移動可能になっている。加熱部８は、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に近接して対向する加熱位置（図１中の実線の位置）と格納室２ａ内の格納位置（図１中の二点鎖線の位置）とに移動する。この加熱部８は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。

図２に示すように、各ランプ８ａは、例えば直管タイプのランプであり、ノズル６の移動方向に平行にされてその移動方向に直交する方向に並べられ、ボックス８ｂ内に設けられている。ボックス８ｂは各ランプ８ａから照射された光を透過する透過性を有しており、自身及びノズル６の互いの移動を妨げないように切欠き部８ｂ１を有している。この切欠き部８ｂ１は、加熱部８の移動方向及びノズル６の移動方向に沿って延びており、例えば平面視で矩形状に形成されている。

このような加熱部８は、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面を加熱することで、そのテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に供給された処理液を温めることが可能である。この処理液がレジスト剥離液のＳＰＭである場合には、基板Ｗの処理対象面を加熱する加熱温度は例えば１８０℃である。これは、レジストの溶解を促進させるために基板Ｗの処理対象面上のＳＰＭの液体温度を例えば１５０℃以上３２０℃以下の範囲内とするためである。

ここで、加熱部８としては、直管タイプのランプ８ａを複数本並列に設けたもの以外にも、例えば、電球タイプのランプを複数個アレイ状に設けたものなどを用いることが可能である。また、ランプ８ａとしては、例えば、ハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ（一例として、４００〜１０００ｎｍの波長光を有するフラッシュランプ）などを用いることが可能である。

さらに、加熱部８としては、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に対して電磁波を照射する各種の照射部を用いることが可能であり、光を照射するもの以外にも、例えば、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面に対して遠赤外線を照射する遠赤ヒータやマイクロ波を照射するマイクロ波ヒータなどを用いることが可能であり、それ以外にも各種ヒータを用いることができる。

なお、前述のノズル６はノズル移動機構７によりテーブル４上の基板Ｗの半径方向に延びる直線上を移動するが、これに限るものではなく、例えば、半径方向に沿って延びる円弧上を移動しても良い。この場合には、円弧上を移動するノズル６の移動軌跡に沿って切欠き部８ｂ１の形状を湾曲させるようにしても良く、このときには、切欠き部８ｂ１の湾曲形状に合わせてランプ８ａを配置する必要があるため、直管タイプのランプに比べ、配置の自由度が高い電球タイプのランプを用いることが望ましい。

図１に戻り、加熱移動機構９は、加熱部８を保持してテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に沿う一方向（図１中の左右方向）に移動させる機構である。この加熱移動機構９は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。加熱移動機構９としては、例えば、サーボモータを駆動源とする送りねじ式の移動機構やリニアモータを駆動源とするリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。

制御部１０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部１０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて空気清浄部２ｃや回転機構５、ノズル移動機構７、加熱部８、加熱移動機構９などを制御し、空気清浄部２ｃによる空気の取り込み、また、回転中のテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に対するノズル６による処理液の供給や加熱部８による加熱、さらに、ノズル６や加熱部８の移動などの各種処理を行う。

次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理について図３を参照して説明する。この基板処理の説明では、一例として、基板Ｗは処理対象面上にレジスト膜を有する基板であり、処理液はレジスト剥離液である。また、基板処理の前準備として、テーブル４上には基板Ｗがセットされており、加熱部８は加熱位置に存在している。加えて、清浄な空気がダウンフローとしてテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に向かって流れている。

図３に示すように、加熱部８の各ランプ８ａが点灯されてテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に対する加熱が開始され（ステップＳ１）、所定の温度上昇時間が経過すると（ステップＳ２のＹＥＳ）、ノズル６からレジスト剥離液をテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に供給する基板処理が開始される（ステップＳ３）。

所定の温度上昇時間とは、基板Ｗの処理対象面の温度が所望の基板温度に上昇するまでの時間である。この温度上昇時間は例えば数秒から数十秒程度であり、実験的に予め求められて設定されている。

ステップＳ３の基板処理開始から所定の温度維持時間が経過すると（ステップＳ４のＹＥＳ）、加熱部８の各ランプ８ａが消灯されてテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に対する加熱が停止され（ステップＳ５）、次いで、加熱部８が加熱移動機構９により加熱位置から格納位置に移動する（ステップＳ６）。その後、基板処理開始から所定の基板処理時間が経過すると（ステップＳ７のＹＥＳ）、ノズル６からのレジスト剥離液供給、すなわち基板処理が停止される（ステップＳ８）。

所定の温度維持時間とは、レジスト剥離液の供給開始時、供給されたレジスト剥離液（常温）によって基板Ｗの処理対象面が急激に冷やされるため、その処理対象面の温度を加熱により所望の基板温度に維持するための時間である。この温度維持時間は例えば数秒から数十秒程度であり、実験的に予め求められて設定されている。

ここで、レジスト剥離液がＳＰＭである場合には、前述の所望の基板温度は例えば１８０℃である。これは、基板Ｗの処理対象面上のＳＰＭの液体温度を例えば１５０℃以上３２０℃以下の範囲内とするためであり、加熱部８が格納位置に移動しても、基板処理の間、ＳＰＭの温度を１５０℃以上に維持することが可能である温度に設定されている。なお、ＳＰＭを基板Ｗの処理対象面に供給する前に予め温めていると、酸化力が低下してしまうため、できるだけ処理の直前、すなわち、前述のように基板Ｗの処理対象面上で所望の液体温度に温めることが望ましい。

また、前述の基板処理の流れでは、ステップＳ２やステップＳ４のように経過時間に基づいて次の処理を開始しているが、これに限るものではなく、例えば、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面の温度を温度測定部により測定し、測定した温度が所望の基板温度以上であるか否かの結果に基づいて次の処理を開始するようにしても良い。また、ステップＳ５において、加熱部８の移動開始前に各ランプ８ａを消灯しているが、これに限るものではなく、例えば、加熱部８の移動途中や移動後に消灯するようにしても良い。

このような基板処理の流れでは、テーブル４上の基板Ｗの処理対象面が所望の基板温度となると、レジスト剥離液がノズル６から吐出され、回転するテーブル４上の基板Ｗの処理対象面の略中央に供給される。このレジスト剥離液が基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの処理対象面全体に広がり、レジスト剥離液の液膜が基板Ｗの処理対象面上に生成される。この過程でレジスト剥離液は、加熱部８によって加熱された基板Ｗの処理対処面により温められ、所望の液体温度となり、基板Ｗの処理対象面上のレジストが除去される。このとき、基板Ｗの処理対象面上のレジストはレジスト剥離液（例えばＳＰＭ）の酸化力によって二酸化炭素と水に分解される。つまり、基板Ｗとレジスト膜との境界面にレジスト剥離液が入り込み、レジスト剥離液の酸化力によって基板Ｗとの境界面側のレジストが分解され、基板Ｗからレジスト膜が剥離される。基板Ｗの処理対象面上のレジスト剥離液は、回転する基板Ｗの処理対象面の周縁から流れ落ち、あるいは、飛散してカップ３に受け取られる。

なお、レジスト剥離液の供給中、ノズル６はノズル移動機構７によりテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に沿って半径方向に徐々に移動するが、この基板処理中のノズル６の移動は必須ではなく、ノズル６は移動せずに基板Ｗの処理対象面の略中央に対向したままでも良い。

次いで、前述の基板処理の流れにおける加熱部８の動作について詳述する。

加熱部８は、基板処理前（レジスト剥離液の供給前）からテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に光を照射し、基板Ｗの処理対象面を加熱している。この加熱状態の基板Ｗの処理対象面上にレジスト剥離液が供給されると、その処理対象面上でレジスト剥離液が温められ、その温度は所望の液体温度となる。このとき、レジスト剥離液が光を吸収する場合には、レジスト剥離液自体も光によって加熱されることになる。なお、加熱部８による加熱は基板処理前からではなく、基板処理の途中から実行されても良い。

さらに、加熱部８は、前述のレジスト剥離液の供給開始から所定の温度維持時間だけ基板Ｗの処理対象面を加熱する。レジスト剥離液の供給開始時には、供給されたレジスト剥離液（常温）によって基板Ｗの処理対象面の温度が急激に下がるが、その処理対象面は加熱部８により所定の温度維持時間だけ加熱されるため、基板Ｗの処理対象面の温度が急激に低下することが抑えられ、基板Ｗの処理対象面の温度は所望の基板温度に維持される。

なお、レジスト剥離液がテーブル４上の基板Ｗの処理対象面全体に広がり、そのレジスト剥離液の液膜の温度が所望の液体温度になるが、その液膜の温度が一度所望の液体温度になれば、その後のレジスト剥離液（常温）の供給によって基板Ｗの処理対象面の温度が急激に下がることは無くなる。これは、所望の液体温度となった液膜により基板Ｗの処理対象面が覆われており、また、供給されたレジスト剥離液は、所望の液体温度となった液膜のレジスト剥離液と混ざって温まるためである。

前述のような加熱動作後、加熱部８は加熱移動機構９により処理ボックス２内の加熱位置から格納室２ａ内の格納位置に移動する。これにより、加熱部８は、基板処理中（レジスト剥離液の供給中）に、ダウンフローとなる空気の流れを妨げる位置から空気の流れを妨げない位置に移動するため、清浄な空気が基板処理中にテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に十分に供給されることになる。したがって、基板Ｗの処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物が除去されるため、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。

ただし、基板処理中に基板Ｗの処理対象面に清浄な空気を供給するためには、前述の基板処理中ではなく、基板処理開始前に加熱部８を格納位置に移動させることが望ましい。ところが、基板Ｗの処理対象面の温度は前述のように基板処理開始時にレジスト剥離液（常温）の供給によって急激に下がるため、レジスト剥離液の供給に先立って基板Ｗの処理対象面を非常に高い温度まで加熱しておく必要が生じる。これは基板Ｗやその周囲の部品などにダメージを与えることになってしまう。そこで、基板Ｗやその周囲の部品などにダメージを与えるほど基板Ｗの温度を高温とするのではなく、前述のように、基板処理開始前の加熱に加え、基板処理開始時の基板Ｗの急激な温度低下を抑えるために基板処理開始から所定の温度維持時間、基板Ｗの処理対象面を加熱することが望ましい。この場合には、基板処理開始前ではなく、基板処理中に加熱部８を格納位置に移動させることになる。

なお、レジスト剥離液の供給停止後も基板Ｗの処理対象面上にレジスト剥離液を留まらせて基板処理を進行させる場合など、必要に応じてレジスト剥離液の供給停止と同時又は供給停止後に加熱部８を格納位置に移動させることが可能である。さらに、次工程で洗浄液による洗浄処理を続けて行う場合（一連の処理を行う場合）など、加熱部８が不要となるタイミングで、加熱部８を格納位置に移動させることも可能である。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、ノズル６により処理液が処理ボックス２内の基板Ｗの処理対象面に供給されている状態で、空気の流れを妨げる位置から空気の流れを妨げない位置に加熱部８を移動させることによって、基板Ｗを処理する基板処理中（処理液の供給中）に清浄な空気が基板Ｗの処理対象面に十分に供給されることになる。これにより、基板Ｗの処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物が除去されるため、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態について図４を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（処理ボックス２及び加熱移動機構９）について説明し、その他の説明は省略する。

図４に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１において、加熱移動機構９は、加熱部８の端部を回転軸として加熱部８を回転させて移動させる移動機構である。この加熱移動機構９によって加熱部８はテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に近接して対向する加熱位置（図４中の実線の位置）と、その加熱位置に直交する退避位置（図４中の二点鎖線の位置）とに移動する。

処理ボックス２は、第１の実施形態に係る格納室２ａを有しておらず、加熱部８が加熱移動機構９により回動することが可能となる大きさに形成されている。なお、加熱部８は自身の移動によりノズル６やノズル移動機構７に接触しないように形成されている。例えば、加熱部８が加熱移動機構９によって加熱位置から退避位置に移動する場合には、ノズル移動機構７は加熱部８の切欠き部８ｂ１を通過する。ただし、ノズル移動機構７が加熱部８の移動を邪魔する場合には、そのノズル移動機構７自体を加熱部８の移動を邪魔しない位置まで移動させるようにしても良い。

このような基板処理装置１によれば、加熱部８は基板処理中（処理液の供給中）に加熱移動機構９により加熱位置から退避位置に移動する。これにより、加熱部８は、ダウンフローとなる空気の流れを妨げる位置から空気の流れを妨げない位置に移動するため、清浄な空気が基板処理中にテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に十分に供給されることになる。したがって、基板Ｗの処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物が除去されるため、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることが可能となり、すなわち、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。さらに、第１の実施形態に比べ、格納室２ａを無くすことが可能となるので、基板処理装置１の横方向の大きさを小さくすることができる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態について図５を参照して説明する。なお、第３の実施形態では、第２の実施形態との相違点（加熱部８及び加熱移動機構９）について説明し、その他の説明は省略する。

図５に示すように、第３の実施形態に係る基板処理装置１において、加熱部８は、その略中央から二つに分割可能に形成されており、第１の加熱部８Ａ及び第２の加熱部８Ｂとして分割される。また、加熱移動機構９は、第１の加熱部８Ａを移動させる第１の加熱移動機構９Ａ及び第２の加熱部８Ｂを移動させる第２の加熱移動機構９Ｂにより構成されている。

第１の加熱移動機構９Ａ及び第２の加熱移動機構９Ｂは、互いに反対方向に第１の加熱部８Ａ及び第２の加熱部８Ｂを回転させて移動させる。これらの第１の加熱移動機構９Ａ及び第２の加熱移動機構９Ｂによって第１の加熱部８Ａ及び第２の加熱部８Ｂはテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に近接して対向する加熱位置（図５中の実線の位置）と、その加熱位置に直交する退避位置（図５中の二点鎖線の位置）とに移動する。

このような基板処理装置１によれば、第１の加熱部８Ａ及び第２の加熱部８Ｂは基板処理中（処理液の供給中）に第１の加熱移動機構９Ａ及び第２の加熱移動機構９Ｂにより加熱位置から退避位置に移動する。これにより、加熱部８は、ダウンフローとなる空気の流れを妨げる位置から空気の流れを妨げない位置に移動するため、清浄な空気が基板処理中にテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に十分に供給されることになる。したがって、基板Ｗの処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物が除去されるため、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。

以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様の効果を得ることが可能となり、すなわち、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。さらに、第２の実施形態に比べ、加熱部８を第１の加熱部８Ａ及び第２の加熱部８Ｂとして分割することが可能となるので、基板処理装置１の縦方向（高さ方向）の大きさを小さくすることができる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第４の実施形態では、第１の実施形態との相違点（処理ボックス２）について説明し、その他の説明は省略する。

図６に示すように、第４の実施形態に係る基板処理装置１においては、第１の実施形態に係る処理ボックス２が二つ並べて設けられている。各処理ボックス２は、第１の実施形態に係る格納室２ａを有しておらず、互いに対向する位置に開口部２ｂを有している。それらの開口部２ｂを通過するように加熱移動機構９が設けられている。

加熱移動機構９は、一方の処理ボックス（第１の処理室）２内のテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に近接して対向する加熱位置（図６中の実線の位置）と、他方の処理ボックス（第２の処理室）２内のテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に近接して対向する加熱位置（図６中の二点鎖線の位置）とに加熱部８を移動させる。

このような基板処理装置１によれば、基板処理中の処理ボックス２において、加熱部８は加熱移動機構９により基板処理中の処理ボックス２の加熱位置から未処理中の処理ボックス２の加熱位置に移動する。これにより、基板処理中の処理ボックス２において、加熱部８は、ダウンフローとなる空気の流れを妨げる位置から空気の流れを妨げない位置に移動するため、清浄な空気が基板処理中にテーブル４上の基板Ｗの処理対象面に十分に供給されることになる。したがって、基板Ｗの処理対象面やその周囲から塵や埃などの不純物が除去されるため、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。

その後、未処理中の処理ボックス２において、基板処理が開始されると、加熱部８は加熱移動機構９により基板処理中の処理ボックス２の加熱位置から未処理中の処理ボックス２の加熱位置に移動する。これにより、前述と同様にして基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。さらに、二つの処理ボックス２で一つの加熱部８を共通で用いることが可能となるので、処理ボックス２ごとに加熱部８を設ける場合に比べ、装置の簡略化及び低価格化を実現することができる。

以上説明したように、第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることが可能となり、すなわち、基板Ｗを清潔な状態で処理することができる。さらに、複数台の処理ボックス２において加熱部８を共通で用いることが可能となるので、装置の簡略化及び低価格化を実現することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ 基板処理装置
２ 処理ボックス
２ｃ 空気清浄部
６ ノズル
８ 加熱部
８Ａ 加熱部
８Ｂ 加熱部
９ 加熱移動機構
９Ａ 加熱移動機構
９Ｂ 加熱移動機構
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板を収容し、収容した前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気が流れる処理室と、
   前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給するノズルと、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する加熱部と、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる移動機構と、を備え、
   前記移動機構は、前記ノズルにより前記処理液が前記処理室内の前記基板の処理対象面に供給されている状態で、前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記加熱部は、前記処理室内の前記基板の処理対象面に前記処理液を供給している状態の前記ノズルを避けて移動するための切欠き部を有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記加熱部は、前記加熱部の端部を回転中心として回転可能に形成されており、
   前記移動機構は、前記加熱部を回転させて前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 基板を収容し、収容した前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気が流れる処理室と、
   前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給するノズルと、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する加熱部と、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる移動機構と、を備え、
   前記加熱部は、複数に分割可能に形成されており、
   前記移動機構は、前記加熱部を複数に分割して前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に移動させることを特徴とする基板処理装置。
5. 基板を収容し、収容した前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気が流れる処理室と、
   前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給するノズルと、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する加熱部と、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる移動機構と、を備え、
   前記処理室は、複数設けられており、
   前記ノズルは、前記処理室ごとに設けられており、
   前記移動機構は、前記複数の処理室のうち第１の処理室の前記空気の流れを妨げる位置から、前記第１の処理室の前記空気の流れを妨げない位置として前記第１の処理室以外の第２の処理室の前記空気の流れを妨げる位置に前記加熱部を移動させることを特徴とする基板処理装置。
6. 基板を収容する処理室内の前記基板の処理対象面に向けて清浄な空気を流す工程と、
   前記空気が前記処理室内の前記基板の処理対象面に向かって流れている状態で、前記処理室内の前記基板の処理対象面に処理液を供給する工程と、
   前記処理液を供給する工程前又は途中から、前記空気の流れを妨げる位置に存在する加熱部により前記処理室内の前記基板の処理対象面を加熱する工程と、
   前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させる工程と、を有し、
   前記加熱部を移動させる工程では、前記処理液が前記処理室内の前記基板の処理対象面に供給されている状態で、前記空気の流れを妨げる位置から前記空気の流れを妨げない位置に前記加熱部を移動させることを特徴とする基板処理方法。

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