TW201603136A - 加熱器洗淨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之加熱器洗淨方法係洗淨與藉由基板保持手段所保持基板之上表面對向地配置而用以對該上表面進行加熱之加熱器。加熱器具有紅外線燈與外殼。加熱器洗淨方法包含如下步驟：加熱器配置步驟，其係對向於由上述基板保持手段所保持基板之下表面，且於具有朝向上方吐出液體之第1吐出口之下噴嘴上方的加熱器洗淨位置，以對向於上述第1吐出口之方式配置上述加熱器；及下洗淨液吐出步驟，其係在未將基板保持於上述基板保持手段之狀態下，對上述下噴嘴供給洗淨液，使洗淨液自上述第1吐出口朝向上方吐出，藉此對配置於上述加熱器洗淨位置之上述加熱器之上述外殼之外表面供給洗淨液。

Description

加熱器洗淨方法
本發明係關於一種包括：具有紅外線燈，且用以對基板實施加熱處理之加熱器之基板處理裝置；及用以對該加熱器進行洗淨之加熱器洗淨方法。於作為加熱處理之對象之基板中，例如包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示裝置(FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等基板。
於半導體裝置之製造步驟中，例如包含如下步驟：對半導體晶圓(以下，僅稱為「晶圓」)之主面(表面)局部性地注入磷、砷、硼等雜質(離子)。於該步驟中，為了防止對多餘部分之離子注入，而於晶圓之表面圖案形成有由感光性樹脂所構成之光阻，使不需離子注入之部分可藉由光阻而遮蔽。圖案形成於晶圓表面上之光阻，係於離子注入後變為不需要，因此於離子注入後，進行用以去除該晶圓表面上之變為不需要之光阻的光阻去除處理。
於具代表性之光阻去除處理中，對晶圓之表面照射氧電漿，可使晶圓表面上之光阻灰化。然後，對晶圓之表面供給硫酸與過氧化氫水之混合液即硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM液)等藥液。藉此，可去除經灰化之光阻，而完 成使光阻自晶圓表面之去除。
然而，用以使光阻灰化之氧電漿之照射，會對晶圓表面之未被光阻覆蓋之部分(例如，自光阻露出之氧化膜)造成損傷。
因此，最近不進行光阻之灰化，而對晶圓之表面供給SPM液，藉由該SPM液中所含之過氧單硫酸(H2SO5)之強氧化力，自晶圓之表面剝離去除光阻之方法逐漸受到矚目。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-93926號公報
本案發明者為了謀求使供給至基板主面上之藥液更進一步之高溫化，而研究於藥液處理時，對供給至基板主面上之藥液進行加熱之技術。具體而言，本案發明者係研究藉由將具有紅外線燈、與收容該紅外線燈之外殼之加熱器空開間隔地對向配置於基板之主面上，而對存在於基板主面上之藥液進行加熱之技術。
然而，於利用紅外線燈進行藥液之加熱處理時，藥液會急劇地升溫，而於基板主面之周邊，大量產生藥液薄霧。於加熱處理時所產生之藥液薄霧，會附著於與基板之主面對向之加熱器之外殼的下表面。若於外殼之下表面附著有藥液薄霧之狀態下進行放置，就會因外殼下表面之紅外線穿透率降低，而使放出至外殼外紅外線之照射光量減少。不僅如此，亦存在有因藥液薄霧乾燥而結晶化，從而使外殼之下表面成為微粒產生來源之虞。因此，在每處理1片基板後，必須沖洗附著於加熱器之外殼下表面之藥液。
作為對加熱器之外殼進行洗淨之對策，可考慮如下之方法：設置使朝向鉛垂下方之複數個吐出口沿水平方向排列成一列或複數列之桿式噴嘴，將來自各吐出口之處理液自上方對加熱器進行供給。然而，此種方法，難以使洗淨液遍佈至加熱器之外殼下表面的整個區域。
本發明之目的在於提供一種可良好地洗淨加熱器之基板處理裝置及加熱器洗淨方法。
本發明提供一種對加熱器進行洗淨之加熱器洗淨方法，該加熱器係與藉由基板保持手段所保持基板之上表面(上側之主面)對向地配置而用以對該上表面進行加熱。加熱器具有紅外線燈與外殼。上述加熱器洗淨方法係包含如下步驟之加熱器洗淨方法：加熱器配置步驟，其係對向於由上述基板保持手段所保持基板之下表面，且於具有朝向上方吐出液體之第1吐出口之下噴嘴上方的加熱器洗淨位置，以對向於上述第1吐出口之方式配置上述加熱器；及下洗淨液吐出步驟，其係在未將基板保持於上述基板保持手段之狀態下，對上述下噴嘴供給洗淨液，使洗淨液自上述第1吐出口朝向上方吐出，藉此對配置於上述加熱器洗淨位置之上述加熱器之上述外殼之外表面供給洗淨液。
根據該方法，加熱器係配置於第1吐出口上方之加熱器位置，藉此使加熱器對向於第1吐出口。於該狀態下，可使洗淨液自第1吐出口朝向上方吐出。來自第1吐出口之洗淨液係朝向上方噴起，而噴注至配置於加熱器洗淨位置之加熱器之外殼的下部外表面，從而對該下部外表面進行洗淨。
加熱器係可使用於對由基板保持手段所保持之基板進行加熱之加熱處理。於該加熱處理時，使外殼之下部外表面與基板之表面對向地配置。因此，於加熱處理後，存在有異物附著於外殼之下部外表面之虞。此種異物係可藉由自第1吐出口朝向上方、即朝向外殼之下部外表面所供給之洗淨液而沖洗。藉此，由於可良好地洗淨外殼之外表面，因此可將外殼之外表面保持為清潔之狀態。
上述外殼亦可具有於利用上述紅外線燈對基板之加熱處理時與基板之表面對向之對向面。又，上述加熱處理亦可在基板之上表面存在有藥液之狀態下進行。於該情形時，存在如下之虞：於加熱處理時，藉由紅外線燈使藥液急劇地升溫，而於基板主面之周圍產生大量之藥液薄霧。而且，存在有所產生之藥液薄霧附著至外殼之對向面之虞。
然而，即便於上述情形時，藉由使用洗淨液對加熱器外殼之對向面進行洗淨，亦可沖洗附著於外殼對向面之藥液薄霧，從而將外殼之對向面保持為清潔之狀態。因此，可防止放出至外殼外紅外線之照射光量之減少，且可防止外殼成為微粒產生來源而對基板之處理造成不良影響。
於本發明之一實施形態中，上述方法更包含上洗淨液吐出步驟，該上洗淨液吐出步驟係與上述下洗淨液吐出步驟並行地，自配設於上述第1吐出口上方(更具體而言為上述加熱器洗淨位置之上方)之上噴嘴朝向下方吐出洗淨液，藉此對上述外殼之外表面供給洗淨液。
根據該方法，與洗淨液自下噴嘴之吐出並行地，可自配置於配置在加熱器洗淨位置之加熱器上方之上噴嘴，朝向下方吐出洗淨液。因此，可使洗淨液遍佈至外殼外表面之大範圍。藉此，可大範 圍地洗淨加熱器外殼之外表面。
上述上噴嘴亦可為配置於收容上述基板保持手段之處理室天花板之頂棚噴嘴。
於本發明之一實施形態中，上述方法更包含附液位置移動步驟，該附液位置移動步驟係與上述下洗淨液吐出步驟並行地，使自上述第1吐出口所吐出洗淨液於上述外殼之外表面上的附液位置移動。
根據該方法，可與自第1吐出口之洗淨液之吐出並行地，使外殼外表面上之洗淨液之附液位置移動。藉此，可使洗淨液噴注至外殼之下部外表面之大範圍，從而謀求有效之洗淨。
上述附液位置移動步驟亦可包含如下步驟：使上述加熱器於與洗淨液自上述第1吐出口之吐出方向交叉之方向(水平方向)上往返移動。
於本發明之一實施形態中，上述方法更包含乾燥步驟，該乾燥步驟係於上述下洗淨液供給步驟結束後，去除附著於上述外殼外表面上之洗淨液。
根據該方法，於利用洗淨液進行加熱器外殼之洗淨處理後，可去除殘留於外殼外表面上之洗淨液。藉此，可防止殘留於外殼外表面上之洗淨液對基板之處理造成不良影響。
於本發明之一實施形態中，上述乾燥步驟包含加熱乾燥步驟，該加熱乾燥步驟係自上述紅外線燈對上述外殼照射紅外線，加熱上述外殼之外表面而使其乾燥。
根據該方法，藉由來自紅外線燈紅外線之照射可使外殼升溫，使附著於外殼外表面上之洗淨液蒸發而被去除。藉此，可良好 地乾燥外殼之外表面。
於本發明之一實施形態中，上述下噴嘴更具有用以朝向上方吐出氣體之第2吐出口，上述乾燥步驟包含下乾燥用氣體噴附步驟，該下乾燥用氣體噴附步驟係對上述下噴嘴供給乾燥用氣體，並自上述第2吐出口朝向上方噴附乾燥用氣體，藉此對配置於上述加熱器洗淨位置之上述加熱器之上述外殼之外表面供給乾燥用氣體。
根據該方法，可使來自第2吐出口之乾燥用氣體噴附至加熱器外殼之下部外表面。藉由該乾燥用氣體，可吹散附著於外殼下部外表面上之洗淨液。藉此，可良好地乾燥外殼之外表面。
本發明進一步提供一種基板處理裝置，其包含：加熱器，其具有紅外線燈、及收容上述紅外線燈之外殼，且於與基板之主面對向之處理位置，對該基板之主面進行加熱；及洗淨液供給手段，其在使上述加熱器位於與上述處理位置不同之洗淨位置之狀態下，對上述外殼之外表面供給洗淨液。
根據該構成，可在與加熱處理時之處理位置不同之洗淨位置配置有加熱器之狀態下，對加熱器外殼之外表面供給洗淨液。藉此，可使用洗淨液沖洗附著於外殼外表面之異物。因此，可良好地洗淨外殼之外表面。
外殼亦可具有於藉由紅外線燈加熱基板之加熱處理時與基板表面對向之對向面。又，亦可在基板之主面上存在有藥液之狀態下，對基板實施加熱處理。於該情形時，在加熱處理時，藉由紅外線燈可使藥液急劇地升溫，從而於基板主面之周圍產生大量之藥液薄霧，該藥液薄霧有時會附著至外殼之對向面。
然而，此種藥液薄霧可藉由對加熱器供給洗淨液而被沖 洗掉。藉此，可洗淨外殼之對向面。因此，可防止放出至外殼外之紅外線之照射光量減少、或防止外殼成為微粒產生來源而對基板之處理造成不良影響。
上述洗淨位置亦可為上述加熱器自上述處理位置退避而進行待機時之待機位置。根據該構成，由於是對在待機位置進行待機之加熱器實施洗淨處理，因此只要加熱器位於待機位置，則可無關於基板處理之進行狀況而洗淨加熱器。亦即，可不中斷基板處理而洗淨加熱器，因此可提高基板處理裝置之生產性。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置更包含收容構件，該收容構件收容上述加熱器，並承接自該加熱器飛散之洗淨液。根據該構成，可抑制洗淨液飛散至加熱器之周圍。
於該情形時，上述收容構件包含於底部具有排出口，且可積存液體之有底容器狀之蓄積容器，上述洗淨液供給手段亦可包含對上述蓄積容器內供給洗淨液之洗淨液噴嘴。於該情形時，上述基板處理裝置亦可更包含：排液配管，其連接於上述蓄積容器之上述排出口，用以排出積存於上述蓄積容器之液體；及排液閥，其插裝於上述排液配管，用以開閉上述排液配管。
根據該構成，藉由關閉排液閥可阻止自有底容器之洗淨液之排出。於該狀態下，藉由自洗淨液噴嘴供給洗淨液，可使洗淨液積存於蓄積容器。藉由使加熱器之外殼之外表面浸漬於積存在蓄積容器之洗淨液中，可洗淨外殼之外表面。
上述洗淨液供給手段亦可具備有洗淨液噴嘴，該洗淨液噴嘴具有朝向上述外殼之外表面吐出洗淨液之洗淨液吐出口。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置更包含乾 燥用氣體噴附手段，該乾燥用氣體噴附手段係為了自上述外殼之外表面去除洗淨液，而朝向上述外殼之外表面噴附乾燥用氣體。
根據該構成，可自乾燥用氣體噴附手段對加熱器之外殼噴附乾燥用氣體。藉由乾燥用氣體，可吹散附著於外殼外表面之洗淨液。藉此，可良好地乾燥外殼之外表面。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置更包含使上述加熱器升降之加熱器升降手段，且上述乾燥用氣體噴附手段包含朝與上述加熱器之升降方向交叉之方向吐出乾燥用氣體之乾燥用氣體噴嘴，上述基板處理裝置更包含噴附乾燥控制手段，該噴附乾燥控制手段係控制上述乾燥用氣體噴附手段及上述加熱器升降手段而使乾燥用氣體自上述乾燥用氣體噴嘴吐出，並且使上述加熱器升降，藉此使上述外殼外表面上之乾燥用氣體之供給位置升降。
根據該構成，可一面朝橫向吐出來自乾燥用氣體噴嘴之乾燥用氣體，一面使加熱器於與其吐出口對向之區域升降。因此，由於可對外殼外表面之廣大區域(較佳為整個區域)噴附乾燥用氣體，所以可自外殼外表面之廣大區域(較佳為整個區域)去除洗淨液。藉此，可良好地乾燥外殼之外表面。
於本發明之一實施形態中，上述基板處理裝置更包含加熱乾燥控制手段，該加熱乾燥控制手段係自上述紅外線燈對上述外殼照射紅外線，藉此加熱附著於上述外表面上之洗淨液而使其乾燥。根據該構成，藉由來自紅外線燈之紅外線之照射可加熱外殼，從而去除附著於外殼外表面之洗淨液。藉此，可良好地乾燥外殼之外表面。
本發明進一步提供一種加熱器洗淨方法，其係用以洗淨於與基板之主面對向之處理位置對該基板之主面進行加熱之加熱器的 方法。加熱器具有紅外線燈、及收容該紅外線燈之外殼。上述加熱器洗淨方法包含如下步驟：加熱器配置步驟，其係於與上述處理位置不同之洗淨位置配置上述加熱器；及洗淨液供給步驟，其對位於上述洗淨位置之上述加熱器之外表面供給洗淨液。
於本發明之一實施形態中，上述方法更包含乾燥步驟，該乾燥步驟係於上述洗淨液供給步驟結束後，去除附著於上述外殼外表面之洗淨液。
根據該方法，於利用洗淨液之供給之加熱器洗淨處理後，可去除殘留於外殼外表面之洗淨液。藉此，可防止洗淨液殘留於外殼之外表面，而對基板之處理造成不良影響。
於本發明之一實施形態中，上述乾燥步驟包含加熱乾燥步驟，該加熱乾燥步驟係自上述紅外線燈對上述外殼照射紅外線，加熱附著於上述外表面之洗淨液而使其乾燥。
於本發明之一實施形態中，上述乾燥步驟包含如下步驟：加熱器升降步驟，其係使上述加熱器升降；及乾燥用氣體吐出步驟，其係朝向上述外殼之外表面，自乾燥用氣體噴嘴朝與上述加熱器之升降方向交叉之方向吐出乾燥用氣體。
本發明之上述或進一步其他之目的、特徵及效果，係藉由參照隨附圖式以及於下文所敍述實施形態之說明而明確化。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
2A‧‧‧間隔壁
3‧‧‧晶圓旋轉機
4‧‧‧剝離液噴嘴
5‧‧‧護罩
6‧‧‧夾頭旋轉驅動機構
7‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧旋轉基底
9‧‧‧挾持構件
11‧‧‧第1液臂
12‧‧‧第1液臂擺動機構
15‧‧‧剝離液供給管
23‧‧‧剝離液閥
24‧‧‧剝離液噴嘴
25‧‧‧SC1噴嘴
26‧‧‧DIW供給管
27‧‧‧DIW閥
28‧‧‧第2液臂
29‧‧‧第2液臂擺動機構
30‧‧‧SC1供給管
31‧‧‧SC1閥
33‧‧‧支持軸
34‧‧‧加熱器臂
35‧‧‧加熱器頭
36‧‧‧擺動驅動機構
37‧‧‧升降驅動機構
38‧‧‧紅外線燈
39‧‧‧開口部
40‧‧‧燈箱
40A‧‧‧凸緣
41‧‧‧蓋
42‧‧‧支持構件
42A‧‧‧上表面
42B‧‧‧下表面
43‧‧‧圓環部
44、45‧‧‧直線部
46、47‧‧‧插通孔
48‧‧‧O形環
49‧‧‧下表面
50‧‧‧上底面
51‧‧‧溝槽部
52‧‧‧底板部
52A‧‧‧上表面
52B‧‧‧下表面
54‧‧‧放大器
55‧‧‧控制裝置
56‧‧‧螺栓
58、59‧‧‧插通孔
60‧‧‧供氣路徑
61‧‧‧排氣路徑
62‧‧‧供氣埠
63‧‧‧排氣埠
64‧‧‧供氣配管
65‧‧‧排氣配管
70‧‧‧液膜
80‧‧‧背面側液體供給管
81‧‧‧背面側氣體供給管
82‧‧‧背面噴嘴
84‧‧‧背面液體吐出口
85‧‧‧背面氣體吐出口
86‧‧‧洗淨液下供給管
87‧‧‧洗淨液下閥
88‧‧‧乾燥用氣體下供給管
89‧‧‧乾燥用氣體下閥
90‧‧‧洗淨液上供給管
91‧‧‧洗淨液上閥
92‧‧‧乾燥用氣體上供給管
93‧‧‧乾燥用氣體上閥
94‧‧‧洗淨液上噴嘴
95‧‧‧乾燥用氣體上噴嘴
101‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧洗淨液吐出口
111‧‧‧洗淨液噴嘴
112‧‧‧洗淨液供給管
113‧‧‧洗淨液閥
180、280、380‧‧‧洗淨箱
181‧‧‧周壁
182‧‧‧底部
183‧‧‧排液口
184‧‧‧排液配管
185‧‧‧排液閥
186‧‧‧洗淨液噴嘴
187‧‧‧洗淨液供給管
188‧‧‧洗淨液閥
189‧‧‧乾燥用氣體噴嘴
190‧‧‧乾燥用氣體供給管
191‧‧‧乾燥用氣體閥
200‧‧‧洗淨液吐出口
200A‧‧‧中央吐出口
200B‧‧‧周緣吐出口
201‧‧‧洗淨液噴嘴
202‧‧‧洗淨液供給管
203‧‧‧洗淨液閥
282‧‧‧底部
283‧‧‧排液口
382‧‧‧底部
A‧‧‧剖面線
B‧‧‧剖面線
C‧‧‧旋轉軸線
S1~S10、S20~S29、S31~S41‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
圖1係示意性地表示執行本發明之一實施形態之加熱器洗淨方法之基板處理裝置之構成的圖。
圖2係上述基板處理裝置所具備加熱器頭之圖解性之剖面圖。
圖3係上述加熱器頭所具備紅外線燈之立體圖。
圖4係表示圖1所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。
圖5係表示利用上述基板處理裝置進行光阻去除處理之處理例之步驟圖。
圖6A係用以說明SPM液膜形成步驟之圖解性之圖。
圖6B係用以說明SPM液膜加熱步驟之圖解性之圖。
圖7係表示SPM液膜加熱步驟中之加熱器頭之移動範圍之俯視圖。
圖8係表示加熱器頭洗淨乾燥步驟之一例之流程圖。
圖9A係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之一步驟之圖解性之圖。
圖9B係表示圖9A之下一步驟之圖解性之圖。
圖10係表示加熱器頭洗淨乾燥步驟中之加熱器頭之移動範圍之俯視圖。
圖11係示意性地表示本發明之另一實施形態之基板處理裝置之構成的圖。
圖12係表示圖11所示之基板處理裝置所具備洗淨箱之構成的圖。
圖13係表示圖11所示之基板處理裝置之電性構成之方塊圖。
圖14係表示圖11之基板處理裝置之加熱器頭洗淨乾燥步驟之流程的流程圖。
圖15A係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之一步驟之圖解性之圖。
圖15B係表示圖15A之下一步驟之圖解性之圖。
圖15C係表示圖15B之下一步驟之圖解性之圖。
圖16係表示洗淨箱之另一構成例之圖。
圖17係自圖16之剖面線A-A所觀察之剖面圖。
圖18係表示洗淨箱之又一構成例之圖。
圖19係自圖18之剖面線B-B所觀察之剖面圖。
圖1係示意性地表示執行本發明之一實施形態之加熱器洗淨方法之基板處理裝置1之構成的圖。基板處理裝置1係使用於如下處理之單片式裝置：例如於對作為基板之一例之晶圓W之表面(主面)注入雜質之離子注入處理或乾式蝕刻處理後，用以自該晶圓W之表面去除變為不需要之光阻。
基板處理裝置1具備有藉由間隔壁2A所區劃之處理室2。於處理室2之天花板，設置有用以對處理室2內送入清潔空氣之風扇過濾單元(未圖示)。所謂清潔空氣係指對設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進行淨化而生成之空氣。
基板處理裝置1係於處理室2內，具備有晶圓旋轉機構(基板保持手段)3、剝離液噴嘴(藥液供給手段)4、及加熱器頭(加熱器)35。晶圓旋轉機構3係用以保持晶圓W並使其旋轉。剝離液噴嘴4係對晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面(上表面)供給作為藥液之光阻剝離液之一例之SPM液。加熱器頭35係與晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面對向而配置，而對晶圓W表面上之SPM液進行加熱。
作為晶圓旋轉機構3，亦可採用例如挾持式者。具體而言，晶圓旋轉機構3例如具備有：旋轉軸7，其大致鉛垂地延伸；圓板狀之旋轉基底8，其大致水平地安裝於旋轉軸7之上端；及複數個挾持構件9，其大致等間隔地設置於旋轉基底8之周緣部之複數個部位。而 且，使各挾持構件9抵接於晶圓W之端面，以複數個挾持構件9挾持晶圓W，藉此以大致水平之姿勢保持晶圓W，而使晶圓W之中心配置於旋轉軸7之中心軸線上。
自包含馬達(未圖示)之夾頭旋轉驅動機構6對旋轉軸7輸入旋轉力。藉由該旋轉力之輸入，使旋轉軸7旋轉，並在由挾持構件9所挾持之晶圓W保持大致水平之姿勢之狀態下，與旋轉基底8一併圍繞既定之旋轉軸線(鉛垂軸線)C而旋轉。夾頭旋轉驅動機構6具有與旋轉軸7一體化之轉子(驅動軸)、及配置於該轉子周圍之定子，且亦可具有使旋轉軸7朝鉛垂方向貫通之中空馬達之形態(參照圖11)。
旋轉軸7為中空軸，且於其內部插通有分別沿鉛垂方向延伸之背面側液體供給管80及背面側氣體供給管81。背面側液體供給管80之上端部及背面側氣體供給管81之上端部，係分別連接於設置於旋轉軸7上端之背面噴嘴(下噴嘴)82。背面噴嘴82係於其上端，具有圓形之背面液體吐出口(第1吐出口)84、及圓形之背面氣體吐出口(第2吐出口)85。背面液體吐出口84與背面氣體吐出口85係彼此近接地配置。各吐出口84、85係對向於由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之下表面之大致旋轉中心。背面液體吐出口84及背面氣體吐出口85之上下方向之高度係為一致。
於背面側液體供給管80連接有供給作為洗淨液之一例即經去離子化之水(DIW，Deionized Water)的洗淨液下供給管86。於洗淨液下供給管86插裝有用以開閉該洗淨液下供給管86之洗淨液下閥87。
於背面側氣體供給管81連接有供給作為乾燥用氣體之一例即氮氣之乾燥用氣體下供給管88。於乾燥用氣體下供給管88插裝 有用以開閉該乾燥用氣體下供給管88之乾燥用氣體下閥89。
剝離液噴嘴4例如係以連續流出之狀態吐出SPM液之直線噴嘴。剝離液噴嘴4係在將其吐出口朝向下方之狀態下，安裝於大致水平地延伸之第1液臂11之前端。第1液臂11係設為可圍繞沿鉛垂方向延伸之既定之擺動軸線轉動。於第1液臂11結合有用以使第1液臂11於既定角度範圍內擺動之第1液臂擺動機構12。藉由第1液臂11之擺動，剝離液噴嘴4可於晶圓W之旋轉軸線C上之位置(與晶圓W之旋轉中心對向之位置)、與設定於晶圓旋轉機構3側方之初始位置之間移動。該初始位置係加熱器頭35自晶圓W之上方退避而進行待機時之待機位置。
於剝離液噴嘴4連接有供給來自SPM供給源之SPM液之剝離液供給管15。於剝離液供給管15之中途部，插裝有用以切換SPM液自剝離液噴嘴4之供給/供給停止之剝離液閥23。
又，基板處理裝置1具備有DIW噴嘴24、SC1噴嘴25、及護罩5。DIW噴嘴24係對由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面供給作為清洗液之DIW(經去離子化之水)。SC1噴嘴25係對由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面供給作為洗淨用藥液之SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨過氧化氫水混合液)。護罩5係包圍晶圓旋轉機構3之周圍並承接自晶圓W流下或飛散之SPM液或SC1、DIW。
DIW噴嘴24例如係以連續流出之狀態吐出DIW之直線噴嘴，並將其吐出口朝向晶圓W之旋轉中心附近且固定地配置於晶圓旋轉機構3之上方。於DIW噴嘴24連接有供給來自DIW供給源之DIW之DIW供給管26。於DIW供給管26之中途部插裝有用以切換 DIW自DIW噴嘴24之供給/供給停止之DIW閥27。
SC1噴嘴25例如係以連續流出之狀態吐出SC1之直線噴嘴。SC1噴嘴25係在將其吐出口朝向下方之狀態下，安裝於大致水平地延伸之第2液臂28之前端。第2液臂28係設為可圍繞沿鉛垂方向延伸之既定之擺動軸線轉動。於第2液臂28結合有用以使第2液臂28於既定角度範圍內擺動之第2液臂擺動機構29。藉由第2液臂28之擺動，SC1噴嘴25可於晶圓W之旋轉軸線C上之位置(與晶圓W之旋轉中心對向之位置)、與設定於晶圓旋轉機構3側方之初始位置之間移動。
於SC1噴嘴25連接有供給來自SC1供給源之SC1之SC1供給管30。於SC1供給管30之中途部，插裝有用以切換SC1自SC1噴嘴25之供給/供給停止之SC1閥31。
於晶圓旋轉機構3之側方，配置有沿鉛垂方向延伸之支持軸33。於支持軸33之上端部，結合有沿水平方向延伸之加熱器臂34。於該加熱器臂34之前端，安裝有收容保持紅外線燈38之加熱器頭35。又，於支持軸33結合有擺動驅動機構36與升降驅動機構37，該擺動驅動機構36係用以使支持軸33圍繞中心軸線而轉動，該升降驅動機構37係用以使支持軸33沿中心軸線上下而移動。
自擺動驅動機構36對支持軸33輸入驅動力，使支持軸33於既定之角度範圍內轉動，藉此使加熱器臂34以支持軸33為支點而於由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之上方擺動。藉由加熱器臂34之擺動，使加熱器頭35於晶圓W之旋轉軸線C上之位置(與晶圓W之旋轉中心對向之位置)、與設定於晶圓旋轉機構3側方之初始位置之間移動。又，自升降驅動機構37對支持軸33輸入驅動力，使支持軸33 上下移動，藉此使加熱器頭35於接近由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面之近接位置(於圖1中以二點鏈線表示之高度之位置，包含下述之中央近接位置及周緣近接位置)、與朝該晶圓W之上方退避之退避位置(於圖1中以實線表示之高度之位置)之間升降。於該實施形態中，近接位置係設定為由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面與加熱器頭35之下表面(對向面)52B的間隔例如成為3mm之位置。
於處理室2之頂壁之下表面，在利用晶圓旋轉機構3之旋轉軸線C之上方，彼此鄰接於橫向上地配置有洗淨液上噴嘴(頂棚噴嘴)94與乾燥用氣體上噴嘴(頂棚噴嘴)95。
洗淨液上噴嘴94具有用以將液體向下呈簇射狀吐出之吐出口。於洗淨液上噴嘴94，連接有供給洗淨液之洗淨液上供給管90。於洗淨液上供給管90，插裝有用以開關該洗淨液上供給管90之洗淨液上閥91。
乾燥用氣體上噴嘴95，具有用以將氣體鉛垂向下地吐出之吐出口。於乾燥用氣體上噴嘴95，連接有供給作為乾燥用氣體之一例即氮氣之乾燥用氣體上供給管92。於乾燥用氣體上供給管92，插裝有用以開閉該乾燥用氣體上供給管92之乾燥用氣體上閥93。
圖2係表示加熱器頭35之構成例之圖解性之剖面圖。
加熱器頭35具備有：紅外線燈38；有底容器狀之燈箱(外殼)40，其於上部具有開口部39，且收容紅外線燈38；支持構件42，其於燈箱40之內部懸掛而支持紅外線燈38；及蓋(外殼)41，其用以閉塞燈箱40之開口部39。於該實施形態中，蓋41係固定於加熱器臂34之前端。
圖3係表示紅外線燈38之構成例之立體圖。如圖2及 圖3所示，紅外線燈38係具有圓環狀之(圓弧狀之)圓環部43、及一對直線部44、45之1根紅外線燈之加熱器，該一對直線部44、45係自圓環部43之兩端以沿圓環部43之中心軸線之方式延伸。圓環部43主要係作為放射紅外線之發光部而發揮功能。於該實施形態中，圓環部43之直徑(外徑)例如約設定為60mm。於紅外線燈38由支持構件42所支持之狀態下，圓環部43係呈水平姿勢。換言之，圓環部43之中心軸線係垂直於由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面的軸線(鉛垂軸線)。
紅外線燈38係將燈絲收容於石英管內而構成。於紅外線燈38，連接有用以供給電壓之放大器54(參照圖4)。作為紅外線燈38，可採用鹵素燈或以碳製加熱器為代表之短、中、長波長之紅外線加熱器。
如圖2所示，蓋41係呈圓板狀，且相對於加熱器臂34而固定為水平姿勢。蓋41係使用聚四氟乙烯(PTFE，Polytetra Fluor Ethylene)等氟樹脂材料所形成。於該實施形態中，蓋41係與加熱器臂34一體地形成。然而，亦可與加熱器臂34分開地形成蓋41。又，作為蓋41之材料，除PTFE等樹脂材料外，亦可採用陶瓷或石英等材料。
於蓋41之下表面49，形成有大致圓筒狀之溝槽部51。溝槽部51具有由水平平坦面所構成之上底面50，且使支持構件42之上表面42A接觸於上底面50而固定。於蓋41中形成有朝上下方向(鉛垂方向)貫通上底面50之插通孔58、59。各插通孔58、59係以供紅外線燈38之直線部44、45之各上端部插通之方式所形成。
燈箱40係呈有底圓筒容器狀。燈箱40係使用石英而形成。
燈箱40係在將其開口部39朝向上方之狀態下，固定於蓋41之下表面49(於該實施形態中，為除溝槽部51外之區域之下表面)。自燈箱40之開口側之周端緣圓環狀之凸緣40A係向直徑方向外方(朝水平方向)突出。凸緣40A係使用螺栓等固定單元(未圖示)而固定於蓋41之下表面49，藉此使燈箱40由蓋41所支持。
於該狀態下，燈箱40之底板部52係形成為水平姿勢之圓板狀。底板部52之上表面52A及下表面52B(對向面)，係分別形成為水平平坦面。於燈箱40內，紅外線燈38係使其圓環部43之下部接近底板部52之上表面52A而對向地配置。圓環部43與底板部52係彼此平行地設置。若改變觀察方向，則圓環部43之下方係由燈箱40之底板部52所覆蓋。於該實施形態中，燈箱40之外徑例如設定為約85mm。又，紅外線燈38(圓環部43之下部)與上表面52A之間之上下方向之間隔例如設定為約2mm。
支持構件42係形成為厚壁之板狀(大致圓板狀)，且藉由螺栓56等自蓋41之下方，以水平姿勢安裝固定於該蓋41。支持構件42係使用具有耐熱性之材料(例如陶瓷或石英)所形成。支持構件42具有朝上下方向(鉛垂方向)貫通其上表面42A及下表面42B之2個插通孔46、47。紅外線燈38之直線部44、45係分別插通於插通孔46、47。
於各直線部44、45之中途部，外嵌固定有O形環48。於將直線部44、45插通於插通孔46、47之狀態下，將2個O形環48之外周分別壓接至相對應之插通孔46、47之內壁。藉此，可達成直線部44、45相對於各插通孔46、47之防脫，並藉由支持構件42懸掛而支持紅外線燈38。
若自放大器54對紅外線燈38供給電力，紅外線燈38 就會放射紅外線，該紅外線係經由燈箱40，朝向加熱器頭35之下方射出。經由燈箱40之底板部52而射出之紅外線係加熱晶圓W上之SPM液。
更具體而言，於下述之光阻去除處理時，構成加熱器頭35下端面之燈箱40之底板部52，係與由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面對向地配置。於該狀態下，經由燈箱40之底板部52所射出之紅外線，係對晶圓W及晶圓W上之SPM液進行加熱。
又，於蓋41內，形成有供氣路徑60與排氣路徑61，該供氣路徑60係用以對燈箱40之內部供給空氣，該排氣路徑61係用以將燈箱40內部之空氣進行排氣。供氣路徑60及排氣路徑61，分別具有於蓋41之下表面開口之供氣埠62及排氣埠63。於供氣路徑60，連接有供氣配管64之一端。供氣配管64之另一端係連接於空氣之供氣源。於排氣路徑61，連接有排氣配管65之一端。排氣配管65之另一端係連接於排氣源。
圖4係表示基板處理裝置1之電性構成之方塊圖。基板處理裝置1具備有包含微電腦之構成之控制裝置55。於控制裝置55，連接有夾頭旋轉驅動機構6、放大器54、擺動驅動機構36、升降驅動機構37、第1液臂擺動機構12、第2液臂擺動機構29、剝離液閥23、DIW閥27、SC1閥31、洗淨液下閥87、乾燥用氣體下閥89、洗淨液上閥91、乾燥用氣體上閥93等作為控制對象。
圖5係表示基板處理裝置1之光阻去除處理之處理例之步驟圖。圖6A係用以說明下述之SPM液膜形成步驟之圖解性之圖。圖6B係用以說明下述之SPM液膜加熱步驟之圖解性之圖。圖7係表示下述之SPM液膜加熱步驟中之加熱器頭35之移動範圍的俯視圖。
以下，一面參照圖1~圖7，一面對光阻去除處理之處理例進行說明。
於光阻去除處理時，利用控制裝置55所控制之搬送機器人(未圖示)，藉此對處理室2(參照圖1)內搬入離子注入處理後之晶圓W(步驟S1：晶圓搬入)。晶圓W係在將其表面朝向上方之狀態下被交接至晶圓旋轉機構3。此時，為了不妨礙晶圓W之搬入，加熱器頭35、剝離液噴嘴4及SC1噴嘴25係分別配置於初始位置。
若晶圓W由晶圓旋轉機構3所保持，控制裝置55就會對夾頭旋轉驅動機構6進行控制，使晶圓W開始旋轉(步驟S2)。晶圓W之旋轉速度係提升至液體完成覆蓋速度(於30~300rpm之範圍內，例如60rpm)為止，之後維持於該液體完成覆蓋速度。所謂液體完成覆蓋速度係指可藉由之後所供給之SPM液覆蓋晶圓W之速度，亦即，係指可於晶圓W之表面保持SPM液之液膜之速度。又，控制裝置55係控制第1液臂擺動機構12，使剝離液噴嘴4移動至晶圓W之上方位置。
於晶圓W之旋轉速度達到液體完成覆蓋速度後，如圖6A所示，控制裝置55會打開剝離液閥23，並自剝離液噴嘴4將SPM液供給至晶圓W之表面。供給至晶圓W表面之SPM液，係逐漸積存於晶圓W之表面上，從而於晶圓W之表面上，形成覆蓋該表面整個區域之SPM液之液膜70(步驟S3：SPM液膜形成步驟)。
如圖6A所示，於SPM液膜形成步驟開始時，控制裝置55係控制第1液臂擺動機構12，使剝離液噴嘴4配置於晶圓W之旋轉中心上，從而使SPM液自剝離液噴嘴4吐出。藉此，可於晶圓W之表面上形成SPM液之液膜70，使SPM液遍佈至晶圓W表面的整個區 域。藉此，能夠以SPM液之液膜70覆蓋晶圓W表面之整個區域。
若從來自剝離液噴嘴4之SPM液之吐出開始起經過預先規定之液膜形成期間，控制裝置55就會控制夾頭旋轉驅動機構6，使晶圓W之旋轉速度降至小於液體完成覆蓋速度之既定之加熱處理速度。藉此，可執行步驟S4之SPM液膜加熱步驟(加熱處理)。
加熱處理速度係即便未對晶圓W供給SPM液，亦可於晶圓W之表面上保持SPM液之液膜70之速度(於1~20rpm之範圍內，例如15rpm)。又，與利用夾頭旋轉驅動機構6所進行晶圓W之減速同步，如圖6B所示，控制裝置55係關閉剝離液閥23，停止自剝離液噴嘴4之SPM液之供給，並且控制第1液臂擺動機構12，使剝離液噴嘴4返回至初始位置。雖然對晶圓W之SPM液之供給停止，但使晶圓W之旋轉速度降至加熱處理速度，藉此使SPM液之液膜70繼續保持於晶圓W之表面上。
又，如圖6B及圖7所示，控制裝置55係控制放大器54，而自紅外線燈38放射紅外線。而且，控制裝置55係控制擺動驅動機構36及升降驅動機構37，使加熱器頭35自初始位置移動，且進一步於與晶圓W之旋轉中心對向之中央近接位置(於圖6B及圖7中，以實線表示之位置)、及與晶圓W之周緣部對向之周緣近接位置(於圖6B及圖7中，以二點鏈線表示之位置)之間往返移動。利用紅外線燈38之紅外線之照射，藉此使紅外線燈38正下方之晶圓W及SPM液急劇地升溫，從而使與晶圓W之邊界附近之SPM液升溫。然後，晶圓W表面之對向於底板部52下表面52B的區域(與紅外線燈38對向之區域)係一面自包含晶圓W之旋轉中心之區域至包含晶圓W周緣之區域的範圍內描繪圓弧帶狀之軌跡一面往返移動。藉此，可對晶圓W表面 之整個區域進行加熱。
藉由來自紅外線燈38之紅外線之照射，可使紅外線燈38正下方之SPM液急劇地升溫。因此，於晶圓W表面之周圍，會產生大量之SPM液薄霧。
再者，周緣近接位置係如下之位置：於自加熱器頭35之上方觀察該加熱器頭35時，使底板部52之下表面52B之一部分、更佳為使紅外線燈38之圓環部43較晶圓W之外周更向直徑方向突出之位置。
於步驟S4之SPM液膜加熱步驟中，SPM液之液膜70係於與晶圓W表面之邊界附近升溫。於該期間內，使晶圓W表面上之光阻與SPM液之反應持續，而使光阻自晶圓W表面之剝離進行。
其後，若從晶圓W之旋轉速度下降後並經過預先規定之液膜加熱處理時間，控制裝置55就會控制放大器54，停止來自紅外線燈38之紅外線之放射。又，控制裝置55係控制擺動驅動機構36及升降驅動機構37，使加熱器頭35返回至初始位置。於該SPM液膜加熱步驟結束時，在加熱器頭35之燈箱40之下表面52B係附著有大量之SPM液薄霧。
然後，控制裝置55係控制夾頭旋轉驅動機構6，使晶圓W之旋轉速度上升至既定之液體處理旋轉速度(於300~1500rpm之範圍內，例如1000rpm)。而且，控制裝置55係打開DIW閥27，自DIW噴嘴24之吐出口對晶圓W之旋轉中心附近供給DIW(步驟S5：中間淋洗處理步驟)。供給至晶圓W表面之DIW，係受到因晶圓W之旋轉所產生的離心力，而於晶圓W之表面上朝向晶圓W之周緣流動。藉此，可利用DIW沖洗掉附著於晶圓W表面之SPM液。
若DIW之供給持續既定之中間淋洗時間，DIW閥27就會關閉，而停止對晶圓W表面之DIW之供給。
一面將晶圓W之旋轉速度維持為液體處理旋轉速度，控制裝置55係一面打開SC1閥31，並自SC1噴嘴25對晶圓W表面供給SC1(步驟S6)。又，控制裝置55係控制第2液臂擺動機構29，使第2液臂28於既定角度範圍內擺動，而使SC1噴嘴25於晶圓W之旋轉中心上與周緣部上之間往返移動。藉此，引導來自SC1噴嘴25之SC1之晶圓W表面上的供給位置，係於晶圓W之旋轉中心至晶圓W之周緣部之範圍內，一面描繪與晶圓W之旋轉方向交叉之圓弧狀的軌跡一面往返移動。藉此，使SC1無不均勻地供給至晶圓W表面之整個區域，並藉由SC1之化學能力，可去除附著於晶圓W表面上之光阻殘渣及微粒等異物。
若SC1之供給持續既定之SC1供給時間，控制裝置55就會關閉SC1閥31，並且控制第2液臂擺動機構29，使SC1噴嘴25返回至初始位置。又，在晶圓W之旋轉速度維持為液體處理旋轉速度之狀態下，控制裝置55係打開DIW閥27，使DIW自DIW噴嘴24之吐出口供給至晶圓W之旋轉中心附近(步驟S7：淋洗處理步驟)。供給至晶圓W表面上之DIW，係受到因晶圓W之旋轉所引起的離心力，而於晶圓W之表面上朝向晶圓W之周緣流動。藉此，可利用DIW沖洗掉附著於晶圓W表面上之SC1。
若DIW之供給持續既定之淋洗時間，就會關閉DIW閥27，停止對晶圓W表面之DIW之供給。
若自開始淋洗處理經過既定時間，控制裝置55就會關閉DIW閥27，停止對晶圓W表面之DIW之供給。其後，控制裝置 55係控制夾頭旋轉驅動機構6，將晶圓W之旋轉速度提升至既定之高旋轉速度(例如1500~2500rpm)，進行將附著於晶圓W上之DIW甩掉而使其乾燥之旋轉乾燥處理(步驟S8)。
若旋轉乾燥處理進行了預先規定之旋轉乾燥處理時間，控制裝置55就會控制夾頭旋轉驅動機構6，使晶圓旋轉機構3之旋轉停止。藉此，使對1片晶圓W所進行之光阻去除處理結束，並利用搬送機器人自處理室2搬出處理完之晶圓W(步驟S9)。
於搬出晶圓W後，執行洗淨加熱器頭35，且對該洗淨後之加熱器頭35進行乾燥之加熱器頭洗淨乾燥步驟(步驟S10)。於加熱器頭洗淨乾燥步驟中，實施用以洗淨加熱器頭35之洗淨處理，且對該洗淨處理後之加熱器頭35實施乾燥處理。藉由步驟S10之加熱器頭洗淨乾燥步驟之結束，使對1片晶圓W所進行一連串之光阻去除處理結束。
圖8係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟之一例之流程圖。圖9A係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之洗淨處理之圖解性之圖，圖9B係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之乾燥處理之圖解性之圖。圖10係表示加熱器頭洗淨乾燥步驟中之加熱器頭35之移動範圍之俯視圖。
於加熱器頭洗淨乾燥步驟之洗淨處理中，控制裝置55係控制擺動驅動機構36而使加熱器臂34擺動，且控制升降驅動機構37而使加熱器頭35升降，從而使加熱器頭35自初始位置移動至晶圓旋轉機構3上方之加熱器洗淨位置。此時，於晶圓旋轉機構3並未保持有晶圓W。因此，加熱器頭35係與旋轉基底8之上表面對向地配置(步驟S21，加熱器配置步驟)。更詳細而言，加熱器頭35係以使加熱 器頭35(燈箱40)圓形之下表面52B位於晶圓旋轉機構3之旋轉中心上方(旋轉軸線C上)之加熱器洗淨位置之方式配置。加熱器洗淨位置較佳為使自背面液體吐出口84朝上吐出之洗淨液可到達加熱器頭35之下表面52B之高度位置。
又，如圖9A所示，控制裝置55係打開洗淨液上閥91(參照圖1等)，以簇射狀自洗淨液上噴嘴94將洗淨液朝向下方吐出(步驟S22，上洗淨液吐出步驟)。藉此，自洗淨液上噴嘴94朝向下方流下之洗淨液，係灑落至配置於加熱器洗淨位置之加熱器頭35。亦即，噴注至加熱器頭35之上表面(例如蓋41之上表面)。
又，控制裝置55係打開洗淨液下閥87(參照圖1等)，自背面噴嘴82之背面液體吐出口84將洗淨液朝向鉛垂上方吐出(步驟S22，下洗淨液吐出步驟)。藉此，使洗淨液自背面液體吐出口84朝向鉛垂上方噴起。自背面液體吐出口84噴起之洗淨液係噴注至構成加熱器頭35下表面之燈箱40之底板部52的下表面52B。
又，控制裝置55係控制擺動驅動機構36而使加熱器臂34擺動，從而使加熱器頭35於第1移動端位置與第2移動端位置之間往返移動。從第1移動端位置至第2移動端位置為止之範圍內之任意位置，均為加熱器洗淨位置。第1移動端位置係如圖10之實線所示，於旋轉基底8之中心與旋轉基底8之一周緣部之間，設定於旋轉基底8之上方。第2移動端位置係如圖10之二點鏈線所示，於旋轉基底8之中心與旋轉基底8之另一周緣部之間，設定於旋轉基底8之上方。更具體而言，第1移動端位置係使燈箱40之下表面52B之一周緣部位於旋轉基底8之旋轉中心上(旋轉軸線C上)之位置。第2移動端位置係使加熱器頭35之下表面52B之另一周緣部(相對於上述一周緣部隔著 下表面52B之中心之相反側的周緣部)位於旋轉基底8之旋轉中心上(旋轉軸線C上)之位置。
控制裝置55，首先控制擺動驅動機構36而使加熱器臂34擺動，藉此使加熱器頭35自旋轉基底8之中心移動至上述第1移動端位置(於圖10中以實線表示之位置)。接著，控制裝置55係控制擺動驅動機構36，使加熱器臂34於既定角度範圍內擺動，從而使加熱器頭35於上述第1移動端位置與上述第2移動端位置(於圖10中以二點鏈線表示之位置)上之間往返移動(步驟S23，附液位置移動步驟)。
藉此，於引導有來自背面液體吐出口84之洗淨液之下表面52B上，洗淨液之附液位置係一面描繪圓弧狀之軌跡，一面於自下表面52B之一周緣部經由中心至另一周緣部之範圍內往返移動。藉此，使洗淨液均勻地供給至燈箱40之下表面52B之整個區域，並利用該洗淨液沖洗掉附著於燈箱40之下表面52B上之SPM液薄霧等異物。
又，於引導有來自背面液體吐出口84之洗淨液之加熱器頭35之上表面(蓋41之上表面)，洗淨液之附液位置亦一面描繪圓弧狀之軌跡一面進行往返移動。供給至加熱器頭35上表面之洗淨液，係擴散至加熱器頭35之上表面整個區域，又，擴散至加熱器頭35之側壁。
藉由以上內容，洗淨液可完全遍佈至加熱器頭35外表面之整個區域，從而可良好地洗淨加熱器頭35外表面之整個區域。
自洗淨液上噴嘴94及背面液體吐出口84之洗淨液之吐出、以及加熱器臂34之往返擺動，係持續進行至經過預先規定之洗淨處理時間為止。
若預先規定之洗淨處理時間結束(於步驟S24中為是 (YES))，控制裝置55就會關閉洗淨液上閥91及洗淨液下閥87(步驟S25)，而停止自洗淨液上噴嘴94及背面液體吐出口84之洗淨液之吐出。
又，如圖9B所示，控制裝置55係打開乾燥用氣體上閥93(步驟S26)。藉此，使來自乾燥用氣體上噴嘴95之乾燥用氣體噴附至配置於加熱器洗淨位置之加熱器頭35之上表面。藉由該乾燥用氣體，吹掉附著於加熱器頭35上表面上之洗淨液。
又，控制裝置55係打開乾燥用氣體下閥89(步驟S26，下乾燥用氣體噴附步驟)。藉此，使來自背面噴嘴82之背面氣體吐出口85之乾燥用氣體噴附至配置於加熱器洗淨位置之加熱器頭35的燈箱40之下表面52B。
此時，控制裝置55係控制擺動驅動機構36而使加熱器臂34擺動，從而使加熱器頭35於第1移動端位置與第2移動端位置之間往返移動。藉此，來自背面氣體吐出口85之乾燥用氣體於下表面52B之噴附位置，一面描繪與下表面52B之圓周方向交叉之圓弧狀的軌跡一面係於自下表面52B之一周緣部經由中心至另一周緣部之範圍內往返移動。
藉此，使乾燥用氣體均勻地供給至燈箱40之下表面52B之整個區域，並藉由該乾燥用氣體吹掉附著於燈箱40之下表面52B上之洗淨液。
而且，控制裝置55係控制放大器54，自紅外線燈38放射紅外線(步驟S26，加熱乾燥步驟)。藉此，使燈箱40升溫，可蒸發而去除附著於燈箱40之下表面52B或外周之洗淨液。
自乾燥用氣體上噴嘴95及背面噴嘴82之乾燥用氣體之 吐出、以及自紅外線燈38之紅外線之放射，係持續進行至經過預先規定之乾燥處理時間為止。
若預先規定之乾燥處理時間結束(於步驟S27中為是(YES))，控制裝置55就會關閉乾燥用氣體上閥93及乾燥用氣體下閥89(步驟S28)，停止自乾燥用氣體上噴嘴95及背面氣體吐出口85之乾燥用氣體之吐出。
又，控制裝置55係控制擺動驅動機構36，使加熱器臂34擺動，從而使洗淨處理後之加熱器頭35返回至初始位置。
藉由加熱器頭洗淨乾燥步驟之結束，一連串之光阻去除處理結束。
藉由以上內容，根據該實施形態，於對各晶圓W之光阻去除處理中，執行用以洗淨加熱器頭35之洗淨處理。於該洗淨處理中，在與背面液體吐出口84之上方對向之加熱器洗淨位置，配置有加熱器頭35。又，洗淨液係自背面液體吐出口84朝向鉛垂上方吐出。來自背面液體吐出口84之洗淨液係朝向鉛垂上方噴起，從而噴注至配置於加熱器洗淨位置之加熱器頭35之燈箱40之下表面52B。
於SPM液膜加熱步驟所產生大量之SPM液薄霧有時會附著於燈箱40之下表面52B。由於可藉由自背面液體吐出口84供給至燈箱40之下表面52B之洗淨液，將附著於燈箱40之下表面52B上的SPM液薄霧沖洗掉，因此可良好地洗淨燈箱40之下表面52B。藉此，可將燈箱40之下表面52B保持為清潔之狀態。其結果，可防止放出至燈箱40外之紅外線之照射光量減少，且可防止燈箱40之下表面52B成為微粒產生來源。
又，於加熱器頭35之洗淨處理後，乾燥加熱器頭35之 外表面。藉此，可防止殘留於加熱器頭35外表面之洗淨液，對晶圓W之處理造成不良影響。
對於以上之實施形態，可實現如下之變形。
例如，在上述實施形態中，於加熱器頭35之洗淨處理中，自洗淨液上噴嘴94及背面液體吐出口84之雙方，係對加熱器頭35供給有洗淨液。然而，於加熱器頭35之洗淨處理中，亦可不供給來自洗淨液上噴嘴94之洗淨液，而僅藉由來自背面液體吐出口84之對加熱器頭35之洗淨液之供給，而洗淨加熱器頭35。於該情形時，在加熱器頭35進行乾燥處理中，無需對加熱器頭35乾燥用氣體上噴嘴95之噴附。
又，於上述實施形態中，藉由使加熱器頭35朝水平方向往返移動，而使加熱器頭35之下表面52B上之洗淨液之附液位置移動。然而，例如亦可採用具有可變更液體吐出方向之吐出口之噴嘴作為背面噴嘴82，而取代將加熱器頭35進行移動。於該情形時，藉由使自吐出口之洗淨液之吐出方向不同，可使加熱器頭35之下表面52B上之洗淨液之附液位置移動。
而且，於上述實施形態中，已在加熱器頭35之乾燥處理中，以進行噴吹乾燥與加熱乾燥之雙方為例進行說明，該噴吹乾燥係噴附來自乾燥用氣體上噴嘴95或背面噴嘴82之乾燥用氣體，而吹掉附著於加熱器頭35之洗淨液，該加熱乾燥係藉由紅外線燈38使燈箱40升溫。然而，亦可不進行利用乾燥用氣體之噴吹乾燥，僅藉由利用紅外線燈38之加熱乾燥，使加熱器頭35乾燥。
又，雖然背面噴嘴82具有背面液體吐出口84與背面氣體吐出口85，但亦可採用以自1個吐出口選擇性地吐出洗淨液與乾燥 氣體之方式所構成之噴嘴，取代該背面噴嘴82。
又，亦可與加熱器頭洗淨乾燥步驟(圖5所示之步驟S10)一併，進行加熱器臂34之洗淨。加熱器臂34之洗淨，可使用自洗淨液上噴嘴94吐出之洗淨液而進行。又，亦可使用分開地配設於處理室2內之桿式噴嘴(未圖示)，而洗淨加熱器臂34。桿式噴嘴係使朝向鉛垂下方之多個吐出口沿水平方向排成一列或複數列，且例如配置於處理室2內之上部區域。於該情形時，在加熱器臂34(及加熱器頭35)與桿式噴嘴之下方對向地配置之狀態下，自桿式噴嘴之各吐出口吐出洗淨液。藉此，使洗淨液灑落至加熱器臂34之外表面，而洗淨加熱器臂34之外表面。
而且，亦可與加熱器頭洗淨乾燥步驟(圖5所示之步驟S10)一併進行處理室2內之洗淨(腔室洗淨)。
圖11係示意性地表示本發明之另一實施形態之基板處理裝置101之構成的圖。於該圖11中，對與上述圖1所示之各部對應之部分標示相同之元件符號，並省略說明。
基板處理裝置101係於處理室2內具備有：晶圓旋轉機構(基板保持手段)3，、其保持晶圓W並使其旋轉；剝離液噴嘴(藥液供給手段)4，其用以對由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面(上表面)供給作為藥液之光阻剝離液之一例之SPM液；加熱器頭(加熱器)35，其係與由晶圓旋轉機構3所保持晶圓W之表面對向地配置，而對晶圓W表面上之SPM液進行加熱；及洗淨箱(蓄積容器)180。
洗淨箱180係配置於加熱器頭35之初始位置。洗淨箱180為有底圓筒狀之容器，加熱器頭35係於不使用時以收容於洗淨箱180之狀態進行待機。
圖12係表示洗淨箱180之構成之圖。洗淨箱180為有底圓筒狀之容器。洗淨箱180之上表面係開放，且於該上表面形成有可收入加熱器頭35之入口。加熱器頭35係自該入口收容於洗淨箱180內。洗淨箱180包含圓筒狀之周壁181、及結合於該周壁181下端之底部182。
於底部182之大致中央部，形成有排液口183。於底部182之下表面，排液配管184之一端係連接於排液口183。排液配管184之另一端係連接於用以處理排液之排液設備。於排液配管184，插裝有用以開閉排液配管184之排液閥185。再者，排液閥185平常為打開。
於周壁181，配設有用以對加熱器頭35之外表面供給作為洗淨液之一例之DIW的洗淨液噴嘴(洗淨液供給手段)186。洗淨液係通過洗淨液供給管(洗淨液供給手段)187而供給至洗淨液噴嘴186。於洗淨液供給管187插裝有洗淨液閥(洗淨液供給手段)188。藉由打開洗淨液閥188，可對洗淨液噴嘴186供給洗淨液，而使洗淨液自洗淨液噴嘴186之吐出口吐出。
若在排液閥185開閉之狀態下自洗淨液噴嘴186吐出洗淨液，洗淨液就會被導引至底部182，而積存於洗淨箱180內。又，積存於洗淨箱180內之洗淨液，係藉由打開排液閥185而自排液口183排液，並通過排液配管184進行排液。
於較周壁181之上端緣略微下方位置，配置有用以對加熱器頭35之外表面供給作為乾燥用氣體之一例之氮氣的乾燥用氣體噴嘴(乾燥用氣體噴附手段)189。於該實施形態中，具備有複數個(例如一對)乾燥用氣體噴嘴189。一對乾燥用氣體噴嘴189例如係以其吐出口隔著洗淨箱180之中心軸線而對向之方式以相同之高度配設於周壁 181。
乾燥用氣體係通過乾燥用氣體供給管(乾燥用氣體噴附手段)190供給至各乾燥用氣體噴嘴189。於各乾燥用氣體供給管190插裝有乾燥用氣體閥(乾燥用氣體噴附手段)191。藉由打開乾燥用氣體閥191，可對對應之乾燥用氣體噴嘴189供給乾燥用氣體。自各乾燥用氣體噴嘴189，可朝向洗淨箱180之內側大致水平地吐出乾燥用氣體。
圖13係表示基板處理裝置101之電性構成之方塊圖。於圖13中，對上述圖4所示之各部之對應部分，標示相同之元件符號。基板處理裝置101具備有包含微電腦之構成之控制裝置55。於控制裝置55，連接有夾頭旋轉驅動機構6、放大器54、擺動驅動機構36、升降驅動機構37、第1液臂擺動機構12、第2液臂擺動機構29、剝離液閥23、DIW閥27、SC1閥31、排液閥185、洗淨液閥188、乾燥用氣體閥191等作為控制對象。
基板處理裝置101之光阻去除處理之例子，實質上與上述實施形態相同。亦即，已參照圖5、圖6A、圖6B、及圖7而說明之光阻去除處理亦可藉由基板處理裝置101進行。然而，由於加熱器頭洗淨乾燥步驟(圖5之步驟S10)之內容不同，因此如下進行說明。
於加熱器頭35位於初始位置時，加熱器頭35係收容於洗淨箱180內。亦即，藉由控制裝置55可驅動擺動驅動機構36，可以加熱器頭35配置至洗淨箱180上表面之鉛垂上方之方式移動加熱器臂34。而且，藉由控制裝置55可控制升降驅動機構37，使加熱器臂34及加熱器頭35朝鉛垂下方下降至加熱器頭35到達初始位置為止。若加熱器頭35到達初始位置，就會於該位置進行待機。於初始位置，加熱器頭35之至少燈箱40之整體(較佳為加熱器頭35之整體)係收容於 洗淨箱180內。
於該實施形態中，加熱器頭35係於初始位置洗淨，而並非於旋轉基底8之上方洗淨。因此，即便並非在晶圓W之搬出後，亦即，即便在旋轉基底8上存在有晶圓W時，只要為不使用之狀態，就可洗淨加熱器頭35。亦即，可不侷限於光阻去除處理之進行狀況，而洗淨加熱器頭35。因此，加熱器頭35之洗淨時間點，可設為除其使用時間點外之任意時間點。具體而言，例如亦可於SPM液膜加熱步驟(圖5所示之步驟S4)結束後，對返回至初始位置之加熱器頭35實施洗淨處理或乾燥處理(圖5以二點鏈線所示之步驟S20：加熱器頭洗淨乾燥步驟)。又，若為SPM液膜加熱步驟後，則可於其他時間點執行加熱器頭洗淨乾燥步驟。
圖14係表示加熱器頭洗淨乾燥步驟之一例之流程圖。圖15A係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之洗淨處理之圖解性之圖，圖15B及圖15C係用以說明加熱器頭洗淨乾燥步驟中之乾燥處理之圖解性之圖。
若成為既定之洗淨時間點，控制裝置55就會關閉排液閥185，而打開洗淨液閥188(步驟S31)。若在排液閥185關閉之狀態下，自洗淨液噴嘴186吐出洗淨液，則如圖15A所示，洗淨液係於洗淨箱180內被引導至底部182而積存於洗淨箱180內。自洗淨液噴嘴186之洗淨液之吐出係持續進行至積存於洗淨箱180內之處理液之液面高度到達預先規定的洗淨高度為止。該洗淨高度係設定於較位於初始位置之加熱器頭35之下表面52B更上方位置。因此，在積存於洗淨箱180之洗淨液之液面到達洗淨高度之情形時，燈箱40下部分之外表面(下表面52B及燈箱40之周壁下部分之外周面)係處於浸漬於洗淨液 之狀態。
若積存於洗淨箱180之洗淨液之液面高度到達洗淨高度(於步驟S32中為是(YES))，控制裝置55就會關閉洗淨液閥188(步驟S33)。藉此，停止自洗淨液噴嘴186之洗淨液之供給。例如，亦可藉由液面感測器(未圖示)檢測洗淨液之液面高度，並根據來自該液面感測器之檢測輸出，而由控制裝置55判斷液面到達洗淨高度。又，亦可預先規定儲液時間，而於自打開洗淨液閥188起經過上述儲液時間之時間點後關閉洗淨液閥188，該儲液時間係自於洗淨箱180內完全未積存有洗淨液之狀態起，至洗淨箱180內之液面高度到達洗淨高度為止之時間。
藉由燈箱40之下表面52B於洗淨液中之浸漬，可沖洗掉附著於燈箱40之下表面52B的SPM液薄霧等異物。其後，維持積存於洗淨箱180之洗淨液之量，藉此，可維持燈箱40下部分之外表面於洗淨液中之浸漬。
若從關閉洗淨液閥188起經過預先規定之洗淨處理時間(浸漬時間)(於步驟S34中為是(YES))，控制裝置55就會打開排液閥185(步驟S35)。積存於洗淨箱180內之洗淨液，藉由打開排液閥185，可自排液口183通過排液配管184進行排液。藉此，使燈箱40下部分之外表面於洗淨液中之浸漬結束。
接著，執行圖15B及圖15C所示之乾燥處理。
於自洗淨箱180內排放洗淨液後，控制裝置55係打開各乾燥用氣體閥191(步驟S36)。藉此，自各乾燥用氣體噴嘴189之吐出口將乾燥用氣體朝向洗淨箱180之內側大致水平地吐出。
又，控制裝置55係控制升降驅動機構37，使加熱器頭 35上升。藉此，可使乾燥用氣體噴嘴189之吐出口，對向於燈箱40之周壁外周面。
其後，控制裝置55係控制升降驅動機構37，使加熱器頭35於預先規定之上位置(於圖15B中以實線所示之位置)、與中間位置(於圖15B中以二點鏈線所示之位置，於圖15C中以實線所示之位置)之間升降(步驟S37)。於加熱器頭35之上位置，加熱器頭35之下表面52B係位於乾燥用氣體噴嘴189之吐出口之側方。因此，上位置係高於初始位置。加熱器頭35之中間位置係設定於上位置與初始位置之間。於該中間位置，在加熱器頭35之外周面(燈箱40之外周面)中，於上述洗淨處理中浸漬於洗淨液的部分，係位於較乾燥用氣體噴嘴189之吐出口更下方。
伴隨著加熱器頭35之升降，燈箱40之周壁外周面之下部分之乾燥用氣體的噴附位置(供給位置)亦進行上下移動(升降)。因此，可對燈箱40之周壁外周面之大範圍噴附乾燥用氣體。藉此，可吹掉而去除附著於燈箱40之周壁外周面下部分之洗淨液。
又，如圖15B所示，於加熱器頭35位於上位置時，自乾燥用氣體噴嘴189所吐出之乾燥用氣體，係於燈箱40之下表面52B之略微下方，沿下表面52B流動。藉由如上述流動之乾燥用氣體，可吹掉而去除附著於下表面52B之洗淨液。自加熱器頭35所飛散之洗淨液係由周壁181所承接。因此，可抑制或防止洗淨液之液滴朝洗淨箱180外飛散。
於加熱器頭35之升降動作時，控制裝置55亦可以如下方式控制升降驅動機構37：於使加熱器頭35上升至上位置後且開始下降前，暫時停止升降動作，使加熱器頭35維持上位置之狀態既定時間。 於該情形時，可更有效地自燈箱40之下表面52B去除洗淨液。
而且，控制裝置55係與步驟S36中之乾燥用氣體自乾燥用氣體噴嘴189之吐出並行地，控制放大器54，自紅外線燈38放射紅外線(步驟S38，加熱乾燥步驟)。藉此，使燈箱40升溫而蒸發去除附著於燈箱40下部分之洗淨液。
自乾燥用氣體噴嘴189之乾燥用氣體之吐出、及自紅外線燈38之紅外線之放射係從開始自紅外線燈38之紅外線之放射，持續進行至經過預先規定之乾燥處理時間為止。
若經過乾燥處理時間(於步驟S39中為是(YES))，控制裝置55就會關閉各乾燥用氣體閥191(步驟S40)，而停止自乾燥用氣體噴嘴189之乾燥用氣體之吐出。又，控制裝置55係控制放大器54，而停止自紅外線燈38之紅外線之放射(步驟S40)。
又，控制裝置55係控制升降驅動機構37，使加熱器頭35下降，返回至初始位置(步驟S41)。
如此，結束加熱器頭洗淨乾燥步驟。
藉由以上內容，根據該實施形態，於對各晶圓W之光阻去除處理中，可執行用以洗淨加熱器頭35之洗淨處理。於執行該洗淨處理時，加熱器頭35係配置於初始位置。又，關閉排液閥185，自洗淨液噴嘴186供給洗淨液，可藉此使洗淨液積存於洗淨箱180。藉由使燈箱40下部之外表面浸漬於積存在洗淨箱180中之洗淨液中，可洗淨包含下表面52B之燈箱40下部分之外表面。
於SPM液膜加熱步驟(圖5所示之步驟S4)中所產生大量之SPM液薄霧存在有附著於燈箱40之下表面52B的情形。該SPM薄霧可藉由供給至燈箱40之下表面52B之洗淨液而沖洗掉。藉此，可 良好地洗淨燈箱40之下表面52B，從而可將燈箱40之下表面52B保持為清潔之狀態。因此，可防止放出至燈箱40外之紅外線之照射光量減少，且可防止燈箱40之下表面52B成為微粒產生來源。
又，於加熱器頭35之洗淨處理後，可乾燥包含下表面52B之燈箱40下部分之外表面。藉此，可防止洗淨液殘留於燈箱40下部分之外表面，而對晶圓W之處理造成不良影響。
圖16係表示洗淨箱(收容構件)之另一構成例之圖。圖17係自圖16之剖面線A-A所觀察之剖面圖。圖16及圖17所示之洗淨箱280係於圖11所示之構成中，可取代洗淨箱180進行搭載而使用。
於圖16等之中，與圖12所示之各部對應之部分係以相同之元件符號表示並省略說明。
於該洗淨箱280中，在洗淨箱280之圓板狀之底部282，配設有複數個(例如4個)洗淨液噴嘴111。各洗淨液噴嘴111，具有用以將洗淨液朝向加熱器頭35之下表面52B吐出之洗淨液吐出口110。
如圖16及圖17所示，各洗淨液吐出口110係於底部282之周緣部，等間隔地配設於圓周方向上。各洗淨液吐出口110之吐出方向係於鉛垂方向上傾斜既定角度(例如30°~60°)而朝向上方，且朝向圓筒狀之洗淨箱180之中心軸線方向之方向。洗淨液係通過洗淨液供給管112而供給至各洗淨液噴嘴111。於各洗淨液供給管112插裝有洗淨液閥113。藉由打開洗淨液閥113，可使洗淨液供給至對應之洗淨液噴嘴111，而使洗淨液自洗淨液噴嘴111之洗淨液吐出口110吐出。
於該洗淨箱280中，可執行與圖12等所示之洗淨箱180之洗淨處理不同之洗淨處理。另一方面，於該洗淨箱280中，可執行與圖12等所示之洗淨箱180之乾燥處理相同之乾燥處理。於洗淨箱280 中，加熱器頭35係於較初始位置略微上方之洗淨位置(圖16所示之位置)接受洗淨處理。
若成為既定之洗淨時間點，就可藉由控制裝置55控制升降驅動機構37，使加熱器頭35上升而配置於設定為較初始位置略微上方且較中間位置(圖15C等所示之位置)更下方之洗淨位置。
又，可打開各洗淨液閥113，而使洗淨液自各洗淨液吐出口110吐出。自各洗淨液吐出口110所吐出之洗淨液係噴注至加熱器頭35之下表面52B。於該實施形態中，自各洗淨液吐出口110所吐出之洗淨液，例如係於圓形之下表面52B上，噴注至連結洗淨液吐出口110與下表面52B中心之直線之中間位置。噴注於下表面52B之洗淨液係於下表面52B傳遞而擴散至其周圍。其後，若從開始自洗淨液噴嘴111之洗淨液之吐出起，經過預先規定之洗淨處理期間，洗淨液閥113就會關閉。排液閥185係跨越洗淨處理之整個期間而處於可打開之狀態。因此，引導至底部282之洗淨液係通過排液配管184排出至機外，而不積存於底部282。
根據該洗淨箱280，藉由供給至燈箱40之下表面52B之洗淨液，可沖洗附著於燈箱40之下表面52B的SPM液薄霧等異物。藉此，可良好地洗淨燈箱40之下表面52B。
其後，參照圖15B及圖15C執行上述之乾燥處理。
圖18係又一構成例之洗淨箱(收容構件)380之圖。圖19係自圖18之剖面線B-B所觀察之剖面圖。圖18及圖19所示之洗淨箱380，係於圖11所示之構成中，可取代洗淨箱180進行搭載使用。
於圖18等之中，與圖12所示之各部對應之部分係以相同之元件符號表示並省略說明。
於該洗淨箱380中，在洗淨箱380之圓板狀之底部382配設有複數個(例如5個，於圖18中僅圖示3個)洗淨液噴嘴201。各洗淨液噴嘴201，具有用以將洗淨液朝向加熱器頭35之下表面52B吐出之洗淨液吐出口200。又，由於洗淨液吐出口200亦配設於底部382之中央部，因此於底部382之周緣部配置有排液口283。
複數個洗淨液吐出口200具備有：1個中央吐出口200A，其對向於位於初始位置之加熱器頭35之下表面52B中心的下方；及複數個(例如4個)周緣吐出口200B，其對向於該下表面52B周緣部之下方。各周緣吐出口200B係於底部382之周緣部，等間隔地配設於圓周方向上。各洗淨液吐出口200A、200B之吐出方向為鉛垂上方。於各洗淨液噴嘴201係通過洗淨液供給管202而供給有洗淨液。於洗淨液供給管202插裝有洗淨液閥203。藉由打開洗淨液閥203，對洗淨液噴嘴201供給洗淨液，而自洗淨液噴嘴201之洗淨液吐出口200(200A、200B)吐出洗淨液。
於該洗淨箱380中，可執行與圖12等所示之洗淨箱180之洗淨處理不同之洗淨處理。另一方面，於該洗淨箱380中，可執行與圖12等所示之洗淨箱180之乾燥處理相同之乾燥處理。於洗淨箱380中，加熱器頭35係與圖16等所示之洗淨箱280之情形同樣地，於洗淨位置(圖18所示之位置)接受洗淨處理。
於將加熱器頭35配置於洗淨位置後，打開洗淨液閥203，而自各洗淨液吐出口200(200A、200B)吐出洗淨液。自各洗淨液吐出口200所吐出之洗淨液係噴注至加熱器頭35之下表面52B，且於下表面52B傳遞而擴散至其周圍。其後，若從開始自洗淨液噴嘴201之洗淨液之吐出起，經過預先規定之洗淨處理期間，洗淨液閥203就 會關閉。排液閥185係跨越洗淨處理之整個期間而處於可打開之狀態。因此，引至底部382之洗淨液係通過排液配管184排出至機外，而不積存於底部382。
如此一來，藉由供給至燈箱40之下表面52B之洗淨液，可沖洗掉附著於燈箱40之下表面52B的SPM液薄霧等異物。藉此，可良好地洗淨燈箱40之下表面52B。
其後，參照圖15B及圖15C執行上述之乾燥處理。
對於參照圖12~圖19所說明之實施形態，可實現如下之變形。
於圖16之洗淨箱280及圖17之洗淨箱380中，無需於其等之內部積存洗淨液。因此，亦可採用自洗淨箱280、380拆除排液閥185之構成。
又，乾燥用氣體噴嘴189之個數並不限定於2個，亦可設置3個以上之乾燥用氣體噴嘴189。於該情形時，較佳為複數個乾燥用氣體噴嘴189係配置於相同之高度，而且，較佳為等間隔地配設於圓周方向上。
又，乾燥用氣體噴嘴189之吐出方向亦可為傾斜向下而並非水平。
又，乾燥用氣體噴嘴189可不需設置於洗淨箱之周壁181，而可配置於較洗淨箱180、280、380之上表面更上方(即洗淨箱外)。
又，於上述實施形態中，已以如下內容為例進行說明：於加熱器頭35之乾燥處理中，藉由噴附來自乾燥用氣體噴嘴189之乾燥用氣體而吹掉之噴吹乾燥與利用紅外線燈38使燈箱40升溫之加熱 乾燥之雙方，使燈箱40之外表面乾燥。然而，亦可不進行利用乾燥用氣體之噴吹乾燥，而僅利用紅外線燈38之加熱乾燥，藉此對燈箱40之外表面進行乾燥。
又，於自處理室2搬出晶圓W後進行加熱器頭洗淨乾燥步驟之情形時，亦可與加熱器頭洗淨乾燥步驟之執行一併，進行加熱器臂34之洗淨。加熱器臂34之洗淨例如可使用分別地配設於處理室2內之桿式噴嘴(未圖示)而洗淨加熱器臂34。桿式噴嘴係使朝向鉛垂下方之多個吐出口沿水平方向排列成一列或複數列，且例如配置於處理室2內之上部區域。於該情形時，加熱器臂34係在與桿式噴嘴之下方對向配置之狀態下，自桿式噴嘴之各吐出口吐出洗淨液。藉此，使洗淨液灑落至加熱器臂34之外表面，從而洗淨加熱器臂34之外表面。
而且，於自處理室2搬出晶圓W後進行加熱器頭洗淨乾燥步驟之情形時，亦可與步驟S10之加熱器頭洗淨乾燥步驟之執行一併，進行處理室2內之洗淨(腔室洗淨)。
又，關於參照圖1~圖19所說明之上述2個實施形態，可實現如下之變形。
亦即，已列舉使用DIW作為用於洗淨處理之洗淨液之情形為例進行說明。然而，洗淨液並不限定於DIW，亦可採用稀釋氫氟酸(DHF)水溶液、碳酸水、電解離子水、臭氧水等作為洗淨液。而且，於使用稀釋氫氟酸水溶液等藥液作為洗淨液之情形時，亦可在將洗淨液供給於加熱器頭35後，使用DIW或碳酸水等實施用以自加熱器頭35沖洗洗淨液之淋洗處理。
又，雖然已列舉氮氣作為乾燥用氣體之一例，但亦可將 清潔空氣或其他惰性氣體作為乾燥用氣體使用。
又，亦可將上述實施形態應用於使用磷酸等高溫之蝕刻液而選擇性地蝕刻基板之主面之氮化膜的基板處理裝置所具備加熱器之洗淨方法。
雖然已詳細地對本發明之實施形態進行說明，但該等說明僅是為了明確本發明之技術內容而使用之具體例，本發明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍係僅由隨附之申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2012年3月23日向日本專利廳提出之日本專利特願2012-68082號、及日本專利特願2012-68083號，且該等申請案之所有揭示係以引用之形式編入至本文中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理室
2A‧‧‧間隔壁
3‧‧‧晶圓旋轉機
4‧‧‧剝離液噴嘴
5‧‧‧護罩
6‧‧‧夾頭旋轉驅動機構
7‧‧‧旋轉軸
8‧‧‧旋轉基底
9‧‧‧挾持構件
11‧‧‧第1液臂
12‧‧‧第1液臂擺動機構
15‧‧‧剝離液供給管
23‧‧‧剝離液閥
24‧‧‧剝離液噴嘴
25‧‧‧SC1噴嘴
26‧‧‧DIW供給管
27‧‧‧DIW閥
28‧‧‧第2液臂
29‧‧‧第2液臂擺動機構
30‧‧‧SC1供給管
31‧‧‧SC1閥
33‧‧‧支持軸
34‧‧‧加熱器臂
35‧‧‧加熱器頭
36‧‧‧擺動驅動機構
37‧‧‧升降驅動機構
38‧‧‧紅外線燈
40‧‧‧燈箱
52B‧‧‧下表面
80‧‧‧背面側液體供給管
81‧‧‧背面側氣體供給管
82‧‧‧背面噴嘴
84‧‧‧背面液體吐出口
85‧‧‧背面氣體吐出口
86‧‧‧洗淨液下供給管
87‧‧‧洗淨液下閥
88‧‧‧乾燥用氣體下供給管
89‧‧‧乾燥用氣體下閥
90‧‧‧洗淨液上供給管
91‧‧‧洗淨液上閥
92‧‧‧乾燥用氣體上供給管
93‧‧‧乾燥用氣體上閥
94‧‧‧洗淨液上噴嘴
95‧‧‧乾燥用氣體上噴嘴
C‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種加熱器洗淨方法，其係洗淨加熱器之方法，該加熱器具有紅外線燈與外殼，且與藉由基板保持手段所保持的基板之上表面對向地配置，用以對該上表面進行加熱；上述加熱器洗淨方法包含如下步驟：加熱器配置步驟，其係對向於由上述基板保持手段所保持的基板之下表面，於具有朝向上方吐出液體之第1吐出口之下噴嘴上方的加熱器洗淨位置，以對向於上述第1吐出口之方式配置上述加熱器；及下洗淨液吐出步驟，其係在未將基板保持於上述基板保持手段之狀態下，對上述下噴嘴供給洗淨液，使洗淨液自上述第1吐出口朝向上方吐出，藉此對配置於上述加熱器洗淨位置之上述加熱器之上述外殼之外表面供給洗淨液。
  2. 如申請專利範圍第1項之加熱器洗淨方法，其中，更包含上洗淨液吐出步驟，該上洗淨液吐出步驟係與上述下洗淨液吐出步驟並行，自配設於上述第1吐出口上方之上噴嘴朝向下方吐出洗淨液，藉此對上述外殼之外表面供給洗淨液。
  3. 如申請專利範圍第1項之加熱器洗淨方法，其中，更包含附液位置移動步驟，該附液位置移動步驟係與上述下洗淨液吐出步驟並行，使自上述第1吐出口所吐出之洗淨液於上述外殼之外表面上的附液位置移動。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之加熱器洗淨方法，其中，更包含乾燥步驟，該乾燥步驟係於上述下洗淨液供給步驟結束後，去除附著於上述外殼外表面之洗淨液。
  5. 如申請專利範圍第4項之加熱器洗淨方法，其中，上述乾燥步驟包含加熱乾燥步驟，該加熱乾燥步驟係自上述紅外線燈對上述外殼照 射紅外線，加熱上述外殼之外表面而使其乾燥。
  6. 如申請專利範圍第4項之加熱器洗淨方法，其中，上述下噴嘴更具有用以朝向上方吐出氣體之第2吐出口，上述乾燥步驟包含下乾燥用氣體噴附步驟，該下乾燥用氣體噴附步驟係對上述下噴嘴供給乾燥用氣體，並自上述第2吐出口朝向上方噴附乾燥用氣體，藉此對配置於上述加熱器洗淨位置之上述加熱器之上述外殼之外表面供給乾燥用氣體。
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