JP7096693B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１に記載されている基板処理装置は、ウエハに対して、シリコン窒化膜のエッチング処理を実行するための枚葉型の装置である。エッチング処理は、ウエハの表面から、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするための処理である。エッチング処理では、エッチング液として燐酸水溶液が使用される。
具体的には、基板処理装置は、ウエハの表面に燐酸水溶液を供給して、スピンチャックに保持されているウエハの表面にリン酸水溶液の液膜を形成する。そして、基板処理装置は、燐酸水溶液の液膜をホットプレートにより加熱して、燐酸水溶液の液膜を昇温する。その結果、燐酸水溶液のシリコン窒化膜に対する反応速度が高められて、エッチングレートを高めることができる。
特開２０１５－５３３３３号公報
本願の発明者は、枚葉型の基板処理装置において、複数のウエハ間でのエッチングレートの変化を更に抑制して、複数のウエハ間での処理結果のバラツキを更に抑制することに着目した。特に近年、複数のウエハ間での処理結果の若干のバラツキでさえも抑制することを要求される場合がある。
そして、本願の発明者は、枚葉型の基板処理装置において、燐酸水溶液のような高温の処理液を使用して、複数のウエハに対して連続的にエッチング処理を実行すると、処理液の熱放射（熱ふく射）によってスピンベースに熱が蓄積されることを突き止めた。さらに、スピンベースに蓄積される熱の影響によって、１枚の基板を処理する度にエッチングレートが徐々に上昇し得ることを突き止めた。
換言すれば、スピンベースが熱を蓄積することの影響によって、複数の基板間で処理レートが若干変化し得ることを突き止めた。
そこで、本願の発明者は、スピンベースの熱の蓄積の観点から、基板処理方法及び基板処理装置について鋭意研究を行った。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の基板間で処理レートが変化することを抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理方法は、温度調節工程と、処理工程とを含む。温度調節工程では、基板を保持して回転する基板保持部に流体を供給して、前記基板保持部の温度を調節する。処理工程では、前記基板を処理液によって処理する。前記基板保持部は、回転するスピンベースを含む。前記温度調節工程では、前記スピンベースに前記流体を直接供給して、前記スピンベースの温度を調節する。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記処理工程と異なる時間帯で単独の工程として実行されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記処理工程と異なる工程又は前記処理工程と並行して実行されることが好ましい。
本発明の基板処理方法は、前記基板を洗浄する洗浄工程と、前記基板を乾燥する乾燥工程とをさらに含むことが好ましい。前記温度調節工程での前記基板保持部の回転数は、前記洗浄工程、前記乾燥工程、又は前記処理工程での前記基板保持部の回転数よりも低いことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記処理工程の１つ前の工程として実行されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記基板保持部の温度を測定する工程と、前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程とを含むことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する工程と、前記基板保持部の温度が前記第１閾値よりも高いと判定されたときに、前記基板保持部に前記流体を供給して、前記基板保持部の温度が第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程とを含むことが好ましい。前記第１所定温度は、前記第１閾値の示す温度以下の温度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記基板保持部の温度を測定する工程と、前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程とを含むことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する工程と、前記基板保持部の温度が第２閾値よりも高いか否かを判定する工程とを含むことが好ましい。前記第２閾値の示す温度は、前記第１閾値の示す温度よりも高いことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が、前記第２閾値よりも高くないと判定されるとともに、前記第１閾値よりも高いと判定されたときに、第１流量を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程と、前記基板保持部の温度が前記第２閾値よりも高いと判定されたときに、第２流量を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が前記第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程とをさらに含むことが好ましい。前記第２流量は、前記第１流量よりも多く、前記第１所定温度は、前記第１閾値の示す温度以下の温度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記基板保持部の温度を測定する工程と、前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程とを含むことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が第３閾値よりも低いか否かを判定する工程と、前記基板保持部の温度が前記第３閾値よりも低いと判定されたときに、前記基板保持部に前記流体を供給して、前記基板保持部の温度が第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程とを含むことが好ましい。前記第２所定温度は、前記第３閾値の示す温度以上の温度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記温度調節工程は、前記基板保持部の温度を測定する工程と、前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程とを含むことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が第３閾値よりも高いか否かを判定する工程と、前記基板保持部の温度が第４閾値よりも高いか否かを判定する工程とを含むことが好ましい。前記第４閾値の示す温度は、前記第３閾値の示す温度よりも低いことが好ましい。前記流体を制御する前記工程は、前記基板保持部の温度が、前記第４閾値よりも低くないと判定されるとともに、前記第３閾値よりも低いと判定されたときに、第３流量及び第１温度を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程と、前記基板保持部の温度が前記第４閾値よりも低いと判定されたときに、第４流量及び／又は第２温度を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が前記第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程とをさらに含むことが好ましい。前記第４流量は、前記第３流量よりも多く、前記第２温度は、前記第１温度よりも高く、前記第２所定温度は、前記第３閾値の示す温度以上の温度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記第２所定温度は、前記基板保持部の温度が飽和するときの飽和温度を示すことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記流体は、不活性ガス、脱イオン水、又は、炭酸水を含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含むことが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、基板を処理液によって処理する。基板処理装置は、基板保持部と、ノズルと、流体ノズルと、温度測定部と、制御部とを備える。基板保持部は、回転するスピンベースを含み、前記基板を保持する。ノズルは、前記基板保持部に保持される前記基板の上面に前記処理液を供給する。流体ノズルは、前記スピンベースに流体を供給する。温度測定部は、前記スピンベースの温度を測定する。制御部は、前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給する前記流体を制御する。
本発明の基板処理装置は、前記流体ノズルへ供給される前記流体の供給量を調節する流体供給調節部をさらに備えることが好ましい。前記制御部は、前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体供給調節部を制御することで、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給される前記流体の流量を制御することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、前記流体ノズルへ供給される前記流体の温度を調節する流体温度調節部をさらに備えることが好ましい。前記制御部は、前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体温度調節部を制御することで、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給される前記流体の温度を調整することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記基板保持部は、前記スピンベースに設けられる複数のチャック部材をさらに含むことが好ましい。前記複数のチャック部材は、前記基板を保持することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記温度測定部は、熱電対、放射温度計、又は、赤外線サーモグラフィーを含むことが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記流体ノズルは、第１吐出口と、第２吐出口とを含み、前記流体ノズルは、前記第１吐出口から前記スピンベースに前記流体を供給し、前記第２吐出口から前記基板の裏面に前記流体を供給することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記第１吐出口は、前記スピンベースの径方向外側に向かって開口することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、第１閾値および第１所定温度を記憶する記憶部をさらに備えることが好ましい。前記制御部は、前記温度測定部により取得された情報に基づき、前記スピンベースの温度が前記第１閾値の示す温度よりも高いか否かを判定し、前記スピンベースの温度が前記第１閾値の示す温度よりも高いと判定されたときに前記スピンベースに前記流体を供給することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、第３閾値を記憶する記憶部をさらに備えることが好ましい。前記制御部は、前記温度測定部により取得された情報に基づき、前記スピンベースの温度が前記第３閾値の示す温度よりも低いか否かを判定し、前記スピンベースの温度が前記第３閾値よりも低いと判定されたときに前記スピンベースに前記流体を供給することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記流体ノズルは、前記スピンベースの中央部に設けられた貫通孔から前記基板側へ突出していることが好ましい。前記流体ノズルは、前記流体が吐出される吐出口と、前記吐出口の周囲から前記スピンベースに向かって傾斜する傾斜面とを有することが好ましい。前記流体ノズルは、前記吐出口から吐出された前記流体の少なくとも一部が、前記傾斜面に沿って流れて前記スピンベースの表面に供給されるように前記流体を吐出することが好ましい。
本発明によれば、複数の基板間で処理レートが変化することを抑制できる。
本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置の流体ノズルを示す断面図である。 実施形態１に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 図３の工程Ｓ２のスピンチャック温度調節処理を示すフローチャートである。 図４の工程Ｓ２２の流体制御の第１例を示すフローチャートである。 図４の工程Ｓ２２の流体制御の第２例を示すフローチャートである。 図４の工程Ｓ２２の流体制御の第３例を示すフローチャートである。 図４の工程Ｓ２２の流体制御の第４例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置の流体ノズルを示す側面図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態４に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態５に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施例に係る基板処理装置及び比較例に係る基板処理装置のエッチングレートを示すグラフである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
（実施形態１）
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。
基板処理装置１００は、処理ユニット１と、制御装置３と、バルブＶ１と、供給配管Ｐ１と、バルブＶ２と、供給配管Ｐ２とを備える。
処理ユニット１は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。具体的には、処理ユニット１は、チャンバー５と、スピンチャック７と、スピンモーター９と、ノズル１１と、ノズル移動部１３と、ノズル１５と、複数のガード２５（実施形態１では２つのガード２５）と、温度測定部２７と、流体ノズル２９とを含む。
チャンバー５は略箱形状を有する。チャンバー５は、基板Ｗ、スピンチャック７、スピンモーター９、ノズル１１、ノズル移動部１３、ノズル１５、ガード２５、温度測定部２７、流体ノズル２９、供給配管Ｐ１の一部、及び供給配管Ｐ２の一部を収容する。
スピンチャック７は、基板Ｗを保持して回転する。スピンチャック７は「基板保持部」の一例に相当する。具体的には、スピンチャック７は、チャンバー５内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の回りに基板Ｗを回転させる。
スピンチャック７は、複数のチャック部材７０と、スピンベース７１とを含む。複数のチャック部材７０はスピンベース７１に設けられる。複数のチャック部材７０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース７１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材７０を支持する。スピンモーター９は、スピンベース７１を回転軸線ＡＸ１の回りに回転させる。従って、スピンベース７１は回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。その結果、スピンベース７１に設けられた複数のチャック部材７０に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。具体的には、スピンモーター９は、モーター本体９０と、シャフト９１とを含む。シャフト９１はスピンベース７１に結合される。そして、モーター本体９０は、シャフト９１を回転させることで、スピンベース７１を回転させる。シャフト９１は略筒状である。
ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。本明細書において、処理液とは、基板Ｗを処理する液体のうち、基板Ｗを処理する目的に直接寄与する液体のことである。従って、処理液は、基板Ｗを処理する液体のうちの洗浄液とは区別される。
例えば、基板処理装置１００が基板Ｗに対してエッチング処理を実行する場合は、処理液は燐酸液を含む。エッチング処理を実行する場合は、基板Ｗは、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜が形成された半導体ウエハである。エッチング処理とは、半導体ウエハの表面から、シリコン窒化膜を選択的にエッチングする処理のことである。
例えば、基板処理装置１００が基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行する場合は、処理液は硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。レジスト除去処理を実行する場合は、基板Ｗは、レジストが形成された半導体ウエハである。レジスト除去処理とは、半導体ウエハの表面から、レジストを除去する処理のことである。
燐酸液又はＳＰＭを含む処理液は、高温で使用される処理液の一例である。例えば、燐酸液の温度は１７５℃である。例えば、ＳＰＭの温度は２００℃である。
供給配管Ｐ１はノズル１１に処理液を供給する。バルブＶ１は、ノズル１１に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。
ノズル移動部１３は、回動軸線ＡＸ２の回りに回動して、ノズル１１の処理位置と待機位置との間で、ノズル１１を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック７及びガード２５よりも外側の位置を示す。
ノズル１５は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて洗浄液を吐出する。洗浄液は、リンス液又は洗浄薬液である。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかである。洗浄薬液は、例えば、アルカリ性洗浄薬液である。アルカリ性洗浄薬液は、例えば、アンモニア過酸化水素水混合液（ａｍｍｏｎｉａ－ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＣ１）である。
供給配管Ｐ２はノズル１５に洗浄液を供給する。バルブＶ２は、ノズル１５に対する洗浄液の供給開始と供給停止とを切り替える。
複数のガード２５の各々は略筒形状を有する。複数のガード２５の各々は、基板Ｗから排出された処理液又は洗浄液を受け止める。
温度測定部２７は、スピンチャック７の温度を測定する。そして、温度測定部２７は、スピンチャック７の温度を示す情報を制御装置３に出力する。具体的には、温度測定部２７は、スピンベース７１の温度を測定する。そして、温度測定部２７は、スピンベース７１の温度を示す情報を制御装置３に出力する。
例えば、温度測定部２７は温度センサーを含む。温度センサーは、例えば、熱電対及び計測器を含む。具体的には、熱電対がスピンベース７１に接触する。そして、熱電対が、スピンベース７１の温度を検出して、温度に対応する電圧信号を計測器に出力する。計測器は、電圧信号を温度に変換して、温度を示す情報を制御装置３に出力する。
例えば、温度測定部２７は、放射温度計を含む。放射温度計は、スピンベース７１から放射される赤外線又は可視光線の強度を測定して、スピンベース７１の温度を測定する。そして、放射温度計は、スピンベース７１の温度を示す情報を制御装置３に出力する。
例えば、温度測定部２７は、赤外線サーモグラフィーを含む。赤外線サーモグラフィーは赤外線カメラを含む。赤外線サーモグラフィーは、スピンベース７１から放射される赤外線を赤外線カメラによって検出する。さらに、赤外線サーモグラフィーは、検出された赤外線を表す画像を解析して、スピンベース７１の温度を算出する。そして、赤外線サーモグラフィーは、スピンベース７１の温度を示す情報を制御装置３に出力する。
制御装置３は、制御部３０と、記憶部３１とを含む。制御部３０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部３１は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部３１は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部３１は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部３０のプロセッサーは、記憶部３１の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、処理ユニット１、バルブＶ１、及びバルブＶ２を制御する。
次に、図１及び図２を参照して、流体ノズル２９の詳細を説明する。図２は、流体ノズル２９を示す断面図である。図１及び図２に示すように、流体ノズル２９は回転軸線ＡＸ１上に配置される。流体ノズル２９は「温度調節機構」の一例に相当する。つまり、流体ノズル２９は、流体（以下、「流体ＦＬ」と記載する。）をスピンチャック７に供給して、スピンチャック７の温度を調節する。
従って、実施形態１によれば、例えば、流体ＦＬによってスピンチャック７を冷却できる。その結果、処理液の熱放射（熱ふく射）の影響によってスピンチャック７の温度が上昇することを抑制できる。よって、処理液による処理時のスピンチャック７の温度を略一定温度ＴｃＡに保持できる。従って、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。一定温度ＴｃＡは、例えば、室温Ｔｒｍである。室温Ｔｒｍは、例えば、処理ユニット１の設置された室内の温度である。
又は、実施形態１によれば、例えば、流体ＦＬによってスピンチャック７を加熱できる。従って、処理液による処理時のスピンチャック７の温度を略略一定温度ＴｃＢに保持できる。その結果、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。なお、一定温度ＴｃＢは室温Ｔｒｍよりも高い温度を示す。
複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できると、例えば、次のような利点がある。すなわち、１枚ずつ基板Ｗを連続して処理する際に、複数の基板Ｗ間で処理結果のバラツキを抑制できる。また、例えば、基板Ｗに対してエッチング処理を実行する場合に、エッチングレートの変化を考慮した余分なシリコン窒化膜の生成時間が不要になって、基板Ｗの生産量を向上できる。さらに、処理液によるシリコン窒化膜の削り量が一定になるため、複数の基板Ｗ間でエッチング結果のバラツキを抑制できる。さらに、基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行する場合に、複数の基板Ｗ間でレジスト除去結果のバラツキを抑制できる。
ここで、処理レートとは、処理液によって基板Ｗを処理するときの単位時間当たりの基板Ｗの処理量のことである。例えば、処理液によって基板Ｗ対してエッチング処理を実行するときの処理レートは、エッチングレートを示す。エッチングレートは、単位時間当たりの基板Ｗのエッチング量を示す。例えば、処理液によって基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行するときの処理レートは、レジスト除去レートを示す。レジスト除去レートは、単位時間当たりのレジストの除去量を示す。
また、流体ＦＬをスピンチャック７に供給してスピンチャック７の温度を調節することは、高温の処理液（例えば、燐酸液を含む処理液又はＳＰＭを含む処理液）を使用する場合に特に有効である。処理液が高温であるほど、処理液の熱放射によってスピンチャック７に熱が蓄積するからである。すなわち、実施形態１によれば、高温の処理液を使用する場合であっても、流体ＦＬによる冷却によって、スピンチャック７の温度の上昇を抑制でき、又は、流体ＦＬによる加熱によって、処理液による処理時のスピンチャック７の温度を略一定温度ＴｃＢに保持できる。その結果、高温の処理液を使用する場合であっても、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。
また、実施形態１では、スピンチャック７の温度を調節するための流体ＦＬは、液体又は気体である。特に、流体ＦＬは、不活性ガス、脱イオン水、又は、炭酸水を含むことが好ましい。流体ＦＬが基板Ｗに接触した場合でも、不活性ガス、脱イオン水、及び炭酸水は、基板Ｗにほとんど影響を与えないからである。なお、流体ＦＬは洗浄液（リンス液又は洗浄薬液）と同じ液体であってもよい。
さらに、実施形態１では、具体的には、流体ノズル２９は、スピンベース７１に流体を供給して、スピンベース７１の温度を調節する。従って、流体ＦＬによる冷却によって、スピンベース７１の温度の上昇を抑制できて、スピンベース７１の温度を略一定温度ＴｃＡに保持でき、又は、流体ＦＬによる加熱によって、処理液による処理時のスピンベース７１の温度を略一定温度ＴｃＢに保持できる。その結果、チャック部材７０だけに流体ＦＬを供給する場合と比較して、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを更に抑制できる。スピンベース７１はチャック部材７０よりも熱容量が大きいため、スピンベース７１の蓄熱が処理レートに与える影響のほうが、チャック部材７０の蓄熱が処理レートに与える影響よりも大きいからである。なお、流体ノズル２９はスピンベース７１とチャック部材７０との双方に流体ＦＬを供給してもよい。
引き続き図２を参照して、流体ノズル２９を詳細に説明する。図２に示すように、流体ノズル２９は、スピンモーター９のシャフト９１の内部空間９１ａ及びスピンベース７１の貫通孔７１ａを通って、スピンベース７１の表面７１ｂと裏面７１ｃとのうち表面７１ｂから突出している。流体ノズル２９は、基板Ｗの表面Ｗａと裏面Ｗｂとのうちの裏面Ｗｂに対向する。流体ノズル２９は、基板Ｗに対して、回転軸線ＡＸ１の延びる方向に所定間隔をあけて配置される。流体ノズル２９は、スピンベース７１及びシャフト９１の回転に関係なく静止している。
流体ノズル２９は、流体ＦＬを吐出口２９ａから吐出して、スピンベース７１の表面７１ｂに流体ＦＬを供給する。そして、流体ＦＬは、スピンベース７１の表面７１ｂに広がる。特に、流体ＦＬは、スピンベース７１の回転に基づく遠心力によって、スピンベース７１の表面７１ｂの全体に広がる。吐出口２９ａは上方向に向かって開口している。また、流体ＦＬの一部は、流体ノズル２９の傾斜面２９ｂに沿って流れ、スピンベース７１の表面７１ｂに供給される。
引き続き図２を参照して、流体ノズル２９への流体の供給について説明する。図２に示すように、基板処理装置１００は、流体供給調節部４と、流体温度調節部６と、供給配管Ｐ７とをさらに備える。供給配管Ｐ７は流体ノズル２９に流体ＦＬを供給する。
流体供給調節部４は、流体ノズル２９への流体ＦＬの供給量を調節する。具体的には、流体供給調節部４は、バルブ４０と、流量計４１と、流量調整バルブ４２とを含む。バルブ４０は、流体ノズル２９に対する流体ＦＬの供給開始と供給停止とを切り替える。流量計４１は、流体ノズル２９に供給される流体ＦＬの流量を検出する。流量調整バルブ４２は、流体ノズル２９に供給される流体ＦＬの流量を調整する。処理液は、流量調整バルブ４２の開度に対応する流量で供給配管Ｐ７から流体ノズル２９に供給される。開度は、流量調整バルブ４２が開いている程度を示す。流体温度調節部６は、流体ＦＬの温度を調節する。流体温度調節部６は、例えば、ヒーターを含む。流体温度調節部６は、例えば、流体ＦＬによってスピンチャック７を加熱する場合に、流体ＦＬが特定温度になるように流体ＦＬを加熱する。なお、流体ＦＬによってスピンチャック７を冷却する場合は、流体温度調節部６を設けなくてもよい。
次に、図１～図３を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図３は、基板処理方法を示すフローチャートである。図３に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ６を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００によって実行される。
図１～図３に示すように、工程Ｓ１において、スピンチャック７は基板Ｗを保持する。
次に、工程Ｓ２において、流体ノズル２９がスピンチャック７に流体ＦＬを供給するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。その結果、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７の温度を調節する。具体的には、工程Ｓ２では、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７を冷却する。又は、工程Ｓ２では、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７を加熱する。工程Ｓ２は、「温度調節工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ３において、ノズル１１は、基板Ｗの表面Ｗａに処理液を吐出して、基板Ｗを処理液によって処理する。工程Ｓ３は、「処理工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ４において、ノズル１５は、洗浄液を基板Ｗの表面Ｗａに吐出して、基板Ｗを洗浄する。工程Ｓ３は、「洗浄工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ５において、スピンチャック７は、回転することによって基板Ｗを乾燥する。なお、工程Ｓ５では、基板Ｗを乾燥させるための溶剤（以下、「乾燥用溶剤」と記載する。）を基板Ｗの表面Ｗａに吐出してもよい。乾燥用溶剤は、例えば、脱イオン水よりも表面張力が低いイソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）などの有機溶剤成分を含む液体（低表面張力溶剤）である。工程Ｓ５は、「乾燥工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ６において、搬送ロボットは、スピンチャック７から基板Ｗを取り出す。
以上、図１～図３を参照して説明したように、実施形態１によれば、工程Ｓ２（温度調節工程）では、流体ＦＬによってスピンチャック７を冷却する。従って、処理液の熱放射の影響によってスピンチャック７の温度が上昇することを抑制できて、処理液による処理時のスピンチャック７の温度を略一定温度ＴｃＡに保持できる。又は、工程Ｓ２では、流体ＦＬによってスピンチャック７を加熱する。従って、処理液による処理時のスピンチャック７の温度を略一定温度ＴｃＢに保持できる。以上、工程Ｓ２によって、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。
実施形態１では、具体的には、工程Ｓ２では、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを直接供給して、スピンチャック７の温度を調節する。更に具体的には、工程Ｓ２では、流体ノズル２９は、スピンベース７１（具体的にはスピンベース７１の表面７１ｂ）に流体ＦＬを直接供給して、スピンベース７１の温度を調節する。
また、実施形態１によれば、工程Ｓ２（温度調節工程）は、工程Ｓ１と工程Ｓ３との間に実行される。また、工程Ｓ１の前、工程Ｓ３と工程Ｓ４との間、工程Ｓ４と工程Ｓ５との間、工程Ｓ５と工程Ｓ６との間、又は、工程Ｓ６の後において、工程Ｓ２が実行されてもよい。つまり、工程Ｓ２は、工程Ｓ３と異なる時間帯で単独の工程として実行される。従って、例えば、流体ＦＬと処理液とが混合したり、流体ＦＬと洗浄液とが混合したり、流体ＦＬと乾燥用溶剤とが混合したりすることを抑制できる。その結果、流体ＦＬ、処理液、洗浄液、及び乾燥用溶剤の各々の回収が容易になる。
さらに、実施形態１によれば、工程Ｓ２（温度調節工程）は、工程Ｓ３（処理工程）の１つ前の工程として実行される。従って、流体ＦＬによってスピンチャック７を加熱する場合、工程Ｓ３での処理液による基板Ｗの処理の直前に、各基板Ｗに対してスピンチャック７の温度を略一定温度ＴｃＢに保持できる。その結果、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを更に抑制できる。
ここで、工程Ｓ２（温度調節工程）でのスピンチャック７の回転数は、工程Ｓ３、工程Ｓ４、又は工程Ｓ５でのスピンチャック７の回転数よりも低いことが好ましい。工程Ｓ２でのスピンチャック７の回転数が低い程、流体ＦＬがスピンベース７１の表面７１ｂに滞在し易く、スピンベース７１を流体ＦＬによって効果的に冷却又は加熱できるからである。なお、スピンチャック７の回転数は、単位時間当たりのスピンチャック７の回転数（ｒｐｍ）を示す。
具体的には、工程Ｓ２のスピンチャック７の回転数Ｎ１（例えば１０ｒｐｍ）は、工程Ｓ５でのスピンチャック７の回転数Ｎ５（例えば１５００ｒｐｍ）よりも低いことが好ましく、工程Ｓ４でのスピンチャック７の回転数Ｎ４（例えば１０００ｒｐｍ）よりも低いことが更に好ましく、工程Ｓ３でのスピンチャック７の回転数Ｎ３（例えば２００ｒｐｍ）よりも低いことが更に好ましい。
また、工程Ｓ２（温度調節工程）では、流体ノズル２９は、基板Ｗの温度に影響を与えない程度の流量で、スピンチャック７に流体ＦＬを供給することが好ましい。例えば、工程Ｓ２では、流体ノズル２９によって、流体ＦＬが基板Ｗに直接接触することなく、流体ＦＬがスピンチャック７に供給される。
次に、図１～図４を参照して、図３の工程Ｓ２の詳細を説明する。図４は、図３の工程Ｓ２のスピンチャック温度調節処理を示すフローチャートである。図４に示すように、スピンチャック温度調節処理は工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２を含む。
図１、図２、及び図４に示すように、工程Ｓ２１において、温度測定部２７は、スピンチャック７（具体的にスピンベース７１）の温度Ｔｓｐを測定する。制御部３０は、温度測定部２７から、スピンチャック７の温度Ｔｓｐを示す情報を所定時間間隔で受信する。
工程Ｓ２２において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づいて、スピンチャック７に供給する流体ＦＬを制御する。従って、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度を監視して、スピンチャック７の温度に応じて流体ＦＬを的確に制御できる。工程Ｓ２２は「流体ＦＬを制御する工程」の一例に相当する。
具体的には、工程Ｓ２２では、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づいて流体供給調節部４及び／又は流体温度調節部６を制御して、流体ノズル２９からスピンチャック７に供給する流体ＦＬを制御する。従って、流体ノズル２９は、温度Ｔｓｐに基づく制御の下、スピンチャック７に流体ＦＬを供給する。工程Ｓ２２の完了によって、スピンチャック温度調節処理が完了する。そして、処理は、図３のメインルーチンにリターンし、工程Ｓ３に進む。
なお、工程Ｓ２１では、熱電対、放射温度計、又は、赤外線サーモグラフィーを使用して、スピンチャック７の温度を測定することができる。熱電対を使用する場合は、高精度でスピンチャック７の温度Ｔｓｐを測定できるため、流体ＦＬを更に的確に制御できる。放射温度計を使用する場合は、簡易にスピンチャック７の温度Ｔｓｐを測定できる。赤外線サーモグラフィーを使用する場合は、スピンチャック７の温度分布を測定できるため、スピンチャック７の温度分布に応じた流体ＦＬの制御が可能になる。赤外線サーモグラフィーによって測定されたスピンチャック７の温度分布は、スピンチャック７の蓄熱状況を表す。
次に、図１、図２、図４、及び図５を参照して、図４の工程Ｓ２２の一例を説明する。図５は、図４の工程Ｓ２２の流体制御の第１例を示すフローチャートである。図５に示すように、第１例に係る流体制御は、工程Ｓ３１～工程Ｓ３４を含む。
図１、図２、及び図５に示すように、工程Ｓ３１において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１閾値ＴＨ１よりも高いか否かを判定する。
工程Ｓ３１で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
一方、工程Ｓ３１で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ３２に進む。
工程Ｓ３２において、流体ノズル２９がスピンチャック７に流体ＦＬを供給してスピンチャック７を冷却するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。
工程Ｓ３３において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になったか否かを判定する。第１所定温度Ｔ１は、第１閾値ＴＨ１の示す温度以下の温度を示す。第１所定温度Ｔ１は、例えば、室温Ｔｒｍである。
工程Ｓ３３で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ３２に戻る。
一方、工程Ｓ３３で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ３４に進む。
工程Ｓ３４において、流体ノズル２９がスピンチャック７への流体ＦＬの供給を停止するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。工程Ｓ３４の完了によって、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づく流体制御が完了する。そして、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
以上、図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１閾値ＴＨ１よりも高いと判定されたときに（工程Ｓ３１でＹｅｓ）、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７の温度が第１所定温度Ｔ１になるまでスピンチャック７を冷却する。従って、１枚ずつ基板Ｗを連続して処理する場合において、スピンチャック７の温度の上昇を更に抑制できる。その結果、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを更に抑制できる。
次に、図１、図２、図４、及び図６を参照して、図４の工程Ｓ２２の他の例を説明する。図６は、図４の工程Ｓ２２の流体制御の第２例を示すフローチャートである。図６に示すように、第２例に係る流体制御は、工程Ｓ４１～工程Ｓ４７を含む。
図１、図２、及び図６に示すように、工程Ｓ４１において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２閾値ＴＨ２よりも高いか否かを判定する。第２閾値ＴＨ２の示す温度は、工程Ｓ４４の第１閾値ＴＨ１の示す温度よりも高い。
工程Ｓ４１で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ４２に進む。
一方、工程Ｓ４１で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ４４に進む。
工程Ｓ４４において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１閾値ＴＨ１よりも高いか否かを判定する。
工程Ｓ４４で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
一方、工程Ｓ４４で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ４５に進む。
工程Ｓ４５において、流体ノズル２９が第１流量ＦＷ１を有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給してスピンチャック７を冷却するように、制御部３０は、流体供給調節部４を制御する。
工程Ｓ４６において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になったか否かを判定する。第１所定温度Ｔ１は、第１閾値ＴＨ１の示す温度以下の温度を示す。第１所定温度Ｔ１は、例えば、室温Ｔｒｍを示す。
工程Ｓ４６で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ４５に戻る。
一方、工程Ｓ４６で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ４７に進む。
工程Ｓ４１での肯定判定の後、工程Ｓ４２において、流体ノズル２９が第２流量ＦＷ２を有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給してスピンチャック７を冷却するように、制御部３０は、流体供給調節部４を制御する。第２流量ＦＷ２は第１流量ＦＷ１よりも多い。
工程Ｓ４３において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になったか否かを判定する。
工程Ｓ４３否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ４２に戻る。
一方、工程Ｓ４３で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ４７に進む。
工程Ｓ４３又は工程Ｓ４６での肯定判定の後、工程Ｓ４７において、流体ノズル２９がスピンチャック７への流体の供給を停止するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。工程Ｓ４７の完了によって、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づく流体制御が完了する。そして、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
以上、図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが、第２閾値ＴＨ２よりも高くないと判定されるとともに（工程Ｓ４１でＮｏ）、第１閾値ＴＨ１よりも高いと判定されたときに（工程Ｓ４４でＹｅｓ）、流体ノズル２９は、第１流量ＦＷ１を有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給して、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になるまでスピンチャック７を冷却する。従って、図５を参照して説明した第１例に係る流体制御と同様に、１枚ずつ基板Ｗを連続して処理する場合において、スピンチャック７の温度の上昇を更に抑制できる。
また、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２閾値ＴＨ２よりも高いと判定されたときに（工程Ｓ４１でＹｅｓ）、流体ノズル２９は、第２流量ＦＷ２を有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給して、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になるまでスピンチャック７を冷却する。従って、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが比較的大きく上昇した場合でも、第１流量ＦＷ１よりも多い第２流量ＦＷ２の流体ＦＬをスピンチャック７に供給することで、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第１所定温度Ｔ１になるまでの時間が長くなることを抑制できる。
次に、図１、図２、図４、及び図７を参照して、図４の工程Ｓ２２の更に他の例を説明する。図７は、図４の工程Ｓ２２の流体制御の第３例を示すフローチャートである。図７に示すように、第３例に係る流体制御は、工程Ｓ５１～工程Ｓ５４を含む。
図１、図２、及び図７に示すように、工程Ｓ５１において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第３閾値ＴＨ３よりも低いか否かを判定する。
工程Ｓ５１で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
一方、工程Ｓ５１で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ５２に進む。
工程Ｓ５２において、流体ノズル２９がスピンチャック７に流体を供給してスピンチャック７を加熱するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。なお、流体ＦＬの温度は、流体供給調節部４によって第１温度Ｔｆｔに維持されている。第１温度Ｔｆｔは第２所定温度Ｔ２以上の温度を示す。
工程Ｓ５３において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になったか否かを判定する。第２所定温度Ｔ２は、第３閾値ＴＨ３の示す温度以上の温度を示す。また、第２所定温度Ｔ２は、室温Ｔｒｍよりも高い温度を示す。
工程Ｓ５３で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ５２に戻る。
一方、工程Ｓ５３で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ５４に進む。
工程Ｓ５４において、流体ノズル２９がスピンチャック７への流体の供給を停止するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。工程Ｓ５４の完了によって、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づく流体制御が完了する。そして、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
以上、図７を参照して説明したように、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第３閾値ＴＨ３よりも低いと判定されたときに（工程Ｓ５１でＹｅｓ）、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になるまでスピンチャック７を加熱する。従って、１枚ずつ基板Ｗを連続して処理する場合において、処理液による処理時のスピンチャック７の温度Ｔｓｐを略一定温度ＴｃＢに保持できる。その結果、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。なお、実施形態１では、工程Ｓ３の直前に工程Ｓ２を実行するため（図３）、一定温度ＴｃＢは第２所定温度Ｔ２に略等しい。
ここで、第２所定温度Ｔ２は、スピンチャック７（具体的にはスピンベース７１）の温度Ｔｓｐが飽和するときの飽和温度Ｔｓｔを示すことが好ましい。スピンチャック７の温度Ｔｓｐは飽和温度Ｔｓｔを超えて更に大きくなる可能性は低いため、飽和温度Ｔｓｔを超えて流体ＦＬを加熱することは、流体温度調節部６の電力消費を無駄にするからである。つまり、第２所定温度Ｔ２をスピンチャック７の飽和温度Ｔｓｔに設定することで、流体温度調節部６の消費電力を抑制できる。なお、第２所定温度Ｔ２は飽和温度Ｔｓｔを超える温度であってもよい。
なお、流体ＦＬをスピンチャック７に供給しない場合は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐは、処理液の熱放射の影響により、１枚の基板Ｗを処理する度に徐々に上昇する。そして、実験で求まる処理枚数を超えると、スピンチャック７の温度Ｔｓｐは、一定になり飽和する。温度Ｔｓｐが一定になって飽和したときの温度が飽和温度Ｔｓｔである。
次に、図１、図２、図４、及び図８を参照して、図４の工程Ｓ２２の更に他の例を説明する。図８は、図４の工程Ｓ２２の流体制御の第４例を示すフローチャートである。図８に示すように、第４例に係る流体制御は、工程Ｓ６１～工程Ｓ６７を含む。
図１、図２、及び図８に示すように、工程Ｓ６１において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第４閾値ＴＨ４よりも低いか否かを判定する。第４閾値ＴＨ４の示す温度は、工程Ｓ６４の第３閾値ＴＨ３の示す温度よりも低い。
工程Ｓ６１で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ６２に進む。
一方、工程Ｓ６１で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ６４に進む。
工程Ｓ６４において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第３閾値ＴＨ３よりも低いか否かを判定する。
工程Ｓ６４で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
一方、工程Ｓ６４で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ６５に進む。
工程Ｓ６５において、流体ノズル２９が第３流量ＦＷ３及び第１温度Ｔｆｔを有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給してスピンチャック７を加熱するように、制御部３０は、流体供給調節部４及び流体温度調節部６を制御する。
工程Ｓ６６において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になったか否かを判定する。第２所定温度Ｔ２は、第３閾値ＴＨ３の示す温度以上の温度を示す。
工程Ｓ６６で否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ６５に戻る。
一方、工程Ｓ６６で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ６７に進む。
工程Ｓ６１での肯定判定の後、工程Ｓ６２において、流体ノズル２９が第４流量ＦＷ４及び／又は第２温度Ｔｓｃを有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給してスピンチャック７を加熱するように、制御部３０は、流体供給調節部４及び流体温度調節部６を制御する。第４流量ＦＷ４は第３流量ＦＷ３よりも多い。また、第２温度Ｔｓｃは第１温度Ｔｆｔよりも高い。
工程Ｓ６３において、制御部３０は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になったか否かを判定する。
工程Ｓ６３否定判定（Ｎｏ）されると、処理は工程Ｓ６２に戻る。
一方、工程Ｓ６３で肯定判定（Ｙｅｓ）されると、処理は工程Ｓ６７に進む。
工程Ｓ６３又は工程Ｓ６６での肯定判定の後、工程Ｓ６７において、流体ノズル２９がスピンチャック７への流体の供給を停止するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。工程Ｓ６７の完了によって、スピンチャック７の温度Ｔｓｐに基づく流体制御が完了する。そして、処理は、図４のサブルーチンにリターンし、更に図３のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３に進む。
以上、図８を参照して説明したように、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが、第４閾値ＴＨ４よりも低くないと判定されるとともに（工程Ｓ６１でＮｏ）、第３閾値ＴＨ３よりも低いと判定されたときに（工程Ｓ６４でＹｅｓ）、第３流量ＦＷ３及び第１温度Ｔｆｔを有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給して、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になるまでスピンチャック７を加熱する。従って、図７を参照して説明した第３例に係る流体制御と同様に、１枚ずつ基板Ｗを連続して処理する場合において、処理液による処理時のスピンチャック７の温度Ｔｓｐを略一定温度ＴｃＢに保持できる。
また、実施形態１によれば、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第４閾値ＴＨ４よりも低いと判定されたときに（工程Ｓ６１でＹｅｓ）、第４流量ＦＷ４及び／又は第２温度Ｔｓｃを有する流体ＦＬをスピンチャック７に供給して、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になるまでスピンチャック７を加熱する。従って、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが比較的低い場合でも、第３流量ＦＷ３よりも多い第４流量ＦＷ４の流体ＦＬをスピンチャック７に供給したり、第１温度Ｔｆｔよりも高い第２温度Ｔｓｃの流体ＦＬをスピンチャック７に供給したりすることで、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが第２所定温度Ｔ２になるまでの時間が長くなることを抑制できる。例えば、１枚目の基板Ｗを処理するときに、第４流量ＦＷ４及び／又は第２温度Ｔｓｃを有する流体ＦＬがスピンチャック７に供給される。
（実施形態２）
次に、図１及び図９を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。実施形態２がスピンチャック温度調節処理と他の処理とを並行して実行する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図９は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ７１～工程Ｓ７６を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００によって実行される。
図９に示す工程Ｓ７１、工程Ｓ７２、工程Ｓ７３、工程Ｓ７４、工程Ｓ７５、及び工程Ｓ７６の処理は、それぞれ、図３に示す工程Ｓ１、工程Ｓ３、工程Ｓ４、工程Ｓ２、工程Ｓ５、及び工程Ｓ６の処理と同様であり、適宜説明を省略する。
図１及び図９に示すように、工程Ｓ７１において、スピンチャック７は基板Ｗを保持する。
次に、工程Ｓ７２において、ノズル１１は、基板Ｗの表面Ｗａに処理液を吐出して、基板Ｗを処理液によって処理する。
次に、工程Ｓ７３と工程Ｓ７４とが並行して実行される。
すなわち、工程Ｓ７３において、ノズル１５は、洗浄液を基板Ｗの表面Ｗａに吐出して、基板Ｗを洗浄する。
一方、工程Ｓ７４において、流体ノズル２９がスピンチャック７に流体ＦＬを供給するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。その結果、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７の温度を調節する。工程Ｓ７４の処理は、図３の工程Ｓ２の処理と同様である。
次に、工程Ｓ７５において、スピンチャック７は、回転することによって基板Ｗを乾燥する。
次に、工程Ｓ７６において、搬送ロボットは、スピンチャック７から基板Ｗを取り出す。
以上、図９を参照して説明したように、実施形態２によれば、工程Ｓ７４（温度調節工程）が工程Ｓ７３と並行して実行される。従って、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制しつつ、工程Ｓ７４を実行しない一般的な基板処理方法と同様の時間内で、実施形態２に係る基板処理方法を完了できる。その他、工程Ｓ７４（温度調節工程）は、工程Ｓ７１、工程Ｓ７５、及び工程Ｓ７６のいずれかと並行して実行されてもよい。つまり、工程Ｓ７４は、工程Ｓ７２（処理工程）と異なる工程と並行して実行されてもよい。
また、工程Ｓ７４（温度調節工程）は工程Ｓ７２（処理工程）と並行して実行されてもよい。特に、工程Ｓ７４を工程Ｓ７２と並行して実行する場合は、例えば、工程Ｓ７４を工程Ｓ７２でのプリディスペンス処理と並行して実行する。プリディスペンス処理は、基板Ｗに処理液を吐出する前に、待機ポットのような液受け部に向けて処理液を吐出する処理を示す。
（実施形態３）
次に、図１、図９、及び図１０を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。実施形態３がスピンチャック７に流体ＦＬを供給すると同時に基板Ｗの裏面Ｗｂにも流体ＦＬを供給する点で、実施形態３は実施形態２と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態２と異なる点を主に説明する。
図１及び図９に示すように、実施形態３の工程Ｓ７４（温度調節工程）では、スピンチャック７に流体ＦＬを供給することと並行して、基板Ｗの表面Ｗａと裏面Ｗｂとのうち裏面Ｗｂに、流体ＦＬと同じ流体ＦＬを供給する。従って、実施形態３によれば、例えば、流体ＦＬが洗浄液（リンス液又は洗浄薬液）と同じ液体である場合、スピンチャック７の温度の調節と基板Ｗの裏面Ｗｂの洗浄とを同時に実行できる。なお、スピンチャック７に流体ＦＬを供給することと並行して、基板Ｗの裏面Ｗｂに、流体ＦＬと異なる流体を供給してもよい。
次に、図１０を参照して、実施形態３に係る流体ノズル２９Ａを説明する。図１０は、流体ノズル２９Ａを示す側面図である。図１及び図１０に示すように、実施形態３に係る基板処理装置１００は、図１の流体ノズル２９に代えて、図１０の流体ノズル２９Ａを備える。
図１０に示すように、流体ノズル２９Ａは、基板Ｗに対して、回転軸線ＡＸ１の延びる方向に所定間隔をあけて配置される。流体ノズル２９Ａは、基板Ｗの裏面Ｗｂに対向する。流体ノズル２９Ａは、スピンベース７１及びシャフト９１の回転に関係なく静止している。
流体ノズル２９Ａの第１吐出口２９０は、スピンベース７１の径方向外側に向かって開口している。従って、流体ノズル２９Ａは、流体ＦＬを第１吐出口２９０から吐出して、スピンベース７１の表面７１ｂに流体ＦＬを供給する。具体的には、流体ノズル２９Ａは、流体ＦＬを第１吐出口２９０から吐出して、スピンベース７１の表面７１ｂに流体ＦＬを直接供給する。
一方、流体ノズル２９Ａの第２吐出口２９１は、上方向に向かって開口している。そして、流体ノズル２９Ａは、基板Ｗの裏面Ｗｂに向けて、流体ＦＬを第２吐出口２９１から吐出する。
引き続き図１０を参照して、流体ノズル２９Ａへの流体の供給について説明する。図１０に示すように、基板処理装置１００は、中空の供給配管６０と、第１配管６１と、第２配管６２とをさらに備える。供給配管６０は、スピンモーター９のシャフト９１の内部空間９１ａ及びスピンベース７１の貫通孔７１ａを通って、流体ノズル２９Ａに接続される。第１配管６１は、供給配管６０の内部空間６０ａを通って、流体ノズル２９Ａの第１吐出口２９０に接続される。そして、第１配管６１は供給配管Ｐ７に接続される。その結果、流体ＦＬは、供給配管Ｐ７及び第１配管６１によって流体ノズル２９Ａの第１吐出口２９０に供給される。第２配管６２は、供給配管６０の内部空間６０ａを通って、流体ノズル２９Ａの第２吐出口２９１に接続される。そして、第２配管６２は供給配管Ｐ７に接続される。その結果、流体ＦＬは、供給配管Ｐ７及び第２配管６２によって流体ノズル２９Ａの第２吐出口２９１に供給される。
なお、流体ノズル２９Ａは、第２吐出口２９１から、流体ＦＬと異なる流体を吐出することもできる。この場合は、第２配管６２には、供給配管Ｐ７ではなく、別の供給配管が接続される。また、実施形態１に係る基板処理装置１００は、流体ノズル２９に代えて、流体ノズル２９Ａを備えていてもよい。
（実施形態４）
図１１及び図１２を参照して、本発明の実施形態４に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態４に係る基板処理装置１００Ａが３つのノズル（ノズル１１、ノズル１５、及びノズル１７）及び流体供給ユニット２１を備える点で、実施形態４は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態４が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１１は、基板処理装置１００Ａを示す図である。図１１に示すように、基板処理装置１００Ａは、実施形態１に係る基板処理装置１００の構成に加えて、バルブＶ３と、供給配管Ｐ３と、バルブＶ４と、供給配管Ｐ４と、バルブＶ５と、供給配管Ｐ５と、バルブＶ６と、供給配管Ｐ６とをさらに備える。また、基板処理装置１００Ａの処理ユニット１Ａは、実施形態１に係る処理ユニット１の構成に加えて、ノズル１７と、ノズル移動部１９と、流体供給ユニット２１と、ユニット移動部２６とをさらに備える。
ノズル１７は、基板Ｗに向けてＳＣ１を吐出する。供給配管Ｐ３はノズル１７にＳＣ１を供給する。バルブＶ３は、ノズル１７に対するＳＣ１の供給開始と供給停止とを切り替える。
ノズル移動部１９は、回動軸線ＡＸ３の回りに回動して、ノズル１７の処理位置と待機位置との間で、ノズル１７を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック７及びガード２５よりも外側の位置を示す。
流体供給ユニット２１は、スピンチャック７の上方に位置する。流体供給ユニット２１は、吐出口２２ａから窒素ガス（Ｎ2）を基板Ｗに向けて吐出する。具体的には、吐出口２２ａは供給路２２に接続される。供給路２２は供給配管Ｐ４に接続される。そして、窒素ガスは、供給配管Ｐ４及び供給路２２から吐出口２２ａに供給されて、吐出口２２ａから吐出する。バルブＶ４は、供給路２２に対する窒素ガスの供給開始と供給停止とを切り替える。
流体供給ユニット２１は、吐出口２３ａからリンス液を基板Ｗに向けて吐出する。具体的には、吐出口２３ａは供給路２３に接続される。さらに、供給路２３は供給配管Ｐ５に接続される。そして、リンス液は、供給配管Ｐ５及び供給路２３から吐出口２３ａに供給されて、吐出口２３ａから吐出する。バルブＶ５は、供給路２３に対するリンス液の供給開始と供給停止とを切り替える。
流体供給ユニット２１は、吐出口２４ａからＩＰＡを基板Ｗに向けて吐出する。具体的には、吐出口２４ａは供給路２４に接続される。さらに、供給路２４は供給配管Ｐ４に接続される。そして、ＩＰＡは、供給配管Ｐ６及び供給路２４から吐出口２４ａに供給されて、吐出口２４ａから吐出する。バルブＶ６は、供給路２４に対するＩＰＡの供給開始と供給停止とを切り替える。
ユニット移動部２６は、流体供給ユニット２１を鉛直方向に沿って上昇又は下降させる。流体供給ユニット２１が、窒素ガス、リンス液、及びＩＰＡを基板Ｗに吐出する際には、ユニット移動部２６は、流体供給ユニット２１を下降させている。
なお、実施形態４では、ノズル１１は、処理液としての燐酸液を基板Ｗに向けて吐出する。
次に、図１１及び図１２を参照して、実施形態４に係る基板処理方法を説明する。図１２は、基板処理方法を示すフローチャートである。図１２に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１１を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００Ａによって実行される。
図１１及び図１２に示すように、工程Ｓ１０１において、スピンチャック７は基板Ｗを保持する。
工程Ｓ１０２において、ノズル１５は、基板Ｗの表面Ｗａにリンス液を吐出して、基板Ｗを洗浄する。
工程Ｓ１０３において、流体ノズル２９がスピンチャック７に流体ＦＬを供給するように、制御部３０は流体供給調節部４を制御する。その結果、流体ノズル２９は、スピンチャック７に流体ＦＬを供給して、スピンチャック７の温度を調節する。工程Ｓ１０３は「温度調節工程」の一例に相当する。工程Ｓ１０３は、図３の工程Ｓ２と同様である。
工程Ｓ１０４において、ノズル１１は、基板Ｗの表面Ｗａに燐酸液を吐出して、基板Ｗを処理する。工程Ｓ１０４は「処理工程」の一例に相当する。
工程Ｓ１０５において、スピンチャック７は、回転することによって、基板Ｗから燐酸液を振り切る。
工程Ｓ１０６において、ノズル１５は、基板Ｗの表面Ｗａにリンス液を吐出して、基板Ｗを洗浄する。
工程Ｓ１０７において、ノズル１７は、基板Ｗの表面ＷａにＳＣ１を吐出して、基板Ｗを洗浄する。
工程Ｓ１０８において、流体供給ユニット２１は、吐出口２３ａから基板Ｗの表面Ｗａにリンス液を吐出して、基板Ｗを洗浄する。
工程Ｓ１０９において、流体供給ユニット２１は、吐出口２４ａから基板Ｗの表面ＷａにＩＰＡを吐出して、基板Ｗを乾燥する。また、流体供給ユニット２１は、吐出口２２ａから基板Ｗの表面Ｗａに窒素ガスを吐出する。
工程Ｓ１１０において、スピンチャック７は、回転することによって基板Ｗを乾燥する。
工程Ｓ１１１において、搬送ロボットは、スピンチャック７から基板Ｗを取り出す。
以上、図１２を参照して説明したように、実施形態４によれば、工程Ｓ１０３（温度調節工程）の処理は、実施形態１に係る工程Ｓ２（温度調節工程）の処理と同様である。従って、実施形態４では、実施形態１と同様に、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制できる。
なお、工程Ｓ１０２、工程Ｓ１０６、工程Ｓ１０７、及び工程Ｓ１０８の各々は、「洗浄工程」の一例に相当する。また、工程Ｓ１０９及び工程Ｓ１１０の各々は、「乾燥工程」の一例に相当する。
また、工程Ｓ１０３は、工程Ｓ１０１の前、工程Ｓ１０１と工程Ｓ１０２との間、工程Ｓ１０４と工程Ｓ１０５との間、工程Ｓ１０５と工程Ｓ１０６との間、工程Ｓ１０６と工程Ｓ１０７との間、工程Ｓ１０７と工程Ｓ１０８との間、工程Ｓ１０８と工程Ｓ１０９との間、工程Ｓ１０９と工程Ｓ１１０との間、工程Ｓ１１０と工程Ｓ１１１との間、又は、工程Ｓ１１１の後において実行されてもよい。なお、基板処理装置１００Ａは、流体ノズル２９に代えて、流体ノズル２９Ａ（図１０）を備えていてもよい。
（実施形態５）
図１１及び図１３を参照して、本発明の実施形態５に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態５に係る基板処理装置１００Ａがスピンチャック温度調節処理と他の処理とを並行して実行する点で、実施形態５は実施形態４と主に異なる。以下、以下、実施形態５が実施形態４と異なる点を主に説明する。
図１３は、実施形態５に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１３に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１１を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００Ａによって実行される。図１３の工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１１は、それぞれ、図１２を参照して説明した工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１１と同様である。
ただし、実施形態５では、工程Ｓ１０３（温度調節工程）が工程Ｓ１０２と並行して実行される。従って、複数の基板Ｗ間で処理レートが変化することを抑制しつつ、工程Ｓ１０３を実行しない一般的な基板処理方法と同様の時間内で、実施形態５に係る基板処理方法を完了できる。その他、工程Ｓ１０３（温度調節工程）は、工程Ｓ１０１及び工程Ｓ１０４～工程Ｓ１１１のいずれかと並行して実行されてもよい。この点は、実施形態２と同様である。
次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。
本発明の実施例では、図１１を参照して説明した基板処理装置１００Ａによって図１３を参照して説明した基板処理方法を実行した。つまり、燐酸液を使用して、基板Ｗとしての半導体ウエハに対してエッチング処理を実行した。そして、半導体ウエハ上のシリコン窒化膜のエッチングレートを求めた。
特に、図１３の工程Ｓ１０３は、次の条件で実行された。すなわち、流体ノズル２９から吐出した流体ＦＬの流量は、８００（ミリリットル／分）であった。スピンベース７１の回転数は、１０（ｒｐｍ）であった。流体ＦＬの吐出時間は３０秒であった。流体ＦＬは脱イオン水であった。流体ＦＬの温度は室温であった。従って、図１３の工程Ｓ１０３では、スピンチャック７を流体ＦＬによって冷却した。
実施例に係る基板処理装置１００Ａによるエッチングレートを、比較例に係る基板処理装置によるエッチングレートと比較した。比較例に係る基板処理装置は、図１３の工程Ｓ１０３を実行しなかった。比較例に係る基板処理装置の条件は、工程Ｓ１０３を実行しなかった点を除いて、実施例に係る基板処理装置１００Ａの条件と同じであった。
図１４は、実施例に係る基板処理装置１００Ａ及び比較例に係る基板処理装置によるエッチングレートを示すグラフである。図１４において、横軸は基板Ｗの順序数を示す。つまり、横軸は、１枚ずつ基板Ｗを処理する場合に、何番目に処理した基板Ｗかを示す。縦軸はエッチングレートを示す。
図１４に示すように、比較例に係る基板処理装置のエッチングレートは、四角形のマーク２００によって示された。比較例に係る基板処理装置のエッチングレートは、１枚の基板Ｗを処理する度に徐々に大きくなった。
一方、実施例に係る基板処理装置１００Ａのエッチングレートは、菱形のマーク２０１によって示された。実施例に係る基板処理装置１００Ａのエッチングレートは、複数の基板Ｗ間で略一定であった。従って、流体ＦＬによってスピンチャック７を冷却すると、処理液の熱放射の影響が軽減され、エッチングレートの変化を抑制できることを確認できた。
なお、比較例に係る基板処理装置のエッチングレートは、６番目の基板Ｗの処理時に飽和した。エッチングレートの飽和は、スピンチャック７の温度Ｔｓｐが飽和したことを示すと推測できた。
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）、（２））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
（１）実施形態１～実施形態５では、図１及び図１１に示すように、流体ノズル２９及び流体ノズル２９Ａをスピンモーター９の回転軸線ＡＸ１上に配置した。ただし、スピンチャック７に流体ＦＬを供給できる限りにおいては、流体ＦＬをスピンチャック７に供給するノズルの位置は特に限定されない。例えば、スピンチャック７の径方向外側にノズルを配置して、流体ＦＬをスピンチャック７に供給してもよい。
（２）実施形態１～実施形態５では、温度調節工程（工程Ｓ２、工程Ｓ７４、及び工程Ｓ１０３）を基板Ｗごとに実行した。ただし、スピンチャック７の温度Ｔｓｐの変動が処理レートの変動を起こさない限りにおいては、基板Ｗの所定枚数ＮＭごとに、温度調節工程を実行してもよい。所定枚数ＮＭは２以上の整数を示す。
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１、１Ａ 処理ユニット
７ スピンチャック（基板保持部）
２７ 温度測定部
２９、２９Ａ 流体ノズル（温度調節機構）
７０ チャック部材
７１ スピンベース
１００、１００Ａ 基板処理装置
Ｗ 基板

Claims (22)

  1. 基板を保持して回転する基板保持部に流体を供給して、前記基板保持部の温度を調節する温度調節工程と、
    前記基板を処理液によって処理する処理工程と
    を含み、
    前記基板保持部は、回転するスピンベースを含み、
    前記温度調節工程では、前記スピンベースに前記流体を直接供給して、前記スピンベースの温度を調節する、基板処理方法。
  2. 前記温度調節工程は、前記処理工程と異なる時間帯で単独の工程として実行される、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記温度調節工程は、前記処理工程と異なる工程又は前記処理工程と並行して実行される、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記基板を洗浄する洗浄工程と、
    前記基板を乾燥する乾燥工程と
    をさらに含み、
    前記温度調節工程での前記基板保持部の回転数は、前記洗浄工程、前記乾燥工程、又は前記処理工程での前記基板保持部の回転数よりも低い、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  5. 前記温度調節工程は、前記処理工程の１つ前の工程として実行される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  6. 前記温度調節工程は、
    前記基板保持部の温度を測定する工程と、
    前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程と
    を含み、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する工程と、
    前記基板保持部の温度が前記第１閾値よりも高いと判定されたときに、前記基板保持部に前記流体を供給して、前記基板保持部の温度が第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程と
    を含み、
    前記第１所定温度は、前記第１閾値の示す温度以下の温度を示す、請求項１に記載の基板処理方法。
  7. 前記温度調節工程は、
    前記基板保持部の温度を測定する工程と、
    前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程と
    を含み、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が第１閾値よりも高いか否かを判定する工程と、
    前記基板保持部の温度が第２閾値よりも高いか否かを判定する工程と
    を含み、
    前記第２閾値の示す温度は、前記第１閾値の示す温度よりも高く、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が、前記第２閾値よりも高くないと判定されるとともに、前記第１閾値よりも高いと判定されたときに、第１流量を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程と、
    前記基板保持部の温度が前記第２閾値よりも高いと判定されたときに、第２流量を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が前記第１所定温度になるまで前記基板保持部を冷却する工程と
    をさらに含み、
    前記第２流量は、前記第１流量よりも多く、
    前記第１所定温度は、前記第１閾値の示す温度以下の温度を示す、請求項１に記載の基板処理方法。
  8. 前記温度調節工程は、
    前記基板保持部の温度を測定する工程と、
    前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程と
    を含み、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が第３閾値よりも低いか否かを判定する工程と、
    前記基板保持部の温度が前記第３閾値よりも低いと判定されたときに、前記基板保持部に前記流体を供給して、前記基板保持部の温度が第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程と
    を含み、
    前記第２所定温度は、前記第３閾値の示す温度以上の温度を示す、請求項１に記載の基板処理方法。
  9. 前記温度調節工程は、
    前記基板保持部の温度を測定する工程と、
    前記基板保持部の温度に基づいて、前記基板保持部に供給する前記流体を制御する工程と
    を含み、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が第３閾値よりも高いか否かを判定する工程と、
    前記基板保持部の温度が第４閾値よりも高いか否かを判定する工程と
    を含み、
    前記第４閾値の示す温度は、前記第３閾値の示す温度よりも低く、
    前記流体を制御する前記工程は、
    前記基板保持部の温度が、前記第４閾値よりも低くないと判定されるとともに、前記第３閾値よりも低いと判定されたときに、第３流量及び第１温度を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程と、
    前記基板保持部の温度が前記第４閾値よりも低いと判定されたときに、第４流量及び／又は第２温度を有する前記流体を前記基板保持部に供給して、前記基板保持部の温度が前記第２所定温度になるまで前記基板保持部を加熱する工程と
    をさらに含み、
    前記第４流量は、前記第３流量よりも多く、
    前記第２温度は、前記第１温度よりも高く、
    前記第２所定温度は、前記第３閾値の示す温度以上の温度を示す、請求項１に記載の基板処理方法。
  10. 前記第２所定温度は、前記基板保持部の温度が飽和するときの飽和温度を示す、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記流体は、不活性ガス、脱イオン水、又は、炭酸水を含む、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 前記処理液は、燐酸液、又は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  13. 基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
    回転するスピンベースを含み、前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持される前記基板の上面に前記処理液を供給するノズルと、
    前記スピンベースに流体を供給する流体ノズルと、
    前記スピンベースの温度を測定する温度測定部と、
    前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給する前記流体を制御する制御部と
    を備える、基板処理装置。
  14. 前記流体ノズルへ供給される前記流体の供給量を調節する流体供給調節部をさらに備え、
    前記制御部は、前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体供給調節部を制御することで、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給される前記流体の流量を制御する、請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記流体ノズルへ供給される前記流体の温度を調節する流体温度調節部をさらに備え、
    前記制御部は、前記温度測定部により取得された前記スピンベースの温度に基づいて、前記流体温度調節部を制御することで、前記流体ノズルから前記スピンベースに供給される前記流体の温度を調整する、請求項１３又は請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記基板保持部は、前記スピンベースに設けられる複数のチャック部材をさらに含み、
    前記複数のチャック部材は、前記基板を保持する、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  17. 前記温度測定部は、熱電対、放射温度計、又は、赤外線サーモグラフィーを含む、請求項１３から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  18. 前記流体ノズルは、第１吐出口と、第２吐出口とを含み、
    前記流体ノズルは、前記第１吐出口から前記スピンベースに前記流体を供給し、前記第２吐出口から前記基板の裏面に前記流体を供給する、請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  19. 前記第１吐出口は、前記スピンベースの径方向外側に向かって開口する、請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 第１閾値および第１所定温度を記憶する記憶部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記温度測定部により取得された情報に基づき、前記スピンベースの温度が前記第１閾値の示す温度よりも高いか否かを判定し、
    前記スピンベースの温度が前記第１閾値の示す温度よりも高いと判定されたときに前記スピンベースに前記流体を供給する、請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  21. 第３閾値を記憶する記憶部をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記温度測定部により取得された情報に基づき、前記スピンベースの温度が前記第３閾値の示す温度よりも低いか否かを判定し、
    前記スピンベースの温度が前記第３閾値よりも低いと判定されたときに前記スピンベースに前記流体を供給する、請求項１３から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  22. 前記流体ノズルは、前記スピンベースの中央部に設けられた貫通孔から前記基板側へ突出しており、
    前記流体ノズルは、
    前記流体が吐出される吐出口と、
    前記吐出口の周囲から前記スピンベースに向かって傾斜する傾斜面と
    を有し、
    前記流体ノズルは、前記吐出口から吐出された前記流体の少なくとも一部が、前記傾斜面に沿って流れて前記スピンベースの表面に供給されるように前記流体を吐出する、請求項１３から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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