JPH09134872A - レジスト剥離方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パーティクルの増加を招くことなく剥離溶剤
により半導体基板上のレジストを剥離する。 【解決手段】 ウエハ保持部１において、ウエハ３をチ
ャック４上に保持させ、チャック４内のヒーター６によ
りウエハ３を所定温度に加熱する。溶剤供給部２におい
て、貯留タンク７に貯留していた有機溶剤１１を加熱タ
ンク９で所定温度に加熱し、供給ポンプ８により供給ノ
ズル１０を通してウエハ３上にかける。レジスト剥離
後、モータ５によりチャック４を回転させて液を飛散さ
せ、アルコール供給部１２及び純水供給部１３からのア
ルコール及び純水によりウエハ３を洗浄する。処理を枚
葉式として、加熱されたウエハ３上に加熱された有機溶
剤１１をかけることにより、実質的にパーティクルのな
い新鮮な有機溶液１１を常に用い、パーティクルの増加
を招くことなくレジストを有効に剥離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において半導体基板上のレジストを剥離するための
方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程においてウ
エハ上に塗布されているレジストの剥離については、例
えば図２に示すように、処理槽２１内に注入された有機
溶剤２２をヒーター２３により所定温度まで加熱し、２
５枚或いは５０枚のウエハ２４を収納したウエハキャリ
ア２５を有機溶剤２２中に浸漬することによって、各ウ
エハ２４上のレジストを剥離するようにしている。この
場合、別のウエハ群の処理に際しても、処理槽２１内の
有機溶剤２２を数回は繰り返して再使用している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のレジスト剥離においては、複数枚のウエ
ハ２４を同時に処理するバッチ式で、有機溶剤２２を繰
り返し再使用するため、処理回数が増加するに従い、有
機溶剤２２中のパーティクルが次第に増加し、そのパー
ティクルを低減することが困難であった。このため、レ
ジスト剥離後の残存パーティクルにより信頼性の低下を
招くという問題があった。なお、有機溶剤２２を頻繁に
交換するとなると、有機溶剤２２の使用量が増大して、
著しくコスト高についてしまう。

【０００４】そこで本発明は、上記事情を考慮してなさ
れたもので、パーティクルの増加を招くことなくレジス
トを剥離することができるレジスト剥離方法及び装置を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるレジスト剥離方法は、レジストが塗布
されている半導体基板を加熱し、この加熱された半導体
基板上に加熱したレジスト剥離溶剤を流下させて、その
半導体基板上のレジストを剥離することを特徴とする。

【０００６】また、本発明によるレジスト剥離装置は、
レジストが塗布されている半導体基板を保持する基板保
持手段と、この基板保持手段に保持されている前記半導
体基板を加熱する基板加熱手段と、レジスト剥離溶剤を
加熱する溶剤加熱手段と、この溶剤加熱手段で加熱され
た溶剤を前記基板加熱手段によって加熱された前記半導
体基板上に流下させる溶剤供給手段と、を備えたことを
特徴とする。

【０００７】

【作用】上記のように構成された本発明によれば、複数
枚の半導体基板を剥離溶剤中に浸漬するバッチ式ではな
く、半導体基板を１枚ずつ処理する枚葉式とし、加熱さ
れた半導体基板上に加熱された剥離溶剤をかける。これ
によって、溶剤の再使用を行わず、実質的にパーティク
ルがない新鮮な溶剤を常に用いるので、パーティクルの
増加を招くことなく、有効なレジスト剥離を行うことが
できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
枚葉式レジスト剥離装置について図１を参照して説明す
る。図１は装置の概略構成図である。

【０００９】本装置は、主として、表面にレジストが塗
布されている半導体基板（ウエハ）３を保持するウエハ
保持部１と、そのウエハ３に塗布されているレジストを
剥離するための溶剤１１をウエハ３の表面に流下させる
ために溶液を供給する溶剤供給部２とからなる。ウエハ
保持部１は、例えば真空吸着によりウエハ３を保持する
円板状のチャック４と、このチャック４を軸４ａを中心
として水平に回転させるモータ５とにより構成されてい
る。そして、チャック４には加熱手段として例えばヒー
ター６が備えられており、チャック４上のウエハ３を所
定温度に加熱することができる。

【００１０】溶剤供給部２は、貯留タンク７、供給ポン
プ８、加熱タンク９、供給ノズル１０により構成されて
いる。レジスト剥離用の有機溶剤１１は、加熱タンク９
で例えばヒーターにより所定温度に加熱され、供給ポン
プ８により供給ノズル１０を通して、前記チャック４上
のウエハ３にかけられる。

【００１１】一実施例として、有機剥離液１０６（東京
応化工業製）を用いる場合の処理においては、ウエハ３
をチャック４上に保持させ、ウエハ３を１１０℃まで加
熱した後、加熱タンク９で１１０℃まで加熱した有機剥
離液１０６をウエハ３上に５０ｃｃかけ、３０秒程度放
置してレジストを剥離する。この後、チャック４を回転
させて剥離したレジスト及び有機剥離液１０６を飛散さ
せ、ウエハ３上から除去し、アルコール供給部１２から
供給されるアルコール、純水供給部１３から供給される
純水によって、ウエハ３を洗浄する。

【００１２】このように、本実施形態の方法及び装置を
用いることによって、ウエハ３上に供給される有機溶剤
１１は常に新鮮であり、パーティクルを含まないため、
ウエハ３上のレジストを確実に剥離することができ、レ
ジスト剥離後の残存パーティクルによる信頼性の低下を
招くことがない。

【００１３】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、レジスト及び剥離溶剤につい
ては種々の有効な材料を用いることができ、その加熱温
度も効果的な最適値に設定することができる。また、実
施形態ではレジスト剥離後にウエハを回転させたが、ウ
エハの回転状態で溶剤を流下させてもよい。

【００１４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理を枚葉式として、加熱された半導体基板上に加熱さ
れた剥離溶剤をかけることによって、実質的にパーティ
クルのない常に新鮮な溶剤でレジストを剥離することが
可能となる。これにより、パーティクル発生がない極め
て清浄度の高いレジスト剥離を行うことができ、信頼性
の大幅な向上を図ることができる。また、成分変化のな
い新鮮な溶剤を使用すると共に半導体基板及び溶剤の加
熱温度の極めて的確な設定が可能となるので、レジスト
剥離の効率を向上させることができる。さらに、１枚の
半導体基板に対して必要最少限の溶剤を使用すればよい
ので、溶剤の全体的な使用量を低減してコストを削減す
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による枚葉式レジスト剥離
装置の概略構成図である。

【図２】従来のバッチ式レジスト剥離装置の概略構成図
である。

【符号の説明】

１ ウエハ保持部 ２ 溶剤供給部 ３ ウエハ ４ チャック ６ ヒーター ８ 供給ポンプ ９ 加熱タンク １０ 供給ノズル １１ 有機溶剤

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジストが塗布されている半導体基板を
   加熱し、この加熱された半導体基板上に加熱したレジス
   ト剥離溶剤を流下させて、その半導体基板上のレジスト
   を剥離することを特徴とするレジスト剥離方法。
2. 【請求項２】 レジストが塗布されている半導体基板を
   保持する基板保持手段と、この基板保持手段に保持され
   ている前記半導体基板を加熱する基板加熱手段と、レジ
   スト剥離溶剤を加熱する溶剤加熱手段と、この溶剤加熱
   手段で加熱された溶剤を前記基板加熱手段によって加熱
   された前記半導体基板上に流下させる溶剤供給手段と、
   を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置。