JPH05315310A - 半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置Info
- Publication number
- JPH05315310A JPH05315310A JP4112885A JP11288592A JPH05315310A JP H05315310 A JPH05315310 A JP H05315310A JP 4112885 A JP4112885 A JP 4112885A JP 11288592 A JP11288592 A JP 11288592A JP H05315310 A JPH05315310 A JP H05315310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- semiconductor substrate
- chemical
- ultraviolet light
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】常温の洗浄薬液を使用して半導体基板を洗浄す
る半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置を提供す
る。 【構成】半導体基板５に紫外光が照射されて活性化した
洗浄薬液３を散布し、半導体基板５の洗浄を行う。半導
体基板５に散布する洗浄薬液３に、紫外光を照射可能な
位置に、紫外光を照射する高圧水銀ランプ１を設置し
た。
る半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置を提供す
る。 【構成】半導体基板５に紫外光が照射されて活性化した
洗浄薬液３を散布し、半導体基板５の洗浄を行う。半導
体基板５に散布する洗浄薬液３に、紫外光を照射可能な
位置に、紫外光を照射する高圧水銀ランプ１を設置し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の湿式洗浄
方法及び湿式洗浄装置に係り、特に、常温の洗浄薬液を
使用して半導体基板の洗浄を行う湿式洗浄方法及び湿式
洗浄装置に関する。
方法及び湿式洗浄装置に係り、特に、常温の洗浄薬液を
使用して半導体基板の洗浄を行う湿式洗浄方法及び湿式
洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の洗浄方法として、湿
式洗浄方法及び乾式洗浄方法が知られている。湿式洗浄
方法により半導体基板を洗浄する場合は、例えば、過酸
化水素水とアンモニアを含む洗浄薬液、又は、塩酸と過
酸化水素水を含む洗浄薬液等を６０〜９０℃に加熱し
て、当該洗浄薬液を活性化し、洗浄液として用いてい
る。この湿式洗浄方法により、半導体基板を洗浄する
と、当該半導体基板の表面に付着した金属、自然酸化
膜、パーティクル等の汚染物を除去することができる。
式洗浄方法及び乾式洗浄方法が知られている。湿式洗浄
方法により半導体基板を洗浄する場合は、例えば、過酸
化水素水とアンモニアを含む洗浄薬液、又は、塩酸と過
酸化水素水を含む洗浄薬液等を６０〜９０℃に加熱し
て、当該洗浄薬液を活性化し、洗浄液として用いてい
る。この湿式洗浄方法により、半導体基板を洗浄する
と、当該半導体基板の表面に付着した金属、自然酸化
膜、パーティクル等の汚染物を除去することができる。
【０００３】一方、乾式洗浄方法により半導体基板を洗
浄する従来例としては、例えば、特開昭６２−２７２５
４１号公報や特開平１−２１１９２５号公報等が知られ
ている。前記特開昭６２−２７２５４１号公報に開示さ
れている従来例は、ハロゲンを含む雰囲気中に半導体基
板を配置し、これに紫外光を照射することにより、当該
半導体基板の表面をエッチングした後、洗浄薬液で洗浄
するものである。この方法で半導体基板を洗浄すること
により、当該半導体基板の表面に付着した金属や自然酸
化膜等の汚染物を除去することができる。このため、前
記半導体基板上に、膜質の良好なゲート絶縁膜やエピタ
キシャル膜、或いは、その他のＣＶＤ膜等を形成するこ
とができる。
浄する従来例としては、例えば、特開昭６２−２７２５
４１号公報や特開平１−２１１９２５号公報等が知られ
ている。前記特開昭６２−２７２５４１号公報に開示さ
れている従来例は、ハロゲンを含む雰囲気中に半導体基
板を配置し、これに紫外光を照射することにより、当該
半導体基板の表面をエッチングした後、洗浄薬液で洗浄
するものである。この方法で半導体基板を洗浄すること
により、当該半導体基板の表面に付着した金属や自然酸
化膜等の汚染物を除去することができる。このため、前
記半導体基板上に、膜質の良好なゲート絶縁膜やエピタ
キシャル膜、或いは、その他のＣＶＤ膜等を形成するこ
とができる。
【０００４】また、特開平１−２１１９２５号公報に開
示されている従来例は、光励起した塩素ラジカルを用い
て、半導体基板を乾式洗浄した後、当該半導体基板を光
照射下で水素雰囲気中に晒すことで、当該半導体基板の
表面層を改善し、絶縁耐性の高い酸化膜を形成するもの
である。
示されている従来例は、光励起した塩素ラジカルを用い
て、半導体基板を乾式洗浄した後、当該半導体基板を光
照射下で水素雰囲気中に晒すことで、当該半導体基板の
表面層を改善し、絶縁耐性の高い酸化膜を形成するもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記湿
式洗浄方法は、半導体基板の表面に付着した金属、自然
酸化膜、パーティクル等の汚染物を除去することができ
る反面、ヒータで洗浄薬液を加熱し、これを用いて半導
体基板の洗浄を行うため、多大な電力消費を伴い、不経
済であるという問題があった。また、前記洗浄薬液中
に、ヒータ（主に、石英からなるヒータ）を長時間浸漬
した場合、ヒータが洗浄薬液に侵されると共に、ヒータ
から溶解した石英等が洗浄薬液を汚染するという問題が
あった。さらに、前記ヒータが破損した場合も、前記洗
浄薬液を汚染するという問題があった。さらにまた、前
記洗浄薬液が昇温するまでに時間がかかると共に、洗浄
薬液が経時変化を起こし、常に一定の条件で洗浄を行う
ことが困難であるという問題があった。
式洗浄方法は、半導体基板の表面に付着した金属、自然
酸化膜、パーティクル等の汚染物を除去することができ
る反面、ヒータで洗浄薬液を加熱し、これを用いて半導
体基板の洗浄を行うため、多大な電力消費を伴い、不経
済であるという問題があった。また、前記洗浄薬液中
に、ヒータ（主に、石英からなるヒータ）を長時間浸漬
した場合、ヒータが洗浄薬液に侵されると共に、ヒータ
から溶解した石英等が洗浄薬液を汚染するという問題が
あった。さらに、前記ヒータが破損した場合も、前記洗
浄薬液を汚染するという問題があった。さらにまた、前
記洗浄薬液が昇温するまでに時間がかかると共に、洗浄
薬液が経時変化を起こし、常に一定の条件で洗浄を行う
ことが困難であるという問題があった。
【０００６】また、特開昭６２−２７２５４１号公報や
特開平１−２１１９２５号公報に開示されている乾式洗
浄方法は、半導体基板の表面に付着した金属、自然酸化
膜等の汚染物を除去することができる反面、パーティク
ルを除去することができないという問題があった。本発
明は、このような問題を解決することを課題とするもの
であり、常温の洗浄薬液を使用して半導体基板を洗浄す
る半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置を提供す
ることを目的とする。
特開平１−２１１９２５号公報に開示されている乾式洗
浄方法は、半導体基板の表面に付着した金属、自然酸化
膜等の汚染物を除去することができる反面、パーティク
ルを除去することができないという問題があった。本発
明は、このような問題を解決することを課題とするもの
であり、常温の洗浄薬液を使用して半導体基板を洗浄す
る半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板を洗浄薬液で洗浄する半導体
基板の湿式洗浄方法において、前記洗浄薬液に紫外光を
照射して、当該洗浄薬液の活性化を行うことを特徴とす
る半導体基板の湿式洗浄方法を提供するものである。
に、本発明は、半導体基板を洗浄薬液で洗浄する半導体
基板の湿式洗浄方法において、前記洗浄薬液に紫外光を
照射して、当該洗浄薬液の活性化を行うことを特徴とす
る半導体基板の湿式洗浄方法を提供するものである。
【０００８】そして、半導体基板を洗浄する洗浄薬液の
活性化装置を有した半導体基板の湿式洗浄装置におい
て、前記洗浄薬液の活性化装置は、紫外光照射装置であ
り、当該紫外光装置が、前記洗浄薬液に紫外光を照射す
ることが可能な位置に配置されていることを特徴とする
半導体基板の湿式洗浄装置を提供するものである。
活性化装置を有した半導体基板の湿式洗浄装置におい
て、前記洗浄薬液の活性化装置は、紫外光照射装置であ
り、当該紫外光装置が、前記洗浄薬液に紫外光を照射す
ることが可能な位置に配置されていることを特徴とする
半導体基板の湿式洗浄装置を提供するものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、紫外光を前記洗
浄薬液に照射することで、当該洗浄薬液の活性化を行う
ことができるため、当該洗浄薬液を従来のように加熱す
る必要がない。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒー
タが不要となる結果、電力の消費量を低減することがで
きると共に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒー
タの破損により洗浄薬液が汚染する危険性もない。さら
に、前記洗浄薬液は、常温で使用することができる結
果、洗浄薬液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生
産性を向上することができる。さらにまた、前記洗浄薬
液の経時変化を抑えることができるため、常に一定の条
件で半導体基板の洗浄を行うことができる。
浄薬液に照射することで、当該洗浄薬液の活性化を行う
ことができるため、当該洗浄薬液を従来のように加熱す
る必要がない。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒー
タが不要となる結果、電力の消費量を低減することがで
きると共に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒー
タの破損により洗浄薬液が汚染する危険性もない。さら
に、前記洗浄薬液は、常温で使用することができる結
果、洗浄薬液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生
産性を向上することができる。さらにまた、前記洗浄薬
液の経時変化を抑えることができるため、常に一定の条
件で半導体基板の洗浄を行うことができる。
【００１０】そして、請求項２記載の発明によれば、前
記洗浄液の活性化装置を紫外光照射装置とし、これを前
記洗浄薬液に光を照射することが可能な位置に配置した
ことで、当該洗浄薬液に紫外光を照射することができる
結果、当該洗浄薬液を加熱せずに活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。また、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらに、前記洗浄薬液の経時変化を
抑えることができるため、常に一定の条件で半導体基板
の洗浄を行うことができる。
記洗浄液の活性化装置を紫外光照射装置とし、これを前
記洗浄薬液に光を照射することが可能な位置に配置した
ことで、当該洗浄薬液に紫外光を照射することができる
結果、当該洗浄薬液を加熱せずに活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。また、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらに、前記洗浄薬液の経時変化を
抑えることができるため、常に一定の条件で半導体基板
の洗浄を行うことができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体基板の湿式洗浄装置の概略図である。図１に示す半導
体基板の湿式洗浄装置は、枚葉式であり、半導体基板５
を載置する支持台７に、ローター８が接続されている。
そして、支持台７は、ローター８が駆動することによ
り、水平方向に所望の回転数で回転するように設計され
ている。そして、支持台７上に載置した半導体基板５の
表面に、洗浄薬液３を散布することが可能な位置に、洗
浄薬液散布ノズル４が設置されている。この洗浄薬液散
布ノズル４は、例えば、図示しない配管等を介して、洗
浄薬液供給源に接続されており、洗浄薬液散布ノズル４
から半導体基板５の表面に向けて洗浄薬液３を散布す
る。さらに、前記支持台７の下方には、半導体基板５か
ら落下した洗浄薬液３及び不要な洗浄薬液３を受け止め
る受け皿６が設置されており、当該受け皿６には、前記
洗浄薬液３を排出する洗浄薬液排出口９が開口されてい
る。そして、洗浄薬液排出口９には、例えば、図示しな
い配管等が接続されており、この配管を介して、洗浄薬
液排出口９から排出された洗浄薬液３を所定容器等に廃
棄している。また、支持体７の上方には、紫外光を照射
する高圧水銀ランプ１が設置されている。そしてさら
に、高圧水銀ランプ１の上方には、高圧水銀ランプ１か
ら照射された紫外光を反射して、洗浄薬液３に、当該紫
外光を均等に照射する反射鏡２が設置されている。そし
て、この高圧水銀ランプ１と反射鏡２とで紫外光照射装
置１０を構成している。
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体基板の湿式洗浄装置の概略図である。図１に示す半導
体基板の湿式洗浄装置は、枚葉式であり、半導体基板５
を載置する支持台７に、ローター８が接続されている。
そして、支持台７は、ローター８が駆動することによ
り、水平方向に所望の回転数で回転するように設計され
ている。そして、支持台７上に載置した半導体基板５の
表面に、洗浄薬液３を散布することが可能な位置に、洗
浄薬液散布ノズル４が設置されている。この洗浄薬液散
布ノズル４は、例えば、図示しない配管等を介して、洗
浄薬液供給源に接続されており、洗浄薬液散布ノズル４
から半導体基板５の表面に向けて洗浄薬液３を散布す
る。さらに、前記支持台７の下方には、半導体基板５か
ら落下した洗浄薬液３及び不要な洗浄薬液３を受け止め
る受け皿６が設置されており、当該受け皿６には、前記
洗浄薬液３を排出する洗浄薬液排出口９が開口されてい
る。そして、洗浄薬液排出口９には、例えば、図示しな
い配管等が接続されており、この配管を介して、洗浄薬
液排出口９から排出された洗浄薬液３を所定容器等に廃
棄している。また、支持体７の上方には、紫外光を照射
する高圧水銀ランプ１が設置されている。そしてさら
に、高圧水銀ランプ１の上方には、高圧水銀ランプ１か
ら照射された紫外光を反射して、洗浄薬液３に、当該紫
外光を均等に照射する反射鏡２が設置されている。そし
て、この高圧水銀ランプ１と反射鏡２とで紫外光照射装
置１０を構成している。
【００１２】次に、本実施例に係る半導体基板の湿式洗
浄装置を使用した具体的な実施例として、故意に、０．
３μｍ以上のパーティクルを１００個程度付着させた半
導体基板５の洗浄を行った。この洗浄方法について説明
する。先ず、洗浄すべき半導体基板５を支持台７に載置
する。その後、ローター８を駆動して、支持台７を１０
０〜１５０r.p.m.で回転させる。次いで、洗浄薬液散布
ノズル４から供給される洗浄薬液３を、半導体基板５の
表面に向けて散布すると共に、高圧水銀ランプ１から紫
外光を照射し、反射鏡２を介して、当該洗浄薬液３に紫
外光を照射する。ここでは、洗浄薬液３として、アンモ
ニア系洗浄液（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：
１：５の割合で混合した溶液）を使用し、紫外光として
は、当該アンモニア系洗浄液が吸収可能な１９０〜２１
０ｎｍの波長の紫外光を使用した。このようにすること
で、洗浄薬液３を加熱することなしに活性化することが
できる。従って、半導体基板５を、常に活性化された洗
浄薬液３で洗浄することができる。そして、半導体基板
５から落下した洗浄薬液３や不要な洗浄薬液３は、受け
皿６で受け止められ、洗浄薬液排出口９から排出され
る。この洗浄を 分間行い、半導体基板５を洗浄
した。
浄装置を使用した具体的な実施例として、故意に、０．
３μｍ以上のパーティクルを１００個程度付着させた半
導体基板５の洗浄を行った。この洗浄方法について説明
する。先ず、洗浄すべき半導体基板５を支持台７に載置
する。その後、ローター８を駆動して、支持台７を１０
０〜１５０r.p.m.で回転させる。次いで、洗浄薬液散布
ノズル４から供給される洗浄薬液３を、半導体基板５の
表面に向けて散布すると共に、高圧水銀ランプ１から紫
外光を照射し、反射鏡２を介して、当該洗浄薬液３に紫
外光を照射する。ここでは、洗浄薬液３として、アンモ
ニア系洗浄液（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：
１：５の割合で混合した溶液）を使用し、紫外光として
は、当該アンモニア系洗浄液が吸収可能な１９０〜２１
０ｎｍの波長の紫外光を使用した。このようにすること
で、洗浄薬液３を加熱することなしに活性化することが
できる。従って、半導体基板５を、常に活性化された洗
浄薬液３で洗浄することができる。そして、半導体基板
５から落下した洗浄薬液３や不要な洗浄薬液３は、受け
皿６で受け止められ、洗浄薬液排出口９から排出され
る。この洗浄を 分間行い、半導体基板５を洗浄
した。
【００１３】次に、このようにして洗浄した半導体基板
５のパーティクル除去率を測定したところ、９０％以上
のパーティクルが除去されていることが確認された。
尚、本実施例では、洗浄薬液３として、ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５の割合で混合したアンモニ
ア系洗浄液を使用したが、これに限らず、他の組成のア
ンモニア系洗浄液を使用してもよい。
５のパーティクル除去率を測定したところ、９０％以上
のパーティクルが除去されていることが確認された。
尚、本実施例では、洗浄薬液３として、ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５の割合で混合したアンモニ
ア系洗浄液を使用したが、これに限らず、他の組成のア
ンモニア系洗浄液を使用してもよい。
【００１４】そして、本実施例では、１９０〜２１０ｎ
ｍの波長の紫外光を使用したが、これに限らず、洗浄液
として使用する洗浄薬液が吸収可能な波長の紫外光であ
れば、他の波長の紫外光を使用してもよい。そして、こ
の場合、前記波長に対応した紫外線を照射可能なランプ
を用いることは勿論である。また、本実施例では、紫外
光を反射鏡で反射した後、洗浄薬液３に照射したが、こ
れに限らず、洗浄薬液３に均一に照射するとが可能であ
れば、紫外光を直接照射する等、他の方法照射してもよ
い。
ｍの波長の紫外光を使用したが、これに限らず、洗浄液
として使用する洗浄薬液が吸収可能な波長の紫外光であ
れば、他の波長の紫外光を使用してもよい。そして、こ
の場合、前記波長に対応した紫外線を照射可能なランプ
を用いることは勿論である。また、本実施例では、紫外
光を反射鏡で反射した後、洗浄薬液３に照射したが、こ
れに限らず、洗浄薬液３に均一に照射するとが可能であ
れば、紫外光を直接照射する等、他の方法照射してもよ
い。
【００１５】そして、本実施例では、枚葉式の半導体基
板の湿式洗浄装置について説明したが、バッチ式の湿式
洗浄装置に応用しても、洗浄薬液３を加熱することなし
に活性化することができる。
板の湿式洗浄装置について説明したが、バッチ式の湿式
洗浄装置に応用しても、洗浄薬液３を加熱することなし
に活性化することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、紫外光を前記洗浄薬液に照射することで、
当該洗浄薬液を加熱することなく活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。さらに、前記
洗浄薬液は、常温で使用することができる結果、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらにまた、前記洗浄薬液の経時変
化を抑えることができるため、常に一定の条件で半導体
基板の洗浄を行うことができる。この結果、半導体基板
上に、膜質が良好で、安定した膜を、低コストで、効率
良く成膜することができる。
明によれば、紫外光を前記洗浄薬液に照射することで、
当該洗浄薬液を加熱することなく活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。さらに、前記
洗浄薬液は、常温で使用することができる結果、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらにまた、前記洗浄薬液の経時変
化を抑えることができるため、常に一定の条件で半導体
基板の洗浄を行うことができる。この結果、半導体基板
上に、膜質が良好で、安定した膜を、低コストで、効率
良く成膜することができる。
【００１７】そして、請求項２記載の発明によれば、前
記洗浄液の活性化装置を紫外光照射装置とし、これを前
記洗浄薬液に光を照射することが可能な位置に配置した
ことで、当該洗浄薬液に紫外光を照射することができる
結果、当該洗浄薬液を加熱せずに活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。また、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらに、前記洗浄薬液の経時変化を
抑えることができるため、常に一定の条件で半導体基板
の洗浄を行うことができる。この結果、半導体基板上
に、膜質が良好で安定した膜を、低コストで、効率良く
成膜することができる。
記洗浄液の活性化装置を紫外光照射装置とし、これを前
記洗浄薬液に光を照射することが可能な位置に配置した
ことで、当該洗浄薬液に紫外光を照射することができる
結果、当該洗浄薬液を加熱せずに活性化することができ
る。従って、洗浄薬液を加熱するためのヒータが不要と
なる結果、電力の消費量を低減することができると共
に、ヒータが前記洗浄薬液に侵されたり、ヒータの破損
により洗浄薬液が汚染する危険性もない。また、洗浄薬
液が昇温するまでの待ち時間がなくなり、生産性を向上
することができる。さらに、前記洗浄薬液の経時変化を
抑えることができるため、常に一定の条件で半導体基板
の洗浄を行うことができる。この結果、半導体基板上
に、膜質が良好で安定した膜を、低コストで、効率良く
成膜することができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体基板の湿式洗浄装
置の概念図である。
置の概念図である。
１ 高圧水銀ランプ ２ 反射鏡 ３ 洗浄薬液 ４ 洗浄薬液散布ノズル ５ 半導体基板 ６ 受け皿 ７ 支持台 ８ ローター ９ 洗浄薬液排出口 １０ 紫外光照射装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を洗浄薬液で洗浄する半導体
基板の湿式洗浄方法において、 前記洗浄薬液に紫外光を照射して当該洗浄薬液の活性化
を行うことを特徴とする半導体基板の湿式洗浄方法。 - 【請求項２】 半導体基板を洗浄する洗浄薬液の活性化
装置を有した半導体基板の湿式洗浄装置において、 前記洗浄薬液の活性化装置は、紫外光照射装置であり、
当該紫外光装置が、前記洗浄薬液に紫外光を照射するこ
とが可能な位置に配置されていることを特徴とする半導
体基板の湿式洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112885A JPH05315310A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4112885A JPH05315310A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315310A true JPH05315310A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14597961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4112885A Pending JPH05315310A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315310A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461437B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus used for fabricating liquid crystal device and method of fabricating the same |
| US6837631B2 (en) * | 2000-08-15 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP4112885A patent/JPH05315310A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461437B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus used for fabricating liquid crystal device and method of fabricating the same |
| US6837631B2 (en) * | 2000-08-15 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4012820B2 (ja) | ウェハ洗浄モジュールおよび基板の表面の洗浄方法 | |
| JP3977807B2 (ja) | 半導体ウエハなどのワークピースを取り扱う処理および装置 | |
| JP3277404B2 (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
| KR100572295B1 (ko) | 반도체 웨이퍼와 같은 작업편을 가공하는 공정 및 장치 | |
| TW582065B (en) | Apparatus for cleaning semiconductor wafer and method for cleaning wafer using the same | |
| JP2006108304A (ja) | 基板処理装置 | |
| WO2000030164A1 (fr) | Procede d'elimination d'un film de photoresine | |
| US20090258159A1 (en) | Novel treatment for mask surface chemical reduction | |
| JP4088810B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP2001137800A (ja) | 基板処理装置及び処理方法 | |
| KR20160084449A (ko) | 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법 | |
| TWI357534B (en) | Novel method and system for advanced reticle conta | |
| JPH0724265B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JP2004273912A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP4482844B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| JPH05315310A (ja) | 半導体基板の湿式洗浄方法及び湿式洗浄装置 | |
| JPH11260779A (ja) | スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法 | |
| JP3538114B2 (ja) | 表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置 | |
| TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
| JPH05109686A (ja) | シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JP2001326210A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001156049A (ja) | 有機物剥離装置及び有機物剥離方法 | |
| JP3035450B2 (ja) | 基板の洗浄処理方法 | |
| JP2002018379A (ja) | 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法 | |
| JPH09134872A (ja) | レジスト剥離方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |