JP4012820B2 - ウェハ洗浄モジュールおよび基板の表面の洗浄方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概して基板洗浄に関し、特に、ウェハ洗浄モジュールおよび基板表面の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
当業者には周知の通り、ウェハの前処理や洗浄工程は、半導体装置の製造過程で行われる。ウェハ洗浄工程には、付着したパーティクルや吸着した化合物等の汚染物質をウェハの表面から取り除くという一作用がある。例えば、ウェハ表面の全体的、局部的平坦化を達成するために設計された化学機械平坦化（ＣＭＰ）工程の間、スラリ中の研磨屑のウェハ表面への結合や、スラリに含まれる化学薬品のウェハ表面全域への吸着が起こり得る。
【０００３】
集積回路の素子サイズの縮小化に伴い、実際には、製造工程が実施されているウェハの表面は、ほぼ１００％汚染物質のない状態であることが必要不可欠である。一つの既知の洗浄工程では、ウェハ表面から汚染物質を除去するために、ウェハは、ブラシスクラブステーション内の単一もしくは複数のブラシでスクラブ処理される。ブラシスクラブ処理中、ブラシの機械的動作によって起こる局部噴流によって、ウェハ表面から高率の汚染物質を除去するのに十分な剪断力が生成される。いくつかの例において、ブラシスクラブ工程は、ウェハ表面に振動を与えて汚染物質とウェハ表面間の分子結合の切断を助長するメガソニック攪拌によって補完される。別の例では、洗浄処理を促進するためにＫＯＨやＮＨ₄ＯＨ等の化学薬品が洗浄界面に導入される。これらの化学薬品を使用すると、同電荷イオンによって生成される歪力は、汚染物質とウェハ表面間の分子結合の切断を助長する。
【０００４】
上述の洗浄工程には、多くの欠点がある。もっとも重要な第一点は、これらの洗浄工程では、極めて強力な分子間力でウェハ表面と結合している最後の約１％の汚染物質を除去できないため、完全に汚染物質のないウェハを製造しないことである。第二に、従来のブラシスクラブ工程は中心調整型であった。つまり、従来のブラシステーションは、ウェハの中心部と端部とを均一にスクラブしない。従って、ウェハの表面全域を完全に洗浄するためには、複数回の工程が必要となり得る。複数回の工程は、ウェハの洗浄に費やす全体時間の増加とそれによるスループットの減少を招くため好ましくない。第三に、ブラシによってウェハ表面に微細なスクラッチがもたらされ、不良品として処分しなければならない程、ウェハを損傷することがある。このことは、製造工程の歩留まりを不都合なほどに低下させる。第四に、ブラシは、先に洗浄された基板の残留物を持ち込むことによって、複数回の洗浄工程が必要な程度までウェハを二次汚染する可能性がある。
【０００５】
以上の点から、スループットが低下せず、ウェハの表面を引っかいたり、あるいは損傷させることなく、ウェハを供給するような半導体ウェハ表面の洗浄方法が必要である。
【０００６】
【発明の概要】
概して、本発明は、飽和溶液の液晶混合物の攪拌により基板表面を洗浄する方法を提供することによって、これらの要求を満たす。本発明は、さらに、ウェハ洗浄モジュールも提供する。
【０００７】
本発明の一実施態様によると、基板表面を洗浄する第一の方法が開示されている。この方法において、基板の表面上に溶液が適用される。次に、溶液の結晶化が開始され、液晶混合物を生成する。一旦液晶混合物が生成されると、液晶混合物と基板との間に相対運動が起こり、基板に付着した汚染物質が除去される。この方法は特に、半導体ウェハの洗浄において有効である。
【０００８】
一実施態様において、溶液の液晶化を開始させる工程には、溶液を加熱することが含まれる。一例として、溶液は、赤外線放射によって加熱されるか、あるいは加熱したガスを溶液に加えることによって加熱され得る。
【０００９】
一実施態様において、液晶混合物と基板との間に相対運動をもたらす工程には、基板を回転させることが含まれる。その他としては、相対運動は、ブラシで液晶混合物を攪拌することによって起こり得る。
【００１０】
本発明の別の態様によると、基板の表面を洗浄する別の第二の方法が開示されている。この方法において、溶液はパッドに適用される。続いて溶液の結晶化が開始され、パッド上に液晶混合物が生成される。その後、この方法は基板の表面にパッドを接触されることによって継続する。一実施態様において、パッドはベルト型パッド、回転式パッド、環状型パッドから成るグループより選択される。
【００１１】
本発明のさらに別の態様によると、基板の表面を洗浄する第三の方法が供給されている。この方法において、溶液槽が供給される。次いで、基板は溶液槽内に置かれる。次に、溶液の結晶化が開始され、液晶混合物が生成される。一旦液晶混合物が生成されると、液晶混合物と基板との間に相対運動がもたらされる。
【００１２】
一実施態様において、溶液の液晶化を開始させる工程は、溶液の温度を液晶化が起こる温度に調整することを含む。一実施態様において、液晶混合物と基板との間に相対運動をもたらす工程には、基板を回転させること、あるいは液晶混合物にメガソニック攪拌を適用することが含まれる。
【００１３】
本発明のさらに別の態様によると、ウェハ洗浄モジュールが開示されている。ウェハ洗浄モジュールは、ベルト型パッドと、飽和溶液を分配するためのディスペンサを含んでいる。ウェハ洗浄モジュールはさらに、半導体ウェハを支えるためのキャリアヘッドを含んでいる。さらにウェハ洗浄モジュールには、飽和溶液の結晶化を誘導するための結晶化誘導器も含まれている。ディスペンサ、キャリアヘッド、液晶化誘導器はベルト型パッドの上方で、かつ液晶化誘導器がディスペンサとキャリアヘッドの間に位置するよう配置される。一実施形態において、液晶化誘導器は赤外線ランプである。
【００１４】
本発明のウェハ洗浄モジュールおよび基板表面の洗浄方法は、極めて強力な分子結合によって基板の表面に付着した最後の１％の汚染物質を取り除くことによって、汚染物質のない基板の歩留まりが可能となるため、有効である。特に、本発明の結晶溶液洗浄方法は、基板の表面に二次汚染や微細なスクラッチを発生させずに不均質面を有する基板の洗浄を可能とするため、有益である。さらに、本発明のウェハ洗浄モジュールおよび基板表面の洗浄方法は、柔軟で、中心調整型ではなく、かつ、洗浄プロセス全般にわたってボトルネックを作らないため、スループットが低下しないという利点も有する。
【００１５】
前述の概要と後述の詳述は典型的、模範的なものにすぎず、請求される発明に限定されるものではないことは理解されるであろう。
【００１６】
【好ましい実施態様の詳細な説明】
本発明の幾つかの好ましい実施態様について、添付図面を参照して以下に詳しく説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施態様において、半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ａである。この方法は、必要量の飽和溶液がウェハの表面に供給される工程１０２から始まる。飽和溶液は、固体成分を液体成分に溶解することによって得ることができる。例えば脱イオン（ＤＩ）水や水とアルコールの混合液等、任意の適した液体を液体成分とすることができる。固体成分としては、任意の適した溶解性化合物が該当し得る。従って、本発明の方法において、様々な種類の飽和溶液が使用可能であることは当業者にとって明らかであろう。
【００１８】
飽和溶液を生成するために使用される液体成分と固体成分は、特定の洗浄工程で洗浄される汚染物質の種類に応じた特性に基づいて選択され得る。一例によれば、洗浄される汚染物質の種類に応じて、以下の化合物が適用可能である。すなわち、フッ化アンモニウム、硝酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩、シュウ酸、酒石酸、マレイン酸、クエン酸、安息香酸、ホウ酸、EDTA等の有機酸、グリシン、アラニン等のアミノ酸、水酸化カリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウム等の塩基、フタル酸水素カリウム、重クロム酸カリウム、フェリシアン化カリウム、フェロシアン化カリウム、硝酸カリウム、シュウ酸カリウム、マンガン酸カリウム等の固体キレート、酸化剤、還元物質、固体界面活性剤およびイオン交換樹脂などである。例えば銅汚染物質の洗浄には、有機酸のような酸性化合物を使用するのが好ましい。以下で銅汚染物質の洗浄に関して詳細を説明する。
【００１９】
導入された飽和溶液の濃度は、固体成分の溶解度および溶解温度によって決まる。さらに、飽和溶液の濃度は、飽和溶液の液体成分が気化するために必要な時間によって、洗浄処理全体が著しく遅延しないように決められる。
【００２０】
必要とされる溶液の量は、ウェハ表面の汚染物質を実質的に覆うのに十分な量、あるいは実質的に汚染物質と同等の厚さの飽和溶液層を生成するのに十分な量である。例えば、通常除去される欠陥部分（すなわち、汚染物質）の大きさは通常、せいぜい２、３ミクロンである。従って、飽和溶液の必要量は、汚染物質の大きさだけでなく、洗浄される基板の大きさにも左右される。例えば、３００ミリのウェハを覆う飽和溶液が１００μ層と仮定すると、ウェハ１枚あたりに最低限必要とされる飽和溶液の量は、およそ１ｍｌであると概算される。
【００２１】
さらに工程１０２を説明すると、ウェハの表面はその後、必要量の飽和溶液で被膜される。この目的は、種々の技術によって実現可能である。例えば、飽和溶液によって実質的にウェハの表面全域が被膜されるまで、飽和溶液をウェハ上に噴出してもよい。別の選択肢として、必要量の溶液によって実質的にウェハ表面が被膜されるまで、ウェハをスピン回転させてもよい。第三の選択肢として、供給用飽和溶液を有する容器にウェハの表面を浸漬することにより、飽和溶液層を生成してもよい。ウェハの表面の浸漬処理に使用される溶液は、実質的には、ウェハの表面に一層の溶液層を形成する程度の量で十分なため、ウェハ表面の浸漬処理は手軽で、よって有益といえる。
【００２２】
一旦、必要量の溶液がウェハの表面に供給されると、次にこの方法は工程１０４に進み、そこで飽和溶液の結晶化が開始される。結晶化工程は、使用される化合物によって、熱乾燥を介する飽和溶液の乾燥処理、もしくは飽和溶液の凝固処理のどちらかを経て実現され得る。飽和溶液の熱乾燥は、同時に室温または高温のガス流（例えば窒素とアルゴン）を使用することで促進され得る。飽和溶液は、さらに、表面を赤外線（ＩＲ）放射（例えば赤外線ランプ）で照射することによって乾燥することも可能である。しかしながら、化学化合物の中には、安全性もしくはその他の理由で加熱できないものもある。そのような場合、飽和溶液を凝固または冷却することによって結晶を生成することができる。周知のように、化合物の溶解度は低温では低くなる。最初に、飽和溶液が加熱もしくは冷却されると、液体がまだいくらか残っている状態で結晶の形成が始まるため、液晶混合物が生成される。しかし、溶液の結晶化が継続すると、最終的にはほとんど全ての溶液が結晶となり、結晶膜を生成する。
【００２３】
引き続き図１を参照すると、一旦結晶化が開始されると、この方法は工程１０６に進み、そこで結晶化した飽和溶液とウェハとの間に相対運動を引き起こす。一例によれば、ウェハを回転させることにより実現可能である。しかしながら、例えば、ブラシを利用して残留した飽和溶液を攪拌する等、他の機構を実装しても、結晶溶液とウェハとの間に相対運動を引き起こすことが可能であることは、当業者とって明らかである。
【００２４】
以下に説明するように、基板に付着した汚染物質は、機械力、化学力の作用で除去される。ウェハを回転させると、結晶や残留する飽和溶液等の表面接触物は、ウェハ表面上の汚染物質に衝突する。この時、ウェハの表面は、結晶と液晶混合物の両方によって機械的および化学的な衝突を受ける。これは、液体飽和溶液と結晶がウェハの表面に固定されていないため、動作するウェハに対しては、液晶混合物の動きが実質的により鈍くなることから起こる。続いて、飽和溶液の濃度が液体気化の増加を伴って上昇するため、汚染物質の化学的衝突が段階的に増大する。最後に、完全な結晶化が起こる。液体が気化する間、溶液が主要成分として結晶水和物を有する結晶膜に完全に変化するまで、溶液の化学濃度は上昇する。従って、飽和溶液分子が結晶水和物に変化する際、最初に飽和溶液分子量は著しく増加する。しかしながら、その後、断続的に結晶膜を過熱し続けると、結晶水和物に含まれる既存の液体分子が気化し、これによって結晶の量が減少する。この結果、結晶膜が破れ、それによって大量のエネルギが生成される。この放出されたエネルギは、次に、汚染物質とウェハ表面との界面に送られ、極めて大きな剪断力を生成する。最後に、汚染物質とウェハ表面間の切断が、剪断力によって促進される。
【００２５】
動作１０６に続き、動作１０８では、結晶を溶解し、ウェハ表面から捕捉された汚染物質を除去するために結晶に溶媒が加えられ、この方法は完了する。その後、必要であれば、溶解溶液を除去するためにウェハをスピン回転させる。言うまでもなく、ウェハの表面を実質的に汚染物質のない状態とするために、この方法は必要なだけ何度でも繰り返してもよい。本発明の結晶化洗浄に続き、処理されたウェハ表面の洗浄、乾燥のために、最終のすすぎ、乾燥工程を行うことが可能である。
【００２６】
一実施態様において、本発明の洗浄方法は、ポストＣＭＰウェハ洗浄に用いることができる。従って、本発明の基板洗浄方法の全工程に要される時間により、ＣＭＰ工程に対するボトルネックができないのが好ましい。よって、飽和溶液を結晶化する所要時間は、およそ３０分以下であるのが好ましい。同様に、結晶を溶解する所要時間は、およそ３０分以下であるのが好ましい。
【００２７】
図２は、本発明の一実施態様において、ウェハ表面への飽和溶液の供給を示す洗浄モジュール２００の概略断面図である。図示のように、ウェハ２０２の外周に沿うよう定義された複数の案内路２０４を介して、飽和溶液２０６はウェハ２０２の表面の方へ供給される。図示のように、ウェハ２０２上に付着した複数のパーティクル２０２ａは、飽和溶液２０６の層で覆われている。一実施態様において、飽和溶液２０６の層厚は、実質的にはそこに付着しているパーティクル２０２ａの厚みと同等である。しかしながら、異なる実施態様では、飽和溶液２０６の層厚は実装例によって決まることは、当業者にとって明らかであろう。図２の一実施態様において、飽和溶液２０６の結晶化は、例えば赤外光など加熱を適用することによって実現する。しかしながら、すでに詳述のとおり、飽和溶液２０６の結晶化が任意の適した機構を用いて実現され得ることは、当業者にとって明らかである。さらに、異なる態様において、飽和溶液２０６は冷却されることによって結晶化段階に達し得る。
【００２８】
図３Ａは、図２のウェハ２０２を拡大して示した部分断面図で、本発明の一実施態様において、ウェハ２０２の表面を液晶混合物層で被膜する様子を示す。図示のように、飽和溶液２０６の結晶２０６ａは、実質的には捕捉された付着パーティクル２０２ａを有する。これは、通常、付着したパーティクル２０２ａは、実質的には結晶核として作用し、それ自体が結晶化プロセスを開始する。従って、まず、飽和溶液２０６に熱が加えられると、液体がいくらか残った状態で、徐々に付着パーティクル２０６ａの周りに結晶２０６ａが形成される。この時点で、水をスピン回転させ、あるいはブラシを導入することによって飽和溶液２０６の液晶混合物が活性化すると、結晶２０６ａと液体飽和溶液２０６は機械的に付着パーティクル２０２ａに衝突し、それによって付着パーティクル２０２ａを除去する。一方、液晶混合物に加える熱の増加に伴って飽和溶液２０６の濃度が高くなるため、飽和溶液２０６による付着パーティクル２０２ａの化学的衝突が増大する。
【００２９】
図３Ｂは、図２のウェハ２０２を拡大して示した部分断面図で、本発明の一実施態様における結晶膜の亀裂を示す。図示のように、飽和溶液２０６に熱が加えられ、実質的に、主要成分として結晶水和物を有する結晶膜２０６ｂに変化する。図示のように、付着パーティクル２０２ａは、実質的には結晶化の中心的役割を果たしており、結晶２０６ａに囲まれ、捕捉されている（entrapped）。結晶水和物２０６ａの水分子は、断続的に加熱され、結晶２０６ａの量を減らしながら気化し、結晶膜２０６ｂに亀裂２０６ｂ’を生じさせる。結晶膜２０６ｂに亀裂が生じた結果として生成されたエネルギは、かなり大きな剪断力が発生する付着パーティクル２０２ａとウェハ表面２０２との界面に送られている。発生した剪断力は、付着パーティクル２０２ａとウェハ表面２０２との分子結合の切断を助長している。
【００３０】
上記で説明した本発明は、不均質な表面を有するウェハやトポグラフィをもつウェハの表面洗浄、特にポスト銅ＣＭＰ洗浄において、有益である。周知のように、パターニング処理された銅ウェハ洗浄において、一連の特有な課題に直面する。例えば、銅の洗浄方法は、汚染物質を洗浄するだけでなく、さらにウェハの表裏に残存する銅の副生成物の除去を可能としなければならない。さらに、実装された洗浄方法は、銅侵食やウェハ間の二次汚染を防止するために必要とされる。本発明は、銅侵食やウェハ表面の二次汚染の可能性を排除しつつ、実質的にウェハの表面から汚染物質や銅の副生成物を除去するので、これらの要求を満たしているといえる。
【００３１】
例えば一実施態様によれば、図１の基板洗浄方法を利用して、ウェハの銅洗浄は、まず、ウェハの表面に必要量の飽和溶液を供給することから始まる。おそらく銅洗浄において、シュウ酸（Ｈ₂Ｃ₂Ｏ₄）、酒石酸、マレイン酸、クエン酸、安息香酸、ＥＤＴＡあるいはその他の任意の有機酸等の酸性化合物が、飽和溶液の生成に使用され得る。さらに、抑制作用を与えるために、酸化剤もしくはベンゾトリアゾール等の阻害物質も加えてもよい。次に、赤外光を利用して、飽和溶液の結晶化が開始される。周知のように、可視光線は銅侵食を引き起こすため、銅洗浄には使用不可能である。さらに、赤外光はより強烈な熱を生成するため、乾燥時間が短縮できる。銅洗浄において、スラリパーティクルや、化学薬剤等汚染物質等の付着パーティクルや銅副生成物は、結晶核として作用し、結晶水和物によって捕捉される。相対運動は、例えばウェハの回転などによって、飽和溶液の液晶混合物とウェハとの間に起こるため、結晶および液晶混合物の液体成分が化学的および機械的に付着パーティクルに衝突し、これによって付着パーティクルが除去される。その後、捕捉された付着パーティクルと飽和溶液結晶を、ウェハの表面に微細なスクラッチを発生させることなく除去するために、ウェハの表面に溶剤を加える。
【００３２】
ここで説明するように、結晶を用いてウェハの表面から汚染物質を除去することは、中心調整型ではないため、有益である。一方、従来のブラシスクラブ工程は、中心調整型で、ウェハの端部と中心部とを均一にブラシスクラブ処理することができない。液晶混合物に結晶を利用して汚染物質を除去することは、さらに、基板表面に残存する最後の１％の汚染物質を、ウェハ表面の小さな凹型トポグラフィ素子に存在する汚染物質も含め、洗浄することを可能とする。
【００３３】
図４は、本発明の一実施態様において、ブラシを用いて半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ｂである。この方法は、必要量の飽和溶液がウェハ表面に供給される工程１０２から始まる。次に、この方法は工程１０４へ進み、そこで供給された飽和溶液の結晶化が開始される。工程１０２、工程１０４については、図１に関連して既に詳述されている。
【００３４】
この方法は引き続き工程１１０へと進み、そこで液晶混合物を有するウェハ表面はブラシ処理される。一実施態様において、ブラシは、ポリビニール・アルコール（ＰＶＡ）パンケーキ型ブラシとしてもよい。本実施態様において、汚染物質に対する液晶混合物の化学的衝突は、パンケーキ型ブラシの機械的動作によって補完され、それによってウェハの表面から円滑に汚染物質を除去する。続く工程１０８において、除去された汚染物質と液晶混合物は溶媒を用いて溶解され、この方法は完了する。
【００３５】
上述の実施態様ではパンケーキ型ブラシを使用しているが、ペンシルブラシや回転ブラシ等の任意の適した形状のブラシが使用され得ることは、当業者にとって明らかである。さらに、実装されるブラシは、ＰＶＡ発泡体で製造されたものだけでなく、ナイロンやモヘア等、任意の適した材質で製造したものも該当し得る。
【００３６】
図４の方法はさらに、本発明の一実施態様において、パンケーキ型ブラシを用いたウェハ表面の付着パーティクルの洗浄を示す図５Ａに図示される洗浄モジュール２００ｂ’に基づいて理解することができる。図５Ａに示すように、キャリアヘッド２１４は、止め輪２１６を用いてウェハ２０２を留めたまま回転方向２２６に回転する。一実施態様によれば、付着パーティクル２０２ａは飽和溶液２０６の層で覆われている。図示のように、一実施態様において、プレート２２２に取り付けられたブラシ２２４は、実質的にはキャリアヘッド２１４の上方で、かつ左側に配置され、ブラシ回転方向２２０の向きに回転する間、力Ｆでウェハの表面に当てられる。結晶化誘導器２１２は、実質的にはキャリアヘッド２１４の上方で、かつ左側に配置されている。一実施形態において、液晶化誘導器はランプ等の加熱モジュールである。図示のように、ランプ等の液晶化誘導器２１２に生成された放射は、実質的にはウェハ２０２の表面上へと向けられる。
【００３７】
図５Ｂは、図５Ａに示すウェハ２０２の一部分の展開断面図で、新たに形成された飽和溶液２０６の結晶２０６ａが付着パーティクル２０２ａを捕捉する様子を示す。図５Ａのウェハ洗浄モジュール２００ｂ’は、化学的な力と機械的な力を組み合わせて用いることにより、ウェハ表面２０２から付着パーティクル２０２ａを除去する。まず、ウェハ２０２が回転方向２０６に回転すると、液晶混合物２０６の結晶２０６ａは、付着パーティクル２０２ａに化学的および機械的に衝突する。この機械的衝突は、結合を解かれた動きの鈍い結晶２０６ａとパーティクル２０２ａとの癒着が原因で起こり、この衝突によって、付着パーティクル２０２ａが除去される。一方、化学的衝突は、飽和溶液２０６に含まれる液体の気化が原因で発生する。こうした化学的衝突や機械衝突はさらに、パンケーキ型ブラシ２２４の機械的動作によって補完される。キャリアヘッド２１４そしてウェハ２０２および液晶混合物が回転方向２２６に回転すると、回転ブラシ２２４は回転するウェハ２０２に当てられ、それによって付着パーティクル２０２ａを除去する。
【００３８】
図６は、本発明の別の実施態様において、パッドを用いて半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ｃである。この方法は、飽和溶液がパッドに適用される工程１１２から始まる。一実施態様において、パッドはソフトパッドであるが、その他任意の適した形状のパッドが使用され得ることは、当業者に理解されなければならない。一実施態様において、パッドに供給される溶液の量は、パッドの表面全域に飽和溶液層を形成するのに実質的に十分な量である。この目的は、案内路の使用、直接パッドに溶液をスプレーする等様々な方法を利用してパッドの表面に溶液を供給することによって、実現可能である。次に、この方法は工程１１４へ進み、そこで供給された飽和溶液の結晶化が開始される。工程１０２、１０４（図４参照）に関連した上述の液晶混合物を形成する溶液と溶液の結晶化に関する詳細は、工程１１２、１１４にもそれぞれ適用される。
【００３９】
一旦、結晶がパッドの表面上に出現すると、この方法は引き続き工程１１６へと進み、そこでウェハの表面はパッドと接触する。この方法において、液晶混合物が汚染物質に接触する際、液晶混合物の結晶が汚染物質を取り囲んで捕捉する際、液晶混合物の汚染物質に対する化学的衝突は開始させる。その後、この化学的衝突はパッドの機械的動作によって補完され、最終的には汚染物質を除去する。この時点において、この方法は完了する。
【００４０】
図６の方法は、図７の参照よりさらに理解することができる。図７Ａは、ウェハ洗浄モジュール２００ｃ’を簡略化して示した部分断面図で、本発明の一実施態様において、液晶混合物層を有するベルト型パッドを用いた付着パーティクルの洗浄を示す。図示のように、一実施態様によれば、飽和溶液２０６は、実質的にパッド２０８の上方で、かつ左側に配置された飽和溶液ディスペンサ２１０を介して、ベルト型パッド２０８の表面上に運ばれる。止め輪２１６を用いてウェハ２０２を留めているキャリアヘッド２１４は、実質的にはパッド２０８の上方で、かつ右側に配置されている。キャリアヘッドは、力Ｆを利用して、ウェハ２０２を動作するパッド２０８に当てるよう構成されている。結晶化誘導器２１２は、実質的にはパッド２０８の上方で、かつ飽和溶液ディスペンサ２１０とキャリアヘッド２１４の間に配置される。一実施態様において、結晶化誘導器２１２は、例えばランプ等の加熱モジュールである。従って、結晶化誘導器２１２によって生成された熱は、飽和溶液２０６に含まれる液体を気化する飽和溶液２０６に配向され、液晶混合物を生成する。パッド２０８が動作方向２１８に動くと、液晶混合物がウェハ２０２の表面の付着パーティクル２０２ａと接触し、それによって付着パーティクル２０２ａが除去される。
【００４１】
図７Ｂは、図７Ａに示すパッド２０８の一部分の展開断面図で、本発明の一実施態様において、パッド２０８上に結晶２０６ａと飽和溶液２０６が同時に存在する様子を示す。本実施態様において、パッド２０８はベルト型パッドであるが、回転型や環状型等の任意の適した形状のパッドをパッド２０８としてもよいことは、当業者にとって明らかである。
【００４２】
図８は、本発明の一実施態様において、結晶液を用いて半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００である。この方法は溶液が供給される工程１２０から始まる。供給される溶液としては、飽和溶液が可能であるが、容器に供給され、その容器内に置かれた半導体ウェハを覆うぐらいの量であるのが好ましい。飽和溶液を作り出す過程で利用される固体成分および液体成分に関する詳細は、工程１０２（図１参照）に関連してすでに説明されている。
【００４３】
その後工程１２２において、ウェハは飽和溶液に置かれる。続いてこの方法は工程１２４へと進み、飽和溶液の結晶化が開始される。工程１０４（図１参照）に関連してこれまでに説明された結晶化工程に関する詳細は、工程１２４にも適用される。一実施態様において、飽和溶液の結晶化は、導入される固体成分および液体成分に応じて、飽和溶液の温度を結晶化温度Ｔｃより低くすることによって実現される。一旦飽和溶液の温度がＴｃより低くなると、飽和溶液は液晶混合物に変化し始める。その後、この方法は引き続き工程１１８へと進み、そこで液晶混合物とウェハとの間に相対運動を引き起こす。一実施態様によれば、液晶混合物の浴槽内でウェハを回転させることにより、相対運動が生成される。一方、別の実施態様によれば、相対運動は、例えばメガソニック攪拌など任意の適した機構を介して生成され得る。ウェハと液晶混合物との相対運動が生じた結果、新たに形成された結晶は、ウェハ表面に残存する汚染物質を取り囲み、捕捉する。従って、捕捉された汚染物質は、ウェハの動作によって発生した噴流により、あるいはメガソニック攪拌を介して攪拌された液晶混合物により、除去することができる。最後に、この方法は引き続き工程１２０へと進み、液晶混合物は、例えば上記Ｔｃまで液晶混合物の温度を上昇させることによって、結晶が溶解される。液晶混合物の温度が上昇するにつれて、結晶は変化して飽和溶液の液状に戻るため、飽和溶液槽中に除去された汚染物質は除去される。
【００４４】
結晶溶液洗浄方法は、ブラシを利用せずにウェハ表面を洗浄するため、きわめて柔軟な方法で、有益である。ウェハ洗浄は、洗浄工程を繰り返す複数回の工程において実現可能なため、銅ウェハなど不均一な面を有するウェハの洗浄にとって、特に有益である。そうした状況では、ウェハは、第１の種類の汚染物質や副生成物に適した飽和溶液で満たした容器に置かれて、洗浄される。次に、容器の中身を抜き、次のウェハ洗浄工程のためにウェハのすすぎと乾燥を行う。次に、第２の種類の汚染物質や副生成物に適した飽和溶液で満たした容器にウェハを置いて、洗浄する。その後、再度容器の中身を抜き、次のウェハ洗浄工程のためにウェハに二度目のすすぎと乾燥を行う。この洗浄手順は、先の洗浄工程からの二次汚染を一切排除するのに必要なだけ、何度も繰り返すことができる。
【００４５】
本実施例において、飽和溶液はそのＴｃに達するまで冷却されるが、別の実施態様においては、液晶混合物が得られるまで飽和溶液を加熱するとしてもよいことは、当業者に理解されなければならない。さらに、一旦、結晶核として作用する汚染物質が結晶に取り囲まれると、拘束力が壊され、これによってパーティクルが除去される。この場合、その後、単に結晶の溶解とすすぎ処理を行うだけで、ウェハの表面からパーティクルを除去するのに十分な処理となる。
【００４６】
概して、本発明は、溶液の液晶混合物と基板との間に相対運動を起こすことにより基板の表面を洗浄する方法と、ウェハ洗浄モジュールを提供する。ここでは、いくつかの好適な実施態様を説明した。本発明の実装や実施の検討により、本発明のその他の実施態様は当業者には明らかであろう。例えば、洗浄方法はいくつかの段階においてメガソニック攪拌を含むよう変形され得る。上述の実施態様や好適な特徴に関しては、添付のクレームで定義される発明と共に典型例として検討すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施態様において、半導体ウェハ表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ａである。
【図２】 本発明の一実施態様において、ウェハ表面への飽和溶液の供給を示す洗浄モジュール２００の概略断面図である。
【図３Ａ】 図２のウェハ２０２を拡大して示した部分断面図で、本発明の一実施態様において、液晶混合物の層でウェハ２０２の表面を覆った様子を示す。
【図３Ｂ】 図２のウェハ２０２を拡大して示した部分断面図で、本発明の一実施態様における結晶膜の亀裂を示す。
【図４】 本発明の一実施態様において、ブラシを用いて半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ｂである。
【図５Ａ】 本発明の一実施態様において、パンケーキ型ブラシを用いたウェハ表面の付着パーティクルの洗浄を示す。
【図５Ｂ】 図５Ａに示すウェハ２０２の一部分の展開断面図で、新たに形成された飽和溶液２０６の結晶２０６ａで付着パーティクル２０２ａを捕捉する様子を示す。
【図６】 本発明の別の実施態様において、パッドを用いて半導体ウェハの表面を洗浄する際に行われる方法の工程を示すフローチャート図２００ｃである。
【図７Ａ】 ウェハ洗浄モジュール２００ｃ’を簡略化して示した部分断面図で、本発明の一実施態様において、液晶混合物層を有するベルト型パッドを用いた付着パーティクルの洗浄を示す。
【図７Ｂ】 図７Ａに示すパッド２０８の一部分の展開断面図で、本発明の一実施態様において、パッド２０８上に結晶２０６ａと飽和溶液２０６が共存する様子を示す。
【図８】 本発明の一実施態様において、結晶液を用いて半導体ウェハ表面を洗浄する際に行われる方法工程を示すフローチャート図２００ｄである。

Claims (10)

1. 基板の表面を洗浄する制御方法であって、
   基板の表面に飽和液体溶液を供給することと、
   液晶混合物を生成するために、前記飽和液体溶液を前記基板の表面に適用した後、前記飽和液体溶液を加熱することによって、前記飽和液体溶液の結晶化を開始させることと、
   ブラシで前記液晶混合物を攪拌し前記液晶混合物と前記基板との間に相対運動をもたらすことによって、基板表面を洗浄すること
   を備える制御方法。
2. 請求項１記載の制御方法であって、前記基板は半導体ウェハである制御方法。
3. 請求項１記載の制御方法であって、前記飽和液体溶液は、赤外線放射を用いて加熱される制御方法。
4. 請求項１記載の制御方法であって、前記飽和液体溶液は、加熱したガスが加えられることにより加熱される制御方法。
5. 請求項１記載の制御方法であって、前記液晶混合物と前記基板との間に相対運動をもたらす工程は、前記基板を回転させることを備える制御方法。
6. 請求項１記載の制御方法は、さらに、前記液晶混合物と前記基板との間に相対運動をもたらした後、前記液晶混合物中の結晶を溶解するために溶媒を加えることを備える制御方法。
7. 基板の表面を洗浄する制御方法であって、
   飽和液体溶液槽を供給することと、
   前記飽和液体溶液槽内に基板を置くことと、
   前記飽和液体溶液槽内に液晶混合物を生成するために、前記基板が前記飽和液体溶液槽内に配置された後、前記液体溶液を加熱して、前記飽和液体溶液の結晶化を開始させることと、
   前記液晶混合物と前記基板との間に相対運動をもたらすことによって、基板表面を洗浄することと
   を備える制御方法。
8. 請求項７記載の制御方法であって、前記基板は半導体ウェハである制御方法。
9. 請求項７記載の制御方法であって、前記飽和液体溶液の結晶化を開始させる工程は、前記溶液の温度を結晶化が起こる温度に調整することを備える制御方法。
10. 請求項７記載の制御方法であって、前記液晶混合物と前記基板との間に相対運動をもたらす工程は、前記基板を回転させること、あるいは前記液晶混合物をメガソニック攪拌することを備える制御方法。

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