KR100338777B1 - 화학 기계적 연마 이후의 구리층 부식을 방지하는 반도체장치 제조방법 및 이에 이용되는 화학 기계적 연마장치 - Google Patents

화학 기계적 연마 이후의 구리층 부식을 방지하는 반도체장치 제조방법 및 이에 이용되는 화학 기계적 연마장치 Download PDF

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Abstract

화학 기계적 연마 이후의 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법 및 이에 이용되는 화학 기계적 연마 장치를 개시한다. 본 발명의 일 관점은 구리층이 형성된 웨이퍼를 화학 기계적 연마 장치에서 연마한 후 세정 장치로 이송하기 위해서 대기할 때, 대기 위치에 모여진 웨이퍼들에 부식 방지제가 함유된 용액을 제공하여 적어도 연마된 구리층 표면이 용액으로 웨팅(wetting)된 상태로 유지되도록 한다. 이후에, 대기 위치에 모아진 웨이퍼들을 세정 장치로 이송하여 세정한다. 이때, 용액은 순수에 부식 방지제를 첨가한 용액을 이용하고, 부식 방지제는 바람직하게 벤조트리아졸(benzo-tri-azole)을 이용한다. 또한, 상기한 웨이퍼들의 이송 시에도 이송되는 웨이퍼들의 표면은 부식 방지제를 포함하는 용액으로 웨팅된 상태를 유지한다. 그리고, 이러한 방법을 수행하는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 화학 기계적 연마 이후에 연마된 구리층이 부식되는 것을 방지할 수 있다.

Description

화학 기계적 연마 이후의 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법 및 이에 이용되는 화학 기계적 연마 장치{Manufacturing method of semiconductor device for protecting Cu layer from post chemical mechanical polishing-corrosion and chemical mechanical polisher used in the same.}
본 발명은 반도체 장치 제조에 관한 것으로, 특히, 화학 기계적 연마(CMP;Chemical Mechanical Polishing) 이후에 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법 및 이에 이용되는 화학 기계적 연마 장치에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화 및 고성능화됨에 따라, 반도체 장치에 사용되는 배선으로 구리층을 이용하는 것이 제시되고 있다. 구리층은 다마신(damascene) 공정으로 패터닝되어 배선으로 이용되고, 이러한 구리층의 패터닝에는 구리층을 형성한 후 CMP하는 공정이 사용되고 있다.
이와 같은 구리층은 그 형성 도중에 부식(corrosion)에 취약한 특성을 나타내고 있다. 이에 따라, 구리층은 상기한 바와 같은 CMP 공정 도중 또는 CMP 공정 후의 세정 공정 등에서 부식될 수 있다. 이와 같은 구리층의 부식은 갈바닉 부식(galvanic corrosion) 및 광에 의한 부식(photo assisted corrosion)에 의해 발생되는 것으로 알려져 있다. 이러한 CMP 도중에 발생하는 구리층의 부식을 방지할 목적으로, CMP 도중에 계속해서 금속층 표면에 부식 방지막을 형성하는 방법이 제시되고 있다.
그러나, 구리층의 부식은 상기한 바와 같은 CMP 이후에 수반되는 공정 중에도 발생할 수 있다. 상세하게 설명하면, 구리층의 CMP를 위해서 CMP 장치에 장착되는 웨이퍼들은 캐리어에 삽입되어 상기 CMP 장치에 여러 장이 한 번에 장착된다. 따라서, CMP 장치에 장착된 웨이퍼들 중 먼저 CMP가 수행된 웨이퍼는, 다른 후속의웨이퍼들이 모두 CMP될 때까지 CMP 장치의 탈착 위치(unloading station)에서 대기하여야 한다. 예를 들어, CMP 장치에 25매의 1런(run)의 웨이퍼들이 장착될 경우, 초기에 CMP된 웨이퍼는 상기한 탈착 위치에서 대략 2시간 이상 대기하게 될 수 있다.
대기 상태에 있는 웨이퍼의 표면은 CMP에서 사용된 용액에 의해서 웨팅된 상태이며, 이러한 웨팅된 용액 내에는 슬러리(slurry) 또는 이에 포함된 산화제(oxidizer) 등과 같이 부식을 유도하는 물질이 잔류할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 표면, 실질적으로 연마된 구리층 표면에 웨팅된 용액은 갈바닉 부식 또는 광에 의한 부식 작용을 유도할 수 있어 구리층 표면에 부식을 발생시키는 요인으로 작용할 수 있다. 이러한 대기 시간이 상기한 바와 같이 2시간 정도 또는 그 이상으로 매우 길게 되면, 이러한 부식은 매우 심각한 수준으로 발생할 수 있다. 더욱이, 연마된 웨이퍼들은 상기한 대기 위치에서 모아져 세정 단계로 이송되므로, 상기한 대기 시간에 더불어 이송 시간 동안에도 상기한 바와 같은 부식 작용이 계속 진행될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 화학 기계적 연마 이후에 연마된 구리층 표면에 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 화학 기계적 연마 이후에 연마된 구리층 표면에 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를제공하는 데 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 이용되는 부식 방지제를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 이용되는 화학 기계적 연마 장치를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명>
100: 웨이퍼, 300: 구리층,
411: 캐리어, 425: 탈착 위치,
427: 용액조, 450: 연마 위치,
510: 용액 공급 용기, 600: 부식 방지제를 함유하는 용액.
700: 세정액.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 구리층이 형성된 웨이퍼를 화학 기계적 연마 장치에서 연마한 후 세정 장치로 이송하기 위해서 대기할 때, 대기 위치에 모여진 웨이퍼들에 부식 방지제가 함유된 용액을 제공하여 적어도 상기 연마된 구리층 표면이 상기 용액으로 웨팅된 상태로 유지되도록 한다. 이후에, 대기 위치에 모아진 상기 웨이퍼들을 세정 장치로 이송하여 세정한다.
이때, 상기 용액은 순수에 상기 부식 방지제를 첨가한 용액을 이용하고, 상기 부식 방지제는 바람직하게 벤조트리아졸을 이용한다.
또한, 상기한 웨이퍼들의 이송 시에도 이송되는 웨이퍼들의 표면은 상기한 부식 방지제를 포함하는 용액으로 웨팅된 상태를 유지한다.
상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 캐리어에 채워진 웨이퍼들이 순차적으로 장착되어 웨이퍼 상에 형성된 구리층이 연마되는 연마 패드를 포함하는 연마 위치와, 상기 연마 위치에서 로봇에 의해서 탈착되는 웨이퍼들이 순차적으로 삽입되는 빈 캐리어가 대기하는 장소를 제공하며 상기 삽입된 웨이퍼들의 상기 연마된 구리층의 표면에 부식 방지제가 포함된 용액을 공급하는 대기 위치를 포함하는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.
이때, 상기 대기 위치는 상기 캐리어가 장착되어 상기 공급되는 용액에 잠기도록 상기 용액을 담는 용액조와, 상기 용액조에 상기 용액을 공급하는 공급관과, 상기 용액조에 담긴 상기 용액을 배출하는 배출관, 및 상기 공급관에 연결되어 상기 용액을 공급하는 용액 공급 용기를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, CMP 후에 웨이퍼의 연마된 구리층이 부식되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화학 기계적 연마 이후의 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 이용되는 부식 방지제를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 이용되는 화학 기계적 연마 장치를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1은 웨이퍼(100) 상에 구리층(300)을 형성하는 단계를 개략적으로 나타낸다.
구체적으로, 웨이퍼(100) 상에 층간 절연층(200)을 실리콘 산화물과 같은 절연 물질로 형성한다. 이후에, 층간 절연층(200) 상에 배선층으로 이용될 금속층, 예컨대, 구리층(300)을 전기 도금법(electro-plating) 등을 이용하여 형성한다. 이 경우, 층간 절연층(200) 상에 시드층(seed layer;도시되지 않음)을 형성한 후, 구리층(300)을 전기 도금법으로 형성할 수 있다.
구리층(300)을 반도체 장치의 배선으로 이용하기 위해서 다양한 방법으로 패터닝할 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 다마신 공정을 이용하여 배선으로 구리층(300)이 패터닝되는 경우를 예로 들어 설명한다. 따라서, 층간 절연층(200)에 다마신 공정을 위한 트렌치(trench;250)를 형성하는 공정이 상기한 구리층(300)을 형성하는 공정에 선행되고, 구리층(300)은 트렌치(250)를 메우는 두께 이상으로 형성된다.
도 2는 구리층(300)을 CMP하여 배선으로 패터닝하는 단계를 개략적으로 나타낸다.
구체적으로, 상기한 바와 같이 그 상에 구리층(300)이 형성된 웨이퍼(100) 여러 장을 캐리어(carrier)에 삽입한다. 이때, 하나의 캐리어에는 한 런에 해당하는 웨이퍼(100)들, 예컨대, 25매 정도의 웨이퍼(100)들이 삽입된다. 웨이퍼(100)들이 삽입된 캐리어를 도 7에 도시된 바와 같은 CMP 장치에 장착한다. 캐리어(411)는 선형 웨이퍼 로봇(linear wafer robot;413)에 의해서 장탈착 위치(loading-unloading station;420)로 보내진다.
장탈착 위치(420)는 CMP 장치의 연마 위치(polishing station;450)로 한 매씩 웨이퍼(100)를 공급하고 회수할 때 웨이퍼(100)들이 대기하는 대기 위치로 이용된다. 따라서, 장탈착 위치(420)는 웨이퍼(100)가 삽입된 캐리어(411)가 대기하는 장착 위치(421)와 탈착 위치(425)로 이루어진다. 장착 위치(421)는 연마 위치(450)로 웨이퍼(100)가 이송되기를 대기하는 장착 대기 위치로 이용되고 탈착 위치(425)는 연마 위치(450)로부터 웨이퍼(100)가 회수되어 CMP 장치 바깥으로 탈착되기를 대기하는 탈착 대기 위치로 이용된다. 따라서, 캐리어(411)에 담겨 CMP 장치에 장착되는 웨이퍼(100)들은, 먼저, 장착 위치(421)에서 캐리어(411)에 담긴 채 대기한다.
장탈착 위치(420)의 인근에 설치되는 이송 위치(430)에 설치된 폴라 웨이퍼 로봇(polar wafer robot;431)은, 캐리어(411)에 담겨 장착 위치(421)에 대기 중인 웨이퍼(100)들을 순차적으로 웨이퍼 장탈착부(wafer loading-unloading module;440)로 이송하고, 이송된 웨이퍼(100)들은 다수의 연마 패드(451)에 순차적으로 장착된다. 이때, 이송 위치(430)에는 인 라인 메트롤로지(in-line metrology;433)가 설치되어 웨이퍼(100)의 이송이 적절한 지를 감지한다.
연마 패드(451) 상에는 패드 콘디셔너(pad conditioner;453)가 설치되고, 웨이퍼(100)는 터릿(turret;445)에 의해서 연마 패드(451)에 연마될 면이 접촉한 채로 CMP된다. 이때, CMP는 도 2에 도시된 바와 같이 구리층(300) 하부의 층간 절연층(200)의 표면이 노출되도록 수행된다. 이에 따라, 구리층(300)은 트렌치(250) 내에 선택적으로 존재하게 되어 배선으로 패터닝된다.
CMP 연마는 알려진 바와 같이 슬러리 또는 산화제 등을 포함하는 연마 용액을 이용하므로, CMP 연마를 수행하는 동안 구리층(300)의 표면이 부식되는 것을 방지하기 위해서 상기한 연마 용액에 부식 방지제(corrosion inhibitor)를 포함시킬 수 있다.
도 3은 연마된 구리층(300)의 표면에 부식 방지제를 함유하는 용액을 공급하며 웨이퍼(100)를 대기하는 단계를 개략적으로 나타낸다.
구체적으로, 연마가 완결된 웨이퍼(100)들은 도 7에 제시된 바와 같은 CMP 장치의 장탈착부(440)에 의해서 장탈착 위치(420), 실질적으로는 탈착 위치(425)인 대기 위치에 웨이퍼(100)가 채워지도록 대기 중인 빈 캐리어(411)에 순차적으로 삽입된다.
이때, 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)에 대기중인 빈 캐리어(411)에 삽입되는 웨이퍼(100)의 연마가 완결된 구리층(300) 표면에는 상기한 슬러리를 포함하는 연마 용액이 잔류될 수 있다. 그리고, 이와 같이 탈착 위치(425)에 대기 중인 캐리어(411)에 삽입된 웨이퍼(100)는 상기한 캐리어(411)가 연마가 완결된 웨이퍼(100)들로 완전히 채워질 때까지 상기한 연마 용액, 특히, 슬러리 등이 표면에 잔류하는 상태로 대기하게 된다.
상기한 바와 같은 연마된 웨이퍼(100)들이 대기 중인 캐리어(411)를 완전히 채우기까지는 상당한 시간이 소요된다. 도 7에 도시된 바와 같은 CMP 장치는 매엽식으로 연마를 수행하므로, 상기한 캐리어(411)에 초기에 삽입되는 연마된 웨이퍼(100)는 상기한 바와 같이 1 런이 25매일 경우 25매의 웨이퍼(100)들이 모두연마될 때까지 상기한 캐리어(411)에, 즉, 탈착 위치(420)에 대기하여야 한다. 이러한 CMP 장치로 25매의 웨이퍼(100)를 연마할 경우 대략 2시간 정도 소요될 것으로 예상된다.
이와 같이 연마된 웨이퍼(100)가 상기한 바와 같이 오랜 시간 동안 연마 용액, 특히 슬러리 또는 산화제 등을 표면에 잔류한 상태로 대기하면, 상기한 잔류하는 연마 용액, 특히, 슬러리 또는 산화제의 존재에 의해서 연마된 구리층(300)의 표면에 갈바닉 부식 또는 광에 의한 부식이 발생할 수 있다. 따라서, 연마된 구리층(300)의 표면이 부식되어 배선 불량의 요인으로 작용할 수 있다.
이와 같이 연마된 웨이퍼(100)가 CMP 이후의 세정 단계로 이송되기 이전에 대기하는 대기 시간 동안 상기한 바와 같은 연마된 구리층(300)의 표면에 부식이 발생하는 것을 억제하기 위해서, 본 발명의 실시예에서는 대기하는 웨이퍼(100)의 표면에 부식 방지제가 포함된 용액(600)을 제공하여 상기한 연마된 구리층(300)의 표면이 부식되는 것을 방지한다.
부식 방지제로는 구리층(300)의 부식을 방지할 수 있는 물질, 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같은 BTA(Benzo-Tri-Azole;C6H5N3)을 들 수 있다. 더하여, 인디아졸(indiazole), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 메르캅토벤조씨아졸(mercaptobenzothiazole), 이미다졸린 티온(imidazoline thione) 등과 같은 물질을 상기한 부식 방지제로 이용할 수 있다. 바람직하게는 BTA를 상기한 부식 방지제로 사용한다.
BTA와 같은 부식 방지제를 순수에 용해시켜 상기한 용액(600)으로 이용한다.이때, 부식 방지제는 상기한 순수에 포화 농도 이하로 첨가된다. 이와 같이 부식 방지제가 첨가된 순수로 이루어지는 용액(600)을 연마된 웨이퍼(100)의 표면에 제공하면, 상기한 용액(600)에 첨가된 부식 방지제, 예컨대, BTA는 구리층(300)의 표면과 반응하여 구리층(300)의 표면에 10 내지 20 분자 두께로 폴리머 복합막(polymeric complex layer)을 형성한다.
이러한 폴리머 복합막은 부식 침해에 대해서 기계적 및 전기화학적 장벽막(mechanical and electrochemical barrier layer)으로 작용할 수 있어 부식을 억제할 수 있다. 상세하게 설명하면, 이러한 폴리머 복합막은 연마된 웨이퍼(100) 표면에 잔류하는 연마 용액에 함유된 산화제 또는 슬러리 등이 구리층(300)의 표면과 반응하여 갈바닉 부식 또는 광에 의한 부식이 발생시키는 것을 방지하는 보호막으로 작용한다.
따라서, 대기 상태로 연마된 웨이퍼(100)가 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)에 장시간 대기하더라도, 상기한 바와 같이 부식 방지제가 함유된 순수 용액을 공급함으로써 구리층(300)의 표면 부식을 방지할 수 있다.
한편, 이와 같이 부식 방지제가 함유된 순수 용액(600)을 상기한 바와 같이 캐리어(411)에 삽입되어 대기 상태로 대기하는 웨이퍼(100) 상에 공급하기 위해서, 도 8에 제시된 바와 같이 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)를 구성할 수 있다.
도 8을 참조하면, 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)는 연마될 웨이퍼(100)가 삽입 장착될 캐리어(411)를 수용하는 용액조(427)를 포함하여 이루어진다. 용액조(427)에는 캐리어(411)의 웨이퍼(100)에 상기 용액(600)을 공급하기 위한 공급관(511)의 일단부가 연결되고, 공급관(511)의 타단부는 용액 공급 용기(510)에 연결되어, 용액 공급 용기(510)에 저장된 용액(600)이 용액조(427)에 원활히 공급되어 웨이퍼(100)의 표면에 제공되도록 한다. 이때, 용액 공급 용기(510)로부터의 용액(600)의 공급은 공급 밸브(513)를 조절함으로써 제어될 수 있다. 용액조(427)의 하단에는 사용된 용액(600)을 배출하도록 배출관(515)이 연결되며, 배출은 배출 밸브(517)를 조절함으로써 제어될 수 있다.
상기한 바와 같은 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)의 용액조(427)에 공급되는 용액(600)은 적어도 캐리어(411)에 삽입된 웨이퍼(100)의 표면을 충분히 웨팅(wetting)할 정도로 공급된다. 바람직하게는, 용액조(427) 내의 대기하는 연마된 웨이퍼(100)들이 용액조(427)에 담긴 용액(600)에 충분히 잠길 수 있도록 공급되는 용액(600)의 양을 공급 밸브(513)로 제어한다. 이와 같이 함으로써, 웨이퍼(100)의 표면, 특히, 연마된 구리층(300)의 표면이 상기한 용액(600)으로 웨팅되도록 한다.
도 4는 연마된 웨이퍼(100)를 세정 장치로 이송하는 단계를 개략적으로 나타낸다.
구체적으로, CMP 장치의 대기 위치, 즉, 탈착 위치(425)에 장착된 캐리어(411)에 연마 위치(450)로부터 회수되는 웨이퍼(100)들이 모두 삽입되면, 캐리어(411)를 CMP 장치와 별도로 설치된 세정 장치로 이송한다. 이러한 이송 시에도 웨이퍼(100)들의 표면, 실질적으로 구리층(300)의 표면은 상기한 부식 방지제를 함유하는 용액(600)으로 웨팅된 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한구리층(300) 표면이 용액(600)으로 웨팅된 상태를 이송 도중에 지속적으로 유지하기 위해서 필요에 따라, 이러한 캐리어(411)의 이송 시 상기한 캐리어(411), 실질적으로는 웨이퍼(100)에 부식 방지제를 함유하는 용액(600)을 추가로 공급할 수 있다.
도 5는 연마된 웨이퍼(100)를 세정액(700)으로 세정하는 단계를 개략적으로 나타낸다.
구체적으로, 세정 장치로 이송된 웨이퍼(100)들에 세정액(700), 예컨대, 순수를 공급하여 웨이퍼(100) 표면에 잔류하는 물질을 제거한다. 이때, 상기한 세정액에 상기한 BTA와 같은 부식 방지제를 더 첨가할 수 있다. 이러한 부식 방지제의 추가적인 첨가에 의해서, 세정 단계 도중에 발생할 수 있는 구리층(300)의 갈바닉 부식 또는 광에 의한 부식 등을 더욱 더 방지할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
상술한 본 발명에 따르면, 후속의 CMP 이후의 세정 단계로 이송하기 이전에 CMP된 웨이퍼들이 대기 상태로 대기할 때, 상기 CMP된 웨이퍼들 상에 부식 방지제를 함유하는 용액을 제공하여 CMP된 구리층의 표면을 상기 용액으로 웨팅시킴으로써 구리층의 부식을 방지할 수 있다.
더하여, 대기 위치에서 모아져 세정 단계로 이송되는 웨이퍼들의 표면을 상기한 부식 방지제를 함유하는 용액으로 웨팅된 상태로 유지시켜 이송 도중에 CMP된 구리층의 표면에 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (24)

  1. 웨이퍼 상에 형성된 구리층을 화학 기계적 연마하는 단계;
    화학 기계적 연마된 구리층 표면에 부식 방지제가 포함된 용액을 공급하여 상기 연마된 구리층 표면이 상기 용액으로 웨팅된 상태로 상기 웨이퍼를 대기 위치에 대기하는 단계;
    상기 웨이퍼를 세정 장치로 이송하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용액은
    순수에 상기 부식 방지제를 첨가한 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 세정 장치로 이송하는 단계는
    상기 연마된 구리층 표면이 상기 용액으로 웨팅된 상태를 유지하며 수행되는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 세정 장치로 이송하는 단계는
    부식 방지제를 포함하는 용액을 상기 웨이퍼 상에 추가로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 세정하는 단계는
    부식 방지제가 함유된 순수를 상기 웨이퍼 표면에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  10. 표면에 구리층이 형성된 다수의 웨이퍼들을 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드에 순차적으로 장착하여 상기 구리층을 연마하는 단계;
    구리층 표면이 연마된 상기 웨이퍼들을 상기 연마 패드로부터 순차적으로 대기 위치로 탈착하는 단계;
    상기 순차적으로 탈착되는 웨이퍼들에 부식 방지제를 포함하는 용액을 공급하여 상기 연마된 구리층 표면이 상기 용액으로 웨팅된 상태를 유지하며 상기 탈착된 웨이퍼들을 대기하는 단계;
    상기 대기 위치에 모여진 웨이퍼들을 세정 장치로 이송하는 단계; 및
    상기 웨이퍼들을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼들은
    캐리어에 넣어진 채로 상기 화학 기계적 연마 장치의 장착되고
    상기 탈착되는 웨이퍼들은 상기 화학 기계적 연마 장치의 상기 대기 위치에 준비되는 빈 캐리어에 순차적으로 삽입되고 탈착되는 웨이퍼들에 의해 채워진 상기 캐리어는 상기 세정 장치로 이송되고,
    상기 탈착되는 웨이퍼들이 삽입되는 캐리어는 상기 용액에 담가진 상태로 상기 대기 위치에 대기하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 용액은
    상기 캐리어가 상기 대기 위치에 대기하는 동안 상기 탈착되는 웨이퍼들이 삽입되는 캐리어에 지속적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 용액은
    순수에 상기 부식 방지제를 첨가한 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 세정 장치로 이송하는 단계는
    상기 연마된 구리층 표면이 상기 용액으로 웨팅된 상태를 유지하며 수행되는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 세정 장치로 이송하는 단계는
    부식 방지제를 포함하는 용액을 상기 웨이퍼 상에 추가로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼를 세정하는 단계는
    부식 방지제가 함유된 순수를 상기 웨이퍼 표면에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
  21. 캐리어에 채워진 웨이퍼들이 순차적으로 장착되어 웨이퍼 상에 형성된 구리층이 연마되는 연마 패드를 포함하는 연마 위치; 및
    상기 연마 위치에서 로봇에 의해서 탈착되는 웨이퍼들이 순차적으로 삽입되는 빈 캐리어가 대기하는 장소를 제공하며 상기 삽입된 웨이퍼들의 상기 연마된 구리층의 표면에 부식 방지제가 포함된 용액을 공급하는 대기 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 대기 위치는
    상기 캐리어가 장착되어 상기 공급되는 용액에 잠기도록 상기 용액을 담는 용액조;
    상기 용액조에 상기 용액을 공급하는 공급관;
    상기 용액조에 담긴 상기 용액을 배출하는 배출관; 및
    상기 공급관에 연결되어 상기 용액을 공급하는 용액 공급 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 용액은
    순수에 상기 부식 방지제를 첨가한 용액인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치.
  24. 제21항에 있어서, 상기 부식 방지제는
    벤조트리아졸, 인디아졸, 벤즈이미다졸, 메르캅토벤조씨아졸 또는 이미다졸린 티온인 것을 특징으로 하는 구리층 부식을 방지하는 반도체 장치 제조 방법.
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