JPH07115078A - 基板の処理方法およびその装置 - Google Patents
基板の処理方法およびその装置Info
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- JPH07115078A JPH07115078A JP28446693A JP28446693A JPH07115078A JP H07115078 A JPH07115078 A JP H07115078A JP 28446693 A JP28446693 A JP 28446693A JP 28446693 A JP28446693 A JP 28446693A JP H07115078 A JPH07115078 A JP H07115078A
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- cleaning
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- hydrogen fluoride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板のフッ化水素処理後の成膜工程における不
具合を解決するために、フッ化水素処理後の基板表面に
付着した異物を、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加し
た洗浄剤でブラシスクラブしながら除去し、さらに純水
でブラシスクラブしながら洗浄剤を除去する。 【構成】半導体基板をフッ化水素処理した後にウエハ表
面を洗浄する処理装置１２において、前記処理装置１２
の枠体１４内に内蔵した洗浄槽１６に、基板１０をチャ
ックするスピンチャック機構２４と、アルカリ系薬液に
界面活性剤を添加した洗浄液を噴射する洗浄液ノズル３
０と、純水を噴射する純水ノズル２６と、半導体基板１
０の表面をブラシスクラブする回転ブラシ５８とを設け
た。
具合を解決するために、フッ化水素処理後の基板表面に
付着した異物を、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加し
た洗浄剤でブラシスクラブしながら除去し、さらに純水
でブラシスクラブしながら洗浄剤を除去する。 【構成】半導体基板をフッ化水素処理した後にウエハ表
面を洗浄する処理装置１２において、前記処理装置１２
の枠体１４内に内蔵した洗浄槽１６に、基板１０をチャ
ックするスピンチャック機構２４と、アルカリ系薬液に
界面活性剤を添加した洗浄液を噴射する洗浄液ノズル３
０と、純水を噴射する純水ノズル２６と、半導体基板１
０の表面をブラシスクラブする回転ブラシ５８とを設け
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の処理方法および
その装置に関し、さらに詳細には、半導体基板などの基
板をフッ化水素処理した後に、フッ化水素処理された基
板の洗浄を行うための基板の処理方法およびその装置に
関する。
その装置に関し、さらに詳細には、半導体基板などの基
板をフッ化水素処理した後に、フッ化水素処理された基
板の洗浄を行うための基板の処理方法およびその装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般
に、半導体基板としてシリコンウエハをフッ化水素で処
理すると、シリコンウエハ表面の自然酸化膜が除去され
て、シリコンウエハ表面にシリコンが露出するようにな
る。ところが、この表面は疎水性で活性化しているた
め、次のリンス工程において水と反応しやすくなり、コ
ロイド状の親水性の酸化シリコン（ＳｉＯ2）の微粒子
が付着しやすいものとなっていた。
に、半導体基板としてシリコンウエハをフッ化水素で処
理すると、シリコンウエハ表面の自然酸化膜が除去され
て、シリコンウエハ表面にシリコンが露出するようにな
る。ところが、この表面は疎水性で活性化しているた
め、次のリンス工程において水と反応しやすくなり、コ
ロイド状の親水性の酸化シリコン（ＳｉＯ2）の微粒子
が付着しやすいものとなっていた。
【０００３】そして、シリコンウエハの表面に付着し
た、このコロイド状の親水性の酸化シリコンの微粒子
は、汚れや、ヘイズ（鏡面がくすむような状態）となっ
てシリコンウエハ上に残留し、成膜処理などの次工程に
悪影響を及ぼすという問題点があった。
た、このコロイド状の親水性の酸化シリコンの微粒子
は、汚れや、ヘイズ（鏡面がくすむような状態）となっ
てシリコンウエハ上に残留し、成膜処理などの次工程に
悪影響を及ぼすという問題点があった。
【０００４】一方、上記シリコンウエハの表面に付着し
た、コロイド状の親水性の酸化シリコンの微粒子を除去
するために、アルカリ系の薬品と過酸化水素との混合液
を用いる方法が知られているが、この方法によると、シ
リコンウエハ表面に親水性の酸化シリコン（ＳｉＯ2）
膜が生成されることになってしまい、やはり次の成膜工
程などで不具合を生じることがあるなどの問題点があっ
た。
た、コロイド状の親水性の酸化シリコンの微粒子を除去
するために、アルカリ系の薬品と過酸化水素との混合液
を用いる方法が知られているが、この方法によると、シ
リコンウエハ表面に親水性の酸化シリコン（ＳｉＯ2）
膜が生成されることになってしまい、やはり次の成膜工
程などで不具合を生じることがあるなどの問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、従来の技術の有する上記したよ
うな種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、フッ化水素処理およびリンス処理後
の成膜工程における不具合を解決するために、フッ化水
素処理後の基板表面に付着した異物を、アルカリ系薬液
に界面活性剤を添加した洗浄剤でブラシスクラブしなが
ら除去し、さらに上記洗浄剤を純水でブラシスクラブし
ながら除去するようにした基板の処理方法およびその装
置を提供しようとするものである。
うな種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、フッ化水素処理およびリンス処理後
の成膜工程における不具合を解決するために、フッ化水
素処理後の基板表面に付着した異物を、アルカリ系薬液
に界面活性剤を添加した洗浄剤でブラシスクラブしなが
ら除去し、さらに上記洗浄剤を純水でブラシスクラブし
ながら除去するようにした基板の処理方法およびその装
置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における基板の処理方法は、半導体基板など
の基板をフッ化水素処理した後に、上記基板表面を洗浄
する基板の処理方法において、フッ化水素処理後の基板
表面にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を
噴射しながら、上記基板表面をブラシスクラブする第１
の洗浄工程と、上記洗浄液による上記第１の洗浄工程の
後に、上記基板表面に純水を噴射しながら、上記基板表
面をブラシスクラブする第２の洗浄工程とを１ステージ
で連続的に行うようにしたものである。
に、本発明における基板の処理方法は、半導体基板など
の基板をフッ化水素処理した後に、上記基板表面を洗浄
する基板の処理方法において、フッ化水素処理後の基板
表面にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を
噴射しながら、上記基板表面をブラシスクラブする第１
の洗浄工程と、上記洗浄液による上記第１の洗浄工程の
後に、上記基板表面に純水を噴射しながら、上記基板表
面をブラシスクラブする第２の洗浄工程とを１ステージ
で連続的に行うようにしたものである。
【０００７】また、本発明による基板の処理装置は、半
導体基板などの基板をフッ化水素処理した後に、上記基
板表面を洗浄する基板の処理装置において、枠体内に配
設された洗浄槽に、基板をチャックするスピンチャック
機構と、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液
を噴射する洗浄液ノズルと、純水を噴射する純水ノズル
と、基板表面をブラシスクラブする回転ブラシとを設け
るようにしたものである。
導体基板などの基板をフッ化水素処理した後に、上記基
板表面を洗浄する基板の処理装置において、枠体内に配
設された洗浄槽に、基板をチャックするスピンチャック
機構と、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液
を噴射する洗浄液ノズルと、純水を噴射する純水ノズル
と、基板表面をブラシスクラブする回転ブラシとを設け
るようにしたものである。
【０００８】
【作用】上記のような構成に基づいて、本発明によれ
ば、半導体基板などの基板の処理工程において、アルカ
リ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射してフッ
化水素処理後の基板表面に付着した異物をブラシスクラ
ブした後に、純水を噴射して上記洗浄剤をブラシスクラ
ブする処理を、１ステージで行うようにしたので、処理
工程が簡素化され、しかもフッ化水素処理後の基板表面
の状態が疎水性となり、コロイダルシリカなどの生成を
抑制することができる。
ば、半導体基板などの基板の処理工程において、アルカ
リ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射してフッ
化水素処理後の基板表面に付着した異物をブラシスクラ
ブした後に、純水を噴射して上記洗浄剤をブラシスクラ
ブする処理を、１ステージで行うようにしたので、処理
工程が簡素化され、しかもフッ化水素処理後の基板表面
の状態が疎水性となり、コロイダルシリカなどの生成を
抑制することができる。
【０００９】従って、フッ化水素処理およびリンス処理
後の成膜工程における従来の不具合を解決することがで
きる。
後の成膜工程における従来の不具合を解決することがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明による基板の
処理装置の実施例を詳細に説明するものとする。
処理装置の実施例を詳細に説明するものとする。
【００１１】図１は、本発明による基板の処理装置の一
実施例を示す概略構成図、図２は図１の要部を示す拡大
図、図３は図１の平面図である。
実施例を示す概略構成図、図２は図１の要部を示す拡大
図、図３は図１の平面図である。
【００１２】図において、符号１０は半導体基板、符号
１２は半導体基板１０の処理装置であり、この処理装置
１２の枠体１４内には、洗浄槽１６、純水１８を供給す
る電磁弁２０、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した
混合液からなる洗浄液を貯留した混合タンク２２などが
内蔵されている。
１２は半導体基板１０の処理装置であり、この処理装置
１２の枠体１４内には、洗浄槽１６、純水１８を供給す
る電磁弁２０、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加した
混合液からなる洗浄液を貯留した混合タンク２２などが
内蔵されている。
【００１３】上記洗浄槽１６には、半導体基板１０の洗
浄に必要なスピンチャック機構２４、純水１８を噴射す
る純水ノズル２６、混合タンク２２内の洗浄液をポンプ
２８により噴射する洗浄液ノズル３０が配設されてい
る。
浄に必要なスピンチャック機構２４、純水１８を噴射す
る純水ノズル２６、混合タンク２２内の洗浄液をポンプ
２８により噴射する洗浄液ノズル３０が配設されてい
る。
【００１４】スピンチャック機構２４は、洗浄槽１６の
底部に設置された爪開閉用エアシリンダ３２と、この爪
開閉用エアシリンダ３２のロッド先端に固定されたリン
グ状金具３４と、洗浄槽１６の下部に取付けられたスラ
イド軸受３６およびスライドシャフト３８とからなり、
上記リング状金具３４が爪開閉用エアシリンダ３２によ
り上下動するようになっている。
底部に設置された爪開閉用エアシリンダ３２と、この爪
開閉用エアシリンダ３２のロッド先端に固定されたリン
グ状金具３４と、洗浄槽１６の下部に取付けられたスラ
イド軸受３６およびスライドシャフト３８とからなり、
上記リング状金具３４が爪開閉用エアシリンダ３２によ
り上下動するようになっている。
【００１５】また、半導体基板１０をチャッキングする
ためのＸ型の回転盤４０は、洗浄槽１６の底部に設置さ
れた回転モータ４２の回転軸４４により回転自在に支持
されており、Ｘ型の回転盤４０の外側には、それぞれ軸
ピン４６を支軸として上下に揺動するＬ型爪４８が捩り
バネ（図示せず）を介して取付けられている。
ためのＸ型の回転盤４０は、洗浄槽１６の底部に設置さ
れた回転モータ４２の回転軸４４により回転自在に支持
されており、Ｘ型の回転盤４０の外側には、それぞれ軸
ピン４６を支軸として上下に揺動するＬ型爪４８が捩り
バネ（図示せず）を介して取付けられている。
【００１６】そして、上記リング状金具３４が上昇して
Ｌ型爪４８の下部に当接すると、Ｌ型爪４８の上端部が
外側に回転して開き、半導体基板１０のチャッキングを
開放するととも、リング状金具３４が下降してＬ型爪４
８の下部より離れると、Ｌ型爪４８の上端部が内側に回
転して半導体基板１０の周囲をチャッキングするように
なっている。
Ｌ型爪４８の下部に当接すると、Ｌ型爪４８の上端部が
外側に回転して開き、半導体基板１０のチャッキングを
開放するととも、リング状金具３４が下降してＬ型爪４
８の下部より離れると、Ｌ型爪４８の上端部が内側に回
転して半導体基板１０の周囲をチャッキングするように
なっている。
【００１７】さらに、上記洗浄槽１６の側壁より延設さ
れたブラケット５０には、回転軸５２が軸支されてお
り、この回転軸５２にはブラシ取付枠５４の基端部が回
転自在に軸支されているととも、上記ブラシ取付枠５４
の先端部には、ブラシ回転軸５６を介して回転ブラシ５
８が回転自在に軸支されている。
れたブラケット５０には、回転軸５２が軸支されてお
り、この回転軸５２にはブラシ取付枠５４の基端部が回
転自在に軸支されているととも、上記ブラシ取付枠５４
の先端部には、ブラシ回転軸５６を介して回転ブラシ５
８が回転自在に軸支されている。
【００１８】上記ブラシ取付枠５４の基端部を軸支して
いる回転軸５２の一端部には、ブラシ回転モータ６０が
設置されている。そして、上記ブラシ回転モータ６０側
のプーリ６２と、ブラシ取付枠５４の先端部のブラシ回
転軸５６側に固着されたプーリ６４との間にベルト６６
が掛け回しされ、ブラシ回転モータ６０により回転ブラ
シ５８が回転するようになっている。
いる回転軸５２の一端部には、ブラシ回転モータ６０が
設置されている。そして、上記ブラシ回転モータ６０側
のプーリ６２と、ブラシ取付枠５４の先端部のブラシ回
転軸５６側に固着されたプーリ６４との間にベルト６６
が掛け回しされ、ブラシ回転モータ６０により回転ブラ
シ５８が回転するようになっている。
【００１９】また、上記ブラシ取付枠５４の基端部に
は、ブラシ取付枠５４を回転軸５２の回りに上下回動さ
せるレバー６８が固定されており、このレバー６０の先
端部には長穴６８ａが形成されている。
は、ブラシ取付枠５４を回転軸５２の回りに上下回動さ
せるレバー６８が固定されており、このレバー６０の先
端部には長穴６８ａが形成されている。
【００２０】一方、上記洗浄槽１６の底部には、エアシ
リンダ７０が設置されており、このエアシリンダ７０の
ロッド先端部に回転自在に取付けたローラ７２が、ブラ
シ取付枠５４を上下に回動させるレバー６８の長穴６８
ａに係合している。そして、上記エアシリンダ７０を作
動させることにより、ブラシ取付枠５４を図示の矢印Ａ
方向に回動させ、回転ブラシ５８を半導体基板１０の上
面に接離させるようになっている。
リンダ７０が設置されており、このエアシリンダ７０の
ロッド先端部に回転自在に取付けたローラ７２が、ブラ
シ取付枠５４を上下に回動させるレバー６８の長穴６８
ａに係合している。そして、上記エアシリンダ７０を作
動させることにより、ブラシ取付枠５４を図示の矢印Ａ
方向に回動させ、回転ブラシ５８を半導体基板１０の上
面に接離させるようになっている。
【００２１】なお、図１乃至図３において、符号７２は
洗浄槽１６の底部に設けたドレンである。
洗浄槽１６の底部に設けたドレンである。
【００２２】また、上記爪開閉用エアシリンダ３２、回
転モータ４２、ブラシ回転モータ６０、およびエアシリ
ンダ７０のＯＮ、ＯＦＦ動作、純水ノズル２６、洗浄液
ノズル３０からの純水および洗浄液の噴射タイミング
は、図５のタイミングチャートに示すように、所定のタ
イミングにより制御されるようになっている。
転モータ４２、ブラシ回転モータ６０、およびエアシリ
ンダ７０のＯＮ、ＯＦＦ動作、純水ノズル２６、洗浄液
ノズル３０からの純水および洗浄液の噴射タイミング
は、図５のタイミングチャートに示すように、所定のタ
イミングにより制御されるようになっている。
【００２３】以上の構成において、作動の際には、各部
の動作が図５のタイミングチャートに示した処理工程の
タイミングに基づいて行われるものであり、まず、スピ
ンチャック機構２４の爪開閉用エアシリンダ３２が作動
することにより、リング状金具３４がＬ型爪４８の下部
に当接するまで上昇し、Ｌ型爪４８の上端部を外側に開
いて半導体基板１０をチャッキングできる状態に保持す
る。
の動作が図５のタイミングチャートに示した処理工程の
タイミングに基づいて行われるものであり、まず、スピ
ンチャック機構２４の爪開閉用エアシリンダ３２が作動
することにより、リング状金具３４がＬ型爪４８の下部
に当接するまで上昇し、Ｌ型爪４８の上端部を外側に開
いて半導体基板１０をチャッキングできる状態に保持す
る。
【００２４】次に、半導体基板１０が基板搬送機構（図
示せず）により回転盤４０の上面に搬送されると同時
に、爪開閉用エアシリンダ３２が作動してリング状金具
３４を下降させ、Ｌ型爪４８の上端部を内側に閉じて半
導体基板１０の周囲をチャッキングする。
示せず）により回転盤４０の上面に搬送されると同時
に、爪開閉用エアシリンダ３２が作動してリング状金具
３４を下降させ、Ｌ型爪４８の上端部を内側に閉じて半
導体基板１０の周囲をチャッキングする。
【００２５】上記半導体基板１０がチャッキングされる
と、回転盤４０は回転モータ４２により、約５０ｒｐｍ
にて回転する。
と、回転盤４０は回転モータ４２により、約５０ｒｐｍ
にて回転する。
【００２６】次に、例えばｐＨ１０程度のアンモニアな
どのアルカリ系薬液とアルコール系の界面活性剤との混
合液がポンプ２８を介して洗浄液ノズル３０より半導体
基板１０の上面に噴射されるととも、回転ブラシ５８が
ブラシ回転モータ６０により回転しながら下降し、半導
体基板１０の上面に接触してこすりつけながら洗浄作用
を行う。
どのアルカリ系薬液とアルコール系の界面活性剤との混
合液がポンプ２８を介して洗浄液ノズル３０より半導体
基板１０の上面に噴射されるととも、回転ブラシ５８が
ブラシ回転モータ６０により回転しながら下降し、半導
体基板１０の上面に接触してこすりつけながら洗浄作用
を行う。
【００２７】上記洗浄作用が所定の時間行われた後に、
ポンプ２８が停止すると純水用の電磁弁２０が開き、純
水ノズル２６から純水１８が噴射され、回転ブラシ５８
により半導体基板１０の上面が純水１８により洗浄され
る。そして、所定時間の洗浄が終わると回転ブラシ５８
が半導体基板１０の上面より離れる。
ポンプ２８が停止すると純水用の電磁弁２０が開き、純
水ノズル２６から純水１８が噴射され、回転ブラシ５８
により半導体基板１０の上面が純水１８により洗浄され
る。そして、所定時間の洗浄が終わると回転ブラシ５８
が半導体基板１０の上面より離れる。
【００２８】このとき、純水ノズル２６からの噴射が停
止すると同時に、回転モータ４２の回転数が切り換わ
り、回転盤４０を約３０００ｒｐｍに回転させながらス
ピンドライを規定の時間行なった後に停止する。
止すると同時に、回転モータ４２の回転数が切り換わ
り、回転盤４０を約３０００ｒｐｍに回転させながらス
ピンドライを規定の時間行なった後に停止する。
【００２９】上記洗浄工程が終了した後は、爪開閉用エ
アシリンダ２８が作動することにより、リング状金具３
４がＬ型爪４８の下部に当接するまで上昇し、Ｌ型爪４
８の上端部を外側に開いてチャッキングを開放するとと
も、基板搬送機構により回転盤４０の上面よりに半導体
基板１０を所定の位置に搬送する。
アシリンダ２８が作動することにより、リング状金具３
４がＬ型爪４８の下部に当接するまで上昇し、Ｌ型爪４
８の上端部を外側に開いてチャッキングを開放するとと
も、基板搬送機構により回転盤４０の上面よりに半導体
基板１０を所定の位置に搬送する。
【００３０】以上説明したように、本発明による基板の
処理方法では、フッ化水素処理後の半導体基板に付着し
たコロイダル状の異物などを、アルカリ系薬液に界面活
性剤を添加した洗浄剤でブラシスクラブしながら除去
し、さらに上記洗浄剤を純水でブラシスクラブしながら
除去するので、半導体基板表面に酸化膜を生成すること
なく改質することが可能になる。
処理方法では、フッ化水素処理後の半導体基板に付着し
たコロイダル状の異物などを、アルカリ系薬液に界面活
性剤を添加した洗浄剤でブラシスクラブしながら除去
し、さらに上記洗浄剤を純水でブラシスクラブしながら
除去するので、半導体基板表面に酸化膜を生成すること
なく改質することが可能になる。
【００３１】即ち、半導体基板としてシリコンウエハを
処理した場合には、フッ化水素処理後のシリコンウエハ
の表面は、図４（ａ）に示すように水素基Ｈが末端とな
る。この状態のシリコンウエハ表面は活性であり、水と
反応すると、図４（ｂ）に示すようにコロイダルシリカ
（ＳｉＯＨ）を生成する。
処理した場合には、フッ化水素処理後のシリコンウエハ
の表面は、図４（ａ）に示すように水素基Ｈが末端とな
る。この状態のシリコンウエハ表面は活性であり、水と
反応すると、図４（ｂ）に示すようにコロイダルシリカ
（ＳｉＯＨ）を生成する。
【００３２】ところが、本発明における洗浄工程におい
ては、フッ化水素処理後において、直接またはリンス後
にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を噴射
するので、図４（ｃ）に示すように水素基Ｈは水酸基Ｏ
Ｈに置換されて安定となる。
ては、フッ化水素処理後において、直接またはリンス後
にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を噴射
するので、図４（ｃ）に示すように水素基Ｈは水酸基Ｏ
Ｈに置換されて安定となる。
【００３３】さらに、ブラシスクラブにより、シリコン
ウエハ表面に付着した異物を除去し、純水による洗浄に
よってシリコンウエハ表面に残留した洗浄剤を払拭する
ことができる。
ウエハ表面に付着した異物を除去し、純水による洗浄に
よってシリコンウエハ表面に残留した洗浄剤を払拭する
ことができる。
【００３４】ここにおいて、界面活性剤の役割は、シリ
コンウエハの表面の濡れ性をよくして、コロイダルシリ
カ（例えばＳｉＯ4）などの生成を抑えることにある。
コンウエハの表面の濡れ性をよくして、コロイダルシリ
カ（例えばＳｉＯ4）などの生成を抑えることにある。
【００３５】図７は、従来の処理工程で実験を行った場
合の洗浄結果を示す処理データであるのに対して、図６
は、本発明の処理工程で実験を行った場合の洗浄結果を
示す処理データである。
合の洗浄結果を示す処理データであるのに対して、図６
は、本発明の処理工程で実験を行った場合の洗浄結果を
示す処理データである。
【００３６】これらの処理データの比較より、本発明の
処理工程では洗浄処理後の基板の表面状態が疎水性とな
るため、レジスト剤の塗布などに適していることがわか
る。
処理工程では洗浄処理後の基板の表面状態が疎水性とな
るため、レジスト剤の塗布などに適していることがわか
る。
【００３７】なお、上記実施例においては、別の処理装
置でフッ化水素処理後に洗浄処理、スピンドライを行っ
た基板を処理する場合に関して説明したが、この洗浄槽
１６の前後にフッ化水素処理槽を設け、洗浄せずに洗浄
槽１６へ搬送する構造としても基板の改質効果があり、
処理後の異物は少ない。
置でフッ化水素処理後に洗浄処理、スピンドライを行っ
た基板を処理する場合に関して説明したが、この洗浄槽
１６の前後にフッ化水素処理槽を設け、洗浄せずに洗浄
槽１６へ搬送する構造としても基板の改質効果があり、
処理後の異物は少ない。
【００３８】また、上記実施例におけるスピンドライ
は、別の槽で行ってもよい。
は、別の槽で行ってもよい。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４０】半導体基板などの基板の処理工程におい
て、フッ化水素処理後の基板表面に付着した異物を、ア
ルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射して
ブラシスクラブしながら除去するするととも、純水の洗
浄により基板表面に残留した洗浄剤を払拭するようにし
たので、フッ化水素処理後の基板表面の状態が疎水性と
なり、コロイダルシリカなどの生成を抑制することがで
きる。
て、フッ化水素処理後の基板表面に付着した異物を、ア
ルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射して
ブラシスクラブしながら除去するするととも、純水の洗
浄により基板表面に残留した洗浄剤を払拭するようにし
たので、フッ化水素処理後の基板表面の状態が疎水性と
なり、コロイダルシリカなどの生成を抑制することがで
きる。
【００４１】従って、フッ化水素処理およびリンス処理
後の成膜工程における従来の不具合を解決することがで
きる。
後の成膜工程における従来の不具合を解決することがで
きる。
【００４２】さらに、本発明の処理工程では、アルカリ
系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射してブラシ
スクラブする工程と、純水の洗浄により基板表面に残留
した洗浄剤を払拭する工程とが１ステージで連続して行
われるようになるので、作業効率が良く、経済的効果を
高めることができる。
系薬液に界面活性剤を添加した洗浄剤を噴射してブラシ
スクラブする工程と、純水の洗浄により基板表面に残留
した洗浄剤を払拭する工程とが１ステージで連続して行
われるようになるので、作業効率が良く、経済的効果を
高めることができる。
【図１】本発明による基板の処理装置の一実施例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】図１の要部を示す拡大図である。
【図３】図１の平面図である。
【図４】（ａ）はフッ化水素処理後のシリコンウエハの
表面状態を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）の状態の
シリコンウエハが水と反応した状態を示す説明図であ
り、（ｃ）はフッ化水素処理後において直接またはリン
ス後にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を
噴射した際のシリコンウエハの表面状態を示す説明図で
ある。
表面状態を示す説明図であり、（ｂ）は（ａ）の状態の
シリコンウエハが水と反応した状態を示す説明図であ
り、（ｃ）はフッ化水素処理後において直接またはリン
ス後にアルカリ系薬液に界面活性剤を添加した洗浄液を
噴射した際のシリコンウエハの表面状態を示す説明図で
ある。
【図５】本発明における処理工程のタイミングチャート
である。
である。
【図６】本発明の処理工程で実験を行った場合の洗浄結
果を示す処理データである。
果を示す処理データである。
【図７】従来の処理工程で実験を行った場合の洗浄結果
を示す処理データである。
を示す処理データである。
１０ 基板 １２ 処理装置 １４ 枠体 １６ 洗浄槽 ２４ スピンチャック機構 ２６ 純水ノズル ３０ 洗浄液ノズル ５８ 回転ブラシ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板などの基板をフッ化水素処理
した後に、前記基板表面を洗浄する基板の処理方法にお
いて、 フッ化水素処理後の基板表面にアルカリ系薬液に界面活
性剤を添加した洗浄液を噴射しながら、前記基板表面を
ブラシスクラブする第１の洗浄工程と、 前記洗浄液による前記第１の洗浄工程の後に、前記基板
表面に純水を噴射しながら、前記基板表面をブラシスク
ラブする第２の洗浄工程とを１ステージで連続的に行う
ことを特徴とする基板の処理方法。 - 【請求項２】 半導体基板などの基板をフッ化水素処理
した後に、前記基板表面を洗浄する基板の処理装置にお
いて、 枠体内に配設された洗浄槽に、基板をチャックするスピ
ンチャック機構と、アルカリ系薬液に界面活性剤を添加
した洗浄液を噴射する洗浄液ノズルと、純水を噴射する
純水ノズルと、基板表面をブラシスクラブする回転ブラ
シとを設けたことを特徴とする基板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28446693A JPH07115078A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 基板の処理方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28446693A JPH07115078A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 基板の処理方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115078A true JPH07115078A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17678898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28446693A Pending JPH07115078A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 基板の処理方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115078A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001031691A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Philips Semiconductors, Inc. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer |
| KR100537022B1 (ko) * | 1998-05-19 | 2006-03-17 | 삼성전자주식회사 | 세정 설비 및 세정액 공급 방법 |
| KR100977104B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2010-08-23 | 램 리서치 코포레이션 | 코랄 필름에 대한 후식각 및 띠 잔여물 제거방법 |
| JP2011101024A (ja) * | 1999-08-25 | 2011-05-19 | Applied Materials Inc | 疎水性ウェーハを洗浄／乾燥する方法および装置 |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP28446693A patent/JPH07115078A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100537022B1 (ko) * | 1998-05-19 | 2006-03-17 | 삼성전자주식회사 | 세정 설비 및 세정액 공급 방법 |
| JP2011101024A (ja) * | 1999-08-25 | 2011-05-19 | Applied Materials Inc | 疎水性ウェーハを洗浄／乾燥する方法および装置 |
| WO2001031691A1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-03 | Philips Semiconductors, Inc. | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer |
| KR100977104B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2010-08-23 | 램 리서치 코포레이션 | 코랄 필름에 대한 후식각 및 띠 잔여물 제거방법 |
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