JP2007067072A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
基板を処理液によって処理するチャンバと、チャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くするペルチェ素子13を具備する。
【選択図】 図1
Description
基板を上述した各種の処理液によって処理するには、その基板を回転させながら処理液を供給するスピン処理装置や処理槽内に貯えられた処理液に基板を浸漬させて処理する浸漬式処理装置などが用いられる。
上記基板を上記処理液によって処理するチャンバと、
このチャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くする温度設定手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
上記基板を上記チャンバに供給する前に、このチャンバ内の温度に対して上記基板の温度が低くなるよう温度制御する工程と、
上記チャンバに供給された上記基板の表面に上記チャンバとの温度差によって結露が生じた上記基板を上記処理液で処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
図1乃至図4はこの発明の第1の実施の形態を示し、図1は基板の処理装置1の概略的構成を示す。この処理装置1はカセットステーション2を有する。このカセットステーション2はカセット3に未処理の基板Wが収容されたローダ部4と、後述するように処理液によって処理された基板Wをカセット3に回収するアンローダ部5とを備えている。なお、処理装置1では基板Wとして半導体ウエハや液晶表示用パネルなどを処理することが可能であって、この実施の形態では半導体ウエハを処理するようになっている。
Claims (9)
- 基板を処理液によって処理する処理装置であって、
上記基板を上記処理液によって処理するチャンバと、
このチャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くする温度設定手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 上記チャンバ内には、このチャンバ内の湿度を制御する湿度調整手段が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記温度設定手段は、上記チャンバ内の温度を上記基板の温度よりも高くなるよう制御する加熱手段であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記温度設定手段は、上記チャンバ内に供給される上記基板の温度を上記チャンバ内の温度よりも低くなるよう制御する冷却手段であることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記冷却手段は、上記基板を上記チャンバ内に搬入するロボット装置のアームに設けられていることを特徴とする請求項4記載の基板の処理装置。
- 冷却手段は、上記基板が上記チャンバで処理される前に待機させる冷却槽であることを特徴とする請求項4記載の基板の処理装置。
- 基板をチャンバに供給し、このチャンバで処理液によって処理する処理方法であって、
上記基板を上記チャンバに供給する前に、このチャンバ内の温度に対して上記基板の温度が低くなるよう温度制御する工程と、
上記チャンバに供給された上記基板の表面に上記チャンバとの温度差によって結露が生じた上記基板を上記処理液で処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 - 上記基板を冷却してその温度を上記チャンバ内の温度よりも低くすることを特徴とする請求項7記載の基板の処理方法。
- 上記チャンバ内を加熱してその温度を上記基板の温度よりも高くすることを特徴とする請求項7記載の基板の処理方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2005-08-30 JP JP2005249479A patent/JP2007067072A/ja active Pending
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