JP2002110525A

JP2002110525A - 現像処理方法

Info

Publication number: JP2002110525A
Application number: JP2000302045A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Tanaka; 信洋田中
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-10-02
Filing date: 2000-10-02
Publication date: 2002-04-12
Anticipated expiration: 2020-10-02
Also published as: JP4566376B2

Abstract

(57)【要約】【課題】リソグラフィの現像工程における現像の均一性
の向上と現像液消費量の低減を課題とする。【解決手段】ウエハと同じ直径の平面を下部に備えた
現像ノズルを、ウエハ上に形成されたレジスト表面と第
１の距離はなれた位置に接近させた後、現像液を吐出
し、レジスト表面と現像ノズル下部の平面との間に、空
気の層を含まないように現像液を満たして保持する。そ
の後、レジスト表面と第２の距離はなれた位置まで現像
ノズルを上昇させつつ、現像液を微量に吐出して、レジ
スト表面と第２の距離はなれた位置で、レジスト表面と
現像ノズル下部の平面との間に空気の層を含まないよう
に現像液を満たして保持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するもので、特にリソグラフィ工程のレジスト現
像処理方法およびレジスト現像処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩや液晶ディスプレイを表示するた
めの薄膜トランジスタなどの半導体装置の製造工程で、
堆積した膜を所望のパターンに微細加工するためにリソ
グラフィの技術とエッチングの技術が用いられている。

【０００３】現在の半導体装置の製造は、光を用いたフ
ォトリソグラフィが主流で、大きく分けて３つの工程か
らなる技術であり、以下に示す（１）〜（３）の順に工
程が進められる。

【０００４】（１）光に感光する性質を持つレジストを
ウエハなどの基板に塗布する第１工程（２）ステッパなどの光露光装置により露光する第２工
程（３）現像液により現像する第３工程

【０００５】まず、ウエハ上に１μm程度のレジストを
均一に塗布し、あらかじめ回路パターンが記されたマス
クを用いて光露光装置による露光を行って、そのパター
ンを転写し、光が照射されて感光した部分のレジストを
現像液で溶解し取り除くものである（逆に、感光してい
ない部分のレジストを取り除く場合もある）。そして、
感光した部分のレジストを現像液に溶解した後、純水に
よってリンスし、乾燥するといった流れが一般的であ
る。

【０００６】また、従来の現像処理装置を図１３に示し
た。

【０００７】従来の現像処理装置は、スピンチャック１
００４、スピンカップ１００５、現像液供給系などから
構成されている。

【０００８】スピンチャック１００４は、現像処理装置
において、ウエハ１００３を回転させるための支持体で
あり、通常、ウエハの固定は真空吸着にて行われる。

【０００９】スピンカップ１００５は、現像中のウエハ
を囲い込むように据え付けられた円筒状の容器であり、
現像液の跳ね返りや排気を考慮した設計になっている。

【００１０】現像液供給系は、現像液の入ったキャニス
ター、流量調整装置、温度調整装置、現像ノズル１００
１、ノズル支持アーム、ノズルの昇降を制御する装置な
どからなる。なお、現像ノズル１００１とは、現像液を
吐出するノズルのことである。

【００１１】また、現像方法には、ディップ現像、スプ
レー現像、パドル現像などが知られている。

【００１２】ディップ現像は、現像液槽にウエハ全体を
浸して現像する方法であり、スプレー現像は、ウエハを
回転させながら、現像液をスプレー状に吹き付けて現像
する方法である。

【００１３】パドル現像は、レジストが塗布されたウエ
ハ上に、現像液を現像液自身の表面張力を利用して現像
液盛りし、現像液盛りした状態で静止して現像する方法
である。なお、被現像面上に現像液を表面張力を利用し
て付着されることを、「現像液盛り」と呼ぶ。このパドル
現像が、最も一般的に多用されている。

【００１４】パドル現像は、スピンチャックにウエハを
一旦、固定して、スピンカップ内でスピンチャックに支
持したウエハを低速で回転（毎分当たり１０〜５０回
転）させながら、現像液供給系の現像ノズルから現像液
の供給と現像液盛りを行った後、所定時間静止（３０〜
６０秒ぐらい）させて現像する。その後、ウエハに純水
を供給しながらウエハを回転させる純水リンスを行い、
次に高速で回転させて振り切り乾燥する。

【００１５】パドル現像は、一枚のウエハごとに新鮮な
現像液を供給するため、ディップ現像などに比べて、ウ
エハ間やバッチ間の現像のばらつきが少ない。

【００１６】また、パドル現像は、スプレー現像と比べ
て現像液の消費量が少なく、現像液温度の制御の点で有
利であり（スプレー現像はミスト状で供給されるので現
像液温度の制御が難しい）、また、スプレーがレジスト
表面を叩くことによる物理的衝撃と泡の発生が問題とな
ることも少ない。

【００１７】ただし、パドル現像において、現像の均一
性は現像液の供給方法に依存しやすい。従来のパドル現
像では、ウエハ中心部に現像液を吐出し、ウエハを毎分
１０〜５０回転させながらウエハ全面に現像液を供給す
るために、ウエハの中心部と端部で現像の様子が違って
しまい、現像の均一性が低下していた。

【００１８】現像液を供給する前に、ウエハ上のレジス
ト表面を水でぬらし、素早く現像液を全面に供給する効
果をねらったプリウェット工程や、２回パドル現像など
により、現像液の供給方法に依存した影響を軽減するた
めの方法が採られることもある。

【００１９】最近では、Ｅ２ノズルを用いたパドル現像
が開示されている。Ｅ２ノズルは、東京エレクトロン
（株）の商品名で、現像ノズルの下部に細長い筒状物を
有し、その長さはウエハの直径程度で、現像液を吐出す
る穴が複数ある。Ｅ２ノズルをウエハに水平に配置し接
近させて、現像液を供給しつつウエハを半回転もしくは
一回転させ、現像液をウエハ表面に塗布するように現像
液盛りする。この時、ウエハ上の現像液の表面とＥ２ノ
ズルとは接触している。新鮮な現像液を供給する場所を
分散し、現像液の供給方法に依存する影響を軽減してい
る。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】従来のパドル現像は、
現像の均一性が現像液の供給方法に依存しやすいという
問題を有していた。従来のパドル現像では、ウエハ中心
部に現像液を吐出し、ウエハを低速で回転（毎分当たり
１０〜５０回転）させながらウエハ全面に現像液を供給
するために、ウエハの中心部と端部で現像の様子が違っ
てしまい、現像の均一性が低下していた。

【００２１】また、従来のパドル現像では、一度、ウエ
ハ上に現像液盛りすると撹拌するのが困難である。現像
液盛りした状態で、撹拌するためにウエハを回転する
と、現像液は表面張力を利用してウエハ上に保持されて
いるだけなので、現像液が流出してしまうことがあっ
た。従って、従来のパドル現像では撹拌するために、現
像液が流出しない程度に低速で回転させたり、低速で回
転させて停止することを繰り返したりするなどの方法が
とられているが、十分に撹拌できていない。

【００２２】現像の均一性は、最終的に歩留まりやウエ
ハ面内の素子特性ばらつきにまで影響するので重要であ
る。

【００２３】パドル現像は、理想的には現像液盛りする
分量のみ供給すればよく、ディップ現像やスプレー現像
よりも、現像液の消費量は少ない点で有利である。しか
し、実際にパドル現像を利用したリソグラフィを行った
場合、ウエハに現像液を供給して現像液盛りする分量以
外に余分な消費量がある。この余分な消費量が生じる原
因は、主に、現像液盛りするために余分になる分量があ
ることや、現像工程の安定のために余分に吐出する分量
があることである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、リソグラフィの現像処理工程において、
現像ノズル（現像液を吐出するノズル）の形状や現像液
の供給方法を改良し、現像の均一性の向上と現像液の消
費量を低減するものである。

【００２５】本明細書で開示する本発明の現像処理方法
は、レジストを塗布し露光したウエハを水平に保持する
工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工程と、前
記レジスト上に現像液を供給する工程とを有する現像処
理方法において、ウエハと同じ直径を有する平らな円形
の面に複数の吐出口を備えたノズルを、前記円形の面と
前記レジスト表面とが第１の距離はなれた位置で保持し
た後、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の距
離はなれた位置で保持された前記ノズルの円形の面と前
記レジスト表面との間が現像液で満たされた第１の状態
とした後、前記ノズルの現像液の吐出を停止し、前記ノ
ズルを上昇させつつ現像液を吐出した後、ノズルの円形
の面と前記レジスト表面とが第２の距離はなれた位置
で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止して、前記第
２の距離はなれた位置に保持された前記ノズルの円形の
面と前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第２
の状態とする工程と、を有することを特徴とする現像処
理方法である。

【００２６】また、本明細書で開示する他の現像処理方
法は、レジストを塗布し露光したウエハを水平に保持す
る工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工程と、
前記レジスト上に現像液を供給する工程とを有する現像
処理方法において、ウエハと同じ直径を有する平らな円
形の面に複数の吐出口を備えたノズルを、前記円形の面
と前記レジスト表面とが第１の距離はなれた位置で保持
した後、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の
距離はなれた位置で保持された前記ノズルの円形の面と
前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第１の状
態とした後、前記ノズルの現像液の吐出を停止し、前記
ノズルを上昇させつつ現像液を吐出した後、ノズルの円
形の面と前記レジスト表面とが第２の距離はなれた位置
で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止して、前記第
２の距離はなれた位置に保持された前記ノズルの円形の
面と前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第２
の状態とし、前記ノズルを下降した後、ノズルの円形の
面と前記レジスト表面とが第３の距離はなれた位置で、
前記ノズルの下降を停止して、前記第３の距離はなれた
位置に保持された前記ノズルの円形の面と前記レジスト
表面との間が現像液で満たされた第３の状態とし、前記
ノズルを上昇させつつ現像液を吐出し、ノズルの円形の
面と前記レジスト表面とが第４の距離はなれた位置で、
前記ノズルの上昇と現像液の吐出を停止して、前記第４
の距離はなれた位置に保持された前記ノズルの円形の面
と前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第４の
状態とする工程と、を有することを特徴とする現像処理
方法である。

【００２７】また、上記現像処理方法において、第４の
状態とした後に、ノズルを下降して、前記第３の状態と
した後、ノズルを上昇させつつ現像液を吐出して、前記
第４の状態とすることを複数回繰り返すことを特徴とし
ている。

【００２８】また、本発明は、ウエハに代えて他に、石
英ガラス基板、ガラス基板、プラスチック基板等からな
る円形のものを用いることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】[実施形態１]本発明は、従来のパ
ドル現像を大幅に改良発展させており、主に、現像ノズ
ル（現像液を吐出するノズル）の形状、現像液の吐出方
法、吐出した現像液のウエハへの供給方法、現像液盛り
状態を保持する方法に特徴がある。

【００３０】本発明によって現像の均一性の改善と現像
液消費量の節約とを達成する。

【００３１】本実施形態の現像処理工程の一連の流れ
（フローチャート）を、図１に示す。

【００３２】図２（ａ）に示すように、現像ノズル２０
１の下部を平面２０２とし、ウエハのように円形で同じ
直径とする。ウエハの直径は、２インチ〜１２インチの
ものがあるが、例えばウエハの大きさが８インチならば
現像ノズルの下部の平面も円形で８インチ直径とすれば
よい。なお、ウエハにはオリフラがあってもよい。

【００３３】また、図３に示すように、現像ノズルの下
部の平面３０２（図２中、２０２に相当）に現像液の吐
出口３０３（図２中、２０３に相当）を複数設け、そこ
から現像液の量を調整して吐出できるように現像液の供
給系を設計する。吐出口の数は、ウエハ面に対して、中
央、上下左右に均等に吐出するために５個以上は必要と
考えられる。図３では、吐出口の直径は、０．７ｍｍで
あり、現像ノズルの下部の平面に２９個設けられてい
る。

【００３４】図２（ｂ）に示すように、レジスト２０４
を塗布し、回路パターンを露光したウエハ２０５を、搬
送系によりスピンカップ内に搬送し、スピンチャック２
０６によって真空吸着させ、水平な状態で保持する。本
実施形態では、スピンカップ内は２３℃に温度調整して
いるとする。

【００３５】さらに、現像ノズル内の現像液の温度を最
適値に調整する機構を取り付ける（現像レートは温度に
敏感である）。例えば、現像ノズルまで現像液を供給す
る管を二重にして、内側に現像液が流れるようにし、外
側にスピンカップ内と同じ２３℃に温度調節した水を流
す。ノズルを支持するアーム２０７で現像ノズルを固定
し、精度よく上下に昇降できるように制御手段を適宜設
計する。

【００３６】まず、レジスト２０４を塗布し、回路パタ
ーンを露光したウエハ２０５を、スピンチャック２０６
によって真空吸着させ、水平な状態で保持する。

【００３７】次いで、現像ノズル２０１をウエハ２０５
に接近させるが、その際、現像ノズル下部の平面２０２
をウエハと平行にする。ウエハはスピンチャックに水平
に固定されているので、現像ノズルの下部も水平とな
る。現像ノズル下部の円形の平面は、ウエハ水平面と垂
直な方向から見た場合、ウエハと重なって見えるように
する。

【００３８】現像ノズルをウエハに接近させていき、前
記現像ノズル下部の平面２０２とレジスト２０４の間
が、第１の距離となったところで静止させる。図２
（ａ）は、この時の状態を示す簡略図である。

【００３９】次いで、最適値に温度調節した（例えば２
３℃）現像液を現像ノズルから吐出し、レジスト塗布し
たウエハ２０５に供給する。前記第１の距離で現像ノズ
ル４０１の位置を固定して、現像液４０２を吐出し、現
像ノズル下部の平面４０８とレジスト４０３の表面との
間に、空気の層（気泡など）ができないように現像液４
０７で満たして、図４（ｂ）に示した第１の状態とす
る。なお、図４（ａ）は、第１の距離で現像ノズル４０
１の位置を固定して、現像液の吐出を開始直後の状態を
示す簡略図である。

【００４０】前記現像ノズル下部の平面とレジスト表面
との間が現像液で満たされた後に、現像液の吐出を停止
し、表面張力を利用して現像ノズル下部の平面とレジス
ト表面との間から現像液が流出しないように、満たした
ままの状態（第１の状態）で保持する。なお、表面張力
とは、液体表面に働き、その表面を最小化する方向に働
く力である。

【００４１】従来のパドル現像ではウエハ上に表面張力
を利用して現像液盛りするが、現像液盛りされた現像液
の表面（ウエハ上のレジストと接触する界面以外の部
分）は空気と接触している。それに対して、本発明は、
図４（ｂ）に示したように、現像液を現像ノズル下部の
平面とレジスト表面とで挟み込んだ状態となり、現像ノ
ズル下部の平面４０８と現像液が面接触している。

【００４２】この第１の距離は、表面張力を利用して現
像ノズル下部の平面４０８とレジストの間から現像液が
流出しないように、満たしたままの状態とすることが可
能な程度である。また、本発明の場合、現像ノズルとレ
ジスト表面との間隔は、従来のパドル現像での現像ノズ
ルとレジスト表面との間隔に比べて極端に狭く、全く異
なっている。

【００４３】本発明の特徴の１つは、上述のように、前
記第１の距離で現像ノズル４０１の位置を固定して、現
像液を吐出し、現像ノズル下部の平面４０８とレジスト
４０３との間に空気の層ができないように、その間隔を
現像液で満たして第１の状態とし、現像液の吐出を停止
した後も表面張力を利用して現像液をその間に満たした
ままの状態とすることである。空気の層ができないよう
にするため、現像ノズルの下部を平面とせず、円錐また
は凸部としてもよい。

【００４４】現像ノズルの複数の吐出口３０３から現像
液を吐出することにより、現像液を吐出する場所を分散
し、現像液が局所的な領域（例えばウエハ中心付近）か
らウエハ全体に供給されることを防いで現像の均一性を
向上させることができる。一方、従来のパドル現像で
は、ウエハ中心部に現像液を吐出し、ウエハを低速で回
転させながらウエハ全面に現像液を供給するために、ウ
エハの中心部と端部で現像の様子が違ってしまい、現像
の均一性が低下していた。

【００４５】また、本発明は、現像ノズル下部の平面４
０８とレジスト４０３の間を現像液で満たす分量だけ供
給すればよいので、現像液の消費量を必要最低限な量に
することができる。

【００４６】また、本発明は、現像液の吐出口からレジ
ストまでの距離が非常に短いので、スプレー現像のよう
な物理的衝撃が少なく、泡の発生もないため、好まし
い。

【００４７】本発明は、パドル現像の現像液盛りの際、
空気と接する現像液の表面積を非常に少なくすることに
よって、現像液の温度を一定にすることができ、さらに
ウエハ面内で均一に保つことができるため、従来と比べ
て非常に有利である。

【００４８】そして、上記第１の状態を得た後、複数の
吐出口を備えた現像ノズル５０１から徐々に現像液を吐
出しつつ、現像ノズルを上昇させる。このとき、現像ノ
ズルとレジスト表面との間が現像液５０２で満たされた
ままの状態を保ちつつ、現像液の吐出量と現像ノズルの
上昇速度を調整する。

【００４９】次いで、現像ノズル下部の平面がレジスト
表面と第２の距離はなれた位置で現像ノズルの上昇を停
止するとともに現像液の吐出も停止し、その間を現像液
で満たして第２の状態とする。（図５（ａ））

【００５０】現像ノズル５０１を上昇させつつ現像液を
吐出する際も、最初に現像液盛りした時（第１の状態）
と同様に、複数の吐出口３０３から現像液を吐出するこ
とによって、現像液を吐出する場所を分散し、現像液が
局所的な領域（例えばウエハ中心付近）からウエハ全体
に供給されることを防ぎ、現像の均一性を向上させてい
る。

【００５１】また、本発明は、新たに現像液を供給する
ことと、現像ノズルを上昇させることによって、現像液
中で対流をうながして撹拌することができ、さらに現像
の均一性を向上させている。対して、従来のパドル現像
では、一度、ウエハ上に現像液盛りすると撹拌するのは
困難であった。

【００５２】また、本発明は、現像液を現像ノズル下部
の平面とレジスト表面とで挟み込むため、現像液盛りの
量を多くすることができる。対して、従来ではウエハ上
に、現像液自身のみの表面張力を利用して現像液盛りす
るため、現像液の種類とウエハの形状や大きさにより、
現像液盛りできる量が決定してしまっていた。

【００５３】次いで、前記第２の状態で現像液を保持
し、現像が終了するまでの一定時間（数十秒）静止す
る。

【００５４】次いで、現像ノズルを第２の距離以上に大
きく上昇させて、現像ノズル下部の平面とレジスト表面
との間に、現像液を空気の層を挟むことなく満たすこと
ができない状態とする。その後に、ウエハを純水リンス
し、スピン乾燥するなどを行う。こうして現像が終了す
る。

【００５５】また、第２の状態とした後、さらに以下に
示す工程を上記工程に追加してもよい。

【００５６】第２の状態とした後、図５（ｂ）に示すよ
うに、第３の距離はなれた位置まで現像ノズルを下降し
て、ウエハの間を再び狭くする。なお、第３の距離はな
れた位置まで現像ノズルを下降した場合、現像液の一部
はウエハからこぼれ落ちる。そして、先と同様に現像液
を調整して吐出しつつ、第４の距離はなれた位置まで現
像ノズルを上昇させて、新鮮な現像液が現像液盛りされ
るようにしてもよい。

【００５７】このように現像ノズルを下降する工程と、
現像液を供給しつつ上昇する工程を一回以上繰り返すこ
とにより、いっそうの現像均一性を達成することができ
る。

【００５８】ここでは、円盤形状のウエハを用いて説明
したが、本発明は、特に限定されず、その他に円形状の
基板にも当然適用できる。

【００５９】例えば、液晶ディスプレイの画素を表示す
るアクティブマトリクス回路は、石英ガラスまたはガラ
スなどの透明な絶縁物である基板上に、アモルファスシ
リコン、ポリシリコンの薄膜を形成して作製されてい
る。

【００６０】本発明は、半導体基板の他に、石英ガラス
基板、ガラス基板、プラスチック基板等からなる円形の
ものを用いることができる。

【００６１】絶縁物のような基板であっても、現像ノズ
ルの下部を基板と同様な形状、大きさとすることによ
り、本発明は実施可能となる。

【００６２】なお、本発明は、リソグラフィ工程の現像
工程に関するものであって、微細加工する膜は、ポリシ
リコン膜、シリサイド膜、アルミや銅など金属膜、酸化
膜、ＢＰＳＧなどの絶縁膜などの膜の種類によらず、成
形する構造も、配線構造やコンタクト構造、ＬＯＣＯＳ
構造などの構造の種類に限定されないことは言うまでも
ない。

【００６３】また、本発明は、現像処理工程以外のリソ
グラフィ工程も、一般的な装置および方法でよく、露光
装置の種類、レジストの種類（例えばネガ型やポジ型、
化学増幅型か否か）なども特に限定されないことは言う
までもない。

【００６４】[実施形態２]上記の実施形態１は、ウエハ
または円盤形状でオリフラのあるウエハの現像に関する
一例を示したが、本実施形態は、ウエハに代えて、絶縁
物の基板を用いた場合の一例を示す。

【００６５】絶縁物の基板には、石英ガラス基板、ガラ
ス基板などがある。現在、石英ガラス基板、ガラス基板
は、透明である利点をいかして、液晶ディスプレイの画
素を表示するためのアクティブマトリクス回路を形成す
るのに用いられる。石英ガラス基板、ガラス基板上に、
アモルファスシリコン、ポリシリコンの薄膜を形成し、
素子の活性層としている。

【００６６】液晶ディスプレイのアクティブマトリクス
回路を作製する石英ガラス基板、ガラス基板は、正方形
や長方形の角形のものが多い。また、シリコンのウエハ
では大きさが６インチや８インチ直径の丸型と規格が決
められたサイズが多いが、液晶ディスプレイ用の石英ガ
ラス基板、ガラス基板は、一辺が１０ｃｍから１００ｃ
ｍ程度のものまで様々なサイズが存在する。

【００６７】液晶ディスプレイ用の石英ガラス基板、ガ
ラス基板は、一般的に角形で大きさも様々であるが、現
像ノズル下部の平面を、石英ガラス基板、ガラス基板
と、同様な形状および大きさとすることにより、実施形
態１と同様に本発明は実施可能となる。

【００６８】[実施形態３]実施の形態１では、現像ノズ
ル下部の平面の複数の吐出口を直径０．７ｍｍの丸型で
２９個（図３）の例を示したが、限定されることなく、
他にも様々なものを用いることができる。

【００６９】例えば、図６（ａ）に示したように、現像
ノズル下部の平面６０１において、中心から端部に向か
うにつれて、吐出口６０２の直径を大きくしてもよい。
吐出口の直径に変化をつけることにより、現像ノズル下
部の面内における現像液の吐出量をより均一にし、さら
に現像均一性を向上させることができる。

【００７０】また、現像ノズル下部の平面の吐出口の形
状は、円形でなくともよい。図６（ｂ）に示すように吐
出口がスリットのようになっていてもよい。

【００７１】現像ノズル下部の平面の吐出口は、ウエハ
面内の中心および上下左右に均等に配置されていること
が大切で、吐出口の形状、大きさなどは様々な変形が可
能である。

【００７２】また、図２〜図６に示した現像ノズル下部
は平面としたが、円錐または凸部としてもよい。例え
ば、現像ノズル下部を円錐とし、その高さを第１の距離
よりも小さく設計されたものを用いればよい。この場
合、第１の距離は、ウエハ表面から現像ノズル下部の周
縁部までの距離とする。また、凸部とした場合は、平面
的に見て丸、三角形、四角形、五角形、六角形のいずれ
かであり、側面的に見て球冠状とし、その高さを第１の
距離よりも小さく設計されたものを用いればよい。この
ように、現像ノズル下部を円錐または凸部とすると現像
液の吐出の際、ウエハと現像ノズルとの間に空気の層が
できた場合、ノズルの周縁部に空気の層を移動させて現
像液内に空気の層が残存しないようにすることができ
る。

【００７３】以上の構成でなる本願発明について、以下
に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととす
る。

【００７４】

【実施例】［実施例１］本願発明は従来のＩＣ技術全般
に適用することが可能である。即ち、一般に知られてい
る全ての半導体装置（ＭＯＳＦＥＴを部品として含む製
品）の作製方法に適用しうる。

【００７５】例えば、ワンチップ上に集積化されたＲＩ
ＳＣプロセッサ、ＡＳＩＣプロセッサ等のマイクロプロ
セッサに適用しうる。また、Ｄ／Ａコンバータ等の信号
処理回路から携帯機器（携帯電話、ＰＨＳ、モバイルコ
ンピュータ）用の高周波回路に至るまで、半導体を利用
する全ての集積化回路の作製方法に適用しうる。

【００７６】マイクロプロセッサの中枢として機能する
のはＩＣ７０１である。ＩＣは半導体チップ７０２に形
成された集積化回路をセラミック等で保護した機能回路
である。

【００７７】この半導体チップ７０２上に形成された集
積化回路を構成するのがＮチャネル型ＦＥＴ７０３、Ｐ
チャネル型ＦＥＴ７０４である。なお、基本的な回路
は、図７に示したようなＣＭＯＳを最小単位として構成
されることが多い。これらのＦＥＴ７０３、７０４を作
製する際に行われる配線パターニング工程やコンタクト
ホール形成工程において上記実施の形態１〜３のいずれ
か一のリソグラフィの現像処理を適用する。本発明のリ
ソグラフィの現像処理により現像の均一性を向上するこ
とができ、さらに現像液の消費量を低減することができ
る。

【００７８】この半導体チップを搭載したマイクロプロ
セッサは様々な電気光学装置に搭載されて中枢回路とし
て機能する。代表的な電気光学装置としてはパーソナル
コンピュータ、携帯型情報端末機器（モバイルコンピュ
ータ、携帯電話または電子書籍等）、ビデオカメラ、デ
ジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル
型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェク
タ、カーステレオ、その他あらゆる電気製品が挙げられ
る。

【００７９】［実施例２］本実施例は、同一基板上に画
素部と駆動回路とを備えた液晶表示装置の作製方法の一
例を図８〜図１２を用いて示す。

【００８０】まず、本実施例では基板とコーニング社の
＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表される
バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸
ガラスなどのガラスからなる基板８０１を用いた。ガラ
ス基板を用いる場合は、上記実施形態２に記載の技術を
用いる。なお、基板８０１としては、石英基板を用いて
も良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が
有するプラスチック基板を用いてもよい。

【００８１】次いで、基板８０１上に酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜
から成る下地膜８０２を形成する。

【００８２】下地絶縁膜８０２としては、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎ
y ）、またはこれらの積層膜等を１００〜５００ｎｍの
膜厚範囲で用いることができ、形成手段としては公知の
成膜方法（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、ス
パッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等）を用いる。ここでは、膜
組成において酸素元素より窒素元素を多く含む酸化窒化
シリコン膜８０２ａと、膜組成において窒素元素より酸
素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜８０２ｂを積層形
成した。

【００８３】次いで、下地絶縁膜上に非晶質半導体膜８
０４を形成する。（図８（Ａ））非晶質半導体膜の材料
に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲ
ルマニウム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（０＜Ｘ＜１））合金などで
形成すると良い。形成手段としては公知の成膜方法（熱
ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減
圧熱ＣＶＤ法等）を用いることができる。

【００８４】次いで、非晶質半導体膜８０４を結晶化さ
せて結晶質半導体膜８０５を形成する。（図８（Ｂ））
結晶化方法は公知の方法（固相成長法、レーザー結晶化
法、結晶化を助長する金属元素を用いた固相成長法等）
を用いることができる。本実施例では、レーザー結晶化
法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザー結晶化
法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型
または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザ
ー、ＹＶＯ₄レーザーを用いることができる。

【００８５】次いで、本発明のフォトリソグラフィ法に
よりレジストマスクを形成し、エッチングを行って所望
の形状の半導体層８０５〜８０９を形成する。ここで、
実施形態１乃至３のいずれか一に記載のリソグラフィの
現像処理を用いることによって現像の均一性を向上する
ことができ、さらに現像液の消費量を低減することがで
きる。

【００８６】次いで、保護膜８１０を介してｐ型を付与
する不純物元素（以下、ｐ型不純物元素という）を添加
する。（図８（Ｃ））ｐ型不純物元素としては、代表的
には１３族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリ
ウムを用いることができる。この工程（チャネルドープ
工程という）はＴＦＴのしきい値電圧を制御するための
工程である。なお、ここではジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を質量
分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロン
を添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテ
ーション法を用いても良い。

【００８７】なお、本実施例ではチャネルドープ工程を
行ったが、特に必要でない場合には行わなくても構わな
い。

【００８８】次いで、保護膜８１０を除去した後、ゲー
ト絶縁膜となる絶縁膜８１１を半導体層上に成膜し、さ
らにその上に第１導電膜８１２及び第２導電膜８１３を
積層形成する。（図８（Ｄ））

【００８９】次に、本発明のフォトリソグラフィ法によ
りレジストによるマスク８１４を形成し、ゲート電極を
形成するための第１のエッチング処理を行う。（図９
（Ａ））エッチング方法に限定はないが、好適にはＩＣ
Ｐ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズ
マ）エッチング法を用いる。エッチング用ガスにＣＦ₄
とＣｌ₂を混合し、０．５〜２Ｐａ、好ましくは１Ｐａ
の圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６
ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して行う。基板
側（試料ステージ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。ＣＦ₄とＣｌ₂を混合した場合にはタングステ
ン膜、窒化タンタル膜及びチタン膜の場合でも、それぞ
れ同程度の速度でエッチングすることができる。

【００９０】上記エッチング条件では、レジストによる
マスクの形状と、基板側に印加するバイアス電圧の効果
により端部をテーパー形状とすることができる。テーパ
ー部の角度は１５〜４５°となるようにする。また、ゲ
ート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするため
には、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加
させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択
比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッ
チング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は
２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。

【００９１】こうして、第１のエッチング処理により第
１導電膜と第２導電膜から成る第１形状の導電層８１５
〜８２０（第１の導電層８１５ａ、８１６ａ、８１７
ａ、８１８ａ、８１９ａ、８２０ａと第２導電層８１５
ｂ、８１６ｂ、８１７ｂ、８１８ｂ、８１９ｂ、８２０
ｂ）を形成する。なお、図示しないが、絶縁膜８１３に
おいて、第１の形状の導電層で覆われない領域は２０〜
５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。

【００９２】次いで、レジストマスクをそのままの状態
としたまま、第１の形状の導電層をマスクとして第１の
ドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピ
ングする。（図９（Ｂ））例えば、加速電圧を２０〜６
０ｋｅＶとし、１×１０¹³〜５×１０¹⁴／ｃｍ²のドー
ズ量で行い、不純物領域（ｎ＋領域）８２１ａ〜８２１
ｅを形成する。例えば、不純物領域（ｎ＋領域）におけ
るリン（Ｐ）濃度は１×１０²⁰〜１×１０²¹／ｃｍ³の
範囲となるようにする。

【００９３】次いで、レジストマスクをそのままの状態
としたまま、図９（Ｃ）に示すように第２のエッチング
処理を行う。エッチングはＩＣＰエッチング法を用い、
エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂を混合して、１Ｐ
ａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(１
３．５６ＭＨｚ)を供給してプラズマを生成する。基板
側（試料ステージ）には５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自
己バイアス電圧を印加する。このような条件によりタン
グステン膜を異方性エッチングし、第１の導電層である
窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにす
る。こうして、第２形状の導電層８２３〜８２８（第１
の導電膜８２３ａ、８２４ａ、８２５ａ、８２６ａ、８
２７ａ、８２８ａと第２の導電膜８２３ｂ、８２４ｂ、
８２５ｂ、８２６ｂ、８２７ｂ、８２８ｂ）を形成す
る。８２２はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層
で覆われない領域はさらに薄くなった。

【００９４】次いで、レジストマスクをそのままの状態
としたまま、第２のドーピング処理を行いｎ型の不純物
（ドナー）をドーピングする。（図９（Ｄ））この場
合、第２形状の導電層のうち、第２の導電膜はドーピン
グする元素に対してマスクとなり、加速電圧を適宣調節
（例えば、７０〜１２０ｋｅＶ）して、ゲート絶縁膜及
び第１の導電膜のテーパ部を通過した不純物元素により
不純物領域（ｎ−領域）８２９ａ〜８２９ｅを形成す
る。例えば、不純物領域（ｎ−領域）におけるリン
（Ｐ）濃度は１×１０¹⁷〜１×１０¹⁹／ｃｍ³の範囲と
なるようにする。

【００９５】次いで、レジストマスクを除去した後、フ
ォトリソグラフィ法により、駆動回路のｎチャネルＴＦ
Ｔのうち、所定のＴＦＴを覆うレジストマスク８３０を
形成した後、エッチングを行い、第３形状の導電層（第
１の導電膜８２３ｃ、８２５ｃ、８２６ｃ、８２７ｃ、
８２８ｃと第２の導電膜８２３ｂ、８２５ｂ、８２６
ｂ、８２７ｂ、８２８ｂ）と絶縁膜８３１〜８３６を形
成する。（図１０（Ａ））こうすることによって、レジ
ストマスク８３０で覆われたＴＦＴ以外のＴＦＴは、第
１の導電膜と不純物領域（ｎ−領域）とが重ならないＴ
ＦＴとすることができる。なお、図１０（Ａ）中では絶
縁膜８３１、８３３〜８３６が不純物領域（ｎ−領域）
と重なっていないが、実際は、一部かさなった構造とな
る。

【００９６】次いで、レジストマスク８３０を除去した
後、図１０（Ｂ）に示すように、レジストによるマスク
８３７を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半
導体層にｐ型の不純物（アクセプタ）をドーピングす
る。典型的にはボロン（Ｂ）を用いる。不純物領域（ｐ
＋領域）８３８、８３９の不純物濃度は２×１０²⁰〜２
×１０²¹／ｃｍ³となるようにし、含有するリン濃度の
１．５〜３倍のボロンを添加して導電型を反転させる。

【００９７】以上までの工程でそれぞれの半導体層に不
純物領域が形成される。その後、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜から成
る保護絶縁膜８４０をプラズマＣＶＤ法で形成する。そ
して導電型の制御を目的としてそれぞれの半導体層に添
加された不純物元素を活性化する工程を行う。

【００９８】さらに、水素化処理を行う。本実施例では
比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用いて水
素化処理を行った。

【００９９】次いで、保護絶縁膜８４０を覆って層間絶
縁膜８４１を形成する。層間絶縁膜８４１は、ポリイミ
ド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。勿論、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho silic
ate）を用いて形成される酸化シリコン膜を適用しても
良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用
いることが望ましい。

【０１００】次いで、本発明のフォトリソグラフィ法に
よりレジストによるマスクを形成し、エッチングを行っ
てコンタクトホールを形成し、マスクを除去した後、ア
ルミニウム（Ａｌ）またはＡｇを主成分とする膜、チタ
ン（Ｔｉ）、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた
材料を用いて、ソース配線またはドレイン配線８４２〜
８５０、及び画素電極８５１を形成する。（図１１）ま
た、画素電極８５１を形成した後、公知のサンドブラス
ト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化さ
せて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによっ
て白色度を増加させることが好ましい。

【０１０１】以上の工程で、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチ
ャネル型ＴＦＴと含む駆動回路８５３と、画素ＴＦＴ及
び保持容量を含む画素部８５４を同一基板上に得ること
ができる。

【０１０２】駆動回路８５３において、ロジック回路部
やサンプリング回路部を構成するｐチャネル型ＴＦＴに
はチャネル形成領域、ソース領域またはドレイン領域と
して機能する不純物領域を有している。

【０１０３】駆動回路８５３において、ロジック回路部
を構成するｎチャネル型ＴＦＴには高速動作を重視した
ＴＦＴ構造とすることが好ましく、チャネル形成領域、
ゲート電極と重なる不純物領域（Gate Overlapped Drai
n：ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される不
純物領域（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領
域として機能する不純物領域を有している。

【０１０４】また、駆動回路８５３において、サンプリ
ング回路部を構成するｎチャネル型ＴＦＴには低オフ電
流動作を重視したＴＦＴ構造とすることが好ましく、チ
ャネル形成領域、ゲート電極の外側に形成される不純物
領域（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域と
して機能する不純物領域を有している。

【０１０５】また、画素部８５４の画素ＴＦＴを構成す
るｎチャネル型ＴＦＴには低オフ電流動作を重視したＴ
ＦＴ構造とすることが好ましく、チャネル形成領域、ゲ
ート電極の外側に形成される不純物領域（ＬＤＤ領域）
とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物
領域を有している。

【０１０６】また、画素部８５４の保持容量８６０の一
方の電極として機能する半導体層には、それぞれｐ型を
付与する不純物元素が添加されている。保持容量８６０
は、絶縁膜８３６を誘電体として、電極８２８ｂ、８２
８ｃと、半導体層とで形成している。

【０１０７】なお、ここでは、画素電極として、反射電
極を用いた例を示したが、透光性を有する導電性材料を
用いて画素電極を形成すれば、透過型の表示装置を作製
することができる。その場合、ソース配線またはドレイ
ン配線を作製する工程の前後で画素電極を形成し、その
画素電極の材料としては、酸化インジウム酸化亜鉛合金
（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはガ
リウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）等
を用いることが望ましい。

【０１０８】また、本実施例のＴＦＴはトップゲート型
ＴＦＴを一例として示したが、特にＴＦＴ構造に限定さ
れず、例えばボトムゲート型ＴＦＴを用いることも可能
である。

【０１０９】図１１の状態を得た後、画素電極８５１上
に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例
では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹
脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持す
るための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に
形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペ
ーサを基板全面に散布してもよい。

【０１１０】次いで、対向基板を用意する。次いで、対
向基板上に着色層、遮光層を形成した後、平坦化膜を形
成する。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向
電極を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配
向膜を形成し、ラビング処理を施した。

【０１１１】次いで、画素部と駆動回路が形成された基
板と対向基板とを接着層（本実施例ではシール材）で貼
り合わせる。接着層にはフィラーが混入されていて、こ
のフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って
２枚の基板が貼り合わせられる。そして、一枚の基板に
複数の画素部を形成、いわゆる多面取りとした場合、各
々を分断する。その後、両基板の間に液晶材料を注入
し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶
材料には公知の液晶材料を用いれば良い。

【０１１２】次いで、外部入力端子にＦＰＣ（フレキシ
ブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）を貼
り付ける。さらに対向基板のみに偏光板（図示しない）
を貼りつける。また、カラー化させる場合にはカラーフ
ィルタを基板に設ける。

【０１１３】以上のようにして作製される液晶表示装置
は各種電子機器の表示部として用いることができる。こ
の液晶表示装置の状態について図１２を用いて説明す
る。

【０１１４】図１２に示す上面図は、画素部、駆動回
路、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible P
rinted Circuit）を貼り付ける外部入力端子、外部入力
端子と各回路の入力部までを接続する配線８１などが形
成された基板８２ａと、カラーフィルタなどが設けられ
た対向基板８２ｂとがシール材８３を介して貼り合わさ
れている。

【０１１５】ゲート側駆動回路８４と重なるように固定
基板側に遮光層８６ａが設けられ、ソース側駆動回路８
５と重なるように固定基板側に遮光層８６ｂが形成され
ている。また、画素部８７上の固定基板側に設けられた
カラーフィルタ８８は遮光層と、赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応し
て設けられている。実際に表示する際には、赤色（Ｒ）
の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の
３色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の
配列は任意なものとする。

【０１１６】ここでは、カラー化を図るためにカラーフ
ィルタ８８を対向基板に設けているが特に限定されず、
基板上に素子を作製する際、基板上にカラーフィルタを
形成してもよい。

【０１１７】また、カラーフィルタにおいて隣り合う画
素の間には遮光層が設けられており、表示領域以外の箇
所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領
域にも遮光層８６ａ、８６ｂを設けているが、駆動回路
を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部と
して組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設け
ない構成としてもよい。また、基板上に必要な素子を作
製する際、基板上に遮光層を形成してもよい。

【０１１８】また、上記遮光層を設けずに、第２固定基
板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成する着色層
を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示
領域以外の箇所（各画素電極の間隙）や、駆動回路を遮
光してもよい。

【０１１９】また、外部入力端子にはベースフィルムと
配線から成るＦＰＣ８９が異方性導電性樹脂で貼り合わ
されている。さらに補強板で機械的強度を高めている。

【０１２０】また、本実施例では液晶表示装置を作製し
た例を示したが、特に限定されず、様々な電気光学装置
（アクティブマトリクス型ＥＬ（Electro Luminescenc
e）表示装置、アクティブマトリクス型ＥＣ表示装置）
を作製することができる。

【０１２１】

【発明の効果】本発明は、半導体装置を製造する際の、
リソグラフィの現像処理工程において、現像の均一性を
向上することができ、さらに現像液の消費量を低減する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の現像処理方法のフローチャートを
示す図である。

【図２】下部が平面で複数の吐出口を持つ現像ノズ
ルを示す図である。

【図３】下部が平面で複数の吐出口を持つ現像ノズ
ルを示す図である。

【図４】本発明の現像液の供給方法を示す図であ
る。

【図５】本発明の現像液の供給方法を示す図であ
る。

【図６】現像ノズル下部の平面における吐出口配置
を示す図である。

【図７】ＩＣ及び半導体チップを示す図である。

【図８】液晶表示装置の作製方法を示す断面図であ
る。

【図９】液晶表示装置の作製方法を示す断面図であ
る。

【図１０】液晶表示装置の作製方法を示す断面図であ
る。

【図１１】液晶表示装置の作製方法を示す断面図であ
る。

【図１２】液晶表示装置の外観図である。

【図１３】従来のパドル現像処理装置を示す図であ
る。

【符号の説明】

２０１…下部が平面で複数の吐出口を持つ現像ノズル２０２…現像液の吐出口を備えた現像ノズル下部の平面２０３…現像液の吐出口２０４…レジスト２０５…ウエハ２０６…スピンチャック２０７…現像ノズルの支持アーム３０１…下部が平面で複数の吐出口を備えた現像ノズル３０２…現像液の吐出口を備えた現像ノズル下部の平面３０３…現像液の吐出口３０４…ウエハ４０１…下部が平面で複数の吐出口を備えた現像ノズル４０２…現像液４０３…レジスト４０４…ウエハ４０５…スピンチャック４０７…現像液４０８…現像液の吐出口を備えた現像ノズル下部の平面５０１…下部が平面で複数の吐出口を備えた現像ノズル５０２…現像液５０３…レジスト５０４…ウエハ５０５…スピンチャック５０７…現像液

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジストを塗布し露光したウエハを水平に
保持する工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工
程と、前記レジスト上に現像液を供給する工程とを有す
る現像処理方法において、ウエハと同じ直径を有する平らな円形の面に複数の吐出
口を備えたノズルを、前記円形の面と前記レジスト表面
とが第１の距離はなれた位置で保持する工程と、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の距離はな
れた位置で保持された前記ノズルの円形の面と前記レジ
スト表面との間が現像液で満たされた第１の状態とした
後、前記ノズルの現像液の吐出を停止する工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第２の距離は
なれた位置で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止し
て、前記第２の距離はなれた位置に保持された前記ノズ
ルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満た
された第２の状態とする工程と、を有することを特徴と
する現像処理方法。
【請求項２】レジストを塗布し露光したウエハを水平に
保持する工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工
程と、前記レジスト上に現像液を供給する工程とを有す
る現像処理方法において、ウエハと同じ直径を有する平らな円形の面に複数の吐出
口を備えたノズルを、前記円形の面と前記レジスト表面
とが第１の距離はなれた位置で保持する工程と、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の距離はな
れた位置で保持された前記ノズルの円形の面と前記レジ
スト表面との間が現像液で満たされた第１の状態とした
後、前記ノズルの現像液の吐出を停止する工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第２の距離は
なれた位置で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止し
て、前記第２の距離はなれた位置に保持された前記ノズ
ルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満た
された第２の状態とする工程と、前記ノズルを下降する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第３の距離は
なれた位置で、前記ノズルの下降を停止して、前記第３
の距離はなれた位置に保持された前記ノズルの円形の面
と前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第３の
状態とする工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第４の距離は
なれた位置で、前記ノズルの上昇と現像液の吐出を停止
して、前記第４の距離はなれた位置に保持された前記ノ
ズルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満
たされた第４の状態とする工程と、を有することを特徴
とする現像処理方法。
【請求項３】請求項２において、第４の状態とした後
に、ノズルを下降して、前記第３の状態とした後、ノズ
ルを上昇させつつ現像液を吐出して、前記第４の状態と
することを複数回繰り返すことを特徴とする現像処理方
法。
【請求項４】レジストを塗布し露光した基板を水平に保
持する工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工程
と、前記レジスト上に現像液を供給する工程とを有する
現像処理方法において、基板と同じ直径を有する平らな円形の面に複数の吐出口
を備えたノズルを、前記円形の面と前記レジスト表面と
が第１の距離はなれた位置で保持する工程と、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の距離はな
れた位置で保持された前記ノズルの円形の面と前記レジ
スト表面との間が現像液で満たされた第１の状態とした
後、前記ノズルの現像液の吐出を停止する工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第２の距離は
なれた位置で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止し
て、前記第２の距離はなれた位置に保持された前記ノズ
ルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満た
された第２の状態とする工程と、を有することを特徴と
する現像処理方法。
【請求項５】レジストを塗布し露光した基板を水平に保
持する工程と、前記レジスト上にノズルを保持する工程
と、前記レジスト上に現像液を供給する工程とを有する
現像処理方法において、基板と同じ直径を有する平らな円形の面に複数の吐出口
を備えたノズルを、前記円形の面と前記レジスト表面と
が第１の距離はなれた位置で保持する工程と、前記ノズルから現像液を吐出して、前記第１の距離はな
れた位置で保持された前記ノズルの円形の面と前記レジ
スト表面との間が現像液で満たされた第１の状態とした
後、前記ノズルの現像液の吐出を停止する工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第２の距離は
なれた位置で、ノズルの上昇及び現像液の吐出を停止し
て、前記第２の距離はなれた位置に保持された前記ノズ
ルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満た
された第２の状態とする工程と、前記ノズルを下降する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第３の距離は
なれた位置で、前記ノズルの下降を停止して、前記第３
の距離はなれた位置に保持された前記ノズルの円形の面
と前記レジスト表面との間が現像液で満たされた第３の
状態とする工程と、前記ノズルを上昇させつつ現像液を吐出する工程と、ノズルの円形の面と前記レジスト表面とが第４の距離は
なれた位置で、前記ノズルの上昇と現像液の吐出を停止
して、前記第４の距離はなれた位置に保持された前記ノ
ズルの円形の面と前記レジスト表面との間が現像液で満
たされた第４の状態とする工程と、を有することを特徴
とする現像処理方法。
【請求項６】請求項５において、第４の状態とした後
に、ノズルを下降して、前記第３の状態とした後、ノズ
ルを上昇させつつ現像液を吐出して、前記第４の状態と
することを複数回繰り返すことを特徴とする現像処理方
法。