JP6000404B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
所定の回転軸を中心に回転する基板保持部に保持された板状基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構を備え、前記処理液により前記板状基板の表面を処理する基板処理装置であって、
昇降機構によって昇降動作可能で、下降した位置にて、前記基板保持部に保持された前記板状基板の表面に対して所定の間隔をもって対向配置され、前記板状基板の表面との間に処理液を保持する処理液保持プレートと、
前記処理液保持プレートにおける、前記基板保持部の前記回転軸に対応する位置を含む所定領域全体に接して当該所定領域を加熱する加熱部とを有し、
前記処理液供給機構は、前記基板保持部とともに回転する状態の前記板状基板の表面と、前記加熱部により加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する構成となる。
前記板状基板の表面と、前記加熱部によって加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を保持する処理液保持ステップとを有する構成となる。
15 処理液保持プレート
20 ヒータ(加熱部)
20a 孔
30 回転機構
40 昇降機構
50 処理液供給機構
51a、51b、51c、51d 処理液槽
52a、52b、52c、52d バルブ
53a、53b、53c、53d 流量計
54a、54b、54c、54d 個別送通管
55 処理液供給管
100 半導体ウェーハ(板状基板)
151 プレート本体
152 壁部
153 流路
153a 開口
155 溝
155a 円筒状通路
155b 半円筒状凹部
156 周側面
157 凹部
201、202 ヒータ片
Claims (12)
- 所定の回転軸を中心に回転する基板保持部に保持された板状基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構を備え、前記処理液により前記板状基板の表面を処理する基板処理装置であって、
昇降機構によって昇降動作可能で、下降した位置にて、前記基板保持部に保持された前記板状基板の表面に対して所定の間隔をもって対向配置され、前記板状基板の表面との間に処理液を保持する処理液保持プレートと、
前記処理液保持プレートにおける、前記基板保持部の前記回転軸に対応する位置を含む所定領域全体に接して当該所定領域を加熱する加熱部とを有し、
前記処理液供給機構は、前記基板保持部とともに回転する状態の前記板状基板の表面と、前記加熱部により加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する基板処理装置。 - 前記加熱部は、前記処理液保持プレートにおける、前記板状基板に対向する面と逆側の面に当接するように設けられたシート状ヒータを有し、
該シート状ヒータには前記基板保持部の前記回転軸からずれた位置に孔が形成され、
前記処理液供給機構は、前記シート状ヒータの前記孔を通して前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給機構は、前記処理液保持プレートにおける、前記基板保持部の前記回転軸に対応する位置からずれた位置を貫通して前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記処理液保持プレートは、前記板状基板の表面を覆うことが可能なプレート本体と、
該プレート本体の周縁に前記基板保持部側に突出するように形成された壁部とを有し、
前記壁部の先端が前記処理液保持プレートを横切る方向に傾斜している請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記処理液保持プレート内に、当該処理液保持プレートの前記板状基板の表面に対向する面に沿って延びて該面の所定位置にて開口する流路が形成され、
前記処理液供給機構からの前記処理液が前記流路を通って当該処理液保持プレートと前記板状基板の表面との間の隙間に供給される請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記加熱部は、発熱量を個々的に制御可能な複数の個別加熱部により形成された請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記シート状ヒータは、前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面と逆側の面に同心状に配置される、発熱量を個々的に制御可能な複数のヒータ部を有する請求項2記載の基板処理装置。
- 前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面には、該面にて開口して当該処理液保持プレートの側面に抜ける複数の溝が形成された請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給機構は、前記処理液の全部または一部が流れ、前記処理液保持プレートを加熱する加熱部からの熱にて加熱される流路を有する請求項1乃至8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理装置を用い、
前記処理液供給機構から、前記基板保持部とともに回転する状態の前記板状基板の表面と、前記処理液保持プレートとの間の隙間に処理液を供給する処理液供給ステップと、
前記板状基板の表面と、前記加熱部によって加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を保持する処理液保持ステップとを有する基板処理方法。 - 前記処理液保持ステップは、前記処理液供給機構からの前記処理液の供給を継続させつつ実行される請求項10記載の基板処理方法。
- 前記処理液保持ステップは、前記処理液供給機構からの前記処理液の供給を継続させることなく実行される請求項10記載の基板処理方法。
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