JP2017069548A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、退避室３１と、退避室３１を間にして設けられた一対の処理室２１と、退避室３１内及び一対の処理室２１内にわたって移動可能に設けられ、処理室２１内の基板Ｗ上に処理液を供給し、かつ、その基板Ｗ上の処理液を加熱する処理部として機能するヒータ３２と、退避室３１内及び一対の処理室２１内にわたってヒータ３２を移動させる移動機構として機能するヒータ移動機構３３とを備える。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
基板処理装置は、半導体ウェーハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板など各種基板に対して種々の表面処理（エッチング処理や洗浄処理、リンス処理、乾燥処理など）を行う装置である。この基板処理装置では、処理の均一性や再現性の面から、基板を１枚ずつ専用処理室内で処理する枚葉方式を用いることが多くなっている。また、処理対象の基板は専用ケース、例えば基板が半導体ウェーハである場合には、ＦＯＵＰ（フープ）に収納されている。このため、専用ケースからの基板の取り出しと収納を行う専用ユニットが設けられる。この専用ユニットとしては、例えば、ＥＦＥＭ（ＦＯＵＰオープナーと搬送ロボットの組合せ）が用いられる。
専用ケース内の基板は、専用ユニットの搬送ロボットによって専用ケースから取り出され、処理室内に搬送されて処理室内で処理される。この処理には薬液が使用されるため、処理室雰囲気が周囲に広がらないように、通常、処理室内は周囲よりも陰圧に維持されている。処理としては、常温の薬液処理だけではなく、加熱を伴う薬液処理などもある。また、処理済の基板に別の処理を行う必要がある場合には、その基板は次の処理室に搬送されて処理される。最終的に基板は洗浄及び乾燥され、搬送ロボットにより元の専用ケースに収納され、その後、基板処理装置から払い出される。
基板処理装置は、用いられる専用ケースや専用ユニットの幅や高さ等の大きさが規格で決まっているため、各処理室の大きさは同じになる傾向がある。このため、処理室数に応じて、各処理室と搬送ロボットとの配置組合せ形態も類似になる傾向がある。処理室が２つある場合には、ＥＦＥＭに直接処理室を接続する形態が多い。また、処理室が４つある場合には、ＥＦＥＭに基板受渡台（バッファ台）を設置し、処理室への基板搬送を専門に行うもう１台の搬送ロボットを設け、その搬送ロボット周辺に処理室を配置する形態が多い。
また、処理室をさらに増加させる場合には、前述のもう一台の搬送ロボットを直線移動機構により直線移動させ、その搬送ロボットが移動するロボット移動路の両側に処理室を配置することが多い。ただし、この構成の場合、直線移動する搬送ロボットの移動速度の制限、あるいは、基板処理装置が設置されるクリーンルームの奥行き制限から、処理室の数は８つ（ロボット移動路の両側に４つずつ）程度になる。なお、さらなる処理室増加のためには、処理室を積み重ね、基板搬送に各階層への搬送方式を追加することも可能である。つまり、処理室の配置を平面配置ではなく、立体配置にすることが可能である。
同じ処理液を用いる処理を複数の処理室で個別に行う場合には、各処理室の処理時間が同じになるため、搬送効率の高いシステムが採用されることになる。一方、異なる処理液を用いる複数の処理を複数の処理室で順次行う場合には、各処理室間で基板を搬送する必要が生じる。このとき、各処理室で処理時間が異なると、ある処理工程で基板搬送待ちが発生する。通常、基板搬送待ちの発生を避けるため、全処理工程が同一の処理時間で終了するようにプロセスが調整される。ところが、各処理室間で基板を搬送する必要があるため、この基板搬送によって処理が中断し、基板処理効率が低下する。そこで、前述の異なる処理液を用いる複数の処理を一つの処理室で実施することができれば、各処理室間での基板搬送が不要となる。これにより、基板搬送による処理の中断を回避することが可能となる。
国際公開第２０１１／０９０１４１号
しかしながら、前述の異なる処理液を用いる複数の処理を一つの処理室で実施しようとしても、処理液の種類による処理雰囲気の違いなどから処理室を分ける必要がある。例えば、エッチング処理を行う処理室では、基板の上方に位置するヒータユニットにより、基板に供給された薬液（例えばリン酸液）を加熱し、高温の薬液によって基板をエッチングする。この処理室において、次工程として基板にリンス薬液（例えばＡＰＭ：アンモニア過酸化水素水）をかけるリンス処理が行われる。このとき、処理雰囲気中の薬液とリンス薬液が反応すると、パーティクルが発生し、ヒータユニットに付着することがある。また、ヒータユニットにパーティクルが付着することで、基板の処理中にパーティクルが基板に付着し、製品不良を起こすことがある。このパーティクルの除去は困難であることが多く、ヒータユニットのメンテナンス時間（例えばヒータ洗浄時間）が長くなる傾向にある。これを避けるためには、各処理室を分けることが有効であるが、各処理室間の基板搬送が必須となるため、基板処理効率が低下する。
本発明が解決しようとする課題は、基板処理効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
実施形態に係る基板処理装置は、退避室と、退避室を間にして設けられた一対の処理室と、退避室内及び一対の処理室内にわたって移動可能に設けられ、処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部と、退避室内及び一対の処理室内にわたって処理部を移動させる移動機構とを備える。
実施形態に係る基板処理方法は、退避室と、退避室を間にして設けられた一対の処理室と、処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部とを備える基板処理装置を用いて、処理室内の基板を処理する基板処理方法であって、退避室内及び一対の処理室内にわたって処理部を移動させる。
本発明の実施形態によれば、基板処理効率を向上させることができる。
第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 第１の実施形態に係る基板処理ユニットの概略構成を示す斜視図である。 第１の実施形態に係るヒータ、ヒータ移動機構及び洗浄部の概略構成を示す断面図（図１の３−３線断面図）である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の比較例を示す平面図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置と比較例との基板処理工程の流れを示すタイミングチャートである。 第２の実施形態に係るヒータ、ヒータ移動機構及び洗浄部の概略構成を示す断面図である。
（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１から図５を参照して説明する。
（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、複数の開閉ユニット１１と、第１の搬送ロボット１２と、バッファユニット１３と、第２の搬送ロボット１４と、複数の基板処理ユニット１５と、装置付帯ユニット１６とを備えている。
各開閉ユニット１１は、一列に並べられて設けられている。これらの開閉ユニット１１は搬送容器として機能する専用ケース（例えばＦＯＵＰ）のドアを開閉する。なお、専用ケースがＦＯＵＰである場合、開閉ユニット１１はＦＯＵＰオープナーと呼ばれる。
第１の搬送ロボット１２は、各開閉ユニット１１が並ぶ第１の搬送方向に沿って移動するように各開閉ユニット１１の列の隣に設けられている。この第１の搬送ロボット１２は、開閉ユニット１１によりドアが開けられた専用ケースから基板Ｗを取り出す。そして、第１の搬送ロボット１２は、必要に応じてバッファユニット１３付近まで第１の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。また、第１の搬送ロボット１２は、バッファユニット１３から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じて所望の開閉ユニット１１付近まで第１の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。なお、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回し、基板Ｗをバッファユニット１３に、あるいは、処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する場合もある。第１の搬送ロボット１２としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。
バッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２が移動する第１のロボット移動路の中央付近に位置付けられ、その第１のロボット移動路の片側、すなわち各開閉ユニット１１と反対の片側に設けられている。このバッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２と第２の搬送ロボット１４との間で基板Ｗの持ち替えを行うためのバッファ台（基板受渡台）として機能する。
第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３付近から前述の第１の搬送方向に直交する第２の搬送方向（第１の搬送方向に交差する方向の一例）に移動するように設けられている。この第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３から基板Ｗを取り出し、必要に応じて所望の基板処理ユニット１５付近まで第２の搬送方向に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の基板処理ユニット１５に搬入する。また、第２の搬送ロボット１４は、基板処理ユニット１５から処理済みの基板Ｗを取り出し、必要に応じてバッファユニット１３付近まで第２の搬送方向に移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。なお、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回し、基板Ｗを所望の基板処理ユニット１５に、あるいは、処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する場合もある。第２の搬送ロボット１４としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。
基板処理ユニット１５は、第２の搬送ロボット１４が移動する第２のロボット移動路の両側に例えば二つずつ設けられている。基板処理ユニット１５は、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂと、ヒータ処理ユニット１５ｃとを有する。ヒータ処理ユニット１５ｃは、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂの間に設けられており、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂに共通の処理ユニットとして機能する（詳しくは、後述する）。
装置付帯ユニット１６は、第２のロボット移動路の一端、すなわちバッファユニット１３と反対側の端に設けられている。この装置付帯ユニット１６は、液供給ユニット１６ａと、制御ユニット１６ｂとを収納する。液供給ユニット１６ａは、一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂ、ヒータ処理ユニット１５ｃに各種の処理液（例えば、薬液やリンス薬液、リンス液など）や洗浄液を供給する。制御ユニット１６ｂは、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備する。この制御ユニット１６ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づき、各開閉ユニット１１や第１の搬送ロボット１２、第２の搬送ロボット１４、各基板処理ユニット１５などの各部を制御する。
（基板処理ユニット）
次に、前述の基板処理ユニット１５、すなわち一対のスピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂ、ヒータ処理ユニット１５ｃについて図２及び図３を参照して説明する。図２においては、基板処理ユニット１５の内部構造が見えるように示されている。なお、スピン処理ユニット１５ａ及び１５ｂは基本的に同じ構造であるため、代表としてスピン処理ユニット１５ａについて説明する。
（スピン処理ユニット）
図２に示すように、スピン処理ユニット１５ａは、処理室２１と、スピン保持機構２２と、カップ２３と、第１のノズルヘッド２４と、第１のノズルヘッド移動機構２５と、第２のノズルヘッド２６と、第２のノズルヘッド移動機構２７と、処理制御部２８とを有する。スピン保持機構２２、カップ２３、第１のノズルヘッド２４、第１のノズルヘッド移動機構２５、第２のノズルヘッド２６、第２のノズルヘッド移動機構２７は、処理室２１内に設けられている。
処理室２１は、例えば直方体形状に形成され、基板シャッタ２１ａと、メンテナンス扉２１ｂとを有する。基板シャッタ２１ａは、処理室２１における第２のロボット移動路側の壁面に開閉可能に形成されている。メンテナンス扉２１ｂは、処理室２１における基板シャッタ２１ａと反対側の壁面に開閉可能に形成されている。なお、処理室２１内は、ダウンフロー（垂直層流）によって清浄に保たれており、また、外部よりも陰圧に保持されている。
スピン保持機構２２は、基板Ｗの被処理面を上方に向けて基板Ｗを水平状態に保持し、基板Ｗの被処理面の略中央に垂直に交わる軸（基板Ｗの被処理面に交わる軸の一例）を回転中心として基板Ｗを水平面内で回転させる機構である。例えば、スピン保持機構２２は、複数の支持部材（図示せず）により基板Ｗをカップ２３内で水平状態に保持し、回転軸やモータなどを有する回転機構（図示せず）によりその保持状態の基板Ｗを回転させる。
カップ２３は、スピン保持機構２２により保持された基板Ｗを周囲から囲むように円筒形状に形成されている。カップ２３の上部はスピン保持機構２２上の基板Ｗが露出するように開口しており、その上部の周壁は径方向の内側に向かって傾斜している。このカップ２３は、回転する基板Ｗから飛散した処理液や流れ落ちた処理液（例えば、薬液やリンス薬液、リンス液など）を受け取る。なお、カップ２３の底面には、受け取った処理液を排出するための排出口（図示せず）が形成されている。排出口から排出された処理液は回収部（図示せず）によって回収される。
第１のノズルヘッド２４は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面にリンス薬液（例えばＡＰＭ：アンモニア過酸化水素水）を供給する。この第１のノズルヘッド２４は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第１のノズルヘッド移動機構２５により揺動可能に形成されている。なお、第１のノズルヘッド２４には、リンス薬液が液供給ユニット１６ａから配管（図示せず）を介して供給される。
第１のノズルヘッド移動機構２５は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第１のノズルヘッド２４を揺動させる機構である。この第１のノズルヘッド移動機構２５は、可動アーム２５ａと、回転機構２５ｂとを有する。可動アーム２５ａは、水平状態で先端に第１のノズルヘッド２４を保持する。回転機構２５ｂは、カップ２３の周囲に設けられており、可動アーム２５ａの末端を支持し、その末端を回転中心として可動アーム２５ａを回転させる。可動アーム２５ａの回転中心、つまり第１のノズルヘッド２４の揺動中心は、処理室２１内において、処理室２１における隣接する退避室３１（ヒータ処理ユニット１５ｃ）側の壁に対し、スピン保持機構２２を挟んで反対側の壁側に設けられる。より具体的には、第１のノズルヘッド２４の揺動中心は、処理室２１における隣接するヒータ処理ユニット１５ｃ側の壁とは反対側で、かつメンテナンス扉２１ｂに近い箇所に設けられる。回転機構２５ｂは、一例として、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第１のノズルヘッド移動機構２５は、第１のノズルヘッド２４をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面の中央付近に対向させる液供給位置と、その液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対するヒータ処理を可能とする退避位置とに移動させる。
第２のノズルヘッド２６は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面にリンス液（例えば純水）を供給する。この第２のノズルヘッド２６は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第２のノズルヘッド移動機構２７により揺動可能に形成されている。なお、第２のノズルヘッド２６には、リンス液が液供給ユニット１６ａから配管（図示せず）を介して供給される。
第２のノズルヘッド移動機構２７は、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に沿って第２のノズルヘッド２６を揺動させる機構である。この第２のノズルヘッド移動機構２７は、第１のノズルヘッド移動機構２５と同じように、可動アーム２７ａと、回転機構２７ｂとを有する。可動アーム２７ａは、水平状態で先端に第２のノズルヘッド２６を保持する。回転機構２７ｂは、カップ２３の周囲に設けられており、可動アーム２７ａの末端を支持し、その末端を回転中心として可動アーム２７ａを回転させる。可動アーム２７ａの回転中心、つまり第２のノズルヘッド２６の揺動中心は、処理室２１内において、処理室２１における隣接する退避室３１（ヒータ処理ユニット１５ｃ）側の壁に対し、スピン保持機構２２を挟んで反対側の壁側に設けられる。より具体的には、第２のノズルヘッド２６の揺動中心は、処理室２１における隣接するヒータ処理ユニット１５ｃ側の壁とは反対側で、かつ基板シャッタ２１ａに近い箇所に設けられる。回転機構２７ｂは、一例として、回転軸やモータなどにより構成されている。例えば、第２のノズルヘッド移動機構２７は、第２のノズルヘッド２６をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面の中央付近に対向させる液供給位置と、その液供給位置から退避させて基板Ｗの搬入や搬出、基板Ｗに対するヒータ処理を可能とする退避位置とに移動させる。
処理制御部２８は、スピン保持機構２２や第１のノズルヘッド２４、第１のノズルヘッド移動機構２５、第２のノズルヘッド２６、第２のノズルヘッド移動機構２７などに電気的に接続されている。この処理制御部２８は、制御ユニット１６ｂの命令に応じ（制御ユニット１６ｂの制御の下に）、スピン保持機構２２による基板Ｗの保持や回転、第１のノズルヘッド２４による液供給、第１のノズルヘッド移動機構２５によるノズルヘッド移動、第２のノズルヘッド２６による液供給、第２のノズルヘッド移動機構２７によるノズルヘッド移動などを制御する。
（ヒータ処理ユニット）
ヒータ処理ユニット１５ｃは、退避室３１と、ヒータ３２と、ヒータ移動機構３３と、洗浄部３４と、洗浄制御部３５とを有する。ヒータ３２、ヒータ移動機構３３、洗浄部３４は退避室３１内に設けられている。
退避室３１は、例えば直方体形状に形成され、複数のヒータシャッタ３１ａと、メンテナンス扉３１ｂとを有する。この退避室３１は、隣接する処理室２１と壁により仕切られている。各ヒータシャッタ３１ａは、退避室３１において対向する二つの壁面、すなわち退避室３１における二つの処理室２１側の壁面に個別に開閉可能に形成されている。例えば、ヒータシャッタ３１ａは上下方向にスライド移動して開閉する。メンテナンス扉３１ｂは、退避室３１における第２のロボット移動路と反対側の壁面に開閉可能に形成されている。退避室３１内は、ダウンフローによって清浄に保たれている。
ヒータ３２は、スピン保持機構２２により保持された基板Ｗ上の処理液（例えば薬液）を加熱するものである。ヒータ３２における、基板Ｗの被処理面との対向面は、基板Ｗにおける被処理面の形状と相似形を有し、その対向面の大きさは、被処理面を全て覆う大きさであることが好ましい。例えば基板が円形ウェーハである場合、ヒータ３２における基板Ｗとの対向面を、円形ウェーハの直径より大なる円形とすることが好ましい。そして、ヒータ３２における基板Ｗとの対向面は、水平面とされる。このヒータ３２は、ノズル３２ａを有する。このノズル３２ａは、ヒータ３２の下面の中央に位置するように形成されており、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に処理液（例えば薬液）を供給する。
ヒータ移動機構３３は、ヒータ３２を支持し、そのヒータ３２を揺動方向Ｆ１、上下方向（昇降方向）Ｆ２及び左右方向（横方向）Ｆ３に移動させる機構である。このヒータ移動機構３３は、ヒータアーム３３ａと、アーム移動機構３３ｂとを有する。ヒータ移動機構３３は、退避室３１内及び一対の処理室２１内にわたって、すなわち退避室３１内及び一対の処理室２１内の範囲でヒータ３２を移動させる移動機構（一例として揺動機構）として機能する。
ヒータアーム３３ａは、先端側の下面にヒータ３２を保持する。このヒータアーム３３ａは、アーム移動機構３３ｂにより水平状態で移動可能に形成されている。また、ヒータアーム３３ａは、液供給流路３３ａ１を有する。液供給流路３３ａ１の一端はノズル３２ａに接続されており、その他端は液供給ユニット１６ａに配管（図示せず）を介して接続されている。ノズル３２ａには、例えば、高温の薬液（例えばリン酸液）が液供給ユニット１６ａから液供給流路３３ａ１及び配管を介して供給される。これにより、高温の薬液がノズル３２ａから吐出され、基板Ｗの被処理面上に供給される。基板Ｗの被処理面上に供給された高温の薬液は、ヒータ３２による加熱により高温が維持された状態でエッチング処理が行われる。ヒータ３２は、処理室２１内の基板Ｗ上に処理液を供給し、かつ、その基板Ｗ上の処理液を加熱する処理部として機能する。
アーム移動機構３３ｂは、ヒータアーム３３ａの末端を支持し、ヒータアーム３３ａを揺動方向Ｆ１、上下方向Ｆ２及び左右方向Ｆ３に移動させる機構である。このアーム移動機構３３ｂは、一例として、回転機構や上下移動機構、左右移動機構などが組み合わされて構成されている。例えば、アーム移動機構３３ｂは、ヒータシャッタ３１ａが開けられた状態でヒータアーム３３ａを揺動方向Ｆ１に移動させ、ヒータ３２をスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向させる対向位置（ヒータ処理位置）と、そのヒータ処理位置から退避させて退避室３１内に位置付ける退避位置とに移動させる。なお、ヒータ３２は、アーム移動機構３３ｂによるヒータアーム３３ａの揺動により、アーム移動機構３３ｂの軸を旋回軸とし、その旋回軸周りに旋回することになる。
ここで、本実施形態のように、ヒータアーム３３ａの先端側にヒータ３２が保持され、ヒータアーム３３ａの回転によりヒータ３２が揺動するタイプにおいて、図１、図３に示すように、ヒータ３２の中央に設けたノズル３２ａと、ヒータ３２の揺動中心（ヒータアーム３３ａの回転中心であり、アーム移動機構３３の旋回軸の中心でもある。）との距離をｒ１、ヒータ３２の揺動中心と、１対のスピン処理ユニット１５ａ、１５ｂがそれぞれ備えるスピン保持機構２２の回転中心までの距離をそれぞれｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立するようにアーム移動機構３３を構成することが好ましい。
洗浄部３４は、退避位置に存在するヒータ３２の下方に設けられている。洗浄部３４は、退避位置に存在するヒータ３２の下面に向けて洗浄液（例えば純水）を吐出し、ヒータ３２の下面に付着した薬液などの処理液を洗浄液により洗浄する。この洗浄部３４は、図３に示すように、液受け部３４ａと、散布部３４ｂとを有する。
液受け部３４ａは、上部が開口する箱形状に形成されている。液受け部３４ａの開口は、ヒータ３２の下面、つまり被洗浄面の形状と相似形で、被洗浄面を全て覆う大きさを有することが好ましい。ヒータ３２の下面が円形である場合、液受け部３４ａは、平面形状が円形で、その直径はヒータ３２の直径より大とされる。液受け部３４ａは、退避位置に存在するヒータ３２から落下した洗浄液や散布により飛散した洗浄液などを受け取る。液受け部３４ａの底部には、液供給流路４１が形成されている。この液供給流路４１は、液供給ユニット１６ａに配管（図示せず）を介して接続されている。また、液受け部３４ａの底面の隅には、排液口４２が形成されている。この排液口４２から排出された洗浄液は回収部（図示せず）によって回収される。
散布部３４ｂは、排液口４２を避けて液受け部３４ａの底面に設けられている。この散布部３４ｂには、複数のノズル４３が形成されている。これらのノズル４３は、平面内に行列状に並べられ、液供給流路４１につながっている。なお、各ノズル４３が、円形状に配置されていても良い。各ノズル４３には、洗浄液（例えば純水）が液供給ユニット１６ａから液供給流路４１及び配管（図示せず）を介して供給される。この散布部３４ｂは、液供給ユニット１６ａから供給された洗浄液を各ノズル４３から上方に向けて吐出する。なお、ノズル４３から洗浄液が吐出される前段階で、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、散布部３４ｂに対する離間距離（ギャップ）が所定値となる洗浄位置で停止している。このため、ギャップが所定値より大きい場合に比べ、洗浄効率を向上させることができる。
なお、ヒータ洗浄後、退避室３１内の処理雰囲気の排気を行うため、退避室３１には、隣接する処理室２１の排気系とは別の排気系（いずれも図示せず）が接続されている。この排気系によって、ヒータ洗浄後、ヒータ洗浄により生じた退避室３１内の処理雰囲気を排気することができる。
図２に戻り、洗浄制御部３５は、ヒータ３２やヒータ移動機構３３、洗浄部３４などに電気的に接続されている。この洗浄制御部３５は、制御ユニット１６ｂの命令に応じ（制御ユニット１６ｂの制御の下に）、ヒータ３２の駆動やヒータ温度、ヒータ移動機構３３によるヒータ移動、洗浄部３４によるヒータ洗浄などを制御する。
（基板処理動作）
次に、前述の基板処理装置１０の基板処理動作について説明する。説明の関係上、スピン処理ユニット１５ａの処理室２１を第１の処理室２１とし、スピン処理ユニット１５ｂの処理室２１を第２の処理室２１として説明する。
まず、基板Ｗが開閉ユニット１１内の専用ケースから第１の搬送ロボット１２により取り出される。このとき、専用ケースのドアは開けられている。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。あるいは、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回して基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。その後、バッファユニット１３内の基板Ｗは、第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて所望のスピン処理ユニット１５ａの第１の処理室２１付近まで、第２のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して基板Ｗを所望の第１の処理室２１に搬入する。あるいは、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回して基板Ｗを所望の第１の処理室２１に搬入する。このとき、第１の処理室２１の基板シャッタ２１ａは開けられている。
第１の処理室２１に搬入された基板Ｗは、スピン保持機構２２により保持される。その後、第２の搬送ロボット１４は第１の処理室２１から退避し、基板シャッタ２１ａが閉じられ、退避室３１における第１の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが開けられる。退避室３１内のヒータ３２がヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、第１の処理室２１内にヒータアーム３３ａと共に侵入してスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向して停止する。そして、ヒータ３２は、ヒータ移動機構３３により下降し、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対する離間距離が所定値（例えば１ｍｍ程度）となる位置で停止する。この状態で、基板Ｗがスピン保持機構２２により低速（例えば、５００ｒｐｍ以下）で回転し、ヒータ３２のノズル３２ａから高温の薬液（例えばリン酸液）が、予め設定した時間、基板Ｗの被処理面に吐出され、エッチング処理が行われる。なお、ヒータ３２は処理前に予め駆動しており、つまり、エッチング処理が行われる前段階である退避室３１に位置付けられている時から加熱状態とされ、ヒータ温度は所定温度（例えば１００度以上）に維持されている。
ノズル３２ａから吐出された高温の薬液は、ヒータ３２の下面と基板Ｗの被処理面との間に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの外周に向かって広がっていく。これにより、ヒータ３２の下面と基板Ｗの被処理面との間が薬液により満たされた状態となる。このとき、ヒータ３２は、回転中の基板Ｗの被処理面上の薬液に接触して直接薬液を加熱する。なお、ヒータ３２は、基板Ｗの被処理面上の薬液に接触して直接薬液を加熱するが、それだけではなく、基板Ｗの被処理面を非接触で加熱して間接的にも薬液を加熱することになる。ただし、基板Ｗの被処理面上の薬液を加熱することが可能であれば、直接加熱及び間接加熱の両方ではなく、それらのどちらか一方だけを用いることも可能である。
エッチング処理が終了すると、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により上昇し、基板Ｗの被処理面から上方に退避する。そして、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、ヒータアーム３３ａと共に退避室３１内に戻って洗浄部３４に対向して停止する。ヒータ３２が洗浄部３４の上方で停止すると、第１の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが閉じられる。また、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、液受け部３４ａ内の散布部３４ｂに対する離間距離が所定値となる位置で停止する。この状態で、散布部３４ｂから洗浄液が上方に向けて予め設定した時間、噴射され、ヒータ３２の下面が洗浄液により洗浄される。ヒータ３２の下面から落下した洗浄液や噴射により拡散した洗浄液は液受け部３４ａにより受けられ、排液口４２から排出されて回収部により回収される。ヒータ３２の洗浄が終了すると、ヒータ３２はヒータ移動機構３３によって上昇し、待機位置に位置付けられる。ヒータ３２のヒータ温度は前述の所定温度に維持されている。このため、洗浄後のヒータ３２は直ぐに乾燥するので、次の処理にヒータ３２を迅速に用いることができる。
なお、１枚の基板Ｗに対するエッチング処理が終了するごとに、必ずヒータ３２の下面を洗浄する必要はない。例えば、予め設定した枚数の基板Ｗに対するエッチング処理が終了するまでは、ヒータ３２の洗浄を行わずに、連続してエッチング処理を行い、予め設定した枚数の基板Ｗに対するエッチング処理が終了した段階でヒータ３２の洗浄を行うようにしても良い。
一方、第２の搬送ロボット１４は、退避室３１でのヒータ３２の洗浄が終了するまでに、スピン処理ユニット１５ｂの第２の処理室２１に未処理の基板Ｗを搬送する。この搬送時には、第２の処理室２１の基板シャッタ２１ａは開かれており、基板Ｗはスピン保持機構２２により保持される。第２の搬送ロボット１４は、搬送完了後、第２の処理室２１から退避し、基板シャッタ２１ａは閉じられる。前述のヒータ３２の洗浄が完了すると、退避室３１における第２の処理室２１側のヒータシャッタ３１ａが開けられる。退避室３１内のヒータ３２がヒータ移動機構３３により揺動方向Ｆ１に移動し、第２の処理室２１内にヒータアーム３３ａと共に侵入してスピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対向して停止する。そして、ヒータ３２は、ヒータ移動機構３３により下降し、スピン保持機構２２上の基板Ｗの被処理面に対する離間距離が所定値となる位置で停止する。この状態で、基板Ｗがスピン保持機構２２により低速（例えば、５００ｒｐｍ以下）で回転し、ヒータ３２のノズル３２ａから高温の薬液（例えばリン酸液）が予め設定した時間、基板Ｗの被処理面に吐出され、エッチング処理が行われる。なお、ヒータ３２のヒータ温度は前述の所定温度に維持されている。
第１の処理室２１において、前述のエッチング処理の終了後、前述のヒータ３２の退避にあわせて、基板Ｗの上方の液供給位置に第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により移動し、第１のノズルヘッド２４からリンス薬液（例えばＡＰＭ）が予め設定した時間、吐出される（第１のリンス処理）。このとき、基板Ｗの回転は維持されている。なお、この第１のリンス処理中、第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により揺動するようにしてもよい。
第１の処理室２１において、第１のリンス処理が終了すると、第１のノズルヘッド２４が第１のノズルヘッド移動機構２５により基板Ｗの上方から退避し、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により基板Ｗの上方の液供給位置に移動する。この状態で、第２のノズルヘッド２６からリンス液（例えば純水）が予め設定した時間、吐出される（第２のリンス処理）。このとき、基板Ｗの回転は維持されている。なお、この第２のリンス処理中、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により揺動するようにしてもよい。
第１の処理室２１において、第２のリンス処理が終了すると、第２のノズルヘッド２６が第２のノズルヘッド移動機構２７により基板Ｗの上方から退避する。その後、基板Ｗはスピン保持機構２２により予め設定した時間、高速回転し、基板Ｗからリンス液が回転の遠心力により飛ばされ、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの乾燥処理が終わると、基板Ｗの回転は停止する。第１の処理室２１の基板シャッタ２１ａが開けられ、処理済の基板Ｗは第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて第２のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。あるいは、第２の搬送ロボット１４は、移動せずに旋回して処理済みの基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。その後、バッファユニット１３内の基板Ｗは、第１の搬送ロボット１２により取り出される。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、停止場所で旋回して処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。あるいは、第１の搬送ロボット１２は、移動せずに旋回だけして処理済みの基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。このとき、専用ケースのドアは開けられている。
なお、第２の処理室２１においても、エッチング処理（例えばリン酸処理）が終了すると、第１の処理室２１と同様に第１のリンス処理（例えばＡＰＭ処理）が行われる。この第１のリンス処理が終了すると、第１の処理室２１と同様に第２のリンス処理（例えば純水処理）が行われる。第２のリンス処理が終了すると、第１の処理室２１と同様に乾燥処理及び基板搬送処理が行われる。なお、上記した実施形態においては、必要に応じて、リン酸液による基板Ｗのエッチングの前に、フッ酸液を用いて基板Ｗを洗浄したり、リン酸液を用いた処理と、ＡＰＭを用いた処理との間に、例えば純水を用いた洗浄処理を行ったりするようにしても良い。
このような基板処理動作では、ヒータ３２は第１の処理室２１及び第２の処理室２１に交互に移動するため、ヒータ３２を用いるエッチング処理（薬液処理）は第１の処理室２１及び第２の処理室２１で交互に行われることになる。例えば、第１の処理室２１において、ヒータ３２を用いるエッチング処理が行われるとき、第２の処理室２１では、第１のノズルヘッド２４による第１のリンス処理、第２のノズルヘッド２６による第２のリンス処理、基板Ｗのスピン乾燥処理などが行われる。逆に、第１の処理室２１において、第１のノズルヘッド２４による第１のリンス処理、第２のノズルヘッド２６による第２のリンス処理、基板Ｗのスピン乾燥処理などが行われるとき、第２の処理室２１では、ヒータ３２を用いるエッチング処理が行われる。
このように、どちらの処理室２１でも、基板Ｗを移動させずに薬液処理から乾燥処理までの処理を連続して行うことが可能である。これにより、異なる処理液を用いる複数の処理を二つの処理室で順次行う場合に比べ、二つの処理室間での基板搬送を不要とし、基板搬送時間を省略することができる。また、二つの処理室で異なる処理を連続して行う場合には、液染み（例えばウォーターマーク）の防止のため、基板Ｗは濡れた状態で搬送される必要があり、高速搬送を行うことが不可能である。このため、搬送ロボットによる基板Ｗの移載回数が多いだけでなく、低速搬送を行うため、基板搬送時間は長くなる。前述の基板処理動作では、その基板搬送時間を省略することが可能となるので、基板処理効率を大幅に向上させることができる。また、ヒータ３２は一対の処理室２１に共通の処理ユニットとして機能する。これにより、処理室２１ごとにヒータ３２及びヒータ移動機構３３を設ける場合に比べ、装置構成の簡略化及び低コスト化を実現することができる。
（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程について説明する。なお、前述の基板処理装置１０の基板処理工程を説明する前に、比較例としての基板処理装置１００について図４を参照して説明し、その後、比較例の基板処理装置１００と前述の基板処理装置１０との基板処理工程について図５を参照して説明する。
（比較例の基本構成）
図４に示すように、比較例の基板処理装置１００は、前述の基板処理装置１０に係る複数の基板処理ユニット１５に替えて、複数のリン酸処理室１０１と、複数のＡＰＭ処理室１０２とを備えている。なお、ここでは、前述の基板処理装置１０との相違点（各リン酸処理室１０１及び各ＡＰＭ処理室１０２）について説明し、その他の説明は省略する。
各リン酸処理室１０１は、リン酸を用いる処理室であり、第２のロボット移動路に沿って一列に並べられている。これらのリン酸処理室１０１は、基板シャッタ１０１ａと、スピン保持機構１０１ｂと、カップ１０１ｃと、ヒータ１０１ｄと、ヒータアーム１０１ｅと、アーム昇降機構１０１ｆとを有する。なお、ヒータ１０１ｄは、基板の搬入や搬出時、ヒータアーム１０１ｅと共にアーム昇降機構１０１ｆにより、例えば、スピン保持機構１０１ｂの上方の退避位置に移動して退避する。
なお、基本的に、基板シャッタ１０１ａは前述の基板シャッタ２１ａと同様であり、スピン保持機構１０１ｂも前述のスピン保持機構２２と同様であり、カップ１０１ｃも前述のカップ２３と同様である。また、ヒータ１０１ｄも前述のヒータ３２と同様であり、ヒータアーム１０１ｅも前述のヒータアーム３３ａと同様である。
各ＡＰＭ処理室１０２は、ＡＰＭを用いる処理室であり、一列に並ぶ各リン酸処理室１０１に対して第２のロボット移動路を間にして対向するように位置付けられ、第２のロボット移動路に沿って一列に設けられている。これらのＡＰＭ処理室１０２は、基板シャッタ１０２ａと、スピン保持機構１０２ｂと、カップ１０２ｃと、第１のノズルヘッド１０２ｄと、第１のノズルヘッド移動機構１０２ｅと、第２のノズルヘッド１０２ｆと、第２のノズルヘッド移動機構１０２ｇとを有する。
なお、基本的に、基板シャッタ１０２ａは前述の基板シャッタ２１ａと同様であり、スピン保持機構１０２ｂも前述のスピン保持機構２２と同様であり、カップ１０２ｃも前述のカップ２３と同様である。また、第１のノズルヘッド１０２ｄも前述の第１のノズルヘッド２４と同様であり、第１のノズルヘッド移動機構１０２ｅも前述の第１のノズルヘッド移動機構２５と同様であり、第２のノズルヘッド１０２ｆも前述の第２のノズルヘッド２６と同様であり、第２のノズルヘッド移動機構１０２ｇも前述の第２のノズルヘッド移動機構２７と同様である。
ここで、ヒータ１０１ｄを有するリン酸処理室１０１と、ＡＰＭ処理室１０２とは、処理液の種類によって分けられており、異なる処理を連続して行う二つの処理室である。基板搬送効率を向上させるためには、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２への基板搬送を、第２の搬送ロボット１４を水平方向には移動させずに第２の搬送ロボット１４の旋回動作だけで行うことが有効である。このため、第２のロボット移動路を介して向かい合うリン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２間で基板搬送が行われる。バッファユニット１３内の未処理の基板Ｗは、第２の搬送ロボット１４によって、バッファユニット１３→リン酸処理室１０１→ＡＰＭ処理室１０２→バッファユニット１３という順番で搬送される。このとき、リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２間の基板搬送は必須となるため、基板搬送によって処理が中断し、基板処理効率が低下する。
（基板処理工程の比較）
図５では、経過時間が横軸とされ、図５中の上図には、比較例の基板処理装置１００の基板処理工程（処理順序及び処理時間）が示されており、図５中の下図には、前述の基板処理装置１０の基板処理工程（処理順序及び処理時間）が示されている。なお、図５中の上図及び下図を比較することで、比較例の基板処理装置１００と前述の基板処理装置１０の両者の処理能力を比較することが可能である。説明の便宜上、前述の基板処理装置１０の処理室２１をリン酸＋ＡＰＭ処理室２１とする。
図５に示すように、比較例において、リン酸処理室１０１では、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３、基板交換工程Ａ４の一連の処理工程が繰り返し行われる。また、ＡＰＭ処理室１０２では、基板交換後、リンス液供給工程Ｂ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４、基板交換工程Ｂ５の一連の処理工程が繰り返し行われる。ここで、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３の処理工程がリン酸処理である。また、リンス液供給工程Ｂ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４の処理工程がＡＰＭ処理である。このように比較例では、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２に基板Ｗ（例えば半導体ウェーハ）が搬送され、リン酸処理とＡＰＭ処理の二つの処理が異なる処理室で連続して行われる。
リン酸処理室１０１では、処理前にヒータ１０１ｄが予め駆動しており、つまり、エッチング処理が行われる前段階の時から加熱状態とされ、ヒータ温度は所定温度になっている。まず、前処理工程Ａ１において、基板Ｗの被処理面上にフッ酸液がヒータ１０１ｄのノズル又は図示しない処理液ノズルから供給され、基板Ｗがフッ酸液により洗浄される。また、リン酸液供給工程Ａ２においては、基板Ｗの被処理面上に高温のリン酸液がヒータ１０１ｄのノズルから供給され、基板Ｗが高温のリン酸液によって処理される。基板及びヒータ洗浄工程Ａ３においては、リン酸処理終了後、処理に使用したヒータ１０１ｄが基板Ｗと一緒に洗浄され、次の基板Ｗの搬入を待つことになる。この洗浄では、リン酸液に替えてリンス液（例えば純水）がヒータ１０１ｄのノズルからヒータ１０１ｄと基板Ｗとの間に供給され、ヒータ１０１ｄ及び基板Ｗが洗浄される。基板交換工程Ａ４においては、リン酸液を用いた処理の終了した基板Ｗがリン酸未処理の基板Ｗと交換され、処理済みの基板Ｗは、次工程のＡＰＭ処理室１０２に搬送される。この搬送時、基板Ｗは濡れた状態で搬送される。すなわち、基板Ｗは、搬送準備として、搬送中も被処理面が濡れた状態が維持されるようにリンス液が液盛りされた状態にされる。
ＡＰＭ処理室１０２では、リンス液供給工程Ｂ１において、ＡＰＭ供給工程Ｂ２の前に基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド１０２ｆから供給される。これは、リン酸処理室１０１からＡＰＭ処理室１０２へ基板Ｗを搬送する途中で、基板Ｗ上のリンス液に付着したパーティクルや基板Ｗに付着したパーティクルをＡＰＭ処理の前に除去するためである。ＡＰＭ供給工程Ｂ２においては、基板Ｗの被処理面上にＡＰＭが第１のノズルヘッド１０２ｄから供給され、基板ＷがＡＰＭによって処理される。リンス液供給工程Ｂ３においては、ＡＰＭ処理済の基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド１０２ｆから供給され、ＡＰＭ処理済の基板Ｗがリンス液により洗浄される。スピン乾燥工程Ｂ４においては、洗浄済の基板Ｗがスピン乾燥により乾燥される。基板交換工程Ｂ５においては、乾燥済の基板ＷがＡＰＭ未処理の基板Ｗと交換され、バッファユニット１３に搬送される。
一方、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、基板洗浄工程Ｃ１、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、スピン乾燥工程Ｂ４、基板交換工程Ｂ５が行われる。退避室３１では、ヒータ洗浄工程Ｃ２が行われる。なお、前処理工程Ａ１、リン酸液供給工程Ａ２、ＡＰＭ供給工程Ｂ２、リンス液供給工程Ｂ３、基板交換工程Ｂ５は比較例と同様の処理である。
リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、前処理工程Ａ１及びリン酸液供給工程Ａ２の終了後、基板洗浄工程Ｃ１において、リンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド２６から基板Ｗの被処理面上に供給され、基板Ｗの被処理面が洗浄される。基板洗浄工程Ｃ１の終了後、ＡＰＭ供給工程Ｂ２において、前述と同じように、基板Ｗの被処理面上にＡＰＭが第１のノズルヘッド２４から供給され、基板ＷがＡＰＭによって処理される。リンス液供給工程Ｂ３においては、ＡＰＭ処理済の基板Ｗの被処理面上にリンス液（例えば純水）が第２のノズルヘッド２６から供給され、ＡＰＭ処理済の基板Ｗがリンス液により洗浄される。その後、スピン乾燥工程Ｂ４及び基板交換工程Ｂ５が行われる。
退避室３１では、リン酸液供給工程Ａ２の終了後、ヒータ洗浄工程Ｃ２において、ヒータ３２が洗浄部３４により洗浄される。このヒータ３２は、退避室３１を挟む二つの処理室２１間を移動するが、二つの処理室２１のいずれにおいても、ヒータ３２がリン酸液供給工程Ａ２の加熱処理に用いられない間に、退避室３１内の退避位置（中間位置）で洗浄部３４により洗浄される。このケースとしては、二つの処理室２１において、ＡＰＭ処理が行われている時が考えられる。
このように前述の基板処理装置１０では、リン酸処理とＡＰＭ処理の二つの処理が同じリン酸＋ＡＰＭ処理室２１で実施可能にされている。つまり、比較例のように二つの処理室（リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２）に分ける原因になっている２つの処理（リン酸処理及びＡＰＭ処理）を同じリン酸＋ＡＰＭ処理室２１で連続して行うことが可能である。これにより、二つの処理室間での基板搬送が不要となるため、基板搬送時間を省略し、基板処理効率を向上させることができる。
また、比較例のように、二つの処理室間で基板Ｗを搬送する場合には、基板Ｗの搬送中に、被処理面が露出すると、露出した部分にパーティクルが付着して製品不良が生じる。このため、基板Ｗの被処理面に洗浄液を液盛りした状態で搬送することになるが、液盛りした洗浄液が、例えば搬送ロボット等の振動で基板Ｗの被処理面からこぼれて、液盛り状態が維持できなくなることもある。ところが、本実施形態のように、処理室間での搬送が不要となると、液盛りをする必要がないので、基板処理の途中（搬送中）で製品不良を起こすことを防止できる。
さらに、比較例では、基板及びヒータ洗浄工程Ａ３の終了後、基板交換工程Ａ４及びリンス液供給工程Ｂ１を行ってから、ＡＰＭ供給工程Ｂ２を開始する。一方、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、基板洗浄工程Ｃ１の終了後、直ぐにＡＰＭ供給工程Ｂ２を開始することが可能であり、比較例に比べ、大幅に処理時間を短縮することができる。また、比較例の基板処理装置１００には、リン酸処理室１０１及びＡＰＭ処理室１０２の一組が四つ存在しているが、前述の基板処理装置１０には、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１が八つ存在している。このように一連の処理を行う処理室２１を増加させることが可能となり、基板処理効率をさらに向上させることができる。
また、ヒータ３２は退避室３１内で洗浄部３４により洗浄される。このとき、ヒータ３２はリン酸＋ＡＰＭ処理室２１内に存在していないため、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１では、基板洗浄工程Ｃ１において基板Ｗだけを洗浄すればよく、比較例の基板及びヒータ洗浄工程Ａ３でのヒータ洗浄時間を省略することができる。これにより、比較例に比べ、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１での処理時間を短縮することが可能であり、基板処理効率をより向上させることができる。さらに、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１での処理中に（処理に並行して）、洗浄部３４によりヒータ３２を洗浄することができる。
また、ヒータ３２及びノズル３２ａをリン酸＋ＡＰＭ処理室２１外の退避室３１内に退避させることで、ＡＰＭ処理前にリン酸＋ＡＰＭ処理室２１のダウンフローにより、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内に存在するリン酸雰囲気を排除することが可能である。これにより、ＡＰＭ処理を行う時に、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内でリン酸雰囲気とＡＰＭとが混在することを防止できるので、リン酸とＡＰＭとの反応によってできるパーティクルが、リン酸＋ＡＰＭ処理室２１内で発生することを抑えることができる。
なお、図５では、一例として、リン酸処理時間とＡＰＭ処理時間を同じにしているが、これに限るものではなく、それらに多少の差があってもよい。ただし、比較例において、リン酸処理室１０１でのリン酸処理時間とＡＰＭ処理室１０２でのＡＰＭ処理時間が異なる場合には、処理時間の違いによって基板搬送の待ち時間が発生するため、基板処理効率が低下することになる。
以上説明したように、第１の実施形態によれば、ヒータ３２が一対の処理室２１内及び退避室３１内にわたって移動可能に設けられており、ヒータ移動機構３３により一対の処理室２１内及び退避室３１内にわたって移動する。例えば、異なる二つの処理（例えばリン酸処理及びＡＰＭ処理）を一つの処理室２１で行う場合、第１の処理（例えばリン酸処理）ではヒータ３２が処理室２１内に存在し、次の第２の処理（例えばＡＰＭ処理）ではヒータ３２が処理室２１内から退避する。これにより、第１の処理及び第２の処理に起因して処理室２１内でパーティクルが発生しても、第２の処理時にはヒータ３２は退避室３１内に存在する。このため、処理室２１内で発生したパーティクルが退避室３１内のヒータ３２に付着することを抑えることが可能となり、異なる処理液を用いる二つの処理を一つの処理室２１で行うことができる。したがって、各処理室間での基板搬送を省くことが可能となり、基板処理効率を向上させることができる。
また、ヒータ３２は一対の処理室２１に共通の処理ユニットとして機能するので、処理室２１ごとにヒータ３２及びヒータ移動機構３３を設ける場合に比べ、装置構成の簡略化及び低コスト化を実現することができる。さらに、ヒータ３２にパーティクルが付着することを抑えることで、ヒータ３２によって基板Ｗを処理している間、ヒータ３２に付着したパーティクルが基板Ｗに付着することを抑えることができ、基板Ｗの製品不良の発生を防ぐことができる。
（第２の実施形態）
第２の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（洗浄部）について説明し、その他の説明を省略する。
図６に示すように、第２の実施形態に係る洗浄部３４は、液受け部３４ａ及び散布部３４ｂに加え、ブラシ３４ｃと、ブラシ回転機構３４ｄとを有する。
ブラシ３４ｃは、例えばロールブラシであり、液受け部３４ａ内にその半径方向に沿うように水平状態で設けられている。このブラシ３４ｃは、その延伸方向の軸を回転軸として回転可能にブラシ回転機構３４ｄに取り付けられている。ブラシ３４ｃの長さは、退避位置に存在するヒータ３２の下面の半径以上である。
ブラシ回転機構３４ｄは、回転部５１と、回転機構５２とを有する。回転部５１は、ブラシ３４ｃの一端を支持し、モータなどの駆動源（図示せず）によりブラシ３４ｃをその軸周りに回転させる。回転機構５２は、回転部５１を支持し、その回転部５１を水平面内で回転させる。この回転機構５２は、液受け部３４ａの底部を貫通するように、その底部の略中央に設けられている。回転機構５２は、例えば、回転軸やモータなどにより構成されている。回転部５１が回転機構５２により水平面内で回転すると、回転部５１により支持されているブラシ３４ｃも水平面内で回転することになる。
各ノズル４３は、ブラシ回転機構３４ｄを避けて液受け部３４ａの底面に配置されている。これらのノズル４３は、退避位置に存在するヒータ３２の下面の中央付近に向けて洗浄液を吐出するように形成されている。例えば、ノズル４３は円柱状に形成されており、そのノズル４３は、退避位置に存在するヒータ３２の下面の中央領域に向かって傾斜するように形成されている。
このような洗浄部３４において、ヒータ３２はヒータ移動機構３３により下降し、液受け部３４ａ内のブラシ３４ｃに接触する位置で停止する。この状態で、洗浄液が散布部３４ｂから上方に向けて噴射されると、洗浄液により濡れた状態のブラシ３４ｃがその軸周りに回転し始める。洗浄液の噴射は継続され、回転部５１が回転機構５２により回転し始めると、洗浄液により濡れた状態のブラシ３４ｃは、軸周りに回転しながら、回転部５１の回転によりヒータ３２の下面に対して周方向に相対移動し、ヒータ３２の下面を擦って洗浄していく。このようにして、ヒータ３２の下面の全域がブラシ３４ｃ及び洗浄液によって洗浄されることになる。ヒータ３２の下面から落下した洗浄液やブラッシングによって拡散した洗浄液は、液受け部３４ａにより受けられ、排液口４２から排出されて回収部により回収される。
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、洗浄部３４のブラシ３４ｃが洗浄液により濡れた状態で直接ヒータ３２に接触し、ヒータ３２を擦って洗浄する。これにより、洗浄部３４のヒータ洗浄能力が上がるため、ヒータ洗浄時間を短縮することが可能であり、基板処理効率をより向上させることができる。
（他の実施形態）
前述の各実施形態においては、処理部としてヒータ３２を例示したが、これに限るものではなく、例えば、ランプやＩＨ（誘導加熱）ヒータなどの加熱器を用いることが可能である。さらに、ランプの形状も直管形や丸形、球形など各種の形状を採用することが可能である。なお、ランプやＩＨヒータは、どちらも電磁波（光も電磁波に含まれる）により基板Ｗや処理液（例えば薬液）を加熱する加熱器である。
また、前述の各実施形態においては、ヒータ面を洗浄する洗浄機能として図３又は図６の洗浄方式の洗浄部３４を例示したが、これに限るものではなく、洗浄液（例えば高温の純水）を液受け部３４ａに溜めてヒータ面を洗浄液にディップする方式なども有効である。また、ヒータ３２、ヒータ移動機構３３及び洗浄部３４の各部を一体として退避室３１から第２のロボット移動路と反対側に引き出し可能にする引出機構を追加してもよい。この場合には、前述の各部が引出機構により退避室３１から引き出され、ヒータ３２の周面が露出するため、ヒータ３２のメンテナンス作業を容易に行うことができる。
また、前述の各実施形態においては、ヒータアーム３３ａの長さが一定であるが、これに限るものではなく、例えば、ヒータアーム３３ａの長さを変える機構（例えばヒータアーム３３ａを伸縮させる伸縮機構）を設けるようにしても良い。ヒータアーム３３ａの長さが変わることで、処理室２１が３つや４つに増えても、それらの処理室２１に１つのヒータ３２で対応することができる。
また、前述の各実施形態においては、処理工程の一例を説明したが、これに限るものではなく、各種の処理工程に前述の各実施形態に係る基板処理装置１０を適用することが可能である。一つの処理室２１において、処理雰囲気や温度などを切り換える必要がある連続処理に対して基板処理効率を向上させることができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 基板処理装置
２１ 処理室
２２ スピン保持機構
２４ 第１のノズルヘッド
２５ 第１のノズルヘッド移動機構
２６ 第２のノズルヘッド
２７ 第２のノズルヘッド移動機構
３１ 退避室
３２ ヒータ
３２ａ ノズル
３３ ヒータ移動機構
３４ 洗浄部
Ｗ 基板

Claims (12)

  1. 退避室と、
    前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、
    前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって移動可能に設けられ、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部と、
    前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を移動させる移動機構と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記移動機構は、前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を揺動させる揺動機構であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記移動機構は、前記一対の処理室に交互に前記処理部を移動させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記退避室内に設けられ、前記処理部を洗浄する洗浄部を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記処理部は、前記基板上の処理液に接触して前記基板上の処理液を加熱するヒータであり、
    前記ヒータは、前記基板に前記処理液を供給するノズルを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記ヒータにおける前記基板の被処理面との対向面は、前記基板における前記被処理面の形状と相似形で、前記被処理面を全て覆う大きさを有し、
    前記ノズルは、前記対向面の中央に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記処理部は、前記基板上の処理液に接触して前記基板上の処理液を加熱するヒータであり、
    前記ヒータは、前記基板に前記処理液を供給するノズルを有し、
    前記一対の処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構がそれぞれ設けられ、
    前記ノズルと、前記ヒータの揺動中心との距離をｒ１、前記ヒータの揺動中心と、前記一対の処理室がそれぞれ備える前記スピン保持機構の回転中心との距離をそれぞれｒ２、ｒ３としたとき、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３が成立することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記処理室には、前記基板を保持して回転させるスピン保持機構と、このスピン保持機構により保持される前記基板に処理液を供給するノズルヘッドと、このノズルヘッドを前記基板の被処理面に沿って揺動させるノズルヘッド移動機構が設けられ、
    前記ノズルヘッドの揺動中心は、前記処理室内において、前記処理室における隣接する前記退避室側の壁に対し、前記スピン保持機構を挟んで反対側の壁側に設けられることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 退避室と、前記退避室を間にして設けられた一対の処理室と、前記処理室内の基板上に処理液を供給し、かつ、その基板上の処理液を加熱する処理部とを備える基板処理装置を用いて、前記処理室内の基板を処理する基板処理方法であって、
    前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を移動させることを特徴とする基板処理方法。
  10. 前記退避室内及び前記一対の処理室内にわたって前記処理部を揺動させることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記一対の処理室に交互に前記処理部を移動させることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記退避室内に前記処理部を移動させ、前記退避室内で前記処理部を洗浄することを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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