KR101857874B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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히데키 모리
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 실시형태에 관련된 기판 처리 장치는, 퇴피실(31)과, 퇴피실(31)을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실(21)과, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 처리실(21) 내의 기판(W) 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판(W) 상의 처리액을 가열하는 처리부로서 기능하는 히터(32)와, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐 히터(32)를 이동시키는 이동 기구로서 기능하는 히터 이동 기구(33)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정용 유리 기판 등 각종 기판에 대하여 여러가지 표면 처리(에칭 처리나 세정 처리, 린스 처리, 건조 처리 등)를 행하는 장치이다. 이 기판 처리 장치에서는, 처리의 균일성이나 재현성의 면에서, 기판을 1장씩 전용 처리실 내에서 처리하는 매엽 방식을 이용하는 경우가 많아지고 있다. 또한, 처리 대상의 기판은 전용 케이스, 예컨대 기판이 반도체 웨이퍼인 경우에는, FOUP(후프)에 수납되어 있다. 이 때문에, 전용 케이스로부터의 기판의 취출과 수납을 행하는 전용 유닛이 설치된다. 이 전용 유닛으로는, 예컨대, EFEM(FOUP 오프너와 반송 로봇의 조합)이 이용된다.
전용 케이스 내의 기판은, 전용 유닛의 반송 로봇에 의해 전용 케이스로부터 취출되고, 처리실 내로 반송되어 처리실 내에서 처리된다. 이 처리에는 약액이 사용되기 때문에, 처리실 분위기가 주위로 퍼지지 않도록, 통상, 처리실 내는 주위보다 음압으로 유지되고 있다. 처리로는, 상온의 약액 처리뿐만 아니라, 가열을 수반하는 약액 처리 등도 있다. 또한, 처리 종료된 기판에 별도의 처리를 행할 필요가 있는 경우에는, 그 기판은 다음 처리실로 반송되어 처리된다. 최종적으로 기판은 세정 및 건조되고, 반송 로봇에 의해 원래의 전용 케이스에 수납되고, 그 후, 기판 처리 장치로부터 인출된다.
기판 처리 장치는, 이용되는 전용 케이스나 전용 유닛의 폭이나 높이 등의 크기가 규격으로 정해져 있기 때문에, 각 처리실의 크기는 동일해지는 경향이 있다. 이 때문에, 처리실의 수에 따라, 각 처리실과 반송 로봇의 배치 조합 형태도 유사해지는 경향이 있다. 처리실이 2개 있는 경우에는, EFEM에 직접 처리실을 접속하는 형태가 많다. 또한, 처리실이 4개 있는 경우에는, EFEM에 기판 전달대(버퍼대)를 설치하고, 처리실에 대한 기판 반송을 전문으로 행하는 또 1대의 반송 로봇을 설치하고, 그 반송 로봇 주변에 처리실을 배치하는 형태가 많다.
또한, 처리실을 더욱 증가시키는 경우에는, 전술한 또 1대의 반송 로봇을 직선 이동 기구에 의해 직선 이동시키고, 그 반송 로봇이 이동하는 로봇 이동로의 양측에 처리실을 배치하는 경우가 많다. 다만, 이 구성의 경우, 직선 이동하는 반송 로봇의 이동 속도의 제한, 혹은, 기판 처리 장치가 설치되는 클린룸의 깊이 제한으로부터, 처리실의 수는 8개(로봇 이동로의 양측에 4개씩) 정도가 된다. 또, 추가적인 처리실 증가를 위해서는, 처리실을 쌓아 올리고, 기판 반송에 각 계층에 대한 반송 방식을 추가하는 것도 가능하다. 즉, 처리실의 배치를 평면 배치가 아니라 입체 배치로 하는 것이 가능하다.
동일한 처리액을 이용하는 처리를 복수의 처리실에서 개별로 행하는 경우에는, 각 처리실의 처리 시간이 동일해지기 때문에, 반송 효율이 높은 시스템이 채용되게 된다. 한편, 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 복수의 처리실에서 순차 행하는 경우에는, 각 처리실 사이에서 기판을 반송할 필요가 생긴다. 이 때, 각 처리실에서 처리 시간이 상이하면, 어느 처리 공정에서 기판 반송 대기가 발생한다. 통상, 기판 반송 대기의 발생을 피하기 위해, 전체 처리 공정이 동일한 처리 시간으로 종료되도록 프로세스가 조정된다. 그런데, 각 처리실 사이에서 기판을 반송할 필요가 있기 때문에, 이 기판 반송에 의해 처리가 중단되고, 기판 처리 효율이 저하된다. 그래서, 전술한 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 하나의 처리실에서 실시할 수 있다면, 각 처리실 사이에서의 기판 반송이 불필요해진다. 이에 따라, 기판 반송에 의한 처리의 중단을 회피하는 것이 가능해진다.
특허문헌 1: 국제 공개 제2011/090141호
그러나, 전술한 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 하나의 처리실에서 실시하고자 해도, 처리액의 종류에 따른 처리 분위기의 차이 등으로부터 처리실을 나눌 필요가 있다. 예컨대, 에칭 처리를 행하는 처리실에서는, 기판의 상측에 위치하는 히터 유닛에 의해, 기판에 공급된 약액(예컨대 인산액)을 가열하고, 고온의 약액에 의해 기판을 에칭한다. 이 처리실에 있어서, 다음 공정으로서 기판에 린스 약액(예컨대 APM: 암모니아과산화수소수)을 가하는 린스 처리가 행해진다. 이 때, 처리 분위기 중의 약액과 린스 약액이 반응하면, 파티클이 발생하고, 히터 유닛에 부착되는 경우가 있다. 또한, 히터 유닛에 파티클이 부착됨으로써, 기판의 처리 중에 파티클이 기판에 부착되어, 제품 불량을 일으키는 경우가 있다. 이 파티클의 제거는 곤란한 경우가 많고, 히터 유닛의 메인터넌스 시간(예컨대 히터 세정 시간)이 길어지는 경향이 있다. 이것을 피하기 위해서는, 각 처리실을 나누는 것이 유효하지만, 각 처리실 사이의 기판 반송이 필수가 되기 때문에, 기판 처리 효율이 저하된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 관련된 기판 처리 장치는, 퇴피실(退避室)과, 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부와, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 처리부를 이동시키는 이동 기구를 구비한다.
실시형태에 관련된 기판 처리 방법은, 퇴피실과, 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용하여, 처리실 내의 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 퇴피실 내부 및 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 처리부를 이동시킨다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은, 제1 실시형태에 관련된 히터, 히터 이동 기구 및 세정부의 개략 구성을 나타내는 단면도(도 1의 3-3선 단면도)이다.
도 4는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 비교예를 나타내는 평면도이다.
도 5는, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치와 비교예의 기판 처리 공정의 흐름을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 6은, 제2 실시형태에 관련된 히터, 히터 이동 기구 및 세정부의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
(제1 실시형태)
제1 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
(기본 구성)
도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(10)는, 복수의 개폐 유닛(11)과, 제1 반송 로봇(12)과, 버퍼 유닛(13)과, 제2 반송 로봇(14)과, 복수의 기판 처리 유닛(15)과, 장치 부대 유닛(16)을 구비하고 있다.
각 개폐 유닛(11)은, 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 개폐 유닛(11)은 반송 용기로서 기능하는 전용 케이스(예컨대 FOUP)의 도어를 개폐한다. 또, 전용 케이스가 FOUP인 경우, 개폐 유닛(11)은 FOUP 오프너라고 불린다.
제1 반송 로봇(12)은, 각 개폐 유닛(11)이 늘어서는 제1 반송 방향을 따라 이동하도록 각 개폐 유닛(11)의 열의 옆에 설치되어 있다. 이 제1 반송 로봇(12)은, 개폐 유닛(11)에 의해 도어가 개방된 전용 케이스로부터 기판(W)을 취출한다. 그리고, 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 버퍼 유닛(13) 부근까지 제1 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 또한, 제1 반송 로봇(12)은, 버퍼 유닛(13)으로부터 처리 종료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 원하는 개폐 유닛(11) 부근까지 제1 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 또, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회하여, 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에, 혹은, 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입하는 경우도 있다. 제1 반송 로봇(12)으로는, 예컨대, 로봇 아암이나 로봇 핸드, 이동 기구 등을 갖는 로봇을 이용하는 것이 가능하다.
버퍼 유닛(13)은, 제1 반송 로봇(12)이 이동하는 제1 로봇 이동로의 중앙 부근에 위치시켜지고, 그 제1 로봇 이동로의 편측, 즉 각 개폐 유닛(11)과 반대의 편측에 설치되어 있다. 이 버퍼 유닛(13)은, 제1 반송 로봇(12)과 제2 반송 로봇(14) 사이에서 기판(W)의 전달을 행하기 위한 버퍼대(기판 전달대)로서 기능한다.
제2 반송 로봇(14)은, 버퍼 유닛(13) 부근으로부터 전술한 제1 반송 방향에 직교하는 제2 반송 방향(제1 반송 방향에 교차하는 방향의 일례)으로 이동하도록 설치되어 있다. 이 제2 반송 로봇(14)은, 버퍼 유닛(13)으로부터 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 원하는 기판 처리 유닛(15) 부근까지 제2 반송 방향을 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 기판 처리 유닛(15)에 반입한다. 또한, 제2 반송 로봇(14)은, 기판 처리 유닛(15)으로부터 처리 종료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 버퍼 유닛(13) 부근까지 제2 반송 방향으로 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 또, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여, 기판(W)을 원하는 기판 처리 유닛(15)에, 혹은, 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입하는 경우도 있다. 제2 반송 로봇(14)으로는, 예컨대, 로봇 아암이나 로봇 핸드, 이동 기구 등을 갖는 로봇을 이용하는 것이 가능하다.
기판 처리 유닛(15)은, 제2 반송 로봇(14)이 이동하는 제2 로봇 이동로의 양측에 예컨대 2개씩 설치되어 있다. 기판 처리 유닛(15)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)과, 히터 처리 유닛(15c)을 갖는다. 히터 처리 유닛(15c)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b) 사이에 설치되어 있고, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)에 공통의 처리 유닛으로서 기능한다(상세하게는 후술함).
장치 부대 유닛(16)은, 제2 로봇 이동로의 일단, 즉 버퍼 유닛(13)과 반대측의 끝에 설치되어 있다. 이 장치 부대 유닛(16)은, 액 공급 유닛(16a)과 제어 유닛(16b)을 수납한다. 액 공급 유닛(16a)은, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b), 히터 처리 유닛(15c)에 각종 처리액(예컨대, 약액이나 린스 약액, 린스액 등)이나 세정액을 공급한다. 제어 유닛(16b)은, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비한다. 이 제어 유닛(16b)은, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 각 개폐 유닛(11)이나 제1 반송 로봇(12), 제2 반송 로봇(14), 각 기판 처리 유닛(15) 등의 각 부를 제어한다.
(기판 처리 유닛)
다음으로, 전술한 기판 처리 유닛(15), 즉 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a 및 15b), 히터 처리 유닛(15c)에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2에 있어서는, 기판 처리 유닛(15)의 내부 구조가 보이도록 도시되어 있다. 또, 스핀 처리 유닛(15a 및 15b)은 기본적으로 동일한 구조이기 때문에, 대표로서 스핀 처리 유닛(15a)에 대하여 설명한다.
(스핀 처리 유닛)
도 2에 나타내는 바와 같이, 스핀 처리 유닛(15a)은, 처리실(21)과, 스핀 유지 기구(22)와, 컵(23)과, 제1 노즐 헤드(24)와, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와, 제2 노즐 헤드(26)와, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)와, 처리 제어부(28)를 갖는다. 스핀 유지 기구(22), 컵(23), 제1 노즐 헤드(24), 제1 노즐 헤드 이동 기구(25), 제2 노즐 헤드(26), 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 처리실(21) 내에 설치되어 있다.
처리실(21)은, 예컨대 직방체 형상으로 형성되고, 기판 셔터(21a)와, 메인터넌스 도어(21b)를 갖는다. 기판 셔터(21a)는, 처리실(21)에 있어서의 제2 로봇 이동로측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 메인터넌스 도어(21b)는, 처리실(21)에 있어서의 기판 셔터(21a)와 반대측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 또, 처리실(21) 내는, 다운 플로우(수직 층류)에 의해 청정하게 유지되고 있고, 또한, 외부보다 음압으로 유지되고 있다.
스핀 유지 기구(22)는, 기판(W)의 피처리면을 상측으로 향하게 하여 기판(W)을 수평 상태로 유지하고, 기판(W)의 피처리면의 대략 중앙에 수직으로 교차하는 축(기판(W)의 피처리면에 교차하는 축의 일례)을 회전 중심으로 하여 기판(W)을 수평면 내에서 회전시키는 기구이다. 예컨대, 스핀 유지 기구(22)는, 복수의 지지 부재(도시하지 않음)에 의해 기판(W)을 컵(23) 내에서 수평 상태로 유지하고, 회전축이나 모터 등을 갖는 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 그 유지 상태의 기판(W)을 회전시킨다.
컵(23)은, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된 기판(W)을 주위로부터 둘러싸도록 원통 형상으로 형성되어 있다. 컵(23)의 상부는 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)이 노출되도록 개구되어 있고, 그 상부의 둘레벽은 직경 방향의 내측을 향하여 경사져 있다. 이 컵(23)은, 회전하는 기판(W)으로부터 비산한 처리액이나 흘러내린 처리액(예컨대, 약액이나 린스 약액, 린스액 등)을 수취한다. 또, 컵(23)의 저면에는, 수취한 처리액을 배출하기 위한 배출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 배출구로부터 배출된 처리액은 회수부(도시하지 않음)에 의해 회수된다.
제1 노즐 헤드(24)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 린스 약액(예컨대 APM: 암모니아과산화수소수)을 공급한다. 이 제1 노즐 헤드(24)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 요동 가능하게 형성되어 있다. 또, 제1 노즐 헤드(24)에는, 린스 약액이 액 공급 유닛(16a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.
제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제1 노즐 헤드(24)를 요동시키는 기구이다. 이 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 가동 아암(25a)과 회전 기구(25b)를 갖는다. 가동 아암(25a)은, 수평 상태로 선단에 제1 노즐 헤드(24)를 유지한다. 회전 기구(25b)는, 컵(23)의 주위에 설치되어 있고, 가동 아암(25a)의 말단을 지지하고, 그 말단을 회전 중심으로 하여 가동 아암(25a)을 회전시킨다. 가동 아암(25a)의 회전 중심, 즉 제1 노즐 헤드(24)의 요동 중심은, 처리실(21) 내에 있어서, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 퇴피실(31)(히터 처리 유닛(15c))측의 벽에 대하여, 스핀 유지 기구(22)를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치된다. 보다 구체적으로는, 제1 노즐 헤드(24)의 요동 중심은, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 히터 처리 유닛(15c)측의 벽과는 반대측이며, 또한 메인터넌스 도어(21b)에 가까운 개소에 설치된다. 회전 기구(25b)는, 일례로서, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)는, 제1 노즐 헤드(24)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면의 중앙 부근에 대향시키는 액 공급 위치와, 그 액 공급 위치로부터 퇴피시켜 기판(W)의 반입이나 반출, 기판(W)에 대한 히터 처리를 가능하게 하는 퇴피 위치로 이동시킨다.
제2 노즐 헤드(26)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 린스액(예컨대 순수)을 공급한다. 이 제2 노즐 헤드(26)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 요동 가능하게 형성되어 있다. 또, 제2 노즐 헤드(26)에는, 린스액이 액 공급 유닛(16a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.
제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면을 따라 제2 노즐 헤드(26)를 요동시키는 기구이다. 이 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와 동일하게, 가동 아암(27a)과 회전 기구(27b)를 갖는다. 가동 아암(27a)은, 수평 상태로 선단에 제2 노즐 헤드(26)를 유지한다. 회전 기구(27b)는, 컵(23)의 주위에 설치되어 있고, 가동 아암(27a)의 말단을 지지하고, 그 말단을 회전 중심으로 하여 가동 아암(27a)을 회전시킨다. 가동 아암(27a)의 회전 중심, 즉 제2 노즐 헤드(26)의 요동 중심은, 처리실(21) 내에 있어서, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 퇴피실(31)(히터 처리 유닛(15c))측의 벽에 대하여, 스핀 유지 기구(22)를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치된다. 보다 구체적으로는, 제2 노즐 헤드(26)의 요동 중심은, 처리실(21)에 있어서의 인접하는 히터 처리 유닛(15c)측의 벽과는 반대측이며, 또한 기판 셔터(21a)에 가까운 개소에 설치된다. 회전 기구(27b)는, 일례로서, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)는, 제2 노즐 헤드(26)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면의 중앙 부근에 대향시키는 액 공급 위치와, 그 액 공급 위치로부터 퇴피시켜 기판(W)의 반입이나 반출, 기판(W)에 대한 히터 처리를 가능하게 하는 퇴피 위치로 이동시킨다.
처리 제어부(28)는, 스핀 유지 기구(22)나 제1 노즐 헤드(24), 제1 노즐 헤드 이동 기구(25), 제2 노즐 헤드(26), 제2 노즐 헤드 이동 기구(27) 등에 전기적으로 접속되어 있다. 이 처리 제어부(28)는, 제어 유닛(16b)의 명령에 따라(제어 유닛(16b)의 제어하에), 스핀 유지 기구(22)에 의한 기판(W)의 유지나 회전, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 액 공급, 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의한 노즐 헤드 이동, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 액 공급, 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의한 노즐 헤드 이동 등을 제어한다.
(히터 처리 유닛)
히터 처리 유닛(15c)은, 퇴피실(31)과, 히터(32)와, 히터 이동 기구(33)와, 세정부(34)와, 세정 제어부(35)를 갖는다. 히터(32), 히터 이동 기구(33), 세정부(34)는 퇴피실(31) 내에 설치되어 있다.
퇴피실(31)은, 예컨대 직방체 형상으로 형성되고, 복수의 히터 셔터(31a)와, 메인터넌스 도어(31b)를 갖는다. 이 퇴피실(31)은, 인접하는 처리실(21)과 벽에 의해 구획되어 있다. 각 히터 셔터(31a)는, 퇴피실(31)에 있어서 대향하는 2개의 벽면, 즉 퇴피실(31)에 있어서의 2개의 처리실(21)측의 벽면에 개별로 개폐 가능하게 형성되어 있다. 예컨대, 히터 셔터(31a)는 상하 방향으로 슬라이드 이동하여 개폐한다. 메인터넌스 도어(31b)는, 퇴피실(31)에 있어서의 제2 로봇 이동로와 반대측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 퇴피실(31) 내는, 다운 플로우에 의해 청정하게 유지되고 있다.
히터(32)는, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된 기판(W) 상의 처리액(예컨대 약액)을 가열하는 것이다. 히터(32)에 있어서의, 기판(W)의 피처리면과의 대향면은, 기판(W)에 있어서의 피처리면의 형상과 상사(相似)형을 갖고, 그 대향면의 크기는, 피처리면을 전부 덮는 크기인 것이 바람직하다. 예컨대 기판이 원형 웨이퍼인 경우, 히터(32)에 있어서의 기판(W)과의 대향면을, 원형 웨이퍼의 직경보다 큰 원형으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 히터(32)에 있어서의 기판(W)과의 대향면은, 수평면이 된다. 이 히터(32)는 노즐(32a)을 갖는다. 이 노즐(32a)은, 히터(32)의 하면의 중앙에 위치하도록 형성되어 있고, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 처리액(예컨대 약액)을 공급한다.
히터 이동 기구(33)는, 히터(32)를 지지하고, 그 히터(32)를 요동 방향(F1), 상하 방향(승강 방향)(F2) 및 좌우 방향(가로 방향)(F3)으로 이동시키는 기구이다. 이 히터 이동 기구(33)는, 히터 아암(33a)과 아암 이동 기구(33b)를 갖는다. 히터 이동 기구(33)는, 퇴피실(31) 내부 및 한 쌍의 처리실(21) 내부에 걸쳐, 즉 퇴피실(31) 내 및 한 쌍의 처리실(21) 내의 범위에서 히터(32)를 이동시키는 이동 기구(일례로서 요동 기구)로서 기능한다.
히터 아암(33a)은, 선단측의 하면에 히터(32)를 유지한다. 이 히터 아암(33a)은, 아암 이동 기구(33b)에 의해 수평 상태로 이동 가능하게 형성되어 있다. 또한, 히터 아암(33a)은 액 공급 유로(33a1)를 갖는다. 액 공급 유로(33a1)의 일단은 노즐(32a)에 접속되어 있고, 그 타단은 액 공급 유닛(16a)에 배관(도시하지 않음)을 통해 접속되어 있다. 노즐(32a)에는, 예컨대, 고온의 약액(예컨대 인산액)이 액 공급 유닛(16a)으로부터 액 공급 유로(33a1) 및 배관을 통해 공급된다. 이에 따라, 고온의 약액이 노즐(32a)로부터 토출되고, 기판(W)의 피처리면 상에 공급된다. 기판(W)의 피처리면 상에 공급된 고온의 약액은, 히터(32)에 의한 가열에 의해 고온이 유지된 상태에서 에칭 처리가 행해진다. 히터(32)는, 처리실(21) 내의 기판(W) 상에 처리액을 공급하며, 또한, 그 기판(W) 상의 처리액을 가열하는 처리부로서 기능한다.
아암 이동 기구(33b)는, 히터 아암(33a)의 말단을 지지하고, 히터 아암(33a)을 요동 방향(F1), 상하 방향(F2) 및 좌우 방향(F3)으로 이동시키는 기구이다. 이 아암 이동 기구(33b)는, 일례로서, 회전 기구나 상하 이동 기구, 좌우 이동 기구 등이 조합되어 구성되어 있다. 예컨대, 아암 이동 기구(33b)는, 히터 셔터(31a)가 개방된 상태에서 히터 아암(33a)을 요동 방향(F1)으로 이동시키고, 히터(32)를 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향시키는 대향 위치(히터 처리 위치)와, 그 히터 처리 위치로부터 퇴피시켜 퇴피실(31) 내에 위치시키는 퇴피 위치로 이동시킨다. 또, 히터(32)는, 아암 이동 기구(33b)에 의한 히터 아암(33a)의 요동에 의해, 아암 이동 기구(33b)의 축을 선회축으로 하고, 그 선회축 둘레로 선회하게 된다.
여기서, 본 실시형태와 같이, 히터 아암(33a)의 선단측에 히터(32)가 유지되고, 히터 아암(33a)의 회전에 의해 히터(32)가 요동하는 타입에 있어서, 도 1, 도 3에 나타내는 바와 같이, 히터(32)의 중앙에 설치한 노즐(32a)과, 히터(32)의 요동 중심(히터 아암(33a)의 회전 중심이며, 아암 이동 기구(33)의 선회축의 중심이기도 함)과의 거리를 r1, 히터(32)의 요동 중심과, 한 쌍의 스핀 처리 유닛(15a, 15b)이 각각 구비하는 스핀 유지 기구(22)의 회전 중심까지의 거리를 각각 r2, r3으로 했을 때, r1 = r2 = r3이 성립하도록 아암 이동 기구(33)를 구성하는 것이 바람직하다.
세정부(34)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하측에 설치되어 있다. 세정부(34)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면을 향하여 세정액(예컨대 순수)을 토출하여, 히터(32)의 하면에 부착된 약액 등의 처리액을 세정액에 의해 세정한다. 이 세정부(34)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 액 받이부(34a)와 살포부(34b)를 갖는다.
액 받이부(34a)는, 상부가 개구되는 상자 형상으로 형성되어 있다. 액 받이부(34a)의 개구는, 히터(32)의 하면, 즉 피세정면의 형상과 상사형이고, 피세정면을 전부 덮는 크기를 갖는 것이 바람직하다. 히터(32)의 하면이 원형인 경우, 액 받이부(34a)는, 평면 형상이 원형이고, 그 직경은 히터(32)의 직경보다 크게 된다. 액 받이부(34a)는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)로부터 낙하한 세정액이나 살포에 의해 비산한 세정액 등을 수취한다. 액 받이부(34a)의 바닥부에는, 액 공급 유로(41)가 형성되어 있다. 이 액 공급 유로(41)는, 액 공급 유닛(16a)에 배관(도시하지 않음)을 통해 접속되어 있다. 또한, 액 받이부(34a)의 저면의 모퉁이에는, 배액구(42)가 형성되어 있다. 이 배액구(42)로부터 배출된 세정액은 회수부(도시하지 않음)에 의해 회수된다.
살포부(34b)는, 배액구(42)를 피하여 액 받이부(34a)의 저면에 설치되어 있다. 이 살포부(34b)에는, 복수의 노즐(43)이 형성되어 있다. 이들 노즐(43)은, 평면 내에 행렬 형상으로 배열되고, 액 공급 유로(41)에 연결되어 있다. 또, 각 노즐(43)이, 원형 형상으로 배치되어 있어도 좋다. 각 노즐(43)에는, 세정액(예컨대 순수)이 액 공급 유닛(16a)으로부터 액 공급 유로(41) 및 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다. 이 살포부(34b)는, 액 공급 유닛(16a)으로부터 공급된 세정액을 각 노즐(43)로부터 상측을 향하여 토출한다. 또, 노즐(43)로부터 세정액이 토출되기 전단계에서, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 살포부(34b)에 대한 이격 거리(갭)가 소정치가 되는 세정 위치에서 정지되어 있다. 이 때문에, 갭이 소정치보다 큰 경우에 비해, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또, 히터 세정 후, 퇴피실(31) 내의 처리 분위기의 배기를 행하기 위해, 퇴피실(31)에는, 인접하는 처리실(21)의 배기계와는 별도의 배기계(모두 도시하지 않음)가 접속되어 있다. 이 배기계에 의해, 히터 세정 후, 히터 세정에 의해 생긴 퇴피실(31) 내의 처리 분위기를 배기할 수 있다.
도 2로 되돌아가, 세정 제어부(35)는, 히터(32)나 히터 이동 기구(33), 세정부(34) 등에 전기적으로 접속되어 있다. 이 세정 제어부(35)는, 제어 유닛(16b)의 명령에 따라(제어 유닛(16b)의 제어하에), 히터(32)의 구동이나 히터 온도, 히터 이동 기구(33)에 의한 히터 이동, 세정부(34)에 의한 히터 세정 등을 제어한다.
(기판 처리 동작)
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 동작에 대하여 설명한다. 설명의 관계상, 스핀 처리 유닛(15a)의 처리실(21)을 제1 처리실(21)로 하고, 스핀 처리 유닛(15b)의 처리실(21)을 제2 처리실(21)로 하여 설명한다.
우선, 기판(W)이 개폐 유닛(11) 내의 전용 케이스로부터 제1 반송 로봇(12)에 의해 취출된다. 이 때, 전용 케이스의 도어는 개방되어 있다. 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 제1 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 혹은, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회하여 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 그 후, 버퍼 유닛(13) 내의 기판(W)은, 제2 반송 로봇(14)에 의해 취출된다. 제2 반송 로봇(14)은, 필요에 따라 원하는 스핀 처리 유닛(15a)의 제1 처리실(21) 부근까지, 제2 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 제1 처리실(21)에 반입한다. 혹은, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여 기판(W)을 원하는 제1 처리실(21)에 반입한다. 이 때, 제1 처리실(21)의 기판 셔터(21a)는 개방되어 있다.
제1 처리실(21)에 반입된 기판(W)은, 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된다. 그 후, 제2 반송 로봇(14)은 제1 처리실(21)로부터 퇴피하고, 기판 셔터(21a)가 폐쇄되고, 퇴피실(31)에 있어서의 제1 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 개방된다. 퇴피실(31) 내의 히터(32)가 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 제1 처리실(21) 내에 히터 아암(33a)과 함께 침입하여 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향하여 정지한다. 그리고, 히터(32)는, 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대한 이격 거리가 소정치(예컨대 1 mm 정도)가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 기판(W)이 스핀 유지 기구(22)에 의해 저속(예컨대, 500 rpm 이하)으로 회전하고, 히터(32)의 노즐(32a)로부터 고온의 약액(예컨대 인산액)이, 미리 설정한 시간, 기판(W)의 피처리면에 토출되어, 에칭 처리가 행해진다. 또, 히터(32)는 처리 전에 미리 구동하고 있어, 즉, 에칭 처리가 행해지기 전단계인 퇴피실(31)에 위치되어 있을 때부터 가열 상태가 되어, 히터 온도는 소정 온도(예컨대 100도 이상)로 유지되고 있다.
노즐(32a)로부터 토출된 고온의 약액은, 히터(32)의 하면과 기판(W)의 피처리면 사이에 공급되고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 외주를 향하여 퍼져 나간다. 이에 따라, 히터(32)의 하면과 기판(W)의 피처리면 사이가 약액에 의해 채워진 상태가 된다. 이 때, 히터(32)는, 회전 중인 기판(W)의 피처리면 상의 약액에 접촉하여 직접 약액을 가열한다. 또, 히터(32)는, 기판(W)의 피처리면 상의 약액에 접촉하여 직접 약액을 가열하지만, 그뿐만 아니라, 기판(W)의 피처리면을 비접촉으로 가열하여 간접적으로도 약액을 가열하게 된다. 다만, 기판(W)의 피처리면 상의 약액을 가열하는 것이 가능하다면, 직접 가열 및 간접 가열의 양쪽이 아니라, 이들 중 어느 한쪽만을 이용하는 것도 가능하다.
에칭 처리가 종료되면, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 상승하여, 기판(W)의 피처리면으로부터 상측으로 퇴피한다. 그리고, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 히터 아암(33a)과 함께 퇴피실(31) 내로 되돌아가 세정부(34)에 대향하여 정지한다. 히터(32)가 세정부(34)의 상측에서 정지하면, 제1 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 폐쇄된다. 또한, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 액 받이부(34a) 내의 살포부(34b)에 대한 이격 거리가 소정치가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 살포부(34b)로부터 세정액이 상측을 향하여 미리 설정한 시간, 분사되어, 히터(32)의 하면이 세정액에 의해 세정된다. 히터(32)의 하면으로부터 낙하한 세정액이나 분사에 의해 확산한 세정액은 액 받이부(34a)에 의해 받아지고, 배액구(42)로부터 배출되어 회수부에 의해 회수된다. 히터(32)의 세정이 종료되면, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 상승하여, 대기 위치에 위치시켜진다. 히터(32)의 히터 온도는 전술한 소정 온도로 유지되고 있다. 이 때문에, 세정 후의 히터(32)는 즉시 건조되기 때문에, 다음 처리에 히터(32)를 신속히 이용할 수 있다.
또, 1장의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료될 때마다, 반드시 히터(32)의 하면을 세정할 필요는 없다. 예컨대, 미리 설정한 장수의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료될 때까지는, 히터(32)의 세정을 행하지 않고, 연속하여 에칭 처리를 행하고, 미리 설정한 장수의 기판(W)에 대한 에칭 처리가 종료된 단계에서 히터(32)의 세정을 행하도록 해도 좋다.
한편, 제2 반송 로봇(14)은, 퇴피실(31)에서의 히터(32)의 세정이 종료되기 전까지, 스핀 처리 유닛(15b)의 제2 처리실(21)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 이 반송시에는, 제2 처리실(21)의 기판 셔터(21a)는 개방되어 있고, 기판(W)은 스핀 유지 기구(22)에 의해 유지된다. 제2 반송 로봇(14)은, 반송 완료 후, 제2 처리실(21)로부터 퇴피하고, 기판 셔터(21a)는 폐쇄된다. 전술한 히터(32)의 세정이 완료되면, 퇴피실(31)에 있어서의 제2 처리실(21)측의 히터 셔터(31a)가 개방된다. 퇴피실(31) 내의 히터(32)가 히터 이동 기구(33)에 의해 요동 방향(F1)으로 이동하여, 제2 처리실(21) 내에 히터 아암(33a)과 함께 침입하여 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대향하여 정지한다. 그리고, 히터(32)는, 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 스핀 유지 기구(22) 상의 기판(W)의 피처리면에 대한 이격 거리가 소정치가 되는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 기판(W)이 스핀 유지 기구(22)에 의해 저속(예컨대, 500 rpm 이하)으로 회전하고, 히터(32)의 노즐(32a)로부터 고온의 약액(예컨대 인산액)이 미리 설정한 시간, 기판(W)의 피처리면에 토출되어, 에칭 처리가 행해진다. 또, 히터(32)의 히터 온도는 전술한 소정 온도로 유지되고 있다.
제1 처리실(21)에 있어서, 전술한 에칭 처리의 종료 후, 전술한 히터(32)의 퇴피에 맞춰, 기판(W)의 상측의 액 공급 위치에 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 이동하고, 제1 노즐 헤드(24)로부터 린스 약액(예컨대 APM)이 미리 설정한 시간, 토출된다(제1 린스 처리). 이 때, 기판(W)의 회전은 유지되고 있다. 또, 이 제1 린스 처리 중, 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 요동하도록 해도 좋다.
제1 처리실(21)에 있어서, 제1 린스 처리가 종료되면, 제1 노즐 헤드(24)가 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)에 의해 기판(W)의 상측으로부터 퇴피하고, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 기판(W)의 상측의 액 공급 위치로 이동한다. 이 상태에서, 제2 노즐 헤드(26)로부터 린스액(예컨대 순수)이 미리 설정한 시간, 토출된다(제2 린스 처리). 이 때, 기판(W)의 회전은 유지되고 있다. 또, 이 제2 린스 처리 중, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 요동하도록 해도 좋다.
제1 처리실(21)에 있어서, 제2 린스 처리가 종료되면, 제2 노즐 헤드(26)가 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)에 의해 기판(W)의 상측으로부터 퇴피한다. 그 후, 기판(W)은 스핀 유지 기구(22)에 의해 미리 설정한 시간, 고속 회전하여, 기판(W)으로부터 린스액이 회전의 원심력에 의해 비산하고, 기판(W)이 건조된다. 기판(W)의 건조 처리가 종료되면, 기판(W)의 회전은 정지된다. 제1 처리실(21)의 기판 셔터(21a)가 개방되고, 처리 종료된 기판(W)은 제2 반송 로봇(14)에 의해 취출된다. 제2 반송 로봇(14)은, 필요에 따라 제2 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 혹은, 제2 반송 로봇(14)은, 이동하지 않고 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 버퍼 유닛(13)에 반입한다. 그 후, 버퍼 유닛(13) 내의 기판(W)은, 제1 반송 로봇(12)에 의해 취출된다. 제1 반송 로봇(12)은, 필요에 따라 제1 로봇 이동로를 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 혹은, 제1 반송 로봇(12)은, 이동하지 않고 선회만 하여 처리 종료된 기판(W)을 원하는 전용 케이스에 반입한다. 이 때, 전용 케이스의 도어는 개방되어 있다.
또, 제2 처리실(21)에 있어서도, 에칭 처리(예컨대 인산 처리)가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 제1 린스 처리(예컨대 APM 처리)가 행해진다. 이 제1 린스 처리가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 제2 린스 처리(예컨대 순수 처리)가 행해진다. 제2 린스 처리가 종료되면, 제1 처리실(21)과 동일하게 건조 처리 및 기판 반송 처리가 행해진다. 또, 상기한 실시형태에 있어서는, 필요에 따라, 인산액에 의한 기판(W)의 에칭 전에, 불산액을 이용하여 기판(W)을 세정하거나, 인산액을 이용한 처리와, APM을 이용한 처리 사이에, 예컨대 순수를 이용한 세정 처리를 행하도록 해도 좋다.
이러한 기판 처리 동작에서는, 히터(32)는 제1 처리실(21) 및 제2 처리실(21)에 교대로 이동하기 때문에, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리(약액 처리)는 제1 처리실(21) 및 제2 처리실(21)에서 교대로 행해지게 된다. 예컨대, 제1 처리실(21)에 있어서, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리가 행해질 때, 제2 처리실(21)에서는, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 제1 린스 처리, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 제2 린스 처리, 기판(W)의 스핀 건조 처리 등이 행해진다. 반대로, 제1 처리실(21)에 있어서, 제1 노즐 헤드(24)에 의한 제1 린스 처리, 제2 노즐 헤드(26)에 의한 제2 린스 처리, 기판(W)의 스핀 건조 처리 등이 행해질 때, 제2 처리실(21)에서는, 히터(32)를 이용하는 에칭 처리가 행해진다.
이와 같이, 어느쪽의 처리실(21)에서도, 기판(W)을 이동시키지 않고 약액 처리부터 건조 처리까지의 처리를 연속하여 행하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상이한 처리액을 이용하는 복수의 처리를 2개의 처리실에서 순차 행하는 경우에 비해, 2개의 처리실 사이에서의 기판 반송을 불필요로 하여, 기판 반송 시간을 생략할 수 있다. 또한, 2개의 처리실에서 상이한 처리를 연속하여 행하는 경우에는, 액 물듦(예컨대 워터마크)의 방지를 위해, 기판(W)은 젖은 상태에서 반송될 필요가 있고, 고속 반송을 행하는 것이 불가능하다. 이 때문에, 반송 로봇에 의한 기판(W)의 이재(移載) 횟수가 많을 뿐만 아니라, 저속 반송을 행하기 때문에, 기판 반송 시간은 길어진다. 전술한 기판 처리 동작에서는, 그 기판 반송 시간을 생략하는 것이 가능해지기 때문에, 기판 처리 효율을 대폭 향상시킬 수 있다. 또한, 히터(32)는 한 쌍의 처리실(21)에 공통의 처리 유닛으로서 기능한다. 이에 따라, 처리실(21)마다 히터(32) 및 히터 이동 기구(33)를 설치하는 경우에 비해, 장치 구성의 간략화 및 저비용화를 실현할 수 있다.
(기판 처리 공정)
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리 공정에 대하여 설명한다. 또, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정을 설명하기 전에, 비교예로서의 기판 처리 장치(100)에 대하여 도 4를 참조하여 설명하고, 그 후, 비교예의 기판 처리 장치(100)와 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다.
(비교예의 기본 구성)
도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예의 기판 처리 장치(100)는, 전술한 기판 처리 장치(10)에 관련된 복수의 기판 처리 유닛(15) 대신에, 복수의 인산 처리실(101)과, 복수의 APM 처리실(102)을 구비하고 있다. 또, 여기서는, 전술한 기판 처리 장치(10)와의 상이점(각 인산 처리실(101) 및 각 APM 처리실(102))에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명은 생략한다.
각 인산 처리실(101)은, 인산을 이용하는 처리실이고, 제2 로봇 이동로를 따라 일렬로 배열되어 있다. 이들 인산 처리실(101)은, 기판 셔터(101a)와, 스핀 유지 기구(101b)와, 컵(101c)과, 히터(101d)와, 히터 아암(101e)과, 아암 승강 기구(101f)를 갖는다. 또, 히터(101d)는, 기판의 반입이나 반출시, 히터 아암(101e)과 함께 아암 승강 기구(101f)에 의해, 예컨대, 스핀 유지 기구(101b)의 상측의 퇴피 위치로 이동하여 퇴피한다.
또, 기본적으로, 기판 셔터(101a)는 전술한 기판 셔터(21a)와 동일하고, 스핀 유지 기구(101b)도 전술한 스핀 유지 기구(22)와 동일하며, 컵(101c)도 전술한 컵(23)과 동일하다. 또한, 히터(101d)도 전술한 히터(32)와 동일하고, 히터 아암(101e)도 전술한 히터 아암(33a)과 동일하다.
각 APM 처리실(102)은, APM을 이용하는 처리실이고, 일렬로 늘어서는 각 인산 처리실(101)에 대하여 제2 로봇 이동로를 사이에 두고 대향하도록 위치시켜지고, 제2 로봇 이동로를 따라 일렬로 설치되어 있다. 이들 APM 처리실(102)은, 기판 셔터(102a)와, 스핀 유지 기구(102b)와, 컵(102c)과, 제1 노즐 헤드(102d)와, 제1 노즐 헤드 이동 기구(102e)와, 제2 노즐 헤드(102f)와, 제2 노즐 헤드 이동 기구(102g)를 갖는다.
또, 기본적으로, 기판 셔터(102a)는 전술한 기판 셔터(21a)와 동일하고, 스핀 유지 기구(102b)도 전술한 스핀 유지 기구(22)와 동일하며, 컵(102c)도 전술한 컵(23)과 동일하다. 또한, 제1 노즐 헤드(102d)도 전술한 제1 노즐 헤드(24)와 동일하고, 제1 노즐 헤드 이동 기구(102e)도 전술한 제1 노즐 헤드 이동 기구(25)와 동일하며, 제2 노즐 헤드(102f)도 전술한 제2 노즐 헤드(26)와 동일하고, 제2 노즐 헤드 이동 기구(102g)도 전술한 제2 노즐 헤드 이동 기구(27)와 동일하다.
여기서, 히터(101d)를 갖는 인산 처리실(101)과, APM 처리실(102)은, 처리액의 종류에 의해 나눠져 있고, 상이한 처리를 연속하여 행하는 2개의 처리실이다. 기판 반송 효율을 향상시키기 위해서는, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로의 기판 반송을, 제2 반송 로봇(14)을 수평 방향으로는 이동시키지 않고 제2 반송 로봇(14)의 선회 동작만으로 행하는 것이 유효하다. 이 때문에, 제2 로봇 이동로를 통해 마주보는 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102) 사이에서 기판 반송이 행해진다. 버퍼 유닛(13) 내의 미처리의 기판(W)은, 제2 반송 로봇(14)에 의해, 버퍼 유닛(13)→인산 처리실(101)→APM 처리실(102)→버퍼 유닛(13)이라는 순서로 반송된다. 이 때, 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102) 사이의 기판 반송은 필수가 되기 때문에, 기판 반송에 의해 처리가 중단되고, 기판 처리 효율이 저하된다.
(기판 처리 공정의 비교)
도 5에서는, 경과 시간이 횡축이 되고, 도 5 중의 상부 도면에는, 비교예의 기판 처리 장치(100)의 기판 처리 공정(처리 순서 및 처리 시간)이 도시되어 있고, 도 5 중의 하부 도면에는, 전술한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 공정(처리 순서 및 처리 시간)이 도시되어 있다. 또, 도 5 중의 상부 도면 및 하부 도면을 비교함으로써, 비교예의 기판 처리 장치(100)와 전술한 기판 처리 장치(10)의 양자의 처리 능력을 비교하는 것이 가능하다. 설명의 편의상, 전술한 기판 처리 장치(10)의 처리실(21)을 인산＋APM 처리실(21)로 한다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 비교예에 있어서, 인산 처리실(101)에서는, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 및 히터 세정 공정(A3), 기판 교환 공정(A4)의 일련의 처리 공정이 반복해서 행해진다. 또한, APM 처리실(102)에서는, 기판 교환 후, 린스액 공급 공정(B1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4), 기판 교환 공정(B5)의 일련의 처리 공정이 반복해서 행해진다. 여기서, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 및 히터 세정 공정(A3)의 처리 공정이 인산 처리이다. 또한, 린스액 공급 공정(B1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4)의 처리 공정이 APM 처리이다. 이와 같이 비교예에서는, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로 기판(W)(예컨대 반도체 웨이퍼)이 반송되고, 인산 처리와 APM 처리의 2가지의 처리가 상이한 처리실에서 연속하여 행해진다.
인산 처리실(101)에서는, 처리 전에 히터(101d)가 미리 구동하고 있어, 즉, 에칭 처리가 행해지기 전단계일 때부터 가열 상태가 되어, 히터 온도는 소정 온도로 되어 있다. 우선, 전처리 공정(A1)에 있어서, 기판(W)의 피처리면 상에 불산액이 히터(101d)의 노즐 또는 도시하지 않은 처리액 노즐로부터 공급되어, 기판(W)이 불산액에 의해 세정된다. 또한, 인산액 공급 공정(A2)에 있어서는, 기판(W)의 피처리면 상에 고온의 인산액이 히터(101d)의 노즐로부터 공급되어, 기판(W)이 고온의 인산액에 의해 처리된다. 기판 및 히터 세정 공정(A3)에 있어서는, 인산 처리 종료 후, 처리에 사용한 히터(101d)가 기판(W)과 함께 세정되고, 다음 기판(W)의 반입을 대기하게 된다. 이 세정에서는, 인산액 대신에 린스액(예컨대 순수)이 히터(101d)의 노즐로부터 히터(101d)와 기판(W) 사이에 공급되어, 히터(101d) 및 기판(W)이 세정된다. 기판 교환 공정(A4)에 있어서는, 인산액을 이용한 처리가 종료된 기판(W)이 인산 미처리의 기판(W)과 교환되고, 처리 종료된 기판(W)은, 다음 공정의 APM 처리실(102)로 반송된다. 이 반송시, 기판(W)은 젖은 상태에서 반송된다. 즉, 기판(W)은, 반송 준비로서, 반송 중에도 피처리면이 젖은 상태가 유지되도록 린스액이 액 마운팅된 상태가 된다.
APM 처리실(102)에서는, 린스액 공급 공정(B1)에 있어서, APM 공급 공정(B2)의 전에 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(102f)로부터 공급된다. 이것은, 인산 처리실(101)로부터 APM 처리실(102)로 기판(W)을 반송하는 도중에, 기판(W) 상의 린스액에 부착된 파티클이나 기판(W)에 부착된 파티클을 APM 처리 전에 제거하기 위해서이다. APM 공급 공정(B2)에 있어서는, 기판(W)의 피처리면 상에 APM이 제1 노즐 헤드(102d)로부터 공급되어, 기판(W)이 APM에 의해 처리된다. 린스액 공급 공정(B3)에 있어서는, APM 처리 종료된 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(102f)로부터 공급되어, APM 처리 종료된 기판(W)이 린스액에 의해 세정된다. 스핀 건조 공정(B4)에 있어서는, 세정 종료된 기판(W)이 스핀 건조에 의해 건조된다. 기판 교환 공정(B5)에 있어서는, 건조 종료된 기판(W)이 APM 미처리의 기판(W)과 교환되어, 버퍼 유닛(13)에 반송된다.
한편, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), 기판 세정 공정(C1), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 스핀 건조 공정(B4), 기판 교환 공정(B5)이 행해진다. 퇴피실(31)에서는, 히터 세정 공정(C2)이 행해진다. 또, 전처리 공정(A1), 인산액 공급 공정(A2), APM 공급 공정(B2), 린스액 공급 공정(B3), 기판 교환 공정(B5)은 비교예와 동일한 처리이다.
인산＋APM 처리실(21)에서는, 전처리 공정(A1) 및 인산액 공급 공정(A2)의 종료 후, 기판 세정 공정(C1)에 있어서, 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(26)로부터 기판(W)의 피처리면 상에 공급되어, 기판(W)의 피처리면이 세정된다. 기판 세정 공정(C1)의 종료 후, APM 공급 공정(B2)에 있어서, 전술과 동일하게, 기판(W)의 피처리면 상에 APM이 제1 노즐 헤드(24)로부터 공급되어, 기판(W)이 APM에 의해 처리된다. 린스액 공급 공정(B3)에 있어서는, APM 처리 종료된 기판(W)의 피처리면 상에 린스액(예컨대 순수)이 제2 노즐 헤드(26)로부터 공급되어, APM 처리 종료된 기판(W)이 린스액에 의해 세정된다. 그 후, 스핀 건조 공정(B4) 및 기판 교환 공정(B5)이 행해진다.
퇴피실(31)에서는, 인산액 공급 공정(A2)의 종료 후, 히터 세정 공정(C2)에 있어서, 히터(32)가 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 히터(32)는, 퇴피실(31)을 사이에 두는 2개의 처리실(21) 사이를 이동하지만, 2개의 처리실(21) 중 어느곳에 있어서도, 히터(32)가 인산액 공급 공정(A2)의 가열 처리에 이용되지 않는 동안에, 퇴피실(31) 내의 퇴피 위치(중간 위치)에서 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 케이스로는, 2개의 처리실(21)에 있어서, APM 처리가 행해지고 있는 때를 생각할 수 있다.
이와 같이 전술한 기판 처리 장치(10)에서는, 인산 처리와 APM 처리의 2가지의 처리가 동일한 인산＋APM 처리실(21)에서 실시 가능하게 되어 있다. 즉, 비교예와 같이 2개의 처리실(인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102))로 나누는 원인이 되고 있는 2가지의 처리(인산 처리 및 APM 처리)를 동일한 인산＋APM 처리실(21)에서 연속하여 행하는 것이 가능하다. 이에 따라, 2개의 처리실 사이에서의 기판 반송이 불필요해지기 때문에, 기판 반송 시간을 생략하고, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 비교예와 같이, 2개의 처리실 사이에서 기판(W)을 반송하는 경우에는, 기판(W)의 반송 중에, 피처리면이 노출되면, 노출된 부분에 파티클이 부착되어 제품 불량이 생긴다. 이 때문에, 기판(W)의 피처리면에 세정액을 액 마운팅한 상태에서 반송하게 되는데, 액 마운팅한 세정액이, 예컨대 반송 로봇 등의 진동으로 기판(W)의 피처리면으로부터 흘러내려, 액 마운팅 상태를 유지할 수 없게 되는 경우도 있다. 그런데, 본 실시형태와 같이, 처리실 사이에서의 반송이 불필요해지면, 액 마운팅을 할 필요가 없기 때문에, 기판 처리의 도중(반송 중)에 제품 불량을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
또한, 비교예에서는, 기판 및 히터 세정 공정(A3)의 종료 후, 기판 교환 공정(A4) 및 린스액 공급 공정(B1)을 행하고 나서, APM 공급 공정(B2)을 개시한다. 한편, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 기판 세정 공정(C1)의 종료 후, 즉시 APM 공급 공정(B2)을 개시하는 것이 가능하여, 비교예에 비해 대폭 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 비교예의 기판 처리 장치(100)에는, 인산 처리실(101) 및 APM 처리실(102)의 1조가 4개 존재하고 있지만, 전술한 기판 처리 장치(10)에는, 인산＋APM 처리실(21)이 8개 존재하고 있다. 이와 같이 일련의 처리를 행하는 처리실(21)을 증가시키는 것이 가능해져, 기판 처리 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 히터(32)는 퇴피실(31) 내에서 세정부(34)에 의해 세정된다. 이 때, 히터(32)는 인산＋APM 처리실(21) 내에 존재하고 있지 않기 때문에, 인산＋APM 처리실(21)에서는, 기판 세정 공정(C1)에 있어서 기판(W)만을 세정하면 되고, 비교예의 기판 및 히터 세정 공정(A3)에서의 히터 세정 시간을 생략할 수 있다. 이에 따라, 비교예에 비해, 인산＋APM 처리실(21)에서의 처리 시간을 단축하는 것이 가능하여, 기판 처리 효율을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 인산＋APM 처리실(21)에서의 처리 중에(처리에 병행하여), 세정부(34)에 의해 히터(32)를 세정할 수 있다.
또한, 히터(32) 및 노즐(32a)을 인산＋APM 처리실(21) 밖의 퇴피실(31) 내로 퇴피시킴으로써, APM 처리 전에 인산＋APM 처리실(21)의 다운 플로우에 의해, 인산＋APM 처리실(21) 내에 존재하는 인산 분위기를 배제하는 것이 가능하다. 이에 따라, APM 처리를 행할 때에, 인산＋APM 처리실(21) 내에서 인산 분위기와 APM이 혼재하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 인산과 APM의 반응에 의해 생기는 파티클이, 인산＋APM 처리실(21) 내에서 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또, 도 5에서는, 일례로서, 인산 처리 시간과 APM 처리 시간을 동일하게 하고 있지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 이들에 다소의 차가 있어도 좋다. 다만, 비교예에 있어서, 인산 처리실(101)에서의 인산 처리 시간과 APM 처리실(102)에서의 APM 처리 시간이 상이한 경우에는, 처리 시간의 차이에 의해 기판 반송의 대기 시간이 발생하기 때문에, 기판 처리 효율이 저하되게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 히터(32)가 한 쌍의 처리실(21) 내부 및 퇴피실(31) 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되어 있고, 히터 이동 기구(33)에 의해 한 쌍의 처리실(21) 내부 및 퇴피실(31) 내부에 걸쳐 이동한다. 예컨대, 상이한 2가지의 처리(예컨대 인산 처리 및 APM 처리)를 하나의 처리실(21)에서 행하는 경우, 제1 처리(예컨대 인산 처리)에서는 히터(32)가 처리실(21) 내에 존재하고, 다음 제2 처리(예컨대 APM 처리)에서는 히터(32)가 처리실(21) 내로부터 퇴피한다. 이에 따라, 제1 처리 및 제2 처리에서 기인하여 처리실(21) 내에서 파티클이 발생하더라도, 제2 처리시에는 히터(32)는 퇴피실(31) 내에 존재한다. 이 때문에, 처리실(21) 내에서 발생한 파티클이 퇴피실(31) 내의 히터(32)에 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 상이한 처리액을 이용하는 2가지의 처리를 하나의 처리실(21)에서 행할 수 있다. 따라서, 각 처리실 사이에서의 기판 반송을 생략하는 것이 가능해져, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 히터(32)는 한 쌍의 처리실(21)에 공통의 처리 유닛으로서 기능하기 때문에, 처리실(21)마다 히터(32) 및 히터 이동 기구(33)를 설치하는 경우에 비해, 장치 구성의 간략화 및 저비용화를 실현할 수 있다. 또한, 히터(32)에 파티클이 부착되는 것을 억제함으로써, 히터(32)에 의해 기판(W)을 처리하고 있는 동안, 히터(32)에 부착된 파티클이 기판(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있어, 기판(W)의 제품 불량의 발생을 막을 수 있다.
(제2 실시형태)
제2 실시형태에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다. 또, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(세정부)에 대하여 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 관련된 세정부(34)는, 액 받이부(34a) 및 살포부(34b)에 더하여, 브러시(34c)와 브러시 회전 기구(34d)를 갖는다.
브러시(34c)는, 예컨대 롤 브러시이고, 액 받이부(34a) 내에 그 반경 방향을 따르도록 수평 상태로 설치되어 있다. 이 브러시(34c)는, 그 연신 방향의 축을 회전축으로 하여 회전 가능하게 브러시 회전 기구(34d)에 부착되어 있다. 브러시(34c)의 길이는, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 반경 이상이다.
브러시 회전 기구(34d)는, 회전부(51)와 회전 기구(52)를 갖는다. 회전부(51)는, 브러시(34c)의 일단을 지지하고, 모터 등의 구동원(도시하지 않음)에 의해 브러시(34c)를 그 축 둘레로 회전시킨다. 회전 기구(52)는, 회전부(51)를 지지하고, 그 회전부(51)를 수평면 내에서 회전시킨다. 이 회전 기구(52)는, 액 받이부(34a)의 바닥부를 관통하도록, 그 바닥부의 대략 중앙에 설치되어 있다. 회전 기구(52)는, 예컨대, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 회전부(51)가 회전 기구(52)에 의해 수평면 내에서 회전하면, 회전부(51)에 의해 지지되어 있는 브러시(34c)도 수평면 내에서 회전하게 된다.
각 노즐(43)은, 브러시 회전 기구(34d)를 피하여 액 받이부(34a)의 저면에 배치되어 있다. 이들 노즐(43)은, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 중앙 부근을 향하여 세정액을 토출하도록 형성되어 있다. 예컨대, 노즐(43)은 원기둥형으로 형성되어 있고, 그 노즐(43)은, 퇴피 위치에 존재하는 히터(32)의 하면의 중앙 영역을 향하여 경사지도록 형성되어 있다.
이러한 세정부(34)에 있어서, 히터(32)는 히터 이동 기구(33)에 의해 하강하여, 액 받이부(34a) 내의 브러시(34c)에 접촉하는 위치에서 정지한다. 이 상태에서, 세정액이 살포부(34b)로부터 상측을 향하여 분사되면, 세정액에 의해 젖은 상태의 브러시(34c)가 그 축 둘레로 회전하기 시작한다. 세정액의 분사는 계속되고, 회전부(51)가 회전 기구(52)에 의해 회전하기 시작하면, 세정액에 의해 젖은 상태의 브러시(34c)는, 축 둘레로 회전하면서, 회전부(51)의 회전에 의해 히터(32)의 하면에 대하여 둘레 방향으로 상대 이동하여, 히터(32)의 하면을 문질러 세정해 나간다. 이와 같이 하여, 히터(32)의 하면의 전역이 브러시(34c) 및 세정액에 의해 세정되게 된다. 히터(32)의 하면으로부터 낙하한 세정액이나 브러싱에 의해 확산한 세정액은, 액 받이부(34a)에 의해 받아지고, 배액구(42)로부터 배출되어 회수부에 의해 회수된다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 세정부(34)의 브러시(34c)가 세정액에 의해 젖은 상태에서 직접 히터(32)에 접촉하고, 히터(32)를 문질러 세정한다. 이에 따라, 세정부(34)의 히터 세정 능력이 높아지기 때문에, 히터 세정 시간을 단축하는 것이 가능하여, 기판 처리 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
(다른 실시형태)
전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리부로서 히터(32)를 예시했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 램프나 IH(유도 가열) 히터 등의 가열기를 이용하는 것이 가능하다. 또한, 램프의 형상도 직관(直管)형이나 환형, 구형 등 각종 형상을 채용하는 것이 가능하다. 또, 램프나 IH 히터는, 어느쪽이나 전자파(광도 전자파에 포함됨)에 의해 기판(W)이나 처리액(예컨대 약액)을 가열하는 가열기이다.
또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 히터면을 세정하는 세정 기능으로서 도 3 또는 도 6의 세정 방식의 세정부(34)를 예시했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 세정액(예컨대 고온의 순수)을 액 받이부(34a)에 저장하여 히터면을 세정액에 디프하는 방식 등도 유효하다. 또한, 히터(32), 히터 이동 기구(33) 및 세정부(34)의 각 부를 일체로서 퇴피실(31)로부터 제2 로봇 이동로와 반대측으로 인출 가능하게 하는 인출 기구를 추가해도 좋다. 이 경우에는, 전술한 각 부가 인출 기구에 의해 퇴피실(31)로부터 인출되고, 히터(32)의 둘레면이 노출되기 때문에, 히터(32)의 메인터넌스 작업을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 히터 아암(33a)의 길이가 일정하지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 히터 아암(33a)의 길이를 바꾸는 기구(예컨대 히터 아암(33a)을 신축시키는 신축 기구)를 설치하도록 해도 좋다. 히터 아암(33a)의 길이가 변함으로써, 처리실(21)이 3개나 4개로 증가하더라도, 이들 처리실(21)에 하나의 히터(32)로 대응할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리 공정의 일례를 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 각종 처리 공정에 전술한 각 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(10)를 적용하는 것이 가능하다. 하나의 처리실(21)에 있어서, 처리 분위기나 온도 등을 전환할 필요가 있는 연속 처리에 대하여 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 몇가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것으로, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규인 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등 범위에 포함된다.
10: 기판 처리 장치 21: 처리실
22: 스핀 유지 기구 24: 제1 노즐 헤드
25: 제1 노즐 헤드 이동 기구 26: 제2 노즐 헤드
27: 제2 노즐 헤드 이동 기구 31: 퇴피실
32: 히터 32a: 노즐
33: 히터 이동 기구 34: 세정부
W: 기판

Claims (12)

  1. 퇴피실(退避室)과,
    상기 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과,
    상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 이동 가능하게 설치되고, 상기 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부와,
    상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 처리실에는, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 스핀 유지 기구와, 상기 스핀 유지 기구에 의해 유지되는 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드를 상기 기판의 피처리면을 따라 요동시키는 노즐 헤드 이동 기구가 설치되고,
    상기 노즐 헤드의 요동 중심은, 상기 처리실 내에 있어서, 상기 처리실에 있어서의 인접하는 상기 퇴피실측의 벽에 대하여, 상기 스핀 유지 기구를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이동 기구는, 상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 요동시키는 요동 기구인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이동 기구는, 상기 한 쌍의 처리실로 교대로 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 퇴피실 내에 설치되고, 상기 처리부를 세정하는 세정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 기판 상의 처리액에 접촉하여 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 히터이고,
    상기 히터는, 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 히터에 있어서의 상기 기판의 피처리면과의 대향면은, 상기 기판에 있어서의 상기 피처리면의 형상과 상사(相似)형이고, 상기 피처리면을 전부 덮는 크기를 가지며,
    상기 노즐은, 상기 대향면의 중앙에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 기판 상의 처리액에 접촉하여 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 히터이고,
    상기 히터는, 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 노즐을 갖고,
    상기 한 쌍의 처리실에는, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 스핀 유지 기구가 각각 설치되고,
    상기 노즐과, 상기 히터의 요동 중심과의 거리를 r1, 상기 히터의 요동 중심과, 상기 한 쌍의 처리실이 각각 구비하는 상기 스핀 유지 기구의 회전 중심과의 거리를 각각 r2, r3으로 했을 때, r1 = r2 = r3이 성립하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 퇴피실과, 상기 퇴피실을 사이에 두고 설치된 한 쌍의 처리실과, 상기 처리실 내의 기판 상에 처리액을 공급하며, 또한, 상기 기판 상의 처리액을 가열하는 처리부를 구비하고, 상기 처리실에는, 상기 기판을 유지하여 회전시키는 스핀 유지 기구와, 상기 스핀 유지 기구에 의해 유지되는 상기 기판에 처리액을 공급하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드를 상기 기판의 피처리면을 따라 요동시키는 노즐 헤드 이동 기구가 설치되고, 상기 노즐 헤드의 요동 중심은, 상기 처리실 내에 있어서, 상기 처리실에 있어서의 인접하는 상기 퇴피실측의 벽에 대하여, 상기 스핀 유지 기구를 사이에 두고 반대측의 벽측에 설치되는 기판 처리 장치를 이용하여, 상기 처리실 내의 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 퇴피실 내부 및 상기 한 쌍의 처리실 내부에 걸쳐 상기 처리부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 한 쌍의 처리실로 교대로 상기 처리부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 퇴피실 내에 상기 처리부를 이동시키고, 상기 퇴피실 내에서 상기 처리부를 세정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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