KR20150110273A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20150110273A
KR20150110273A KR1020140139854A KR20140139854A KR20150110273A KR 20150110273 A KR20150110273 A KR 20150110273A KR 1020140139854 A KR1020140139854 A KR 1020140139854A KR 20140139854 A KR20140139854 A KR 20140139854A KR 20150110273 A KR20150110273 A KR 20150110273A
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아키요시 나카노
구루미 야기
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 공통 관로를 이용하여 기판의 이면에 처리액과 온수를 공급하는 경우에도, 기판을 균일하게 처리하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 냉각 기구는, 공통 배관(29)을 둘러싸는 관형상 부재(31)를 구비한다. 관형상 부재(31)의 상단은, 스핀 척에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 액체를 공급하기 위한, 공통 관로(29)의 끝 가장자리에 접속된 개구부(33)를 구비하는 뚜껑 부재(32)에 의해 닫혀 있다. 그리고 냉각수의 공급 배관(26)은, 이 관형상 부재(31)의 내부에, 상온의 순수를 공급한다. 관형상 부재(31)의 내부에 공급된 상온의 순수는, 공통 관로(29)의 냉각에 제공된 후, 관형상 부재(31)의 하단으로부터 유출된다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
이 발명은, 유기 EL 표시 장치용 유리 기판, 액정 표시 장치용 유리 기판, 태양 전지용 패널 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면 및 이면에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 기판으로서의 반도체 웨이퍼에서 표면을 불산(HF)으로 에칭 처리하는 기판 처리 장치에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표리 양면을 에칭하는 목적, 혹은, 반도체 웨이퍼의 표면을 균일하게 에칭하기 위해서 반도체 웨이퍼의 온도를 불산의 온도에 근접시키는 목적으로, 반도체 웨이퍼의 표리 양면에 불산을 공급하고 있다. 그리고 불산에 의한 에칭 처리 후의 반도체 웨이퍼의 표리 양면에 순수를 공급하여 린스 처리를 행하고, 계속해서 반도체 웨이퍼의 이면에 가열된 순수를 공급하여 반도체 웨이퍼의 온도를 상승시킨 후, 반도체 웨이퍼를 고속 회전시킴으로써, 반도체 웨이퍼에 부착된 순수를 털어내어 건조하는 구성이 채용되고 있다. 또, 반도체 웨이퍼의 표면에 가열된 순수를 공급할 때에, 반도체 웨이퍼의 표면에 이소프로필알코올(IPA) 등의 유기 용매를 공급함으로써, 털어냄 건조시의 반도체 웨이퍼의 표면의 건조성을 향상시키는 구성도 채용되고 있다(특허 문헌 1 참조).
일본국 특허 공개 2012-156561호 공보
이러한 기판 처리 장치에 있어서는, 일반적으로, 반도체 웨이퍼를 스핀 척에 의해 유지하고, 이 스핀 척에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼의 표면 및 이면에 불산 등의 처리액을 공급하고 있다. 이때, 반도체 웨이퍼의 표면측에 대해서는, 복수종의 처리액에 대응하는 복수의 처리액 공급 노즐을 선택적으로 이용함으로써, 복수종의 처리액을 반도체 웨이퍼의 표면측에 공급할 수 있다. 그러나 반도체 웨이퍼의 이면측에 대해서는, 이러한 자유도가 적다. 즉, 반도체 웨이퍼의 이면측에 대해 복수종의 처리액을 공급하는 경우에는, 복수종의 처리액이 유통하는 공통 관로를 사용하고, 이 공통 관로로부터 스핀 척에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼의 이면에 있어서의 회전 중심을 향해 복수종의 처리액을 공급할 필요가 있다.
또한, 이러한 공통 관로를 사용하여 반도체 웨이퍼의 이면에 가열된 순수를 공급한 경우에는, 공통 관로의 온도가 상승한다. 그리고 이러한 처리를 연속하여 실행한 경우에는, 축열에 의해 공통 관로의 온도가 더욱 상승하기 때문에, 공통 관로를 통해 반도체 웨이퍼의 이면에 공급되는 처리액에 대해, 공통 관로의 온도의 영향이 점차 높아진다.
일반적으로, 불산에 의한 에칭 레이트는 불산의 온도에 대한 의존성을 갖는다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면에 공급되는 처리액의 온도가 변화한 경우에는, 그 에칭 레이트도 변화하게 되어, 복수의 반도체 웨이퍼간에 있어서, 균일한 에칭 처리를 행할 수 없게 된다.
또, 표면에 공급되는 불산에 비해, 이면에 고온의 처리액을 스핀 척에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼의 이면에 있어서의 회전 중심을 향해 공급한 경우에는, 반도체 웨이퍼에 있어서의 회전 중심 부근과 끝 가장자리 부근에서 온도차가 발생하게 된다. 이러한 온도차가 발생한 경우에는, 반도체 웨이퍼에 대한 에칭의 면내 균일성이 손상된다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 이러한 문제를 해결하기 위해서, 불산 처리 전에 반도체 웨이퍼를 순수로 린스하는 것도 생각할 수 있으나, 이러한 구성을 채용한 경우에는, 불산을 회수하여 재이용하는 것이 곤란해지고, 또, 린스 공정을 실행하는 분만큼 처리 시간이 길어져 버린다고 하는 문제가 발생한다.
이 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 공통 관로를 이용해 기판의 이면에 처리액과 온수를 공급하는 경우에도, 기판을 균일하게 처리하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명은, 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하는 표면 처리액 공급부와, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 액체를 공급하기 위한 공통 관로와, 상기 공통 관로에 처리액을 공급하는 이면 처리액 공급부와, 상기 공통 관로에 온수를 공급하는 온수 공급부를 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 공통 관로의 외주부에 유체를 공급함으로써, 상기 공통 관로를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 유기 용매를 공급하는 유기 용매 공급부를 더 구비하고, 상기 온수 공급부는, 상기 유기 용매 공급부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 유기 용매를 공급할 때에, 상기 공통 관로에 온수를 공급한다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 발명에 있어서, 상기 유기 용매는 이소프로필알코올이다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 복수의 유입 유출구를 갖는 멀티플 밸브를 구비하고, 상기 공통 관로는 상기 멀티플 밸브의 복수의 유입 유출구 중 하나에 연결됨과 더불어, 상기 이면 처리액 공급부는 상기 멀티플 밸브의 복수의 유입 유출구 중 하나에 처리액을 공급하고, 상기 온수 공급부는 상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나에 온수를 공급한다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 발명에 있어서, 상기 멀티플 밸브와 상기 공통 관로 사이에 설치된 개폐 밸브와, 상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나에 상온의 순수를 공급하는 순수 공급부와, 상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나로부터 상기 멀티플 밸브의 내부 공간을 흡인하는 흡인부를 구비한다.
청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 냉각 기구는, 상기 공통 관로의 외주부에 냉각수를 공급한다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 발명에 있어서, 상기 냉각 기구는, 상기 공통 관로를 둘러싸는 관형상 부재를 구비하고, 상기 관형상 부재의 내부에 냉각수를 공급한다.
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 7에 기재된 발명에 있어서, 상기 스핀 척에 유지된 기판을 고속 회전시킴으로써 상기 기판을 건조할 때에, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단을 구비함과 더불어, 상기 냉각 기구는, 상기 불활성 가스 공급 수단이 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 불활성 가스를 공급하고 있는 동안에, 상기 공통 관로의 외주부에 냉각수를 공급한다.
청구항 9에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에 있어서, 상기 처리액은 불산이다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 냉각 기구의 작용으로 공통 관로를 냉각함으로써, 기판의 이면에 공급되는 처리액의 온도의 상승을 방지하여, 기판을 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.
청구항 2 및 청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 유기 용제와 온수의 작용에 의해, 기판을 신속히 건조시키는 것이 가능해진다.
청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 멀티플 밸브를 이용하여 처리액과 온수를 공통 관로에 공급하는 것이 가능해진다.
청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 개폐 밸브를 닫은 상태에서, 순수 공급부로부터 멀티플 밸브 내에 상온의 순수를 공급하고, 흡인부에 의해 멀티플 밸브 내의 순수를 흡인함으로써, 멀티플 밸브의 온도 상승을 방지하는 것이 가능해진다.
청구항 6 및 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 냉각수의 작용에 의해 공통 관로를 신속하게 냉각하는 것이 가능해진다.
청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 불활성 가스에 의해 기판의 건조를 촉진하는 동안에, 공통 관로를 냉각하는 것이 가능해진다.
청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 불산에 의한 에칭 처리시에, 기판을 균일하게 에칭하는 것이 가능해진다.
도 1은 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 개요도이다.
도 2는 냉각 기구를 나타내는 개요도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼(100)에 대한 처리 공정을 설명하는 표이다.
도 4는 반도체 웨이퍼(100)의 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
이하, 이 발명의 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다. 도 1은, 이 발명에 따른 기판 처리 장치의 개요도이다.
이 기판 처리 장치는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼(100)를 불산에 의해 에칭 처리하기 위한 것이며, 반도체 웨이퍼(100)를 회전 가능하게 유지하는 스핀 척(11)을 구비한다. 이 스핀 척(11)의 상면에는, 반도체 웨이퍼(100)의 끝 가장자리를 유지하기 위한 복수의 척 부재(12)가 설치되어 있다. 이 스핀 척(11)은, 기부(基部)(13) 내에 설치된 모터의 구동에 의해, 연직 방향을 향하는 중심축을 중심으로 회전한다. 또, 스핀 척(11)의 외주부에는, 반도체 웨이퍼(100)의 회전에 수반하여 반도체 웨이퍼(100)로부터 비산하는 액체를 포획하기 위한 도시하지 않은 컵 부재가 설치되어 있다.
또, 이 기판 처리 장치는, 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 대해, 유기 용제로서의 이소프로필알코올과 불활성 가스로서의 질소 가스를 공급하는 복합 노즐(41)을 구비한다. 또, 이 기판 처리 장치는, 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 대해, 처리액으로서의 불산을 공급하는 노즐(43)과, 린스액으로서의 순수(DIW)를 공급하는 노즐(42)을 구비한다. 이들 복합 노즐(41), 노즐(42) 및 노즐(43)은, 스핀 척(11)에 의해 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 상방에, 선택적으로 배치된다. 또한, 복합 노즐(41)로는, 예를 들면, 일본국 특허 제5308211호 명세서에 기재된 것을 사용할 수 있다.
또, 이 기판 처리 장치는, 6개의 유입 유출구를 갖는 멀티플 밸브(20)를 구비한다. 이 멀티플 밸브(20)에 있어서의 유입 유출구 중 하나는, 개폐 밸브(28)를 통해, 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 액체를 공급하기 위한 공통 관로(29)와 접속되어 있다. 또, 이 멀티플 밸브(20)의 다른 유입 유출구는, 멀티플 밸브(20)의 내부 공간을 흡인하는 석백(Suck Back)부(27)에 접속된 관로(21)와, 멀티플 밸브(20)에 대해 상온의 순수를 공급하는 관로(22)와, 멀티플 밸브(20)에 대해 온수로서의 가열된 순수를 공급하기 위한 관로(23)와, 멀티플 밸브(20)에 대해 처리액으로서의 불산을 공급하기 위한 관로(24)와, 멀티플 밸브(20)에 대한 프리디스펜스시에 순수를 배출하기 위한 관로(25)에 접속되어 있다.
또한, 이 기판 처리 장치는, 공통 관로(29)의 외주부에 대해 냉각수로서의 상온의 순수를 공급함으로써, 공통 관로(29)를 냉각하는 냉각 기구를 구성하는 냉각수의 공급 배관(26)을 구비한다.
도 2는, 공통 관로(29)를 냉각하기 위한 냉각 기구의 개요도이다.
이 냉각 기구는, 공통 관로(29)를 둘러싸는 관형상 부재(31)를 구비한다. 관형상 부재(31)의 상단은, 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 액체를 공급하기 위한, 공통 관로(29)의 끝 가장자리에 접속된 개구부(33)를 구비하는 뚜껑 부재(32)에 의해 닫혀 있다. 관형상 부재(31)는, 스핀 척(11)의 중앙부에서 스핀 척(11)과는 간극을 갖고 배치되어 있다. 그 때문에, 스핀 척(11)이 회전하더라도, 관형상 부재(31)는 회전하지 않고, 반도체 웨이퍼(100)의 중앙부 이면에 대향하는 위치에서 개구부(33)를 지지한다. 그리고 냉각수의 공급 배관(26)은, 이 관형상 부재(31)의 내부에, 상온의 순수를 공급한다. 관형상 부재(31)의 내부에 공급된 상온의 순수는, 공통 관로(29)의 냉각에 제공된 후, 관형상 부재(31)의 하단으로부터 유출된다. 관형상 부재(31)의 하단으로부터 유출된 순수는, 하부에 배치된 배트(39)로부터 장치 밖으로 배출된다.
다음에, 이 기판 처리 장치에 의한 반도체 웨이퍼(100)의 에칭 처리 공정에 대해서 설명한다. 도 3은, 반도체 웨이퍼(100)에 대한 처리 공정을 설명하는 표이다.
처음에, 반도체 웨이퍼(100)를 반입하고, 스핀 척(11)에 있어서의 척 부재(12)에 의해 유지한다. 그리고 반도체 웨이퍼(100)를 스핀 척(11)과 함께 회전시킨다. 이 상태에서, 노즐(43)을 스핀 척(11)에 의해 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 상부로 이동시키고, 노즐(43)로부터 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 불산을 토출한다. 또, 이와 병행하여, 멀티플 밸브(20)에 대해 관로(24)로부터 불산을 공급함과 더불어, 개폐 밸브(28)를 개방함으로써, 공통 관로(29)로부터 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 불산을 공급한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(100)의 전체면이 균일한 온도 분포가 됨으로써, 표면의 에칭 처리를 균일하게 행할 수 있다. 또, 표리면으로부터 같은 불산을 공급함으로써, 반도체 웨이퍼(100)에 외주부에 설치된 컵 부재에는, 불산이 포획된다. 그로써, 불산에 순수 등의 불순물이 혼입되지 않고, 회수를 행할 수 있다.
다음에, 노즐(42)을 스핀 척(11)에 의해 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 상부로 이동시키고, 노즐(42)로부터 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 순수를 토출한다. 또, 이와 병행하여, 멀티플 밸브(20)에 대해 관로(22)로부터 순수를 공급함으로써, 공통 관로(29)로부터 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 순수를 공급한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(100)의 표리 양면이 순수에 의해 린스 처리된다.
다음에, 복합 노즐(41)을 스핀 척(11)에 의해 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 상부로 이동시키고, 복합 노즐(41)로부터 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 이소프로필알코올을 토출한다. 또, 이와 병행하여, 멀티플 밸브(20)에 대해 관로(23)로부터 섭씨 75도 정도까지 가열된 순수를 공급함으로써, 공통 관로(29)로부터 스핀 척(11)에 유지되어 회전하는 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 가열된 순수를 공급한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(100)의 표면이 휘발성이 높은 이소프로필알코올로 덮여짐과 더불어, 반도체 웨이퍼(100)가 섭씨 75도 정도까지 가열된 온수에 의해 승온된다.
다음에, 복합 노즐(41)로부터 반도체 웨이퍼(100)의 표면을 향해 질소 가스를 토출함과 더불어, 스핀 척(11)을 고속 회전시켜, 반도체 웨이퍼(100)를 털어내어 건조한다. 이때에는, 반도체 웨이퍼(100)의 표면은 휘발성이 높은 이소프로필알코올로 덮여 있고, 또, 반도체 웨이퍼(100) 자체가 가열된 순수의 작용으로 승온되어 있으므로, 반도체 웨이퍼(100)는 신속하게 건조된다. 또, 이 반도체 웨이퍼(100)의 건조 공정과 병행하여, 멀티플 밸브(20)와 공통 관로(29)를 냉각한다.
멀티플 밸브(20)에 대해서는, 처음에, 개폐 밸브(28)를 닫은 상태에서, 석백부(27)의 작용에 의해 멀티플 밸브(20)의 내부 공간을 흡인하고, 멀티플 밸브(20)의 내부 공간에 잔존하는 가열된 순수 등을 배출한다(도 3의 SB 공정). 다음에, 멀티플 밸브(20)에 대해 관로(22)로부터 상온의 순수를 공급함으로써, 멀티플 밸브(20)를 냉각한다(도 3의 DIW 공정). 그리고, 다시, 석백부(27)의 작용에 의해 멀티플 밸브(20)의 내부 공간을 흡인하고, 멀티플 밸브(20)의 내부 공간에 잔존하는 순수 등을 배출한다(도 3의 SB 공정). 이에 의해 멀티플 밸브(20)의 냉각이 완료된다.
한편, 이 멀티플 밸브 냉각 공정과 병행하여, 냉각수의 공급 배관(26)으로부터 공통 관로(29)를 둘러싸는 관형상 부재(31)의 내부에 상온의 순수를 공급한다. 관형상 부재(31)의 내부에 공급된 상온의 순수는, 공통 관로(29)의 냉각에 제공된 후, 관형상 부재(31)의 하단으로부터 유출된다. 이에 의해, 공통 관로(29)가 냉각된다.
이상의 공정에 의해, 한 장의 반도체 웨이퍼(100)에 대한 에칭 처리가 완료되면, 반도체 웨이퍼(100)를 반출한다. 그리고 계속해서, 다음의 반도체 웨이퍼(100)를 반입하고, 반도체 웨이퍼(100)의 표리 양면을 불산에 의해 에칭 처리한다. 이때에는, 멀티플 밸브(20) 및 공통 관로(29)는 상온의 순수에 의해 냉각되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(100)의 이면에 공급되는 불산이 승온되어 반도체 웨이퍼(100)가 불균일하게 처리되는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
도 4는, 일련의 에칭 처리를 행한 경우의 반도체 웨이퍼(100)의 온도 변화를 나타내는 그래프이다. 여기서, 도 4의 종축은 반도체 웨이퍼(100)의 온도를 나타내고, 횡축은 한 장의 반도체 웨이퍼(100)의 처리를 개시하고 나서의 시간을 나타낸다.
도 4에서 동그라미 표시로 나타낸 그래프는, 한 장째의 반도체 웨이퍼(100)를 처리했을 때의 반도체 웨이퍼(100)의 온도 변화를 나타내고 있다. 또, 사각 표시로 나타낸 그래프는, 상술한 멀티플 밸브(20)의 냉각 동작은 실행하지만, 공통 관로(29)의 냉각 동작은 실행하지 않는 경우의 반도체 웨이퍼(100)의 온도 변화를 나타내고 있다. 또한, 삼각 표시로 나타낸 그래프는, 상술한 멀티플 밸브(20)의 냉각 동작과 공통 관로(29)의 냉각 동작을 실행했을 때의 반도체 웨이퍼(100)의 온도 변화를 나타내고 있다.
이 도면에 나타낸 바와 같이, 멀티플 밸브(20)의 냉각 동작과 공통 관로(29)의 냉각 동작을 실행했을 때에는, 공통 관로(29)에 대한 축열에 의해 반도체 웨이퍼(100)의 온도 상승을 막을 수 있다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(100)를 연속적으로 처리하는 경우에 있어서도, 공통 관로(29)의 축열에 의해 반도체 웨이퍼(100)가 불균일하게 처리되는 것을 유효하게 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 상술한 실시형태에 대해서는, 공통 관로(29)를 냉각수로서의 상온의 순수에 의해 냉각하고 있다. 이것은, 장치를 청정하게 유지하기 위함이지만, 냉각수의 유통로를 완전하게 차단할 수 있으면, 수돗물 등을 냉각수로서 사용해도 된다. 또, 액체로 한정되지 않고, 공기 등의 유체에 의해 공통 관로(29)를 냉각하도록 해도 된다.
또, 상술한 실시형태에 있어서는, 처리액으로서의 불산을 이용하여 반도체 웨이퍼(100)를 에칭 처리하는 기판 처리 장치에 이 발명을 적용하고 있는데, 그 밖의 처리액을 사용한 기판 처리 장치에 이 발명을 적용해도 된다.
11: 스핀 척 12: 척 부재
20: 멀티플 밸브 26: 냉각수의 공급 관로
27: 석백부 28: 개폐 밸브
29: 공통 관로 31: 관형상 부재
32: 뚜껑 부재 33: 개구부
41: 복합 노즐 42: 노즐
43: 노즐 100: 반도체 웨이퍼

Claims (9)

  1. 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 처리액을 공급하는 표면 처리액 공급부와, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 이면에 있어서의 회전 중심 부근에 액체를 공급하기 위한 공통 관로와, 상기 공통 관로에 처리액을 공급하는 이면 처리액 공급부와, 상기 공통 관로에 온수를 공급하는 온수 공급부를 구비한 기판 처리 장치로서,
    상기 공통 관로의 외주부에 유체를 공급함으로써, 상기 공통 관로를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 유기 용매를 공급하는 유기 용매 공급부를 더 구비하고,
    상기 온수 공급부는, 상기 유기 용매 공급부가 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 유기 용매를 공급할 때에, 상기 공통 관로에 온수를 공급하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 유기 용매는 이소프로필알코올인, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    복수의 유입 유출구를 갖는 멀티플 밸브를 구비하고,
    상기 공통 관로는 상기 멀티플 밸브의 복수의 유입 유출구 중 하나에 연결됨과 더불어,
    상기 이면 처리액 공급부는 상기 멀티플 밸브의 복수의 유입 유출구 중 하나에 처리액을 공급하고, 상기 온수 공급부는 상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나에 온수를 공급하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 멀티플 밸브와 상기 공통 관로 사이에 설치된 개폐 밸브와,
    상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나에 상온의 순수를 공급하는 순수 공급부와,
    상기 멀티플 밸브의 유입 유출구 중 하나로부터 상기 멀티플 밸브의 내부 공간을 흡인하는 흡인부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각 기구는 상기 공통 관로의 외주부에 냉각수를 공급하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 냉각 기구는, 상기 공통 관로를 둘러싸는 관형상 부재를 구비하고, 상기 관형상 부재의 내부에 냉각수를 공급하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 스핀 척에 유지된 기판을 고속 회전시킴으로써 상기 기판을 건조할 때에, 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단을 구비함과 더불어,
    상기 냉각 기구는, 상기 불활성 가스 공급 수단이 상기 스핀 척에 유지되어 회전하는 기판의 표면에 불활성 가스를 공급하고 있는 동안에, 상기 공통 관로의 외주부에 냉각수를 공급하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액은 불산인, 기판 처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081566A (ko) * 2020-12-09 2022-06-16 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6338904B2 (ja) 2014-03-24 2018-06-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6803737B2 (ja) 2016-12-07 2020-12-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7013221B2 (ja) * 2017-12-11 2022-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10985028B1 (en) * 2019-10-18 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacturing
CN111785674B (zh) * 2020-07-15 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0167020U (ko) * 1987-10-23 1989-04-28
JPH0536663U (ja) * 1991-10-15 1993-05-18 三菱化成株式会社 フレキシブルデイスク用保護クリツプ
JP2003297788A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2004273838A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007227765A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置
JP2012156561A (ja) 2012-05-21 2012-08-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2013207267A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013243413A (ja) * 2013-09-09 2013-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298957A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Toshiba Corp 半導体基板の熱処理装置
JP2855295B2 (ja) * 1991-07-26 1999-02-10 東京エレクトロン株式会社 冷却水供給装置
JP2000334397A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Kokusai Electric Co Ltd 板状試料の流体処理装置及び板状試料の流体処理方法
US6645344B2 (en) * 2001-05-18 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Universal backplane assembly and methods
TW554069B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
CN100367473C (zh) * 2001-09-03 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 基片处理装置及基片处理方法
JP3849921B2 (ja) * 2001-09-26 2006-11-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
US6908512B2 (en) * 2002-09-20 2005-06-21 Blue29, Llc Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids
US7011715B2 (en) * 2003-04-03 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Rotational thermophoretic drying
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
JP4397299B2 (ja) * 2004-07-30 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20070058310A (ko) * 2005-12-02 2007-06-08 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법
JP4912916B2 (ja) * 2006-10-10 2012-04-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4895774B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8617318B2 (en) 2008-06-05 2013-12-31 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5249915B2 (ja) * 2009-01-22 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 薬液処理装置および薬液処理方法
US20120103371A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Lam Research Ag Method and apparatus for drying a semiconductor wafer
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5666419B2 (ja) * 2011-11-28 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP2013258188A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置
TWI576938B (zh) * 2012-08-17 2017-04-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6100487B2 (ja) 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6317547B2 (ja) * 2012-08-28 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US8663397B1 (en) * 2012-10-22 2014-03-04 Intermolecular, Inc. Processing and cleaning substrates
JP6338904B2 (ja) 2014-03-24 2018-06-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0167020U (ko) * 1987-10-23 1989-04-28
JPH0536663U (ja) * 1991-10-15 1993-05-18 三菱化成株式会社 フレキシブルデイスク用保護クリツプ
JP2003297788A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2004273838A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007227765A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置
JP2013207267A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012156561A (ja) 2012-05-21 2012-08-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2013243413A (ja) * 2013-09-09 2013-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220081566A (ko) * 2020-12-09 2022-06-16 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201537652A (zh) 2015-10-01
CN104952768A (zh) 2015-09-30
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US20150270145A1 (en) 2015-09-24
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TWI555111B (zh) 2016-10-21
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JP6338904B2 (ja) 2018-06-06
US20170372921A1 (en) 2017-12-28

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