TWI634608B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種能提升基板處理效率的及基板處理方法。
實施形態的基板處理裝置具備：退避室(31)、將退避室(31)設於其之間的一對處理室(21)、在退避室(31)內及一對處理室(21)內以移動可能的方式設置，並供給處理液至處理室(21)內的基板(W)上，且作為加熱該基板(W)上的處理液的處理部作用的加熱器(32)、在退避室(31)內及一對處理室(21)內之間作為使加熱器(32)移動的移動機構的加熱器移動機構(33)。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明的實施形態係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
基板處理裝置係對半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶用玻璃基板等各種基板進行各種表面處理(蝕刻處理或洗淨處理、沖洗處理、乾燥處理等)的裝置。該基板處理裝置從處理均一性或再現性的方面來看，大多利用將1枚基板分別在專用的處理室內進行處理的枚葉方式。此外，當處理對象的基板為專用盒，例如基板為半導體晶圓時，會收納於FOUP(前開式晶圓盒)。因此，設有專門從專用盒進行取出與收納基板的專用單元。作為該專用單元，例如，使用EFEM(FOUP開啟器及搬送機器人的組合)。
專用盒內的基板藉由專用單元的搬送機器人從專用盒取出，並搬送至處理室內，在處理室內進行處理。因為該處理會使用藥液，為了使處理室內空氣不要擴散至周圍，通常在處理室內會維持比周圍還低壓。作為處理，不只是 常溫的藥液處理，也有伴隨加熱的藥液處理等。此外，當結束處理的基板有需要進行別的處理時，該基板會被搬送至接下來的處理室進行處理。最終的基板會被洗淨及乾燥，藉由搬送機器人收納至原來的專用盒，之後，從基板處理裝置取出。
基板處理裝置因為其所用的專用盒或專用單元的寬度或高度等的大小為一定的規格，各處理室的大小有相同的傾向。因此，因應處理室個數，各處理室與搬送機器人的配置組合形態也有類似的傾向。當處理室有2個時，較多是連接直接處理室至EFEM的形態。此外，當處理室有4個時，在EFEM設置基板受渡台(緩衝台)，還更設置1台專門向處理室進行基板搬送的搬送機器人，較多是在該搬送機器人周邊配置處理室的形態。
此外，再增加處理室的情形時，使前述的更加一台的搬送機器人藉由直線移動機構來直線移動，較多是在該搬送機器人所移動的機器人移動路的兩側配置處理室的情形。不過，利用該構成時，因為從直線移動的搬送機器人的移動速度限制，或是，從設置基板處理裝置的清淨室的內移限制來看，處理室的數量僅有8個(在機器人移動路的兩側各有4個)左右。此外，為了增加處理室，可以追加將處理室重疊，並將基板搬送至各階層的搬送方式。也就是說，處理室不是配置成平面配置，可以是立體配置。
當利用相同處理液的處理在複數處理室個別進行時， 因各處理室的處理時間為相同，故採用搬送效率高的系統。另一方面，當利用相異處理液的處理在複數處理室依序進行處理時，需要在各處理室間搬送基板。此時，若各處理室的處理時間相異的話，在某個處理工程會發生基板搬送等待。通常，為了避免發生基板搬送等待，會調整程序使所有處理工程在同一處理時間結束。不過，因為在各處理室間需要搬送基板，因為該基板搬送處理的中斷，基板處理效率降低。在此，若能利用前述的相異處理液將複數處理在一個處理室內實施的話，就不需要在各處理室間的基板搬送。藉此，可以避免基板搬送所導致的處理中斷。
不過，即便利用前述相異處理液的複數處理在一個處理室內實施，因為處理液的種類所導致的處理環境差異等，故需要分開處理室。例如，在進行蝕刻處理的處理室中，藉由位於基板上方的加熱器單元，加熱供給至基板的藥液(例如磷酸液)，藉由高溫的藥液來蝕刻基板。在該處理室中，作為次工程，對基板進行加入沖洗藥液(例如APM：氨過氧化氫水)的沖洗處理。此時，處理環境中的藥液與沖洗藥液後，產生粒子，會有粒子附著於加熱器單元的情形發生。此外，因為在加熱器單元附著粒子，在基板處理中粒子會附著於基板，會有製品不良的情形發生。因此會有難以將該粒子除去，使加熱器單元的保養時間(例如加熱器洗淨時間)變長的傾向。為了避免此情形，雖然將各處理室分開有效，但因為必須在各處理室間進行 基板搬送，因此基板處理效率降低。
本發明所欲解決的問題為，提供一種使基板處理效率提升的基板處理裝置及基板處理方法。
實施形態的基板處理裝置具備：退避室、將退避室設於其之間的一對處理室、在退避室內及一對處理室內以移動可能的方式設置，並供給處理液至處理室內的基板上，且作為加熱該基板上的處理液的處理部作用的加熱器、在退避室內及一對處理室內之間作為使加熱器移動的移動機構的加熱器移動機構。
實施形態的基板處理方法，利用具備有：退避室、將退避室設於其之間的一對處理室、供給處理液至處理室內的基板上，且加熱該基板上的處理液的處理部之基板處理裝置，來處理處理室內的基板，其中該基板處理方法，係在退避室內及一對處理室內之間使處理部移動。
根據述實施形態的基板處理裝置或基板處理方法，能提升基板處理效率。
10‧‧‧基板處理裝置
21‧‧‧處理室
22‧‧‧旋轉維持機構
24‧‧‧第1噴頭
25‧‧‧第1噴頭移動機構
26‧‧‧第2噴頭
27‧‧‧第2噴頭移動機構
31‧‧‧退避室
32‧‧‧加熱器
32a‧‧‧噴嘴
33‧‧‧加熱器移動機構
34‧‧‧洗淨部
W‧‧‧基板
〔圖1〕表示有關第1實施形態的基板處理裝置的概略構成平面圖。
〔圖2〕表示有關第1實施形態的基板處理單元的概略構成斜視圖。
〔圖3〕表示有關第1實施形態的加熱器、加熱器移動機構、及洗淨部的概略構成剖面圖(圖1的3-3線剖面圖)。
〔圖4〕表示有關第1實施形態的基板處理裝置的比較例平面圖。
〔圖5〕表示有關第1實施形態的基板處理裝置與比較例的基板處理工程的流程之時序流程圖。
〔圖6〕表示有關第2實施形態的加熱器、加熱器移動機構、及洗淨部的概略構成剖面圖。
(第1實施形態)
有關第1實施形態參照圖1到圖5作說明。
(基本構成)
如圖1所示，有關第1實施形態的基板處理裝置10具備：複數開閉單元11、第1搬送機器人12、緩衝單元13、第2搬送機器人14、複數基板處理單元15、裝置附帶單元16。
各開閉單元11以並排成一列設置。該等開閉單元11係將作為搬送容器作用的專用盒(例如FOUP)的門作開閉。此為，當專用盒為FOUP時，開閉單元11稱為FOUP開啟器。
第1搬送機器人12以沿著並列各開閉單元11的第1 搬送方向移動的方式設於各開閉單元11列的旁邊。該第1搬送機器人12從藉由開閉單元11開啟門的專用盒裡將基板W取出。接著，第1搬送機器人12因應必要，將基板W在第1搬送方向上移動至緩衝單元13附近，在停止處旋轉並將基板W搬入緩衝單元13。此外，第1搬送機器人12從緩衝單元13將處理完的基板W取出，因應必要將基板W在第1搬送方向上移動至所期望的開閉單元11附近，在停止處旋轉並將處理完的基板W搬入所期望的專用盒中。此外，第1搬送機器人12也有不移動只旋轉，將基板W搬入緩衝單元13，或著將處理完的基板W搬入所期望的專用盒的情形。作為第1搬送機器人12，例如可以使用具有機械臂或機械手、移動機構等的機器人。
緩衝單元13位於第1搬送機器人12所移動的第1機器人移動路的中央附近，設置於該第1機器人移動路的一側，也就是與各開閉單元11相反側的一側。該緩衝單元13為在第1搬送機器人12與第2搬送機器人14之間作為進行基板W的持替的緩衝台(基板受渡台)作用。
第2搬送機器人14以從緩衝單元13附近向與前述第1搬送方向垂直的第2搬送方向(與第1搬送方向交叉的方向的一例)移動的方式設置。該第2搬送機器人14從緩衝單元13將基板W取出，因應必要將基板W沿著第2搬送方向移動至所希望的基板處理單元15附近，在停止處旋轉並將基板W搬入所期望的基板處理單元15。此 外，第2搬送機器人14從基板處理單元15將處理完的基板W取出，因應必要將基板W在第2搬送方向上移動至緩衝單元13附近，在停止處旋轉並將處理完的基板W搬入緩衝單元13。此外，第2搬送機器人14也有不移動只旋轉，將基板W搬入所期望的基板處理單元15，或著將處理完的基板W搬入緩衝單元13的情形。作為第2搬送機器人14，例如可以使用具有機械臂或機械手、移動機構等的機器人。
基板處理單元15位於第2搬送機器人14所移動的第2機器人移動路的兩側，例如分別設置2個。基板處理單元15具有：一對旋轉處理單元15a及15b、加熱處理單元15c。加熱處理單元15c設於一對旋轉處理單元15a及15b之間，在一對旋轉處理單元15a及15b作為共通的處理單元作用(詳細後述)。
裝置附帶單元16設於第2機器人移動路的一端，也就是與緩衝單元13相反側的那端。該裝置附帶單元16收納液供給單元16a、控制單元16b。液供給單元16a向一對旋轉處理單元15a及15b、及加熱處理單元15c供給各種處理液(例如，藥液或沖洗藥液、沖洗液等)或洗淨液。控制單元16b具備：將各部集中控制的微電腦、記憶有關基板處理的基板處理資訊或各種程式等的記憶部(圖都未示)。該控制單元16b係根據基板處理資訊或各種程式，控制各開閉單元11或第1搬送機器人12、第2搬送機器人14、各基板處理單元15等各部。
(基板處理單元)
接著，參照圖2及圖3說明有關前述基板處理單元15，也就是一對旋轉處理單元15a及15b、加熱處理單元15c。在圖2中，以能看到基板處理單元15的內部構造的方式表示。此外，旋轉處理單元15a及15b基本上具有相同構造，作為代表說明旋轉處理單元15a。
(旋轉處理單元)
如圖2所示，旋轉處理單元15a具有：處理室21、旋轉維持機構22、罩杯23、第1噴頭24、第1噴頭移動機構25、第2噴頭26、第2噴頭移動機構27、處理控制部28。旋轉維持機構22、罩杯23、第1噴頭24、第1噴頭移動機構25、第2噴頭26、第2噴頭移動機構27設於處理室21內。
處理室21例如形成為長方體形狀，具有：基板閘門21a、維護扉21b。基板閘門21a在處理室21的第2機器人移動路側的壁面以開閉可能的方式形成。維護扉21b在處理室21的與基板閘門21a相反側的壁面以開閉可能的方式形成。此外，在處理室21內，藉由向下流(垂直層流)保持清淨度，此外，也保持成比外部還低壓。
旋轉維持機構22使基板W的被處理面向著上方，並將基板W維持在水平狀態，將與基板W的被處理面略中央處垂直相交的軸(交於基板W的被處理面的軸的一 例)作為旋轉中心，使基板W在水平面內作旋轉。例如，旋轉維持機構22藉由複數支撐構件(圖未示)，將基板W在罩杯23內以水平狀態維持，藉由具有回轉軸或馬達等的旋轉機構(圖未示)，使該呈維持狀態的基板W旋轉。
罩杯23以包圍由旋轉維持機構22所維持的基板W之方式，從其周圍形成圓筒狀。罩杯23的上部開口將旋轉維持機構22上的基板W露出，該上部的周壁朝徑方向的內側傾斜。該罩杯23接收從旋轉的基板W飛散的處理液或流下的處理液(例如，藥液或沖洗藥液、沖洗液等)。此外，在罩杯23的底面形成有用以將接收的處理液排出的排出口(圖未示)。從排出口排出的處理液由回收部(圖未示)來回收。
第1噴頭24對旋轉維持機構22上的基板W的被處理面供給沖洗藥液(例如APM：氨過氧化氫水)。該第1噴頭24沿著旋轉維持機構22上的基板W的被處理面，藉由第1噴頭移動機構25以擺動可能的方式形成。此外，在第1噴頭24中，沖洗藥液從液供給單元16a通過配管(圖未示)供給。
第1噴頭移動機構25為沿著旋轉維持機構22上的基板W的被處理面，將第1噴頭24擺動的機構。該第1噴頭移動機構25具有可動臂25a、旋轉機構25b。可動臂25a以水平的狀態將第1噴頭24維持在前端。旋轉機構25b設於罩杯23的周圍，支持可動臂25a的末端，將該 末端作為旋轉中心使可動臂25a旋轉。可動臂25a的旋轉中心，也就是第1噴頭24的擺動中心在處理室21內，相對在處理室21的鄰接的退避室31(加熱處理單元15c)側的壁，夾持旋轉維持機構22設於相反側的壁側。更具體來說，第1噴頭24的擺動中心，設置在與處理室21鄰接的加熱處理單元15c側的壁相反側，且接近維護扉21b的位置。旋轉機構25b作為一例，藉由回轉軸或馬達等來構成。例如，第1噴頭移動機構25將第1噴頭24移動至面對旋轉維持機構22上的基板W的被處理面的中央附近的液供給位置、與從該液供給位置退避，並能夠進行基板W的搬入或搬出，及對基板W加熱處理的退避位置。
第2噴頭26對旋轉維持機構22上的基板W的被處理面供給沖洗液(例如純水)。該第2噴頭26沿著旋轉維持機構22上的基板W的被處理面，藉由第2噴頭移動機構27以擺動可能的方式形成。此外，在第2噴頭26中，沖洗液從液供給單元16a通過配管(圖未示)供給。
第2噴頭移動機構27為沿著旋轉維持機構22上的基板W的被處理面，將第2噴頭26搖動的機構。該第2噴頭移動機構27與第1噴頭移動機構25一樣，具有可動臂27a、旋轉機構27b。可動臂27a以水平的狀態將第2噴頭26維持在前端。旋轉機構27b設於罩杯23的周圍，支持可動臂27a的末端，將該末端作為旋轉中心使可動臂27a旋轉。可動臂27a的旋轉中心，也就是第2噴頭26的擺動中心在處理室21內，相對在處理室21鄰接的退避室 31(加熱處理單元15c)側的壁，夾持旋轉維持機構22設於相反側的壁側。更具體來說，第2噴頭26的擺動中心，設置在與處理室21鄰接的加熱處理單元15c側的壁的相反側，且接近基板閘門21a的位置。旋轉機構27b作為一例，藉由回轉軸或馬達等來構成。例如，第2噴頭移動機構27將第2噴頭26移動至面對旋轉維持機構22上的基板W的被處理面的中央附近的液供給位置、與從該液供給位置退避，並能夠進行基板W的搬入或搬出，及對基板W加熱器處理的退避位置。
處理控制部28電連接至旋轉維持機構22或第1噴頭24、第1噴頭移動機構25、第2噴頭26、第2噴頭移動機構27等。該處理控制部28因應控制單元16b的命令(在控制單元16b的控制下)，控制旋轉維持機構22所造成的基板W的維持或旋轉、第1噴頭24所造成的液供給、第1噴頭移動機構25所造成的噴頭移動、第2噴頭26所造成的液供給、第2噴頭移動機構27所造成的噴頭移動等。
(加熱處理單元)
加熱處理單元15c具有：退避室31、加熱器32、加熱器移動機構33、洗淨部34、洗淨控制部35。加熱器32、加熱器移動機構33、洗淨部34設於退避室31內。
退避室31例如形成為長方體，具有複數加熱閘門31a、維護扉31b。該退避室31將鄰接的處理室21藉由 壁來區隔。各加熱閘門31a在退避室31中對向的二個壁面，也就是在退避室31的二個處理室21側的壁面上個別地以開閉可能的方式形成。例如，加熱閘門31a在上下方向以滑動移動來開閉。維護扉31b在退避室31中的與第2機器人移動路相反側的壁面以開閉可能的方式形成。在退避室31以向下流(Down flow)保持清淨度。
加熱器32加熱由旋轉維持機構22所維持的基板W上的處理液(例如藥液)。在加熱器32中，與基板W的被處理面相對向的面，具有與在基板W中的被處理面的形狀相似的形狀，該對向面的大小較佳為全面覆蓋前述被處理面的大小。例如基板為圓形晶圓時，將在加熱器32與基板W的對向面設為比圓形晶圓的直徑還大的圓形較佳。接著，在加熱器32的與基板W的對向面設為水平面。該加熱器32具有噴嘴32a。該噴嘴32a形成於加熱器32的下面的中央位置，對旋轉維持機構22上的基板W的被處理面供給處理液(例如藥液)。
加熱器移動機構33支持加熱器32，為將加熱器32在擺動方向F1、上下方向(昇降方向)F2及左右方向(橫方向)F3移動的機構。該加熱器移動機構33具有加熱臂33a、臂移動機構33b。加熱器移動機構33係在退避室31內及一對處理室21內之間，也就是在退避室31內及一對處理室21內的範圍，作為移動加熱器32的移動機構(作為一例為擺動機構)作用。
加熱臂33a在前端側的下面維持加熱器32。該加熱 臂33a藉由臂移動機構33b以在水平狀態移動可能的方式形成。此外，加熱臂33a具有液供給流路33a1。液供給流路33a1的一端連接至噴嘴32a，其另一端通過配管(圖未示)連接至液供給單元16a。在噴嘴32a中，例如，高溫藥液(例如磷酸液)從液供給單元16a通過液供給流路33a1及配管供給。藉此，高溫藥液從噴嘴32a吐出，供給至基板W的被處理面上。供給至基板W的被處理面上的高溫藥液，藉由加熱器32的加熱以維持高溫的狀態，進行蝕刻處理。加熱器32對處理室21內的基板W上供給處理液，而且，作為加熱該基板W上的處理液的處理部作用。
臂移動機構33b支持加熱臂33a的末端，為將加熱臂33a在擺動方向F1、上下方向F2及左右方向F3移動的機構。該臂移動機構33b作為一例，藉由旋轉機構或上下移動機構、左右移動機構等組合構成。例如，臂移動機構33b在加熱閘門31a打開的狀態下，將加熱臂33a在擺動方向F1移動，並將加熱器32移動至旋轉維持機構22上的基板W的與被處理面相對向的對向位置(加熱處理位置)，與從該加熱處理位置退避至位於退避室31內的退避位置。此外，加熱器32藉由臂移動機構33b造成的加熱臂33a擺動，將臂移動機構33b的軸作為旋轉軸，在該旋轉軸的周圍旋轉。
在這裡，如本實施形態，在加熱臂33a的前端側維持加熱器32，藉由加熱臂33a的旋轉讓加熱器32擺動的型 態中，如圖1、圖3所示，設於加熱器32中央的噴嘴32a與加熱器32的擺動中心(也有加熱臂33a的旋轉中心，即臂移動機構33的旋轉軸中心)的距離為r1，而加熱器32的擺動中心與分別具備1對旋轉處理單元15a、15b的旋轉維持機構22的旋轉中心的距離分別為r2、r3時，以r1=r2=r3成立的前提構成臂移動機構33較佳。
洗淨部34設於存在於退避位置的加熱器32下方。洗淨部34朝向存在於退避位置的加熱器32下面吐出洗淨液(例如純水)，將附著於加熱器32下面的藥液等的處理液藉由洗淨液來洗淨。該洗淨部34如圖3所示，具有：受液部34a、散佈部34b。
受液部34a形成上部開口的箱形狀。受液部34a的開口具有與加熱器32的下面，也就是被洗淨面的形狀具有相似的形狀，並將被洗淨面全部覆的大小較佳。當加熱器32的下面為圓形時，受液部34a的平面形狀為圓形，其直徑比加熱器32的直徑還大。受液部34a接收從存在於退避位置的加熱器32所落下的洗淨液或因散佈而飛散的洗淨液等。在受液部34a的底部，形成液供給流路41。該液供給流路41通過配管(圖未示)連接至液供給單元16a。此外，在受液部34a的底部角落，形成排液口42。該從排液口排出的洗淨液由回收部(圖未示)來回收。
散佈部34b避開排液口42設於受液部34a的底面。在該散佈部34b形成複數噴嘴43。該等噴嘴43在平面內並排成行列狀，與液供給流路41連繫。此外，各噴嘴43 也可以配置成圓形狀。在噴嘴43中，洗淨液(例如純水)從液供給單元16a通過液供給流路41及配管(圖未示)供給。該散佈部34b將從液供給單元16a供給的洗淨液從各噴嘴43向上方吐出。此外，在從噴嘴43吐出洗淨液的前階段，加熱器32藉由加熱器移動機構33下降，在相對散佈部34b的離間距離(間隙)的預定值洗淨位置停止。因此，與間隙比預定值還大的情形相比，能夠將洗淨效率提高。
此外，由於加熱洗淨後會進行退避室31內的處理環境氣體的排氣，在退避室31連接與鄰接的處理室21的排氣系統不同的另一個排氣系統(都未圖示)。藉由該排氣系統，在加熱洗淨後，能夠將因加熱洗淨所產生的退避室31內的處理環境中的氣體排氣。
回到圖2，洗淨控制部35電連接至加熱器32或加熱器移動機構33、洗淨部34等。該洗淨控制部35因應控制單元16b的命令(在控制單元16b的控制下)，控制加熱器32的驅動或加熱溫度、加熱器移動機構33所造成的加熱器移動，洗淨部34所造成的加熱洗淨等。
(基板處理動作)
接著，說明有關該基板處理裝置10的基板處理動作。在說明的關係上，將旋轉處理單元15a的處理室21作為第1處理室21，將旋轉處理單元15b的處理室21作為第2處理室21來說明。
首先，藉由第1搬送機器人12從開閉單元11內的專用盒將基板W取出。此時，專用盒的門開啟。第1搬送機器人12因應必要，沿著第1機器人移動路移動，在停止處旋轉並將基板W搬入緩衝單元13。或著，第1搬送機器人12不移動只旋轉，將基板W搬入緩衝單元13。之後，緩衝單元13內的基板W藉由第2搬送機器人14取出。第2搬送機器人14因應必要，沿著第2機器人移動路移動至所期望的旋轉處理單元15a的第1處理室21附近，在停止處旋轉並將基板W搬入所期望的第1處理室21。或著，第2搬送機器人14不移動只旋轉，將基板W搬入所期望的第1處理室21。此時，第1處理室21的基板閘門21a開啟。
搬入第1處理室21的基板W藉由旋轉維持機構22來維持。之後，第2搬送機器人14從第1處理室21退避，基板閘門21a關閉，在退避室31的第1處理室21側的加熱閘門31a開啟。退避室31內的加熱器32藉由加熱器移動機構33在擺動方向F1移動，與加熱臂33a一同侵入第1處理室21內，停止於對向於旋轉維持機構22上的基板W的被處理面處。接著，加熱器32藉由加熱器移動機構33下降，停止於相對於旋轉維持機構22上的基板W的被處理面的離間距離為預定值(例如1mm左右)的位置。在該狀態下，基板W以比旋轉維持機構22還低速(例如，500rpm以下)的速度旋轉，從加熱器32的噴嘴32a噴出的高溫藥液(例如磷酸液)，以預先設定的時 間，對基板W的被處理面吐出，進行蝕刻處理。此外，在處理前預先驅動加熱器32，也就是說，在進行蝕刻處理的前階段，即從位於退避室31時開始呈加熱狀態，加熱溫度維持在預定溫度(例如100度以上)。
從噴嘴32a吐出的高溫藥液，被供給至加熱器32下面與基板W的被處理面之間，藉由基板W旋轉的離心力，向基板W的外周擴散。藉此，加熱器32下面與基板W的被處理面之間藉由藥液呈充滿狀態。此時，加熱器32與旋轉中的基板W的被處理面上的藥液接觸，直接將藥液加熱。此外，加熱器32雖然與基板W的被處理面上的藥液並直接加熱藥液，但不只於此，也與基板W的被處理面以非接觸的方式加熱，間接將藥液加熱。不過，若可以將基板W的被處理面上的藥液加熱的話，不同時作直接加熱及間接加熱，而僅用其中一種來加熱也可以。
蝕刻處理結束後，加熱器32藉由加熱器移動機構33上昇，從基板W的被處理面向上方退避。接著，加熱器32藉由加熱器移動機構33在擺動方向F1移動，與加熱臂33a一同回到退避室31內，並面對洗淨部34停止。加熱器32在洗淨部34的上方停止後，第1處理室21側的加熱閘門31a關閉。此外，加熱器32藉由加熱器移動機構33下降，停止於相對受液部34a內的散佈部34b的離間距離為預定值的位置。在該狀態下，洗淨液從散佈部34b向上方以預先設定的時間噴射，藉由洗淨液洗淨加熱器32下面。從加熱器32下面落下的洗淨液或藉由噴射所 擴散的洗淨液被受液部34a所接收，從排液口42排出，並由回收部回收。加熱器32的洗淨結束後，加熱器32藉由加熱器移動機構33上昇，止於待機位置。加熱器32的加熱溫度維持於前述預定溫度。因此，因為洗淨後的加熱器32馬上作乾燥，加熱器32可迅速地在接下來的處理中作使用。
此外，對1枚基板W結束蝕刻處理後，並不一定要洗淨加熱器32下面。例如，到對預先設定的枚數的基板W結束蝕刻處理為止，不進行加熱器32的洗淨，連續進行蝕刻處理，也可以在對預先設定的枚數的基板W結束蝕刻處理的階段，進行加熱器32的洗淨。
另一方面，第2搬送機器人14在到退避室31裡的加熱器32洗淨結束為止，將未處理的基板W搬送至旋轉處理單元15b的第2處理室21。在該搬送時，第2處理室21的基板閘門21a開啟，基板W藉由旋轉維持機構22來維持。第2搬送機器人14在搬送結束後從第2處理室21退避，基板閘門21a關閉。在前述加熱器32的洗淨結束後，在退避室31的第2處理室21側的加熱閘門31a開啟。退避室31內的加熱器32藉由加熱器移動機構33在擺動方向F1移動，與加熱臂33a一同侵入第2處理室21內，停止於對向於旋轉維持機構22上的基板W的被處理面處。接著，加熱器32藉由加熱器移動機構33下降，停止於相對於旋轉維持機構22上的基板W的被處理面的離間距離為預定值的位置。在該狀態下，基板W以比旋轉 維持機構22還低速(例如，500rpm以下)的速度旋轉，從加熱器32的噴嘴32a噴出的高溫藥液(例如磷酸液)，以預先設定的時間，對基板W的被處理面吐出，進行蝕刻處理。此外，加熱器32的加熱溫度維持於前述預定溫度。
在第1處理室21中，前述蝕刻處理結束後，一致於前述加熱器32的退避，第1噴頭24藉由第1噴頭移動機構25移動至基板W上方的液供給位置，從第1噴頭24以預定的時間吐出沖洗藥液(例如APM)(第1沖洗處理)。此時，維持基板W的旋轉。此外，在第1沖洗處理中，第1噴頭24也可以藉由第1噴頭移動機構25來擺動。
在第1處理室21中，第1沖洗處理結束後，第1噴頭24藉由第1噴頭移動機構25從基板W上方退避，第2噴頭26藉由第2噴頭移動機構27移動至基板W上方的液供給位置。在該狀態下，從第2噴頭26以預先設定的時間吐出沖洗液(例如純水)(第2沖洗處理)。此時，維持基板W的旋轉。此外，在第2沖洗處理中，第2噴頭26也可以藉由第2噴頭移動機構27擺動。
在第1處理室21中，第2沖洗處理結束後，第2噴頭26藉由第2噴頭移動機構27從基板W上方退避。之後，基板W藉由旋轉維持機構22以預先設定的時間作高速旋轉，沖洗液從基板W因旋轉的離心力而飛散，將基板W乾燥。基板W乾燥處理結束後，基板W的旋轉停 止。第1處理室21的基板閘門21a開啟，處理完的基板W藉由第2搬送機器人14取出。第2搬送機器人14因應必要沿著第2機器人移動路移動，在停止處旋轉並將處理完的基板W搬入緩衝單元13。或著，第2搬送機器人14不移動只旋轉，將處理完的基板W搬入緩衝單元13。之後，緩衝單元13內的基板W藉由第1搬送機器人12取出。第1搬送機器人12因應必要沿著第1機器人移動路移動，在停止處旋轉並將處理完的基板W搬入所期望的專用盒。或著，第1搬送機器人12不移動只旋轉，將處理完的基板W搬入所期望的專用盒。此時，專用盒的門開啟。
此外，在第2處理室21也一樣，蝕刻處理(例如磷酸處理)結束後，與第1處理室21同樣進行第1沖洗處理(例如APM處理)。該第1沖洗處理結束後，與第1處理室21同樣進行第2沖洗處理(例如純水處理)。第2沖洗處理結束後，與第1處理室21同樣進行乾燥處理及基板搬送處理。此外，在上述實施形態中，因應必要，也可以在利用磷酸液的基板W蝕刻前利用氟酸液將基板W洗淨，或在利用磷酸液進行處理與利用APM處理之間進行例如利用純水的洗淨處理。
在這種基板處理動作中，因為加熱器32在第1處理室21及第2處理室21交互移動，利用加熱器32的蝕刻處理(藥液處理)在第1處理室21及第2處理室21中交互進行。例如，在第1處理室21中，利用加熱器32進行 蝕刻處理時，在第2處理室21，進行第1噴頭24所作的第1沖洗處理、第2噴頭26所作的第2沖洗處理、基板W的旋轉乾燥處理等。相反地，在第1處理室21中，進行第1噴頭24所作的第1沖洗處理、第2噴頭26所作的第2沖洗處理、基板W的旋轉乾燥處理等的時候，第2處理室21利用加熱器32進行蝕刻處理。
因此，每一個處理室21也都可以不移動基板W，而連續進行從藥液處理到乾燥處理為止的處理。藉此，與利用不同處理液的複數處理在二個處理室依序進行的情形相比，不需要兩個處理室之間的基板搬送，可以省略基板搬送時間。此外，在二個處理室連續進行不同的處理時，為了防止溶液滲入(例如水印)，需要將基板W在濕濡的狀態下搬送，不可能進行高速搬送。因此，不只是搬送機器人所作的基板W移載次數增加，因為低速搬送故基板搬送時間也變長。前述基板處理動作中，因為可以省略該基板搬送時間，能夠大幅地提升基板處理效率。此外，加熱器32也在一對處理室21中作為共通的處理單元作用。藉由，與在各個處理室21分別設置加熱器32及加熱器移動機構33的情形相比，能實現裝置的構成簡略化及低成本化。
(基板處理工程)
接著，說明有關前述基板處理裝置10所進行的基板處理工程。此外，在說明前述基板處理裝置10的基板處 理工程之前，參照圖4說明有關作為比較例的基板處理裝置100，之後，參照圖5說明有關比較例的基板處理裝置100與前述基板處理裝置10的基板處理工程。
(比較例的基本構成)
如圖4所示，比較例的基板處理裝置100具有：複數磷酸處理室101、複數APM處理室102，來代替有關前述基板處理裝置10的複數基板處理單元15。此外，在這裡，說明有關與前述基板處理裝置10的相異點(各磷酸處理室101及各APM處理室102)，並省略其他說明。
各磷酸處理室101為使用磷酸的處理室，沿著第2機器人移動路並排成一列。該等磷酸處理室101具有：基板閘門101a、旋轉維持機構101b、罩杯101c、加熱器101d、加熱臂101e、臂昇降機構101f。此外，加熱器101d在基板的搬入或搬出時，與加熱臂101e一同藉由臂昇降機構101f，例如，移動至旋轉維持機構101b上方的退避位置作退避。
此外，基本上，基板閘門101a與前述基板閘門21a一樣，旋轉維持機構101b也與前述旋轉維持機構22一樣，罩杯101c也與前述罩杯23一樣。此外，加熱器101d也與前述加熱器32一樣，加熱臂101e也與前述加熱臂33a一樣。
各APM處理室102為使用APM的處理室，其面對並列成一列的各磷酸處理室101將第2機器人移動路夾在中 間，沿著第2機器人移動路設置成一列。該等APM處理室102具有：基板閘門102a、旋轉維持機構102b、罩杯102c、第1噴頭102d、第1噴頭移動機構102e、第2噴頭102f、第2噴頭移動機構102g。
此外，基本上，基板閘門102a與前述基板閘門21a一樣，旋轉維持機構102b也與前述旋轉維持機構22一樣，罩杯102c也與前述罩杯23一樣。此外，第1噴頭102d也與前述第1噴頭24一樣，第1噴頭移動機構102e也與前述第1噴頭移動機構25一樣，第2噴頭102f也與前述第2噴頭26一樣，第2噴頭移動機構102g也與前述第2噴頭移動機構27一樣。
在這裡，具有加熱器101d的磷酸處理室101與APM處理室102係隨著處理液種類而被分開，連續進行相異處理的二個處理室。為了提升基板搬送效率，將從磷酸處理室101向APM處理室102的基板搬送，不進行將第2搬送機器人14在水平方向的移動，而僅進行第2搬送機器人14的旋轉動作。因此，在中間隔著第2機器人移動路而相對向的磷酸處理室101及APM處理室102之間，進行基板搬送。緩衝單元13內的未處理基板W藉由第2搬送機器人14以緩衝單元13→磷酸處理室101→APM處理室102→緩衝單元13的順序作搬送。此時，因為需要進行磷酸處理室101及APM處理室102之間的基板搬送，基板搬送造成了處理中斷，降低了基板處理效率。
(基板處理工程的比較)
在圖5中，經過時間為橫軸，在圖5中的上圖表示比較例的基板處理裝置100的基板處理工程(處理順序及處理時間)，在圖5中的下圖表示前述基板處理裝置10的基板處理工程(處理順序及處理時間)。此外，藉由比較圖5中的上圖及下圖，能比較比較例的基板處理裝置100與前述基板處理裝置10兩者的處理能力。為了方便說明，將前述基板處理裝置10的處理室21作為磷酸+APM處理室21。
如圖5所示，在比較例中，磷酸處理室101反覆進行前處理工程A1、磷酸液供給工程A2、基板及加熱洗淨工程A3、基板交換工程A4的一連串處理工程。此外，APM處理室102在基板交換後，重覆進行沖洗液供給工程B1、APM供給工程B2、沖洗液供給工程B3、旋轉乾燥工程B4、基板交換工程B5的一連串處理工程。在這裡，前處理工程A1、磷酸液供給工程A2、基板及加熱洗淨工程A3的處理工程為磷酸處理。此外，沖洗液供給工程B1、APM供給工程B2、沖洗液供給工程B3、旋轉乾燥工程B4的處理工程為APM處理。在這種比較例中，從磷酸處理室101向APM處理室102搬送基板W(例如半導體晶圓)，磷酸處理與APM處理的這兩個處理在不同的處理室連續進行。
在磷酸處理室101中，處理前預先驅動加熱器101d，也就是說，從進行蝕刻處理的前階段時開始呈加熱 狀態，加熱溫度成為預定溫度。首先，在前處理工程A1中，從圖未示的加熱器101d的噴嘴或處理液噴嘴向基板W的被處理面上供給氫氟酸液，基板W藉由氫氟酸液來洗淨。此外，在磷酸液供給工程A2中，從加熱器101d的噴嘴供給高溫磷酸液至基板W的被處理面上，基板W藉由高溫的磷酸液來處理。在基板及加熱洗淨工程A3中，磷酸處理結束後，將處理所使用的加熱器101d與基板W一同洗淨，等待下一個基板W的搬入。該洗淨中，代替磷酸液將沖洗液(例如純水)從加熱器101d的噴嘴供給至加熱器101d與基板W之間，將加熱器101d及基板W洗淨。在基板交換工程A4中，結束利用磷酸液進行處理的基板W與未經磷酸處理的基板W交換，處理完的基板W被搬送至下個工程的APM處理室102。在該搬送時，基板W呈濕濡的狀態被搬送。也就是說，作為搬送準備，基板W呈盛著沖洗液的狀態使在搬送中被處理面也維持濕濡的狀態。
在APM處理室102中，於沖洗液供給工程B1，APM供給工程B2之前，從第2噴頭102f對基板W的被處理面上供給沖洗液(例如純水)。這裡因為要在從磷酸處理室101向APM處理室102搬送基板W的途中，將基板W上的沖洗液所附著的粒子或基板W所附著的粒子在APM處理之前除去。在APM供給工程B2中，從第1噴頭102d將APM供給至基板W的被處理面上，基板W藉由APM進行處理。在沖洗液供給工程B3中，從第2噴頭 102f供給沖洗液(例如純水)至APM處理完的基板W的被處理面上，APM處理完的基板W藉由沖洗液洗淨。在旋轉乾燥工程B4，洗淨完的基板W藉由旋轉乾燥來乾燥。在基板交換工程B5中，乾燥完的基板W與APM未處理的基板W交換，並被搬送至緩衝單元13。
另一方面，在磷酸+APM處理室21中，進行前處理工程A1、磷酸液供給工程A2、基板洗淨工程C1、APM供給工程B2、沖洗液供給工程B3、旋轉乾燥工程B4、基板交換工程B5。在退避室31進行加熱洗淨工程C2。此外，前處理工程A1、磷酸液供給工程A2、APM供給工程B2、沖洗液供給工程B3、基板交換工程B5與比較例為相同的處理。
在磷酸+APM處理室21中，前處理工程A1及磷酸液供給工程A2結束後，在基板洗淨工程C1中，從第2噴頭26供給沖洗液(例如純水)至基板W的被處理面上，將基板W的被處理面洗淨。基板洗淨工程C1結束後，在APM供給工程B2中，與前述一樣，從第1噴頭24將APM供給至基板W的被處理面上，基板W藉由APM進行處理。在沖洗液供給工程B3中，從第2噴頭26供給沖洗液(例如純水)至APM處理完的基板W的被處理面上，APM處理完的基板W藉由沖洗液洗淨。之後，進行旋轉乾燥工程B4及基板交換工程B5。
在退避室31中，磷酸液供給工程A2結束後，加熱洗淨工程C2中，加熱器32藉由洗淨部34來洗淨。該加熱 器32在夾持退避室31的二個處理室21之間移動，但在二個處理室21的任一個，在磷酸液供給工程A2的加熱處理中，不使用加熱器32的期間，在退避室31內的退避位置(中間位置)藉由洗淨部34來洗淨。在該例中，考慮在二個處理室21進行APM處理的時候。
在這種前述基板處理裝置10中，磷酸處理與APM處理的二個處理可以在相同的磷酸+APM處理室21中實施。也就是說，可以將成為比較例這種分開二個處理室(磷酸處理室101及APM處理室102)的原因的2個處理(磷酸處理及APM處理)在磷酸+APM處理室21中連續進行。藉此，不需要兩個處理室之間的基板搬送，省略了基板搬送時間，可以提升基板處理效率。
此外，如比較例在二個處理室間搬送基板W時，在基板W的搬送中若被處理面露出的話，露出的部分會因粒子附著產生製品不良。因此，雖說基板W的被處理面呈盛著洗淨液的狀態被搬送，但盛著的洗淨液會有因為例如搬送機器人等的振動，從基板W的被處理面滲出，而無法維持盛液的狀態。不過，如本實施形態，不必在處理室間搬送，因為不需要盛液，能夠防止在基板處理的途中(搬送中)引起製品不良。
再來，在比較例中，基板及加熱洗淨工程A3結束後，進行基板交換工程A4及沖洗液供給工程B1後，開始APM供給工程B2。另一方面，在磷酸+APM處理室21中，基板洗淨工程C1結束後，可以馬上開始APM供 給工程B2，與比較例相比，能大幅地縮短處理時間。此外，在比較例的基板處理裝置100中，雖然存在四個磷酸處理室101及APM處理室102組，但前述基板處理裝置10存在八個磷酸+APM處理室21。因為可以增加這種進行一連串處理的處理室21，能夠大幅地提升基板處理效率。
此外，在退避室31內加熱器32藉由洗淨部34來洗淨。此時，因為加熱器32不存在於磷酸+APM處理室21內，在磷酸+APM處理室21中，在基板洗淨工程C1可以僅洗淨基板W，能省略了在比較例的基板及在加熱洗淨工程A3的加熱洗淨時間。因此，與比較例相比，能夠縮短在磷酸+APM處理室21中的處理時間，可以更加提升基板處理效率。再來，在磷酸+APM處理室21的處理中(處理並行)，可以藉由洗淨部34來洗淨加熱器32。
此外，藉由使加熱器32及噴嘴32a退避到磷酸+APM處理室21外的退避室31內，在APM處理前因磷酸+APM處理室21的向下流，能排除存在於磷酸+APM處理室21內的磷酸氣體。藉此，因為在進行APM處時，在磷酸+APM處理室21內能防止磷酸氧體與APM混合，可以抑制由磷酸與APM反應而成的粒子產生於磷酸+APM處理室21內。
此外，在圖5中，作為一例，磷酸處理時間與APM處理時間相同，但不以此為限，具有多少的差異也可以。不過，在比較例中，在磷酸處理室101的磷酸處理時間與 在APM處理室102的APM處理時間不同時，因為處理時間的差異會產生基板搬送的等待時間，降低了基板處理效率。
如以上所說明的，根據第1實施形態，加熱器32係在一對處理室21內及退避室31內之間以移動可能的方式設置，藉由加熱器移動機構33在一對處理室21內及退避室31內之間移動。例如，將相異的二個處理(例如磷酸處理及APM處理)在一個處理室21進行時，在第1處理(例如磷酸處理)中加熱器32存在於處理室21內，接著在第2處理(例如APM處理)中加熱器32從處理室21內退避。藉此，即便第1處理及第2處理所引起的在處理室21內產生粒子，在第2處理時加熱器32也存在於退避室31內。因此，可以抑制在處理室21內所產生的粒子附著於退避室31內的加熱器32，能夠將用相異處理液的二個處理在一個處理室21中進行。藉此，可以省下各處理室之間的基板搬送，可以提升基板處理效率。
此外，因為加熱器32在一對處理室21裡作為共通的處理單元作用，與在各個處理室21分別設置加熱器32及加熱器移動機構33的情形相比，能夠實現裝置構成的簡略化及低成本化。再來，因為抑止了在加熱器32的粒子附著，藉由加熱器32處理基板W時，能夠抑制附著於加熱器32的粒子附著於基板W，防止基板W發生製品不良。
(第2實施形態)
有關第2實施形態參照圖6作說明。此外，在第2實施形態中僅說明與第1實施形態的相異點(洗淨部)，省略其他說明。
如圖6所示，有關第2實施形態的洗淨部34，除了受液部34a及散佈部34b以外，還有：刷子34c、刷子旋轉機構34d。
刷子34c例如為滾刷，在受液部34a內沿著該半徑方向呈水平狀態設置。該刷子34c以其延伸方向的軸作為回轉軸，以旋轉可能的方式安裝於刷子旋轉機構34d。刷子34c的長度在存在於退避位置的加熱器32的下面的半徑長以上。
刷子旋轉機構34d具有：旋轉部51、旋轉機構52。旋轉部51支持刷子34c的一端，藉由馬達等的驅動源(圖未示)，將刷子34c沿著其軸旋轉。旋轉機構52將旋轉部51支持，使旋轉部51在水平面內旋轉。該旋轉機構52將其受液部34a的底部貫通，設於該底部的略中央。旋轉機構52例如，藉由回轉軸或馬達等來構成。旋轉部51藉由旋轉機構52在水平面內旋轉，藉由旋轉部51所支持的刷子34c也在水平面內旋轉。
各噴嘴43避開刷子旋轉機構34d配置於受液部34a的底面。該等噴嘴43以朝著存在於退避位置的加熱器32下面的中央附近，將洗淨液吐出的方式形成。例如，噴嘴43形成為圓柱狀，該噴嘴43朝著存在於退避位置的加熱 器32下面的中央區域，以傾斜的方式形成。
在這種洗淨部34中，加熱器32藉由加熱器移動機構33下降，停止於接觸受液部34a內的刷子34c的位置。在該狀態下，洗淨液從散佈部34b向上方噴射，藉由洗淨液呈濕濡狀態的刷子34c繞著其軸開始旋轉。持續洗淨液的噴射，旋轉部51藉由旋轉機構52開始旋轉，藉由洗淨液而呈濕濡狀態的刷子34c，在繞軸旋轉的同時，藉由旋轉部51的旋轉對加熱器32的下面在周方向上相對移動，磨擦加熱器32的下面並洗淨。利用這種方式，加熱器32的下面全域由刷子34c及洗淨液來洗淨。從加熱器32下面落下的洗淨液或藉由刷子所擴散的洗淨液被受液部34a接收，從排液口42排出，並由回收部回收。
如以上的說明，根據第2實施形態，可以得到與第1實施形態一樣的效果。再來，洗淨部34的刷子34c藉由洗淨液呈濕濡狀態直接接觸加熱器32，將加熱器32磨擦洗淨。藉此，因為洗淨部34的加熱器洗淨能力增加，可以縮短加熱器洗淨時間，可以更加提升基板處理效率。
(其他的實施形態)
在前述各實施形態中，作為處理部雖例示了加熱器32，但並不以此為限，例如，也可以使用燈管或IH(感應加熱)加熱器等的加熱器。再來，燈管的形奬也可以採用直管形或圓形、球形等各種形狀。此外，燈管或IH加熱器都是利用電磁波(光也是電磁波)加熱基板W或處 理液(例如藥液)的加熱器。
此外，在前述各實施形態中，作為洗淨加熱器面的洗淨機能雖例示了圖3或圖6的洗淨方式的洗淨部34，但並不以此為限，將洗淨液(例如高溫純水)聚積於受液部34a，將加熱器面浸漬於洗淨液的方式也一樣有效。此外，將加熱器32、加熱器移動機構33及洗淨部34的各部作為一體，增加能夠從退避室31引出至與第2機器人移動路相反側的引出機構也可以。在該情形中，前述各部藉由引出機構來從退避室31引出，因為加熱器32的周面露出，加熱器32的保養作業能容易進行。
此外，前述各實施形態中，加熱臂33a的長度為一定，但不以此為限，例如，也可以設置改變加熱臂33a的長度的機構(例如使加熱臂33a伸縮的伸縮機構)。藉由改變加熱臂33a的長度，即使增加3個或4個處理室21，也能使該等處理室21對應1個加熱器32。
此外，在前述各實施形態中，雖說明了處理工程的一例，但並不以此為限，也可以在各種處理工程中適用有關於前述各實施形態的基板處理裝置10。在一個處理室21中，相對於有必要切換處理環境或溫度等的連續處理，能提升基板處理效率。
以上，雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該等實施形態僅作為例示，並沒有要限定本發明的範圍。該等新穎的實施形態，也可以利用於其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨的範圍內，可以進行各種省略、置換、變 更。該等實施形態及其變形，在包含於發明的範圍及要旨中的同時，也包含申請專利範圍中所記載之發明的均等範圍。

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，具備：退避室、將前述退避室設於其之間的一對處理室、在前述退避室內及前述一對處理室內之間以移動可能的方式設置，並供給處理液至前述處理室內的基板上，且加熱該基板上的處理液的處理部、在前述退避室內及前述一對處理室內之間使前述處理部移動的移動機構。
  2. 如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述移動機構係在前述退避室內及前述一對處理室內之間，使前述處理部擺動的擺動機構。
  3. 如請求項1所記載的基板處理裝置，其中，前述移動機構係在前述一對處理室交互地使前述處理部移動。
  4. 如請求項1所記載的基板處理裝置，更具備：設於前述退避室內，並洗淨前述處理部的洗淨部。
  5. 如請求項1至4中任1項所記載的基板處理裝置，其中，前述處理部係接觸前述基板上的處理液，並加熱前述基板上的處理液的加熱器；前述加熱器具有對前述基板供給前述處理液的噴嘴。
  6. 如請求項5所記載的基板處理裝置，其中，在前述加熱器的與前述基板的被處理面相向的面，係與在前述基板的前述被處理面的形狀為相似形狀，且具有全面覆蓋前述被處理面的大小；前述噴嘴係設於前述相向的面的中央。
  7. 如請求項2所記載的基板處理裝置，其中，前述處理部係接觸前述基板上的處理液，並加熱前述基板上的處理液的加熱器；前述加熱器具有對前述基板供給前述處理液的噴嘴；前述一對處理室，分別設有維持前述基板並使之旋轉的旋轉維持機構；當前述噴嘴與前述加熱器的擺動中心的距離為r1，而前述加熱器的擺動中心與前述一對處理室所分別具備的前述旋轉維持機構的旋轉中心的距離分別為r2、r3時，滿足r1=r2=r3。
  8. 如請求項2所記載的基板處理裝置，其中，前述處理室設有：維持前述基板並使之旋轉的旋轉維持機構、供給處理液至被該旋轉維持機構所維持的前述基板的噴頭、將該噴頭沿著前述基板的被處理面擺動的噴頭移動機構；前述噴頭的擺動中心在前述處理室內，係相對在前述處理室鄰接的前述退避室側的壁，夾持前述旋轉維持機構並設於相反側的壁側。
  9. 一種基板處理方法，係利用具備有：退避室、及將前述退避室設於其之間的一對處理室、及供給處理液至前述處理室內的基板上，且加熱該基板上的處理液的處理部之基板處理裝置，來處理前述處理室內的基板；其中，該基板處理方法係在前述退避室內及前述一對處理室內之間，使前述處理部移動。
  10. 如請求項9所記載的基板處理方法，其中，在前述退避室內及前述一對處理室內之間，使前述處理部擺動。
  11. 如請求項9所記載的基板處理方法，其中，在前述一對處理室交互移動地使前述處理部移動。
  12. 如請求項9至11中任1項所記載的基板處理方法，其中，在前述退避室內使前述處理部移動，在前述退避室內洗淨前述處理部。
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