CN104952768B - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104952768B CN104952768B CN201510113191.7A CN201510113191A CN104952768B CN 104952768 B CN104952768 B CN 104952768B CN 201510113191 A CN201510113191 A CN 201510113191A CN 104952768 B CN104952768 B CN 104952768B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- common pall
- inflow
- way valve
- supply unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 92
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 241000278713 Theora Species 0.000 claims abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 79
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
本发明提供一种即使在利用共用管路对基板的下表面供给处理液和温水的情况下，也能够均匀地处理基板的基板处理装置。冷却机构具有包围共通配管(29)的管状构件(31)。管状构件(31)的上端被具有开口部(33)的盖构件(32)封闭，该开口部(33)用于向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片(100)的下表面的旋转中心附近供给液体，且与共用管路(29)的端缘连接。另外，冷却水的供给配管(26)向该管状构件(31)的内部供给常温的纯水。向管状构件(31)内部供给的常温的纯水在对共用管路(29)冷却后从管状构件(31)的下端流出。
Description
技术领域
本发明涉及向有机EL显示装置用玻璃基板、液晶显示装置用玻璃基板、太阳能电池用平板基板、等离子显示器用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、半导体晶片等基板的上表面以及下表面供给处理液来对基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
例如，在通过氢氟酸(HF)对作为基板的半导体晶片的上表面进行蚀刻处理的基板处理装置中，为了达到对半导体晶片的上下表面两面进行蚀刻，或者使半导体晶片的温度接近氢氟酸的温度来对半导体晶片的上表面进行均匀的蚀刻的目的，向半导体晶片的上下表面两面供给氢氟酸。然后，向通过氢氟酸进行蚀刻处理后的半导体晶片的上下表面两面供给纯水，进行冲洗处理，接着，对半导体晶片的下表面供给被加热的纯水，使半导体晶片的温度上升，之后，通过使半导体晶片高速旋转，甩出附着在半导体晶片上的纯水，来进行干燥。另外，在向半导体晶片的上表面供给被加热的纯水时，向半导体晶片的上表面供给异丙醇(IPA)等有机溶剂，由此，提高进行甩出干燥时的半导体晶片的上表面的干燥性(参照专利文献1)。
专利文献1：JP特开2012-156561号公报
在这样的基板处理装置中，通常通过旋转卡盘保持半导体晶片，对被该旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的上表面以及下表面供给氢氟酸等处理液。此时，对于半导体晶片的上表面侧，能够选择性地使用与多种处理液对应的多个处理液供给嘴，来向半导体晶片的上表面侧供给多种处理液。但是，对于半导体晶片的下表面侧，这样的自由度少。即，在向半导体晶片的下表面侧供给多种处理液时，需要使用多种处理液流通的共用管路，从该共用管路向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的下表面的旋转中心供给多种处理液。
而且，在使用这样的共用管路向半导体晶片的下表面供给被加热的纯水时，共用管路的温度上升。从而，在连续进行这样的处理时，由于蓄积的热量，共用管路的温度进一步上升，因此共用管路的温度对经由共用管路向半导体晶片的下表面供给的处理液造成的影响逐渐变高。
通常，氢氟酸的蚀刻速度依赖于氢氟酸的温度。因此，在向半导体晶片的下表面供给的处理液的温度发生变化时，该蚀刻速度也发生变化，从而不能够在多个半导体晶片之间进行均匀的蚀刻处理。
另外，与供给至上表面的氢氟酸相比，在下表面向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片的下表面的旋转中心供给高温的处理液时，在半导体晶片的旋转中心附近与端缘附近产生温度差。在产生这样的温度差的情况下，出现损害对半导体晶片进行的蚀刻的面内均匀性的问题。
此外，为了解决这样的问题，还考虑在进行氢氟酸处理前通过纯水冲洗半导体晶片，但是，在采用这样的结构的情况下，难于回收再利用氢氟酸，另外，产生处理时间多出进行冲洗工序的时间的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种即使在利用共用管路对基板的下表面供给处理液和温水的情况下，也能够均匀地处理基板的基板处理装置。
技术方案1记载的发明为一种基板处理装置，具有：上表面处理液供给部，向被旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给处理液，共用管路，用于向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的下表面的旋转中心附近供给液体，下表面处理液供给部，向所述共用管路供给处理液，温水供给部，向所述共用管路供给温水；该基板处理装置的特征在于，该基板处理装置具有冷却机构，该冷却机构向所述共用管路的外周部供给流体来冷却所述共用管路。
技术方案2记载的发明，在技术方案1记载的发明中，该基板处理装置还具有有机溶剂供给部，所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂，在所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂时，所述温水供给部向所述共用管路供给温水。
技术方案3记载的发明，在技术方案2记载的发明中，所述有机溶剂为异丙醇。
技术方案4记载的发明，在技术方案1记载的发明中，该基板处理装置具有多路阀，所述多路阀具有多个流入流出口，所述共用管路与所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口连接，所述下表面处理液供给部向所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口供给处理液，所述温水供给部向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给温水。
技术方案5记载的发明，在技术方案4记载的发明中，该基板处理装置具有：开闭阀，配设在所述多路阀与所述共用管路之间；纯水供给部，向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给常温的纯水；抽吸部，从所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口对所述多路阀的内部空间进行抽吸。
技术方案6记载的发明，在技术方案1至5中任意记载的发明中，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
技术方案7记载的发明，在技术方案6记载的发明中，所述冷却机构具有包围所述共用管路的管状构件，向当该管状构件的内部供给冷却水。
技术方案8记载的发明，在技术方案7记载的发明中，该基板处理装置具有非活性气体供给单元，所述非活性气体供给单元在使被所述旋转卡盘保持的基板高速旋转来对所述基板进行干燥时，向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体，在所述非活性气体供给单元向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体的期间，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
技术方案9记载的发明，在技术方案1记载的发明中，所述处理液为氢氟酸。
根据技术方案1记载的发明，通过借助冷却机构的作用对共用管路进行冷却，能够防止向基板的下表面供给的处理液的温度上升，从而能够对基板均匀地进行处理。
根据技术方案2以及3记载的发明，借助有机溶剂和温水的作用，能够迅速使基板干燥。
根据技术方案4记载的发明，能够利用多路阀向共用管路供给处理液和温水。
根据技术方案5记载的发明，在关闭开闭阀的状态下，从纯水供给部向多路阀内供给常温的纯水，通过抽吸部对多路阀内的纯水进行抽吸，由此能够防止多路阀的温度上升。
根据技术方案6以及7记载的发明，通过冷却水的作用能够迅速地冷却共用管路。
根据技术方案8记载的发明，能够在通过非活性气体促进基板干燥的期间，冷却共用管路。
根据技术方案9记载的发明，能够在利用氢氟酸进行蚀刻处理时，均匀地蚀刻基板。
附图说明
图1是本发明的基板处理装置的概略结构的图。
图2是表示冷却机构的概略结构的图。
图3是说明对半导体晶片100进行的处理工序的表。
图4是表示半导体晶片100的温度变化的坐标图。
附图标记说明
11 旋转卡盘
12 装夹构件
20 多路阀
26 冷却水的供给管路
27 倒吸部
28 开闭阀
29 共用管路
31 管状构件
32 盖构件
33 开口部
41 复合嘴
42 嘴
43 嘴
100 半导体晶片
具体实施方式
以下，基于附图说明本发明的实施方式。图1是本发明的基板处理装置的概略结构的图。
该基板处理装置用于利用氢氟酸对作为基板的半导体晶片100进行蚀刻处理，具有保持半导体晶片100且使其能够旋转的旋转卡盘11。在该旋转卡盘11的上上表面配设有用于保持半导体晶片100的端缘的多个装夹构件12。该旋转卡盘11被配设在基部13内的马达驱动，以朝向铅垂方向的中心轴为中心进行旋转。另外，在旋转卡盘11的外周部配设有未图示的杯构件，该杯构件用于捕获随着半导体晶片100的旋转而从半导体晶片100飞溅的液体。
另外，该基板处理装置具有复合嘴41，该复合嘴41向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上表面供给作为有机溶剂的异丙醇和作为非活性气体的氮气。另外，该基板处理装置具有向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上表面供给作为处理液的氢氟酸的嘴43和供给作为冲洗液的纯水(DIW)的嘴42。这些复合嘴41、嘴42以及嘴43选择性地配置在被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上方。此外，作为复合嘴41例如能够使用JP特许第5308211号说明书中记载的复合嘴。
另外，该基板处理装置具备多路阀20，该多路阀20具有6个流入流出口。该多路阀20中的一个流入流出口经由开闭阀28与用于向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的下表面的旋转中心附近供给液体的共用管路29连接。另外，该多路阀20的其它的流入流出口与管路21、管路22、管路23、管路24和管路25连接，该管路21与对多路阀20的内部空间进行抽吸的倒吸(suck-back)部27连接，该管路22用于向多路阀20供给常温的纯水，该管路23用于向多路阀20供给作为温水的被加热的纯水，该管路24用于向多路阀20供给作为处理液的氢氟酸，该管路25用于在对多路阀20进行预供给(pre-dispense)时排出纯水。
而且，该基板处理装置具有构成冷却机构的冷却水的供给配管26，通过向共用管路29的外周部供给作为冷却水的常温的纯水，来冷却共用管路29。
图2是用于冷却共用管路29的冷却机构的概略结构的图。
该冷却机构具有包围共用管路29的管状构件31。管状构件31的上端被具有开口部33的盖构件32封闭，该开口部33用于向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的下表面的旋转中心附近供给液体，且与共用管路29的端缘连接。管状构件31配置在旋转卡盘11的中央部，且与旋转卡盘11之间具有间隙。因此，即使旋转卡盘11旋转，管状构件31也不旋转，而在与半导体晶片100的中央部下表面相向的位置支撑开口部33。另外，冷却水的供给配管26向该管状构件31的内部供给常温的纯水。向管状构件31的内部供给的常温的纯水在冷却共用管路29后，从管状构件31的下端流出。从管状构件31的下端流出的纯水从配置在下部的托盘39向装置外排出。
接着，说明该基板处理装置的半导体晶片100的蚀刻处理工序。图3是说明对半导体晶片100进行的处理工序的表。
首先，搬入半导体晶片100，通过旋转卡盘11的装夹构件12进行保持。然后，使半导体晶片100与旋转卡盘11一起旋转。在该状态下，使嘴43移动至被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上部，从嘴43向半导体晶片100的上表面喷出氢氟酸。另外，与此并行，从管路24向多路阀20供给氢氟酸，并且打开开闭阀28，从共用管路29向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的下表面的旋转中心附近供给氢氟酸。由此，由于半导体晶片100的整个面的温度分布均匀，所以能够均匀地进行上表面的蚀刻处理。另外，由于从上下表面供给相同的氢氟酸，所以配设在半导体晶片100的外周部的杯构件能够捕获氢氟酸。因此，不会在氢氟酸中混合纯水等杂质，能够进行回收。
接着，使嘴42移动至被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上部，从嘴42向半导体晶片100的上表面喷出纯水。另外，与此并行，从管路22向多路阀20供给纯水，从而从共用管路29向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的下表面的旋转中心附近供给纯水。由此，通过纯水对半导体晶片100的上下表面两面进行冲洗处理。
接着，使复合嘴41移动至被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的上部，从复合嘴41向半导体晶片100的上表面喷出异丙醇。另外，与此并行，从管路23向多路阀20供给被加热至摄氏75度左右的纯水，由此从共用管路29向被旋转卡盘11保持且进行旋转的半导体晶片100的下表面的旋转中心附近供给被加热的纯水。由此，半导体晶片100的上表面被挥发性高的异丙醇覆盖，并且，通过被加热至摄氏75度左右的温水使半导体晶片100的温度升高。
接着，从复合嘴41向半导体晶片100的上表面喷出氮气，并且使旋转卡盘11高速旋转，甩出液体来对半导体晶片100进行干燥。此时，半导体晶片100的上表面被挥发性高的异丙醇覆盖，另外，半导体晶片100自身由于被加热的纯水的作用而升温，因此半导体晶片100快速地被干燥。另外，与该半导体晶片100的干燥工序并行，对多路阀20和共用管路29进行冷却。
针对多路阀20，首先，在关闭开闭阀28的状态下，借助倒吸部27的作用，对多路阀20的内部空间进行抽吸，来排出残存在多路阀20的内部空间中的被加热的纯水等(图3的SB工序)。接着，通过从管路22向多路阀20供给常温的纯水，来冷却多路阀20(图3的DIW工序)。然后，再次借助倒吸部27的作用，对多路阀20的内部空间进行抽吸，来排出残存在多路阀20的内部空间中的纯水等(图3的SB工序)。由此完成对多路阀20的冷却。
另一方面，与该多路阀冷却工序并行，从冷却水的供给配管26向包围共用管路29的管状构件31的内部供给常温的纯水。供给至管状构件31的内部的常温的纯水在对共用管路29进行冷却后，从管状构件31的下端流出。由此冷却共用管路29。
通过以上的工序，在对一张半导体晶片100进行完蚀刻处理后，搬出半导体晶片100。然后，接着搬入下一个半导体晶片100，利用氢氟酸对半导体晶片100的上下表面两面进行蚀刻处理。此时，多路阀20以及共用管路29被常温的纯水冷却。因此，能够有效地防止向半导体晶片100的下表面供给的氢氟酸升温而不均匀地对半导体晶片100进行处理。
图4使表示进行一系列的蚀刻处理时的半导体晶片100的温度变化的坐标图。在此，图4的纵轴表示半导体晶片100的温度，横轴表示开始对一张半导体晶片100进行处理后经过的时间。
图4中圆圈标记表示的曲线表示对第一张半导体晶片100进行处理时的半导体晶片100的温度变化。另外，四方形标记表示的曲线表示执行上述的多路阀20的冷却动作但没有执行共用管路29的冷却动作时的半导体晶片100的温度变化。另外，三角形标记表示的曲线表示执行上述的多路阀20的冷却动作和共用管路29的冷却动作时的半导体晶片100的温度变化。
如该图所示，在执行多路阀20的冷却动作和共用管路29的冷却动作时，能够防止共用管路29的蓄积的热量使半导体晶片100温度上升。由此，即使在连续处理半导体晶片100的情况下，也能够有效地防止由于共用管路29的蓄积的热量而不均匀地对半导体晶片100进行处理的情况。
此外，在上述的实施方式中，通过作为冷却水的常温的纯水冷却共用管路29。这是为了保持装置干净，只要能够完全切断冷却水的流通路，可以使用自来水等作为冷却水。另外，不限于液体，可以通过空气等流体冷却共用管路29。
另外，在上述的实施方式中，利用作为处理液的氢氟酸对半导体晶片100进行蚀刻处理的基板处理装置应用本发明，但是利用其它处理液的基板处理装置也可以应用本发明。
Claims (18)
1.一种基板处理方法，用于基板处理装置，
该基板处理装置具有：
上表面处理液供给部，向被旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给处理液，
共用管路，用于向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的下表面的旋转中心附近供给液体，
下表面处理液供给部，向所述共用管路供给处理液，
温水供给部，向所述共用管路供给温水，
冷却机构，该冷却机构向所述共用管路的外周部供给流体来冷却所述共用管路；其特征在于，
在连续处理基板时，在向所述共用管路内供给温水后且在向所述共用管路供给处理液前，利用所述流体冷却所述共用管路。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理装置还具有有机溶剂供给部，所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂，
在所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂时，所述温水供给部向所述共用管路供给温水。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述有机溶剂为异丙醇。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理装置具有多路阀，所述多路阀具有多个流入流出口，
所述共用管路与所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口连接，
所述下表面处理液供给部向所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口供给处理液，所述温水供给部向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给温水。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理装置具有：
开闭阀，配设在所述多路阀与所述共用管路之间，
纯水供给部，向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给常温的纯水，
抽吸部，从所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口对所述多路阀的内部空间进行抽吸。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，所述冷却机构具有包围所述共用管路的管状构件，向当该管状构件的内部供给冷却水。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理装置具有非活性气体供给单元，所述非活性气体供给单元在使被所述旋转卡盘保持的基板高速旋转来对所述基板进行干燥时，向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体，
在所述非活性气体供给单元向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体的期间，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理液为氢氟酸。
10.一种基板处理装置，
具有：
上表面处理液供给部，向被旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给处理液，
共用管路，用于向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的下表面的旋转中心附近供给液体，
下表面处理液供给部，向所述共用管路供给处理液，
温水供给部，向所述共用管路供给温水；
该基板处理装置的特征在于，
该基板处理装置具有冷却机构，该冷却机构向所述共用管路的外周部供给流体来冷却所述共用管路，
所述冷却机构包括管状构件，该管状构件包围所述共用管路，并在所述旋转卡盘的中央部与所述旋转卡盘具有间隙来配置，
所述流体向所述共用管路和所述管状构件之间供给。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
所述管状构件的上端被具有与所述共用管路的端缘连接的开口部的盖体封闭。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有有机溶剂供给部，所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂，
在所述有机溶剂供给部向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给有机溶剂时，所述温水供给部向所述共用管路供给温水。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述有机溶剂为异丙醇。
14.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有多路阀，所述多路阀具有多个流入流出口，
所述共用管路与所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口连接，
所述下表面处理液供给部向所述多路阀的多个流入流出口中的一个流入流出口供给处理液，所述温水供给部向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给温水。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有：
开闭阀，配设在所述多路阀与所述共用管路之间，
纯水供给部，向所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口供给常温的纯水，
抽吸部，从所述多路阀的流入流出口中的一个流入流出口对所述多路阀的内部空间进行抽吸。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有非活性气体供给单元，所述非活性气体供给单元在使被所述旋转卡盘保持的基板高速旋转来对所述基板进行干燥时，向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体，
在所述非活性气体供给单元向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给非活性气体的期间，所述冷却机构向所述共用管路的外周部供给冷却水。
18.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液为氢氟酸。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014059748A JP6338904B2 (ja) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | 基板処理装置 |
| JP2014-059748 | 2014-03-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104952768A CN104952768A (zh) | 2015-09-30 |
| CN104952768B true CN104952768B (zh) | 2019-06-21 |
Family
ID=54142803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510113191.7A Active CN104952768B (zh) | 2014-03-24 | 2015-03-16 | 基板处理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20150270145A1 (zh) |
| JP (1) | JP6338904B2 (zh) |
| KR (1) | KR102313762B1 (zh) |
| CN (1) | CN104952768B (zh) |
| TW (2) | TWI616971B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI569349B (zh) * | 2013-09-27 | 2017-02-01 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| JP6338904B2 (ja) | 2014-03-24 | 2018-06-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6803737B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2020-12-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7013221B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2022-01-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US10985028B1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing |
| CN111785674B (zh) * | 2020-07-15 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
| KR102583555B1 (ko) * | 2020-12-09 | 2023-09-26 | 세메스 주식회사 | 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201409593A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-03-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536663Y2 (zh) * | 1987-10-23 | 1993-09-16 | ||
| JPH0298957A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Toshiba Corp | 半導体基板の熱処理装置 |
| JP2855295B2 (ja) * | 1991-07-26 | 1999-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却水供給装置 |
| JP2562901Y2 (ja) * | 1991-10-15 | 1998-02-16 | 三菱化学株式会社 | フレキシブルディスク用保護クリップ |
| JP2000334397A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 板状試料の流体処理装置及び板状試料の流体処理方法 |
| US6645344B2 (en) * | 2001-05-18 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Limited | Universal backplane assembly and methods |
| TW554069B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
| JP4083682B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2008-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP3849921B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2006-11-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| US7018555B2 (en) * | 2002-07-26 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| US6908512B2 (en) * | 2002-09-20 | 2005-06-21 | Blue29, Llc | Temperature-controlled substrate holder for processing in fluids |
| JP4172769B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2008-10-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7011715B2 (en) * | 2003-04-03 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Rotational thermophoretic drying |
| US7465358B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
| JP4397299B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-01-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| KR20070058310A (ko) * | 2005-12-02 | 2007-06-08 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법 |
| JP2007227765A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理装置、基板表面処理方法および基板処理装置 |
| JP4912916B2 (ja) * | 2006-10-10 | 2012-04-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4895774B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2009147962A1 (ja) | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| JP5249915B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液処理装置および薬液処理方法 |
| US20120103371A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Lam Research Ag | Method and apparatus for drying a semiconductor wafer |
| JP5743853B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| TWI480937B (zh) * | 2011-01-06 | 2015-04-11 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| JP5666419B2 (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| JP5819762B2 (ja) | 2012-03-29 | 2015-11-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP5523502B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2014-06-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2013258188A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置 |
| JP6100487B2 (ja) * | 2012-08-20 | 2017-03-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6317547B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2018-04-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| US8663397B1 (en) * | 2012-10-22 | 2014-03-04 | Intermolecular, Inc. | Processing and cleaning substrates |
| JP5736017B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2015-06-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6338904B2 (ja) | 2014-03-24 | 2018-06-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
2014
- 2014-03-24 JP JP2014059748A patent/JP6338904B2/ja active Active
- 2014-09-23 TW TW105129986A patent/TWI616971B/zh active
- 2014-09-23 TW TW103132748A patent/TWI555111B/zh active
- 2014-10-16 KR KR1020140139854A patent/KR102313762B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-24 US US14/551,258 patent/US20150270145A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-03-16 CN CN201510113191.7A patent/CN104952768B/zh active Active
-
2017
- 2017-09-11 US US15/700,411 patent/US10424496B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201409593A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-03-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201709384A (zh) | 2017-03-01 |
| JP6338904B2 (ja) | 2018-06-06 |
| CN104952768A (zh) | 2015-09-30 |
| US20150270145A1 (en) | 2015-09-24 |
| US20170372921A1 (en) | 2017-12-28 |
| KR20150110273A (ko) | 2015-10-02 |
| TWI616971B (zh) | 2018-03-01 |
| TW201537652A (zh) | 2015-10-01 |
| TWI555111B (zh) | 2016-10-21 |
| JP2015185644A (ja) | 2015-10-22 |
| US10424496B2 (en) | 2019-09-24 |
| KR102313762B1 (ko) | 2021-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104952768B (zh) | 基板处理装置 | |
| JP6588819B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| TWI688031B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| TWI673766B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| US10854481B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| US10622204B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US9623435B2 (en) | Substrate processing apparatus for coating liquid composed of first coating liquid and second coating liquid on substrate with slit-shaped ejection port | |
| US20140284000A1 (en) | Separation apparatus, separation system, separation method and non-transitory computer readable storage medium | |
| US20230307264A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US9573144B2 (en) | Coating apparatus and method of forming coating film | |
| JP5451037B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TW201934211A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP5954776B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN105097438A (zh) | 一种晶片背面清洗装置 | |
| JP2013243413A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US20140302242A1 (en) | Plating apparatus, plating method and storage medium having plating program stored thereon | |
| US11107671B2 (en) | Method of processing semiconductor substrate | |
| JP5641592B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2022178469A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2012204483A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |