JPH0298957A - 半導体基板の熱処理装置 - Google Patents
半導体基板の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0298957A JPH0298957A JP63250937A JP25093788A JPH0298957A JP H0298957 A JPH0298957 A JP H0298957A JP 63250937 A JP63250937 A JP 63250937A JP 25093788 A JP25093788 A JP 25093788A JP H0298957 A JPH0298957 A JP H0298957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- hole
- heat treatment
- substrate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 15
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 13
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体基板の熱処理装置に関する。
（従来の技術）
真空至で半導体シリコン基板（以下、基板という）を熱
処理するときの基板の温度を制御する方法には、例えば
特開昭５５−９０２２８号公報に示されるように、基板
を静電吸着で基板電極に吸着して基板電極間の熱伝達率
をあげているものがある。
処理するときの基板の温度を制御する方法には、例えば
特開昭５５−９０２２８号公報に示されるように、基板
を静電吸着で基板電極に吸着して基板電極間の熱伝達率
をあげているものがある。
この方法は、表面が誘電体の基板電極に基板を載せて、
基板電極への電圧印加によってプラズマから導かれた基
板と誘電体表面に集まった電荷間の吸引力で接触面積を
増やすもので、単に基板電極上に載せただけのものに比
べて熱伝達率が上って温度制御の効果が上がる。
基板電極への電圧印加によってプラズマから導かれた基
板と誘電体表面に集まった電荷間の吸引力で接触面積を
増やすもので、単に基板電極上に載せただけのものに比
べて熱伝達率が上って温度制御の効果が上がる。
更に基板を基板電極に吸着後、両者間の微小なすきまに
真空処理室の外からガスを入れることで、基板電極と基
板とがガスを介して熱伝達されて基板の温度を均一にし
ている。
真空処理室の外からガスを入れることで、基板電極と基
板とがガスを介して熱伝達されて基板の温度を均一にし
ている。
すなわち、その−例を示す第３図と要部詳細を示す第４
図において、真空容器１の下部開口部の下面には、逆凸
状のふた６が気密に取付られ、真空容器１内にはふた６
を気密に貫通し軸心に貫通穴のあるＴ形の軸７が縦に設
けられ、この軸７の上面には断面Ｕ状の凹部２Ｃとその
上部の中心に穴が設けられたふた部２ｂでなる基板電極
２が取付られ、ふた部２ｂの上面には、中心に例えば約
５ｍの径の穴が設けられた静電吸着シート３が貼りつけ
られ、この静電吸着シート３の上には円板状の基板５が
載せられている。
図において、真空容器１の下部開口部の下面には、逆凸
状のふた６が気密に取付られ、真空容器１内にはふた６
を気密に貫通し軸心に貫通穴のあるＴ形の軸７が縦に設
けられ、この軸７の上面には断面Ｕ状の凹部２Ｃとその
上部の中心に穴が設けられたふた部２ｂでなる基板電極
２が取付られ、ふた部２ｂの上面には、中心に例えば約
５ｍの径の穴が設けられた静電吸着シート３が貼りつけ
られ、この静電吸着シート３の上には円板状の基板５が
載せられている。
そして、軸７の貫通穴には、冷却ガス管８が挿着され、
その上端には基板電極２内の中心に穴のある円板８ａが
取付られ、冷却ガス管８内には上端が静電吸着シート３
の中心穴を貫通しふた２ｂに溶接された熱流媒体ガス管
９が挿着され、容器１内の上部には陽極１ａが設けられ
ている。
その上端には基板電極２内の中心に穴のある円板８ａが
取付られ、冷却ガス管８内には上端が静電吸着シート３
の中心穴を貫通しふた２ｂに溶接された熱流媒体ガス管
９が挿着され、容器１内の上部には陽極１ａが設けられ
ている。
このような構成の基板熱処理装置では、冷却ガス管８か
ら入った冷却ガスで基板電極２を介して基板５は冷やさ
れ、熱流媒体ガス管９内に送られたガスは、静電吸着シ
ート３と基板５間のすきまに入って基板５と基板電極２
間の熱伝達率を上げる。また、このときのガス但は、真
空容器１内の圧力が許容値以上にならない程度に調整さ
れる。
ら入った冷却ガスで基板電極２を介して基板５は冷やさ
れ、熱流媒体ガス管９内に送られたガスは、静電吸着シ
ート３と基板５間のすきまに入って基板５と基板電極２
間の熱伝達率を上げる。また、このときのガス但は、真
空容器１内の圧力が許容値以上にならない程度に調整さ
れる。
（発明が解決しようとする課題）
ところがこの基板の熱処理装置では、熱流媒体ガス管９
の上端がふた２ｂに固定されているので、もし基板５の
温度を均一にするために回転させようとすると、下端に
回転管継手などが要る。
の上端がふた２ｂに固定されているので、もし基板５の
温度を均一にするために回転させようとすると、下端に
回転管継手などが要る。
そこで本発明の目的は、容易に基板の温度を均一にする
ことのできる半導体基板の熱処理装置を得ることである
。
ことのできる半導体基板の熱処理装置を得ることである
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、真空容器内の基板電極に静電吸着シートを介
して載置された半導体基板を、基板電極内から基板電極
上部の穴を経て半導体基板と静電吸着シート間の間隙に
導かれたガスで冷却する半導体基板の熱処理装置におい
て、基板電極の上面と半導体基板間に上記ガスが貫通す
る微小な穴のあるオリフィス板を介在させることで、半
導体基板の温度を均一にした半導体基板の熱処理装置で
ある。
して載置された半導体基板を、基板電極内から基板電極
上部の穴を経て半導体基板と静電吸着シート間の間隙に
導かれたガスで冷却する半導体基板の熱処理装置におい
て、基板電極の上面と半導体基板間に上記ガスが貫通す
る微小な穴のあるオリフィス板を介在させることで、半
導体基板の温度を均一にした半導体基板の熱処理装置で
ある。
（実施例）
以下、本発明の半導体基板の熱処理装置の一実施例を図
面で説明する。但し、第３〜４図と重複する部分は省く
。
面で説明する。但し、第３〜４図と重複する部分は省く
。
第１図、第２図において、基板電極２内の円板８ａには
中心穴に冷却ガス導入管８が貫通固定され、ふた２ｂの
上面中心には中心に数摩から数百卯の径の穴が設けられ
たオリフィス板４が取付けられ、その外周には中心穴に
このオリフィス板４が嵌合し外周と気密に設けられた静
電吸着シート３が取付られ、この上に基板５が載せられ
ている。
中心穴に冷却ガス導入管８が貫通固定され、ふた２ｂの
上面中心には中心に数摩から数百卯の径の穴が設けられ
たオリフィス板４が取付けられ、その外周には中心穴に
このオリフィス板４が嵌合し外周と気密に設けられた静
電吸着シート３が取付られ、この上に基板５が載せられ
ている。
このような構成の熱処理装置において、図示しない冷却
ガス供給設備に下端が連結された冷却ガス導入管８内に
供給されたガスは、円板８ａの中心穴から上側のふた２
ｂ間を経て外周に至り、凹部２Ｃの下側に廻って冷却ガ
ス導入管８と軸７の貫通穴間から外部へ排出される。
ガス供給設備に下端が連結された冷却ガス導入管８内に
供給されたガスは、円板８ａの中心穴から上側のふた２
ｂ間を経て外周に至り、凹部２Ｃの下側に廻って冷却ガ
ス導入管８と軸７の貫通穴間から外部へ排出される。
更にこのとき、冷却ガスの一部は、ふた２ｂの中心穴２
ａからオリフィス板４の中心の微小穴を経て減圧され、
静電吸着板３と基板５間の微小なすきまに入って基板５
と基板電極２間の熱伝達率を上げ、その結果基板５は均
一に冷却される。
ａからオリフィス板４の中心の微小穴を経て減圧され、
静電吸着板３と基板５間の微小なすきまに入って基板５
と基板電極２間の熱伝達率を上げ、その結果基板５は均
一に冷却される。
更に又、冷却ガス導入管８を固定して、基板電極ととも
に基板５を廻して更に温度の均一化を図ることもできる
。
に基板５を廻して更に温度の均一化を図ることもできる
。
［発明の効果］
以上、本発明によれば、真空容器内の基板電極に静電吸
着シートを介してｌＸｆｆ１された半導体シリコン基板
を、基板電極内に送られたガスを基板電極上部の中心穴
から半導体シリコン基板と静電吸着シート間のすきまに
導いて冷却する半導体シリコン基板の熱処理装置におい
て、基板電極の上面中央部と基板間に微小な穴のあるオ
リフィス板を介在させて基板と基板電極間の熱伝達率を
上げたので、基板の温度を均一にすることのできる半導
体基板の熱処理装置を得ることができる。
着シートを介してｌＸｆｆ１された半導体シリコン基板
を、基板電極内に送られたガスを基板電極上部の中心穴
から半導体シリコン基板と静電吸着シート間のすきまに
導いて冷却する半導体シリコン基板の熱処理装置におい
て、基板電極の上面中央部と基板間に微小な穴のあるオ
リフィス板を介在させて基板と基板電極間の熱伝達率を
上げたので、基板の温度を均一にすることのできる半導
体基板の熱処理装置を得ることができる。
第１図は本発明の半導体基板の熱処理装置の一実施例を
示す縦断面図、第２図は第１図の要部詳細図、第３図は
従来の半導体基板の熱処理装置を示す縦断面図、第４図
は第３図の要部詳細図である。 １・・・真空容器 ２・・・基板電極 ３・・・静電吸着シート ４・・・オリフィス板 ５・・・半導体基板 ８・・・冷却ガス導入管 （８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか
１名）
示す縦断面図、第２図は第１図の要部詳細図、第３図は
従来の半導体基板の熱処理装置を示す縦断面図、第４図
は第３図の要部詳細図である。 １・・・真空容器 ２・・・基板電極 ３・・・静電吸着シート ４・・・オリフィス板 ５・・・半導体基板 ８・・・冷却ガス導入管 （８７３３）代理人 弁理士 猪 股 祥 晃（ほか
１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器内に設けられた基板電極に静電吸着シートを介
して載置され、前記静電吸着シートとの間隙に前記真空
容器外から送られたガスが上記基板電極上部の穴から導
かれて冷却される半導体基板の熱処理装置において、 前記基板電極の上面と前記半導体基板間に上記ガスが貫
通する微小穴が設けられたオリフィス板を介在させたこ
とを特徴とする半導体基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250937A JPH0298957A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63250937A JPH0298957A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体基板の熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298957A true JPH0298957A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17215233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63250937A Pending JPH0298957A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298957A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270266A (en) * | 1991-12-13 | 1993-12-14 | Tokyo Electron Limited | Method of adjusting the temperature of a semiconductor wafer |
| US5431700A (en) * | 1994-03-30 | 1995-07-11 | Fsi International, Inc. | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
| CN104952768A (zh) * | 2014-03-24 | 2015-09-30 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63250937A patent/JPH0298957A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5270266A (en) * | 1991-12-13 | 1993-12-14 | Tokyo Electron Limited | Method of adjusting the temperature of a semiconductor wafer |
| US5431700A (en) * | 1994-03-30 | 1995-07-11 | Fsi International, Inc. | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
| CN104952768A (zh) * | 2014-03-24 | 2015-09-30 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5914568A (en) | Plasma processing apparatus | |
| US4384918A (en) | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein | |
| JP2748127B2 (ja) | ウエハ保持方法 | |
| KR100404778B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
| JP4079992B2 (ja) | 導電性被処理体を載置部材に締め付けるための装置及び静電クランピング方法 | |
| JPS6372877A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH06349938A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH0298957A (ja) | 半導体基板の熱処理装置 | |
| JPH06302678A (ja) | 静電チャック | |
| TWI796824B (zh) | 用於調節處理腔中電漿邊緣的裝置及其控制方法 | |
| JPH04371579A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2008047939A (ja) | 基板表面処理装置 | |
| JPH0329863B2 (ja) | ||
| JP2001210628A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2828027B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002100616A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS60187024A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0573051B2 (ja) | ||
| JPH05234944A (ja) | ウエハ温度制御方法及び装置 | |
| JPS62120931A (ja) | 静電チヤツク装置 | |
| JPH01241839A (ja) | 半導体ウエハ保持装置 | |
| JPH05226289A (ja) | 被処理体用載置装置及びそれを用いた処理装置 | |
| JP2001244243A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JP2687012B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPS63114118A (ja) | 薄膜加工用圧着ヒ−タ支持装置 |