JPH08148406A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH08148406A
JPH08148406A JP28527894A JP28527894A JPH08148406A JP H08148406 A JPH08148406 A JP H08148406A JP 28527894 A JP28527894 A JP 28527894A JP 28527894 A JP28527894 A JP 28527894A JP H08148406 A JPH08148406 A JP H08148406A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flat plate
semiconductor substrate
developing
nozzle
semiconductor
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Pending
Application number
JP28527894A
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English (en)
Inventor
Hiroaki Shimizu
弘明 清水
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、レジストパタ−ンを疎密差に
関係なく現像することが可能な現像ノズルを有する半導
体製造装置を提供することである。 【構成】半導体製造装置は半導体基板10を真空吸着す
ると共に回転可能なスピンチャンク11と、半導体基板
10の中心軸上に吐出口が配置された現像ノズル12
と、現像ノズル12の吐出口の外周に連続し、半導体基
板10の上方に現像液の最適な液盛りギャップ13を確
保するように設けられた平板14と、平板14上に設け
られた振動手段15とからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板上にレジスト
パタ−ンを形成する半導体製造装置に関し、特に半導体
基板上に現像液を供給する現像ノズルに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の内部に設けられる回路素子
を微細化するには、微細なレジストパタ−ンを形成する
ことが不可欠である。それらレジストパタ−ンは、レジ
スト塗布、露光、現像及びリンス工程を経て形成され
る。
【0003】以下、従来の現像技術を説明する。半導体
基板上に塗布されたレジストを露光して、該レジストに
現像液を供給して現像する。現像液は各種の現像ノズル
により定量的に供給される。現像ノズルの一例として、
図3(a)に示される様なスプレ−ノズルがある。半導
体基板101をスピンチャック102で吸着し、半導体
基板101の上方に設けられたスプレ−ノズル103よ
り現像液を半導体基板101上に噴射する。また、別の
現像ノズルとして、同図(b)に示される様なスリット
ノズルがある。スリットノズル104は半導体基板10
1の上方に配置され、スリットノズル104の底面に設
けられた複数の穴部(図示せず)から現像液が半導体基
板101上に供給される。
【0004】いずれのノズルを用いた場合でも、現像液
は表面張力を利用して半導体基板上に液盛りをしている
ため、液盛り量には限界がある。そのため、レジストパ
タ−ンの単位面積あたりの現像液の液量はきまってい
る。従って、レジストパタ−ンの疎密差が大きい場合
に、レジストパタ−ンの密な部分において現像液は飽和
状態となり、レジスト寸法にバラツキが生じてしまう。
また、半導体基板の全面に液盛りをスピ−ディに行うこ
とは難しく、ライムラグや液中気泡発生による寸法バラ
ツキも生ずる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レジストパ
タ−ンを疎密差に関係なく現像することが可能な現像ノ
ズルを有する半導体製造装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体製造
装置は半導体基板を保持するチャックと、上記半導体基
板上に現像液を供給する現像ノズルと、上記半導体基板
に対向すると共に一定の隙間を有するように配置された
平板と、上記平板上に設けられた振動手段とからなる。
【0007】
【作用】上記半導体製造装置によれば、上記現像ノズル
から供給された現像液は、半導体基板と上記平板の間に
拡がる。液盛りされた上記現像液は、上記振動手段から
上記平板に加わる振動により撹拌される。それにより、
レジストパタ−ンの密な部分をも現像することが可能で
ある。
【0008】
【実施例】以下、本発明による半導体製造装置を図1乃
至図2により説明する。図1(a)によれば、半導体製
造装置は、半導体基板10を真空吸着すると共に回転可
能なスピンチャンク11と、半導体基板10の中心軸上
に吐出口が配置された現像ノズル12と、現像ノズル1
2の吐出口の外周に連続し、半導体基板10の上方に現
像液の最適な液盛りギャップ13を確保するように設け
られた平板14と、平板14上に設けられた振動手段1
5とを含む。これら現像ノズル12と平板14とは一体
に形成することもできるし、別体に形成して現像液の漏
れのないように接続することもできる。また平板と振動
手段は、同図(b)に示すように、平板14上に振動手
段15をリング状に設けた構造である。
【0009】このような半導体製造装置を用いると、現
像液は現像ノズル12の吐出口から供給され、半導体基
板10の中心から外周方向に向かって拡がる。また、半
導体基板10と平板14との間の距離は、現像液の種類
及びレジストパタ−ン形状により任意に変えることが可
能である。
【0010】振動手段15に例えば超音波振動を加える
と、その振動が平板14に伝導し、それにより現像液が
撹拌される。また、超音波振動を加えながら、現像液を
半導体基板10上に供給すると、瞬時に液盛りをするこ
とが可能である。更に液盛り終了後に、スピンチャック
11により半導体基板10を極低速回転させると共に上
記超音波振動を加えることにより、現像液の撹拌作用を
高めることができる。つまり、上記超音波振動は、現像
液を半導体基板10上に瞬時に拡げる作用と、撹拌作用
との2つの効果を有する。
【0011】尚、平板と振動手段の構造は、図2に示す
ように、振動手段15´を内蔵するような一体型の平板
14´であってもよく、振動する平板であれば形状を問
わない。尚、平板は振動可能な材質であればよいが、汚
染を防止するため表面をテフロンコ−ティングすること
が望ましい。また振動として、現像液撹拌作用があれば
超音波振動に限らない。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、振動を用いて現像液を
撹拌することが可能であるため、とりわけレジストパタ
−ンの密な部分での現像液の飽和を防止することがで
き、疎密差のあるレジストパタ−ンを高精度、高スル−
プットに現像処理することができる。また、平板に加え
る振動のパワ−を制御することにより、反応スピ−ドを
制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体製造装置を模式的に示し、
(a)は断面図、(b)は平板及び振動手段の概略図で
ある。
【図2】平板及び振動手段の構造の別例を示し、振動手
段を内部に含む平板を示す断面図である。
【図3】従来の半導体製造装置を模式的に示し、(a)
はスプレ−ノズル、(b)はスリットノズルを示す断面
図である。
【符号の説明】
10…半導体基板、11…スピンチャック、12…現像
ノズル、13…液盛りギャップ、14…平板、15…振
動手段。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板を保持するチャックと、上記
    半導体基板上に現像液を供給する現像ノズルと、上記半
    導体基板に対向すると共に一定の隙間を有するように配
    置された平板と、上記平板上に設けられた振動手段とを
    具備することを特徴とするレジストパタ−ンを現像する
    ための半導体製造装置。
  2. 【請求項2】 上記振動手段は、上記平板に振動を与え
    て上記現像液を撹拌することを特徴とする請求項1記載
    の半導体製造装置。
  3. 【請求項3】 上記現像ノズルと上記平板は、連続して
    形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体製造
    装置。
  4. 【請求項4】 上記平板と上記振動手段は、一体である
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
JP28527894A 1994-11-18 1994-11-18 半導体製造装置 Pending JPH08148406A (ja)

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JP28527894A JPH08148406A (ja) 1994-11-18 1994-11-18 半導体製造装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118057A (ja) * 2000-10-12 2002-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法
JP2009302286A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd 超音波現像処理方法及び超音波現像処理装置

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JP2002118057A (ja) * 2000-10-12 2002-04-19 Oki Electric Ind Co Ltd フォトレジスト現像ノズル、フォトレジスト現像装置、およびフォトレジスト現像方法
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