JPH039512A - レジストの現像方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はＩＣのパターン形成用に使用するフォトマスク
の現像方法に関し。

フォトマスクのパターン寸法の均一性と精度の向上を目
的とし。

レジスト膜を表面に被覆した基板を下向きに保持し５下
方より現像液を基板上のレジスト膜に連〔産業上の利用
分野〕 本発明はＩＣのパターン形成用に使用するフォトマスク
の現像方法に関する。

近年、集積回路の高集積化、微細化にともない。

集積回路のパターン形成に使用するフォトマスクの現像
処理も精度と均一性が要求され、この要求゛を満たすた
めの種々の方式の開発が必要とされている。

〔従来の技術〕

第４図は従来例の説明図である。

図において、１７はフォトマスク、１８はマスクホルダ
ー、１９はレジスト膜、２０は現像槽、　２１は現像液
、２２はフォトマスク、２３はレジスト膜、２４はスプ
レーノズル、２５は現像液、２６は真空チャックである
。

ｔＣのパターン形成に使用するフォトマスクの製造には
浸漬による現像並びにエツチング、或いは噴射による現
像並びにエツチング処理の方法が多（用いられている。

しかしながら、第４図（ａ）に示すように、浸漬による
現像では１枚のフォトマスク（レチクルを含む）１７内
での寸法が、現像中のフォトマスク１７の状態で差が生
ずる。マスクホルダー１８に収納されたフォトマスク１
７の上下で、一般に下部の方が現像が速（進み、ポジレ
ジストを用いた場合。

寸法が小さくなる。

又、第４図（ｂ）に示すように、噴射による現像では、
フォトマスク２２を回転しながら、レジスト膜２３にス
プレーノズル２４より現像液２５の噴射を行った場合、
一般にフォトマスク２２の中心部の現像が速（進み、又
、外側にはレジストの残渣が残る等、現像パターンのレ
ジスト形状が不安定であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

従って、フォトマスクのパターン形成において。

浸漬、噴射何れの方法でも、精度良（均一なパターンを
得ることが出来ず、又現像液の劣化による処理時間の変
動で寸法がずれたり、これを解決するために大量の薬液
を必要とするなどの問題を生じていた。

〔課題を解決するための手段］ 第１図は本発明の原理説明図である。

図において、■は基板、２はレジスト膜、３は現像液で
ある。

第１図に示すようにフォトマスク等の基板１の表面に被
覆したレジスト膜２を下向きにして、基板１を保持し、
下方より現像液３を連続的に基板１の表面のレジスト膜
２に当てるようにするとレジスト膜２の現像パターンの
寸法分布が改善され２寸法精度が良くべろ。

これは、下向きにした基板１のレジスト膜２に当たった
現像液３が、ｎ元部のレジスト膜３を溶解させ、その反
応生成物がその場所に留まらずに落下するため、常に新
しい現像液３がレジスト膜２の表面に補給されるので、
現像速度のばらつき等が非常に少なくなるためである。

〔作用〕

本発明では、フォトマスク等の基板表面のレジスト膜を
下向きに保持して、現像液の置換をスムーズにした構造
をとっており、そのために、現像したパターンの寸法の
均一性や精度が向上する。

〔実施例〕

第２図、第３図は本発明の実施例１，２の説明図である
。

先ず、実施例１を第２図にて説明する。

図において、４は現像容器、５は整流板、６はフォトマ
スク、７は刷板、８はカバー、９は供給管、　１０は供
給孔、　１１はドレーンである。又、矢印は現像液の流
れを示す。

第２図（ａ）は第２図（ｂ）のＢ−Ｂ’線でカットした
現像装置の断面図である。

第２図（ｂ）は第２図（ａ）の入方向から見た平面図で
ある。

第２図（ｃ）は現像装置の斜視図である。

図に示すように、現像装置は現像液を上方から流す現像
容器４．現像液を層流にする整流板５、現像液をフォト
マスク６に当てる刷板７．現像液を下向きに流下させる
カバー８．現像液の供給管９等により構成される。

現像液は供給管９より現像容器の供給孔１０を通って斜
傾した現像容器４に供給され、カバー８に導かれて下向
きに流下する。

そして、整流板５に沿って流下する現像液は整流板５に
交差して水平に設けられた等間隔に並んだ刷板７に当た
り、フォトマスク６の方向に流れを変え１図示しない固
定台にレジスト膜面を下向きにセットされたフォトマス
ク６のレジスト膜面に連続的に現像液が当たる。

これにより、現像液はフォトマスク６のレジスト膜に新
しい液が連続的に供給され、現像されたレジスト膜のパ
ターンの寸法精度が均一で精度の良いものとなる。

これは、斜め下向きのフォトマスク６のレジスト膜面に
当たった現像液が、露光部のレジストを溶解させ、その
反応生成物がその場所に留まらずに落下するため、常に
新しい薬液がレジスト面に補給されるので、現像速度や
反応のばらつき等が非常に少なくなる。

又、この装置では、現像液をドレーン１１より排出し、
洗浄水に切り換えて、リンスの工程を引続き行うことが
できる構造となっている。

次に、実施例２を第３図にて説明する。

図において、　１２はフォトマスク、１３はレジスト膜
、１４はスプレーノズル、　１５は現像液、１６は真空
チャックである。

第３図（ａ）に示すように、フォトマスク１２の表面の
レジスト膜１３を下向きにして、下方からスプレーノズ
ル１４により２円錐状に噴霧した現像液１５をレジスト
膜１３に吹きつけて現像する。

又は、第３図（ｂ）に示すようにフォトマスク１２を斜
め下向きに保持して、横方向からスプレーノズル１４に
より現像液１５をレジスト膜１３に吹きつけても良い。

更に、第３図（ｃ）に示すように、真空チャック１６で
下向きに保持したフォトマスク１２を回転させて、下方
よりレジスト膜１３に部分的にスプレーノズル１４から
現像液１５を噴射する方法によっても。

同様な効果が期待できる。

〔発明の効果〕

上記のように、実施例１．２の何れの方法でも。

下向きに保持した基板のレジスト膜に現像液を連続的に
当てることにより、ばらつきの少ない、精度のよいレジ
ストの現像パターンを得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図。 第２図は本発明の実施例１の説明図。 第３図は本発明の実施例２の説明図２ 第４図は従来例の説明図 である。 図において。 １は基板。 ３は現像液。 ５は整流板。 ７は刷板。 ９は供給管。 １１はドレーン。 １３はレジスト膜 １５は現像液 ２はレジスト膜。 ４は現像容器。 ６はフォトマスク。 ８はカバー １０は供給孔。 １２はフォトマスク １４はスプレーノズル １６は真空チャック 第　１　図 （Ｃ） シＳ手＝９月の寅りき伊１１　の言えヨ月図（）） （ｂ） （Ｃ） 雀合明の実兄例２の説明図 男ヲ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 レジスト膜（２）を表面に被覆した基板（１）を下向き
   に保持し、 下方より現像液（３）を、基板（１）上のレジスト膜（
   ２）に連続的に当てることを特徴とするレジストの現像
   方法。