JP2000306809A - 基板処理装置とこれを用いた基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置とこれを用いた基板処理方法Info
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Abstract
近づけることができ、加工精度の向上に寄与する。 【解決手段】 被処理基板10の表面に現像液等の薬液
を供給するための基板処理装置において、被処理基板1
0を水平に保持する基板保持機構と、薬液槽21から薬
液を吐出するための薬液吐出部23を有する薬液供給ぶ
20と、この薬液供給部20の薬液吐出部23の直下に
吐出部23と隔絶して配置され、且つ薬液輸送面が被処
理基板10に対して略水平に配置され、薬液吐出部23
から吐出された薬液を該薬液の流速と圧力を落としつつ
被処理基板10の表面に輸送する薬液輸送板24と、被
処理基板10と薬液輸送板24を相対的に移動させる移
動機構とを備えた。
Description
おける基板処理技術に係わり、特に被処理基板の表面に
基板処理のための薬液を効果的に供給する基板処理装置
及び基板処理方法に関する。
造工程においては、基板上に種々の加工を施し、最終的
に微細パターンを形成して所望の機能を付加していく。
このような基板の加工を行う際には、ガスを用いたドラ
イプロセスだけでなく、薬液を用いたウェットプロセス
が広く用いられている。また、感光性樹脂を感光させた
後の現像処理、露光用クロムマスクの加工、基板上に付
着した不要な有機物の除去、エッチング加工終了後に残
留した感光性樹脂パターンの除去、シリコンウェハ上へ
の金メッキ、などにもウェットプロセスが用いられてい
る。
を浸すディップ法や基板主面に薬液を供給して処理を行
うパドル法がある。ディップ法では、多量の薬液を必要
とすることや裏面からの汚染などに問題があるため、デ
ィップ法からパドル法へと変わりつつある。従来のパド
ル法では、基板を真空チャックなどで裏面から固定して
基板を回転させながら、基板上方に配置した薬液供給部
より薬液を供給していた。この方法では、基板中心と周
辺とで薬液の吐出圧力や単位面積当たりに供給される薬
液量に差が生じるために、加工精度が悪かった。
ら他方に向けて薬液供給部を移動させながら薬液を基板
主面に供給する手法が開示されている。この方法は、回
転パドル法と異なり、吐出圧力差や単位面積当たりに供
給される薬液量の差を小さく抑えることができる。その
発展系として、特開平7-36195,7-86132,7-111234,7-130
616,7-169668,8-31729,10-20508,10-189419,10-303103,
10-340836号公報等の発明がある。
部に薬液供給部の移動方向と直交する向きに被処理基板
とほぼ同じ幅の吐出口が設けられており、この吐出口よ
り被処理基板主面に対してほぼ直角に薬液を供給する形
態を用いている。しかし、この形態では、吐出した液が
基板表面に略垂直に強い圧力であたるため、乱流が生じ
ていた。そして、この乱流により、新鮮な薬液と反応生
成物とが混ざり不均一な濃度低下が生じ、加工にばらつ
きが生じていた。
略平行な方向に供給する手法についても開示されている
が、薬液の輸送を連続管により行うため、基板表面に対
し高い圧力で薬液が供給され、乱流を起こした。また、
これらの方式では吐出口に高い圧力がかかるため、吐出
口の加工精度の僅かな差でも圧力及び流量差が生じ、加
工精度低下の原因になっていた。
移動方向前方に対して薬液が先回りしないよう移動速度
の配慮が成されている。しかし、移動方向と相反する方
向(薬液供給方向)への薬液移動の配慮は成されていな
い。従って、これらの発明では、被処理基板に供給され
た薬液は反応生成物を含みながら下流に移動する。この
ため、下流で反応速度が遅くなり、寸法精度が低下する
という問題が生じていた。
(a)のように薬液が薬液吐出口とそこから連続して配
置した薬液輸送面を伝い被処理基板表面に供給する手法
を開示してある。この方式で薬液が被処理基板面に供給
される角度は、前例の如くほぼ垂直の場合もあるが、被
処理基板に対して浅い角度の場合もある。この手法で
は、吐出口の部分が開放系にあるものの、薬液はそれに
連続配置した輸送面を伝い輸送されるため圧力は衰え
ず、また非常に速い速度で被処理基板に対して薬液が供
給される。ここで、図中の矢印の大きさは速度を表す。
従ってこの場合でも、被処理基板の薬液が供給された部
分で薬液の乱流が生じたり、液が供給方向に流れ反応生
成物を下流に押し流す現象が生じた。これらの不安定要
素のため、この手法においても加工精度の劣化が生じて
いた。
ェットプロセスにおいては、薬液を供給する際に供給圧
力が被処理基板主面に伝わると、薬液の乱流が生じ、こ
れが加工精度の低下を招く要因となっていた。
ので、その目的とするところは、薬液を供給する際の供
給圧力を限りなく0に近づけることができ、加工精度の
向上に寄与し得る基板処理装置及び基板処理方法を提供
することにある。
するために本発明は次のような構成を採用している。
理のための薬液を供給する基板処理装置において、被処
理基板を略水平に保持する基板保持手段と、薬液槽から
薬液を吐出するための薬液吐出部を有する薬液供給手段
と、この薬液供給手段の薬液吐出部直下に該吐出部と隔
絶して配置され、且つ薬液輸送面が前記被処理基板の主
面に対して略平行に配置され、前記薬液吐出部から吐出
された薬液を該薬液の流速と圧力を落としつつ前記被処
理基板の表面に輸送する薬液輸送手段と、前記被処理基
板と薬液輸送手段を相対的に移動させる移動手段とを具
備してなることを特徴とする。
は次のものがあげられる。 (1) 薬液輸送手段の薬液吐出部直下に、薬液を一時的に
保存できる薬液一時保存部を設けたこと。 (2) 薬液一時保持部の容積を小さく変化させることで薬
液一時保持部に保持された薬液を被処理基板上に輸送供
給できるように、容積を小さく変化させる手段として薬
液一時保持部と隣接して薬液一時保持部へ挿入可能な薬
液押し出し部を備えたこと。
面に、薬液輸送手段の裏面と被処理基板との間に介在す
る薬液を移動又は除去する機構を設けたこと。 (4) 薬液輸送手段から被処理基板に輸送される薬液の速
度と移動手段による相対移動速度とをほぼ等しくし、薬
液の供給による基板上の圧力をほぼ0にすること。
板状体と被処理基板との成す角度は10〜20°の範囲
に設定されていること。 (6) 薬液輸送手段の主面の材質は、石英,アルミニウ
ム,アルミナ,又はこれらを含む化合物であること。
するための薬液導入管が接続されていること。 (8) 薬液供給手段の薬液槽に、圧力開放管が接続されて
いること。
送手段の主面の頂点とほぼ同じ高さか、又はそれよりも
低い位置に配置されていること。 (10)薬液供給手段の薬液吐出部に隣接して、薬液吐出部
よりも高く、且つ薬液輸送手段の主面より高い位置に洗
浄用吐出部が設けられていること。
位置から被処理基板上を通過して該基板外の他方の停止
位置まで薬液輸送手段を移動させるものであること。 (12)基板保持手段により保持された被処理基板の周囲
に、該基板主面とほぼ同じ高さに主面が位置する補助板
を配置すること。
被処理基板に対し、薬液槽に接続された薬液吐出部から
吐出された薬液を薬液輸送部を介して輸送すると共に、
被処理基板と薬液輸送部を相対的に移動させることによ
り、被処理基板の主面全体にわたって基板処理のための
薬液を供給する基板処理方法において、前記被処理基板
の周囲に該基板の主面と略同じ高さに主面が位置する補
助板を配置し、前記被処理基板の一方側の補助板の位置
で薬液の供給を開始し、他方側の補助板の位置で薬液の
供給を停止することを特徴とする。
被処理基板に対し、薬液槽に接続された薬液吐出部から
吐出された薬液を薬液輸送部の表面側を介して輸送する
と共に、被処理基板と薬液輸送部を相対的に移動させる
ことにより、被処理基板の主面全体にわたって基板処理
のための薬液を供給する基板処理方法において、前記薬
液輸送部の裏面側にガス吹き出し口又は光照射部を設
け、前記被処理基板の主面に薬液を供給する直前に該基
板の主面にガスを吹き付ける、又は光を照射することに
より、該基板の表面を改質することを特徴とする。
被処理基板に対し、薬液槽に接続された薬液吐出部から
吐出された薬液を薬液輸送部の表面側を介して輸送する
と共に、被処理基板と薬液輸送部を相対的に移動させる
ことにより、被処理基板の主面に基板処理のための薬液
を供給する基板処理方法において、前記被処理基板上に
予め供給された第1の薬液を前記薬液輸送部の裏面側で
除去又は移動しながら、前記被処理基板の主面に前記薬
液輸送部の表面側から第2の薬液を供給することを特徴
とする。
被処理基板に対し、薬液槽に接続された薬液吐出部から
吐出された薬液を薬液輸送部を介して輸送すると共に、
被処理基板と薬液輸送部を相対的に移動させることによ
り、被処理基板の主面に基板処理のための薬液を供給す
る基板処理方法において、前記被処理基板と薬液輸送部
との相対移動速度と、前記薬液輸送部から前記被処理基
板に供給される薬液の速度とをほぼ等しくし、薬液の供
給による被処理基板上の薬液の圧力を略0にすることを
特徴とする。
は次のものがあげられる。 (1)移動開始位置から移動停止位置との間で薬液輸送部
を移動させながら薬液を被処理基板上に供給する工程
が、被処理基板に対して初回と同じ方向に複数回行わ
れ、2回目以降の薬液供給の際に、薬液輸送部の被処理
基板と対向する裏面で薬液輸送部の進行方向側にある被
処理基板上の薬液を被処理基板外に除去しながら、薬液
輸送部主面より薬液輸送部の進行方向と相反する方向の
被処理基板上に薬液の供給を行うこと。
で、薬液輸送部を移動させながら被処理基板全面に被処
理基板に対して反応が生じるpHより低いpHのアルカ
リ薬液を基板主面に供給した後、移動開始位置から移動
停止位置との間で薬液輸送部を移動させながら、上記p
Hの低いアルカリ薬液を除去しつつ、薬液輸送部の主面
より被処理基板に対して反応が生じるpH値のアルカリ
薬液を被処理基板主面に供給すること。 (3) 反応が生じるpH値のアルカリ溶液は、濃度緩衝機
能を有する緩衝液であること。
で、薬液輸送部を移動させながら被処理基板全面に被処
理基板に対して反応が生じるpHより高いpH値の酸性
薬液を基板主面に供給した後、移動開始位置から移動停
止位置との間で薬液輸送部を移動させながら、上記pH
の高い酸性薬液を除去しつつ、薬液輸送部の主面より被
処理基板に対して反応が生じるpH値の酸性薬液を被処
理基板主面に供給すること。 (5) 反応が生じるpH値の酸性溶液は、濃度緩衝機能を
有する緩衝液であること。
せるために供給する停止液を、被処理基板主面上に配置
した第2の薬液供給部より被処理基板主面全体にほぼ同
時に処理液を供給すること。
理のための薬液を供給するための基板処理装置におい
て、被処理基板を略水平に保持する基板保持手段と、薬
液槽から薬液を吐出するための薬液吐出部と、この薬液
吐出部直下に該薬液吐出部と隔絶して配置され、該薬液
吐出部より吐出された薬液を該薬液の流速と圧力を落と
しつつ被処理基板の主面に輸送する薬液輸送板からな
り、被処理基板上で該基板中心に対して点対称の位置に
複数配置された薬液供給手段と、前記被処理基板及び薬
液供給手段の少なくとも一方を回転駆動する駆動手段と
を具備してなることを特徴とする。
板中心に対して点対称の位置に複数配置された薬液供給
部と、回転駆動手段とを備えた基板処理装置を用いた基
板処理方法において、薬液輸送板を介して被処理基板の
主面に供給された薬液を、薬液輸送板の裏面側で押圧し
て薬液を攪拌することを特徴とする。
面に対して薬液輸送面が略平行となるように薬液輸送手
段を薬液吐出部直下に該吐出部と隔絶して配置し、薬液
吐出部から吐出された薬液を該薬液の流速と圧力を落と
しつつ被処理基板の主面に輸送するようにしているの
で、被処理基板に対して薬液を無圧力で高い濃度のまま
供給することで、高い加工精度を保証することが可能と
なる。
吐出した薬液を、薬液の吐出方向とほぼ垂直に配置され
た薬液輸送手段の輸送面に供給することで圧力を損失さ
せ、また薬液の移動速度を低下させる。そして、圧力,
速度共に低下した薬液を被処理基板とほぼ平行な方向に
薬液輸送面上を移動させる。そして、このとき生じた薬
液の移動速度を相殺させるため、薬液の流れる方向と相
反する方向に、薬液の移動速度とほぼ同じ速度で薬液輸
送手段を移動させる。このようにして薬液を被処理基板
上に供給することで、被処理基板上に速度0で、且つ無
圧力の状態で薬液を供給して液膜を形成することが可能
となる。つまり、薬液の供給による被処理基板上の薬液
の圧力を限りなく0に近づけることができ、加工精度の
向上をはかることができる。
薬液を一時的に保存できる薬液一時保存部を設けること
により、薬液吐出部から吐出される薬液の圧力変動等に
拘わらず、薬液輸送手段による薬液の輸送速度をより均
一に制御することが可能となる。さらに、薬液輸送手段
の被処理基板側に、薬液を移動又は除去する機構を設け
ることにより、被処理基板主面への薬液の均一供給と共
に、異なる薬液へ置換を行うことが可能となる。
合、基板と輸送板とのギャップを200〜500μm程
度として被処理基板上の薬液を輸送板背面でスキージ除
去し、同時に主面より新たな薬液を層流で供給すること
で、効率良く液置換を行うことが可能となる。
形態によって説明する。
の実施形態に係わる基板処理装置の概略構成を説明する
ためのもので、(a)(b)は移動方向前方から見た
図、(c)は移動方向側面から見た図である。
部であり、被処理基板10と薬液供給部20との間に薬
液輸送板24が設置されている。薬液供給部20は、薬
液槽21と、その上方に接続された薬液供給管22と、
下方に設けられた薬液吐出口23とから構成されてい
る。図1(a)は、移動方向と直交する方向に複数の薬
液吐出口23を設けたもので、(b)は、移動方向と直
交する方向に長く伸びた薬液吐出口23’を設けたもの
である。
10〜20°(薬液の吐出方向に対して80〜70°)
の角度を持つように配置される。薬液輸送板24の両端
には輸送ガイド25が設けられ、薬液輸送板24の側面
から薬液が漏れ出ないようにしている。なお、以下の図
面では、薬液輸送板24の形状を説明するため、輸送ガ
イド25の部分を省略して描いている。
給部20と薬液輸送板24を、被処理基板10の一方か
ら基板10上を反対の位置まで移動して薬液を供給す
る。被処理基板10に対して薬液を供給する状態を、図
3に示す。薬液31は吐出口23から、その直下に配置
した薬液輸送板24の主面に供給される。
して80〜70°で配置されるため、吐出された薬液3
1は薬液輸送板24の主面に略直角にあたり、吐出時の
圧力が緩和され、また速度も低下する。その後、薬液3
1は10〜20°の緩い勾配を下り、被処理基板10の
主面に到達する。このとき、薬液31の輸送板端部2
4’における移動速度Vに対し、Vcosθ(θは輸送板
と基板の成す角度)の速度で薬液輸送板24を薬液31
の移動速度と相反する方向に移動させるため、ほぼ無圧
力で薬液31の移動速度0の状態で薬液31を被処理基
板10の主面に供給できる。
との距離は、薬液による圧力を小さくする観点から極力
近づけた方がよい。その距離は数100μm〜1mmの
範囲がよいが、望ましくは200〜700μmの範囲に
するとよい。また、薬液輸送板24の先端部分は鋭角に
するか、僅かに曲率を持たせるとよい。図1〜3では薬
液輸送板24の先端に曲率を持たせている。また、後述
する図6〜9の構造では薬液輸送板24の先端を鋭角に
したものである。これらの手段を施さず、直角のエッジ
を持つものは、その部分で液体の表面張力のため脈流を
生じ、加工精度が悪かった。
と、薬液は被処理基板表面を被処理物(例えばレジス
ト)と反応しながら移動する。このため、薬液移動の下
流側には常に反応生成物を含む薬液が供給され、反応速
度が遅く加工均一性が悪くなる。図6の形態では、薬液
の被処理基板上での移動速度が略0となるような薬液供
給部の移動速度は、薬液供給量と所望の液厚により一意
的に定まり、図4(a)の関係がある。また、このとき
の薬液輸送板の角度は図4(b)のように示される。図
4(b)の関係は、輸送板主面の材料及び加工状態で種
々の値を取るが、ここでは石英板を表面荒さ数μm程度
に滑らかに研磨したものを用いた場合の関係を示した。
液厚については0.8〜2.4mm程度とすることが好
ましく、より望ましくは1mm〜2mmの範囲がよい。
ことにより薬液の移動速度が遅くなることを、従来例と
比較して説明しておく。図5(a)(b)は従来装置の
例であり、(c)は本実施形態である。図5(a)で
は、薬液吐出口53と薬液輸送部54が繋がっており、
薬液輸送部54は連続した曲率を持っている(特開平 1
0-223507号公報)。このため、薬液吐出口53から吐出
された薬液は高圧力となり、さらに重力も加わるためそ
の移動速度も速いものとなる。図5(b)では、薬液吐
出口53に繋がる薬液輸送部54が密閉空間となってい
る(特開平 7-36195号公報)。このため、ベクトルの方
向が変わるだけで、薬液の移動速度が遅くなることはな
い。ここで、図中の矢印は薬液の移動速度を表してい
る。
のように、薬液吐出口53と薬液輸送部54が隔絶して
いると、開放空間のため鉛直方向の速度は破線で示すよ
うに大きいものの、輸送板上では実線のように小さくな
り、また輸送板の表面張力を受けながら流れるため、薬
液の移動速度は遅くなるのである。
とし、先端を10°の鋭角に加工した薬液輸送板を用
い、薬液供給量2L/min、薬液輸送板を薬液供給部
と相対位置を固定して85mm/secで、DUV露光
(248nm)・べ一ク処理まで終えた被処理基板の主
面上のDUVレジスト膜表面を移動させて液膜を形成し
た。このときの液膜の厚さは2.05mmであった。9
0秒の現像処理の後、純水で液膜を置換しスピン乾燥を
行い150nmのレジストパターンを形成した。形成さ
れた150nmライン&スペースパターンのライン部の
寸法均一性は、8インチウェハ内で3σ<5nmとする
ことができた。
した手法では3σ=10nm程度しか得られておらず、
本手法により加工ばらつきを半減することができた。ま
た、被処理基板の膜構成は、絶縁膜を平坦化した上にD
UV露光に対する反射防止機能を持つ膜を形成し、その
上にDUVレジスト膜を形成したものであった。
う現像条件を定めたが、これに限るものでなく、図4
(a)(b)の関係を用い、薬液供給量や薬液供給部の
移動速度を調整することで所望膜厚の液膜を形成でき
る。
可能である。図6(a)は、先に説明した構成、(b)
は薬液輸送板24の移動方向上流側に薬液移動溝26を
形成した構成、(c)は薬液輸送板24の底面を移動方
向上流側に僅かに持ち上げ、結果的に薬液移動溝を形成
した構成、(d)は(c)に加えて薬液輸送板24の底
面に薬液吸収部27を設けた構成である。また、図7
(a)〜(d)はそれぞれ、図6(a)〜(d)の構成
に加えて、薬液輸送板23の上面に薬液溜め28を設け
た構成である。
送板24の背面(被処理基板10と対向する面)に薬液
を押しながら移動させる、若しくは除去する機能を持
つ。図8(a)は、第1の薬液31を薬液輸送板24の
背面で押しながら除去しつつ、主面より第2の薬液32
を供給している様子を示している。図6、図7の(d)
の構造は、薬液輸送板23の背面に薬液を吸収する手段
を持たせ、そこで薬液を吸収しながら除去する機能を持
つ。図8(b)は図6、図7の(d)の構造で第1の薬
液31を吸収して除去しながら、薬液輸送板24の主面
より第2の薬液32を供給する様子を示す。
に、は次のようなものがある。 1)表面改質のために純水(第1の薬液)を被処理基板
10の表面に供給した後、現像液(第2の薬液)を供給
する工程。 2)現像液(第1の薬液)を被処理基板10に供給し、
現像処理を行った後、現像停止液(第2の薬液)を供給
する工程。 3)現像液(第1の薬液)を被処理基板10に供給し、
現像処理を行った後、更に新しい現像液(第1の薬液)
を供給する工程。
にも適用できる。その場合、1)〜3)の現像という記
載をエッチングに置き換えればよい。また、背面を用い
て薬液除去のみを行ったり、主面を用いて薬液補充のみ
を行ってもよい。
は純水を用いることが多かった。しかし、本実施形態の
ような現像方式の場合、薬液置換を十分に行うことがで
きない場合がある。そこで、表面改質液に反応が起こら
ない限界の濃度のアルカリ又は酸を用いるとよい。これ
らの薬液を用いることで速やかに薬液処理へ移行でき
る。
いる場合、表面改質液の濃度としてpH12〜13程度
の液体を用いるとよい。また、第1の薬液(現像液)に
は緩衝作用のある現像液を用いるとよい。緩衝作用のあ
る現像液を用いると、供給直後に表面改質液が残存し、
処理液の状態が低濃度であっても供給された薬液の緩衝
作用により供給液の濃度回復が起こり、表面改質液の残
存に伴う濃度差を解消できる。
H溶液にTMAHと弱酸との塩を少量含有させたものを
用いることができる。なお、第1の薬液に酸(例えば弗
酸)を用いる場合についても同様に、表面改質液に処理
液よりpH値の大きい酸を用い、酸として緩衝機能(例
えば、弗酸と弗化アンモニウムの混合溶液)を持つもの
を用いるとよい。
24を用いた場合でも、薬液の供給量が少ない場合に
は、その直下に基板が無いと表面張力により先端で薬液
が盛り上がる現象が見られる。この状態で被処理基板1
0に対して液膜を供給すると、被処理基板10が直下に
来て薬液が供給された直後に被処理基板10に供給され
る液に乱れが生じる。これを防止するため実際には、前
記図2及び図9に示すように、被処理基板10の周辺に
補助板11を設けるとよい。ここで、薬液に対して補助
板主面は被処理基板主面と同程度の界面張力を持つよう
にするとよい。また、輸送板の界面張力は、それらより
小さくするとよい。
面図であり、(b')(c')(d')は上面図である。補助
板11は被処理基板10の周囲に被処理基板10と主面
がほぼ同じ高さになるように設けられている。図9
(b')では、薬液供給部20及び薬液輸送板24は、補
助板11上を紙面左から右に移動しながら薬液を補助板
11と被処理基板10に供給する。
が被処理基板10に対し左側の補助板11上にあるとき
に、薬液供給を開始する(図9(a))。ここで用いた
薬液輸送板24の主面には、薬液溜め(薬液保持部)2
8が設けられており、まず薬液溜め28が薬液31で満
たされ、更に薬液溜め28から溢れた薬液31が薬液輸
送板24の主面を伝い補助板11上に供給される(図9
(b)(b'))。補助板11上での薬液31の流れが整
った段階で、薬液輸送板24(及び薬液供給部20)の
移動を開始し、被処理基板10上を通過(図9(c)
(c'))後、少なくとも被処理基板10の右側の補助板
11上まで行われる。
処理基板10上を通過し補助板11に入った段階で、薬
液31の吐出を停止し、その移動も停止する(図9
(d)(d'))。ここで、補助板11及び被処理基板1
0と薬液輸送板24との距離は1mm以内が好ましい。
また、補助板11の薬液31に対する濡れ性は被処理基
板10の薬液31に対する濡れ性と略同じであることが
望ましい。また、被処理基板10と補助板11とのギャ
ップは、そのギャップから薬液31が垂れ落ちない程度
であればよい。さらに、被処理基板10上に薬液31を
供給した後、補助板11は被処理基板10に対して上方
又は下方に待避させてもよい。
(c)の構成の薬液輸送板を用いた硝酸セリウム(II)
アンモニウム溶液によるウェットエッチング方法に関す
る。
送板24の先端の角度は11°とした。また、被処理基
板10である露光用マスクブランクスと主面との成す角
度は12.3°とした。露光用マスクブランクス主面に
は、Cr膜上にレジストパターンが形成されていた。
基板10としてのマスクブランクス外で、薬液吐出口2
3より薬液輸送板24の薬液溜め28に対して薬液31
の供給を行う。これにより、図10(b)に示すよう
に、薬液溜め28は徐々に薬液31で満たされる。そし
て、図10(c)に示すように、薬液31が薬液溜め2
8より漏れ出て薬液輸送板24の主面を伝い始めた。
れが整った段階で薬液輸送板24を移動速度83mm/
secで移動させて、図10(d)に示すように、ブラ
ンクス主面に薬液(エッチング液)である硝酸セリウム
(II)アンモニウム溶液を供給した。60秒の処理の
後、前記図8の如くエッチング液を供給したのと同じ方
向に薬液輸送板24を移動させながら、その背面でエッ
チング液を除去しつつ主面より水を供給してエッチング
を停止させた。さらに、基板全体に基板中心に配置した
単一ノズルから純水を供給して洗浄し、更に乾燥除去し
た。本実施形態のように矩形基板の処理では、矩形基板
上の非パターン領域を補助板代わりに用いてもよい。
ることで、加工精度が飛躍的に向上し、寸法精度3σ<
7nmで作成できた。従来の工程では3σ=15nmで
作成されており、本実施形態の如く露光用マスクブラン
クスの加工を行うことで、飛躍的にその精度を向上させ
ることができた。また、この手法で作成された露光用ブ
ランクスを用いて作られたSRAM,DRAM,ロジッ
ク等の半導体素子についても、電気的特性のばらつきを
改善することができ、更にチップを縮小化できた。
3より薬液輸送板24の主面に設けた薬液溜め28に供
給しながら被処理基板10にも薬液を供給したが、供給
方式はこれに限るものではない。図11に示すように、
薬液吐出口23から供給された薬液31を一旦薬液保溜
め28に蓄えた後(図11(a)→(b))、吐出を停
止し(図11(c))、薬液輸送板24を移動させなが
ら、少しずつ薬液溜め28より薬液31を漏れさせて薬
液輸送板24を伝わらせ、被処理基板10の主面に供給
してもよい。
て、薬液輸送板24の傾きを徐々に大きくするとよい
(図11(d))。この場合、薬液輸送板24が被処理
基板10とぶつからないように、薬液供給部全体を上に
引き上げながら移動させる(図11(e))。また、図
12(d)(e)に示すように、薬液溜め28の一部に
薬液排出機構29を設け、それにより移動させながら薬
液31をこぼれさせる方法を用いてもよい。
うなものがある。 1)薬液溜め内に風船のように伸縮するチューブを配置
し、チューブ内に空気を導入して膨らませてチューブ体
積を大きくすることで、薬液溜めの体積を実質的に小さ
くし、漏れ出させる。 2)薬液溜めの一部を薬液供給方向に対して前後(若し
くは上下)に移動できるようにし、薬液溜めの体積を実
質的に小さくし、漏れさせる。 3)薬液溜めに排出手段(ブロック)を挿入し、薬液溜
めの体積を実質的に小さくして漏れさせる。 なお、薬液溜めの体積変化を与えることで漏れるように
すれば、必ずしも1)〜3)の手法に限らず、如何なる
手法を用いてもよい。
を満たすまでは図11(a)〜(c)と同じである。そ
の後、薬液溜め28内に予め設置された排出機構29を
徐々に膨らませながら、薬液31の被処理基板10への
輸送を開始する。この方式では、吐出を一旦停止、静止
させることで、吐出時に生じる波紋を無くすことができ
る。その段階で被処理基板10に薬液31を供給すれ
ば、均一な液膜を形成できる。
8に薬液31を供給し(a)、薬液吐出口23からの吐
出を一旦停止し、次いで薬液排出機構29を薬液溜め2
8に挿入することで薬液溜め28から薬液31を漏れさ
せて被処理基板10上への薬液供給を開始する(b)。
このとき、薬液31の漏れる量を単位時間当たり一定と
なるように排出機構29を沈めるとよい(c)。
と薬液供給部20を同時に移動させているが、図14に
示すように、薬液輸送板24のみを移動させるようにし
てもよい。まず、図14(a)に示すように、補助板1
1の上方に薬液供給部20を配置し、薬液供給部20と
補助板11との間に薬液輸送板24を移動させ、薬液供
給部20から薬液輸送板24の薬液溜め28に薬液31
を供給する。
排出機構29を動作させ、薬液溜め28から薬液31を
漏れさせ、補助板11上での薬液31の流れが整った段
階で薬液輸送板24の移動を開始する。そして、図14
(c)に示すように、被処理基板10の主面に薬液31
を供給し、図14(d)に示すように、他端の補助板1
1上で薬液31の供給を停止(薬液排出手段の動作を停
止)し、更に薬液輸送板24の移動を停止させる。
低い圧力で供給する手法に関する。本実施形態で用いる
薬液供給部として、図15(a)(b)に示すように、
薬液槽21に該槽21を大気開放するための開放管41
及び弁を設置した。このような薬液供給部20を用いた
工程を図16に示す。
22から薬液槽21に薬液を導入する。その際、薬液吐
出口23からも少量の薬液31が漏れる(図16
(a))。薬液槽21に被処理基板10上に供給する薬
液量及びその前後で消費する薬液量を加えた分だけ溜め
られた段階で、薬液導入管22のバルブを閉じる(図1
6(b))。バルブを閉じた後は、薬液槽21の内部が
陰圧となり、薬液吐出部23からの薬液31の吐出は生
じない。
4を補助板11に近づけ、開放管41の弁を開放する
(図16(c))。薬液槽21には一定の圧力がかか
り、その圧力により薬液吐出口23より圧力に応じた薬
液量が薬液輸送板24に供給される。補助板11上での
薬液31の流れが一定となった段階で、薬液供給部20
及び薬液輸送板24を被処理基板10上で走査させ、液
膜を被処理基板10上に形成する(図16(d))。
と、薬液供給部20は被処理基板10の外方に移動する
(図16(e))。そして、薬液輸送板24上の薬液3
1を排出する(図16(f))。なお、図16(e)で
は、薬液槽21の薬液31が完全にない状態であるが、
多少残存してもかまわない。
で薬液槽21内の薬液面への圧力を調整でき、第1の実
施形態よりも低い圧力で被処理基板10上に薬液31を
供給できるため、薬液供給部20の移動速度を遅くで
き、被処理基板10と薬液31との相対移動速度を限り
なく0にすることができた。そして、本実施形態により
形成された130nmライン&スペースのライン部の寸
法均一性は、8インチウェハ内で3σ<4nmとするこ
とができた。
平坦にして用いたが、これに限るものではなく、図17
(a)〜(f)に示すように、主面に薬液溜め28を有
する構造を用いてもよい。これを用いると、乱流を更に
抑えることができ、重力の影響も小さくできる。
と薬液輸送板24の洗浄機能を具備した構造を示してい
る。薬液供給部20には薬液吐出口23の他、洗浄薬液
(薬液は純水でもよい)の吐出口42が設けられてい
る。薬液吐出口23は薬液31が薬液溜め28に溜めら
れた際に埋没するよう配置され、洗浄用薬液の吐出口4
2は埋没しないよう配置してある。洗浄の際は、洗浄用
薬液の吐出口42から薬液溜め28に洗浄薬液が供給さ
れる。このような処理を行うことで、薬液溜め28,薬
液輸送板24の主面を効率良く洗浄できる。
基板の主面に薬液を供給する直前に該主面にガスを吹き
付けて表面改質をはかる方法である。基板処理装置とし
ては、前記図9に示す構成に加え、図19(a)に示す
ように、薬液輸送板24の裏面側(被処理基板と対向す
る面)にガス吹き出し口45を設けている。このガス吹
き出し口45からは、例えば水蒸気を吹き出すことが可
能となっている。それ以外の構成及び操作は前記図9と
同じである。
端を10°の鋭角に加工した薬液輸送板を用いた。そし
て、DUV露光(248nm)・ベーク処理まで終えた
被処理基板主面上のDUVレジスト膜表面に対し、薬液
溜め28を薬液供給部20と相対位置を固定して85m
m/secで、薬液供給部20と薬液輸送板24を同時
に移動させ薬液を供給した。さらに、薬液輸送板24の
背面に設けたガス吹き出し口45から水蒸気を吹き出
し、薬液供給前に被処理基板10の主面を親水性に改質
した。
び薬液輸送板24の走査等は前記図9と同じである。即
ち、薬液供給部20及び薬液輸送板24が被処理基板1
0に対し左側の補助板11上にあるときに薬液供給を開
始し、これにより薬液溜め28から溢れた薬液31が薬
液輸送板24の主面を伝い補助板11上に供給される
(図19(b)(b'))。補助板11上での薬液31の
流れが整った段階で、薬液輸送板24(及び薬液供給部
20)の移動を開始し、被処理基板10上を通過させる
(図19(c)(c'))。そして、薬液輸送板24の左
辺(薬液供給点)が被処理基板10上を通過し補助板1
1に入った段階で、薬液31の吐出を停止し、その移動
も停止する(図19(d)(d'))。
被処理基板10の表面を親水性に改質しながら、被処理
基板10の主面に対して、薬液輸送板24の主面より、
薬液供給量2L/minで薬液を供給し液膜を形成し
た。液膜の厚さは2.05mmであった。90秒の現像
処理の後、純水で液膜を置換しスピン乾燥を行い、15
0nmのレジストパターンを形成した。形成された15
0nmライン&スペースパターンのライン部の寸法均一
性は8インチウェハ内で3σ<5nmとすることができ
た。
した手法では3σ=10nm程度しか得られておらず、
本実施形態により加工ばらつきを半減することができ
た。また、被処理基板10の膜構成は、絶縁膜を平坦化
した上にDUV露光に対する反射防止機能を持つ膜を形
成し、その上にDUVレジスト膜を形成したものであっ
た。
よう現像条件を定めたが、これに限るものではなく、薬
液供給量,薬液供給部の移動速度を調整することで所望
膜厚で液膜を形成できる。
理に用いた水蒸気のため、薬液濃度が低下する場合があ
る。そこで、表面改質に反応が起こらない限界の濃度の
アルカリ又は酸を窒素搬送して用いるとよい。これらの
薬液を用いることで、速やかに薬液処理へ移行できる。
本実施形態のように薬液として現像液を用いる場合、表
面改質蒸気の濃度としてpH12〜13程度の液体を窒
素搬送して用いるとよい。また、薬液(現像液)には緩
衝作用のある現像液を用いるとよい。緩衝作用のある現
像液を用いると、供給直後に表面改質液が残存し処理液
の状態が低濃度であっても、供給された薬液の緩衝作用
により供給液の濃度回復が起こり、表面改質液の残存に
伴う濃度差を解消できる。
H溶液にTMAHと弱酸との塩を少量含有させたものを
用いることができる。なお、薬液に酸(例えば弗酸)を
用いる場合についても同様に、表面改質液に処理液より
pH値の大きい酸を用い、酸として緩衝機能(例えば、
弗酸と弗化アンモニウムの混合溶液)を持つものを用い
るとよい。
基板の主面に薬液を供給する直前に該主面に光を照射す
るようにしたものであり、露光用マスクの製造に適して
いる。基板処理装置としては、前記図9に示す構成に加
え、図20(a)に示すように、薬液輸送板24の裏面
側(被処理基板と対向する面)に光照射部46を設けて
いる。この光照射部46からは、例えば真空紫外光が照
射されるようになっている。それ以外の構成及び操作は
前記図9と同じである。
場合について説明する。主面が6インチ角で厚さ約6m
mの石英基板の主面上にクロム膜と酸化クロム膜が順次
積層され、更にその上に電子線レジスト膜が形成されて
いる。電子線露光装置を用いて電子線レジスト膜に対し
て選択的な露光を行い、真空より開放した後ベーク処理
を施した。さらに、第4の実施形態と同様の手法で現像
を行い、選択的に酸化クロム膜を露出させた。
置であるクロムエッチング装置に搬送した。クロムエッ
チング装置では、図20の形態で石英板を原料とし、先
端を10°の鋭角に加工した薬液輸送板24を用い、薬
液輸送板24を薬液供給部20と相対位置を固定して8
5mm/secで、薬液供給部20と薬液輸送板24を
同時に移動させて薬液を供給した。
び薬液輸送板24の走査等は前記図9と同じである。即
ち、薬液供給部20及び薬液輸送板24が被処理基板1
0に対し左側の補助板11上にあるときに薬液供給を開
始し、これにより薬液溜め28から溢れた薬液31が薬
液輸送板24の主面を伝い補助板11上に供給される
(図20(b)(b'))。補助板11上での薬液31の
流れが整った段階で、薬液輸送板24(及び薬液供給部
20)の移動を開始し、被処理基板10上を通過させる
(図20(c)(c'))。そして、薬液輸送板24の左
辺(薬液供給点)が被処理基板10上を通過し補助板1
1に入った段階で、薬液31の吐出を停止し、その移動
も停止する(図20(d)(d'))。
クロム面に僅かに残留するレジストを除去する目的で1
75nmの波長の波長の真空紫外光を照射する光照射部
46が設けられている。この光照射部46から被処理基
板10の主面を照射すると、光照射部46と被処理基板
10の主面に介在する空気よりオゾンが発生し、このオ
ゾンと175nm光の照射により先にレジストを選択的
に除去し、表面が露出した酸化クロム膜表面上に僅かに
残ったレジストを完全に除去する。
て露出した酸化クロム膜表面のレジスト残査を除去しな
がら、被処理基板10の主面に対して、薬液輸送板24
の主面より、薬液供給量2L/minで薬液を供給し液
膜を形成した。液膜の厚さは2.05mmであった。9
0秒のエッチング処理の後、純水で液膜を置換しスピン
乾燥を行い、480nmのクロムパターンを形成した
(4倍体マスク)。形成された600nmライン&スペ
ースパターンのライン部の寸法均一性は、8インチウェ
ハ内で3σ<10nmとすることができた。
した手法では3σ=20nm程度しか得られておらず、
本実施形態により加工ばらつきを半減することができ
た。また、本実施形態では液厚2.05mmとなるよう
現像条件を定めたが、これに限るものではなく、薬液供
給量,薬液供給部の移動速度を調整することで所望膜厚
で液膜を形成できる。
ナを表面改質した薬液輸送板を用いたレジストの現像方
法への適用例に関する。本発明は、薬液の流速と圧力を
小さくして被処理基板に供給する方法であり、その達成
手段として溜めがある場合、吐出口を溜め底部に設けて
も同様の効果が得られる。
20への薬液の導入側に切り替えバルブ47を設け、2
種の薬液を適宜選択できるようになっている。薬液輸送
板24はそれ自体に薬液溜め28を有する構造であり、
薬液溜め28の下部に薬液吐出口48が位置するように
なっている。
し、被処理基板10である露光用マスクブランクスと主
面との角度を15°とした。被処理基板10の主面には
レジスト膜が形成されており、この膜中に露光により潜
像が形成されていた。
48より薬液輸送板24の薬液溜め28に対して薬液3
1の供給を行った(図21(a))。薬液溜め28は徐
々に薬液31で満たされ、更に薬液溜め28より漏れ出
て薬液輸送板24の主面を伝い始めた(図21
(b))。薬液輸送板24の主面上での薬液31の流れ
が整った段階で薬液輸送板24を移動速度83mm/s
ecで移動させて被処理基板10の主面に現像液である
TMAH溶液を供給した(図21(c))。そして、被
処理基板10の外方で薬液31の供給を停止した(図2
1(d))。
液を供給したのと同じ方向に薬液輸送板24を移動させ
ながら、その背面で現像液31を除去しつつ、主面より
第2の薬液としての水32を供給して現像を停止させた
(図21(e))。更に、基板全体に基板中心に配置し
た単一ノズルからも純水を供給し洗浄し、更に乾燥除去
した。
で、加工精度が飛躍的に向上し、130nmのパターン
において寸法精度3σ<4nmで作成できた。従来の工
程では3σ=13nmで作成されており、本実施形態の
ように加工を行うことで飛躍的にその精度を向上させる
ことができた。さらに、エッチング等を経て作成された
デバイスの特性も大幅に改善できた。
の底部に隣接して薬液吐出口48を設けてある。薬液供
給管の上流側で薬液切り替えバルブ47を設置しておけ
ば、第1の薬液31を供給後、バルブ47を動かし第2
の薬液32を流すだけで、容易に薬液溜め28の液体を
第2の薬液32に置換することができる。また、薬液吐
出口の位置は適宜変更可能であり、例えば図22に示す
ように、薬液輸送板24自体に吐出口49を設けるよう
にしてもよい。
は、薬液輸送板を一方向に移動させるものであったが、
これ以降の実施形態では、薬液輸送板を回転移動させる
ものについて説明する。
態に係わる基板処理装置の構成を示すもので、図23は
薬液供給部を下方から見た上面図、図24は斜視図、図
25(a)(b)(c)はそれぞれ図23の矢視A−
A’,B−B’,C−C’断面図である。
し、その上面に薬液導入管62及び空気導入管63が接
続されている。薬液槽61の下面には、複数の薬液吐出
口64が設けられている。これらの薬液吐出口64は直
線上に配列されているが、薬液槽61の中心を境に一方
と他方で列がずれている。より具体的には、薬液槽61
の中心として一方側の複数の薬液吐出口64aと他方側
の複数の薬液吐出口64bとが点対称に配置されてい
る。
の直下には、薬液吐出口64から吐出された薬液を被処
理基板表面に輸送するための薬液輸送板65(65a,
65b)が吐出口64と隔絶して配置されている。そし
て、上記の61〜65からなる薬液供給部は図示しない
駆動機構により、薬液槽61の中心を軸として回転され
るようになっている。
理基板外に配置した状態で、薬液を薬液供給部外部より
薬液供給管62を介して薬液供給部内の薬液槽61に供
給する。さらに、薬液は薬液吐出口64から薬液供給部
の外に放出され、その直下で被処理基板と略平行に配置
された薬液輸送板65上に供給される。このとき、吐出
口64から出た際の圧力と速度は薬液輸送板65で緩和
される。その後、薬液は薬液輸送板65上を輸送されて
被処理基板表面に送られる。
液の相対速度が略0となるような回転数で被処理基板又
は薬液供給部を回転させることで、被処理基板表面の処
理膜に対して圧力が殆どかからない状態で液膜を形成す
ることができた。なお、薬液の供給はウェハが1/2回
転したところで終了する。
液を圧力をかけることなく短時間で供給することがで
き、被処理基板全面に均一な液膜を形成することができ
た。
13μmパターンの加工に適用することにより、面内の
寸法変動を±6nmにでき、加工精度が飛躍的に向上し
た。なお、同様の露光を施したウェハに対して、現像の
み図26に示す従来の手法を適用した場合には、薬液の
供給方向が定まらず薬液吐出口から吐出されたや空気が
前方に広がるなどして薬液供給時に既に薬液の濃度分布
が生じたため、寸法変動±12nmを生じた。
液供給板は薬液との接触角が小さい部材を選ぶのが好ま
しい。薬液として水溶液,アルカリ現像液などを用いる
場合には、SUSなどの部材をそのまま、或いは表面に
微細な凹凸を形成して用いるとよい。また、有機溶剤を
用いる場合にはSUSなどの部材をもちいるとよい。ま
た、幅や被処理基板面に対する角度も図23〜図25に
限るものではなく、幅は薬液が被処理基板表面に相対速
度で0で供給できるものであれば、どのような幅でもよ
い。また、角度は10〜30°程度が望ましい。薬液吐
出口は径0.2〜0.8nm程度が好ましく、被処理基
板の外側を通過する領域で吐出口の存在密度を高くする
ことが好ましい。
せて薬液を供給するため、内側に対して外側の方が薬液
の供給量を多く必要とする。そこで、外側に行くほど吐
出口の径を徐々に大きくしてもよいが、その場合被処理
基板中心より半径rの部分を通過する吐出口径dに対
し、r’の部分を通過する吐出口径d’を d’=(r’/r)0.25d 程度にし、吐出口径間隔を一定にするとよい。
す限りではない。被処理基板に対する処理の際、被処理
基板中心に対称に薬液供給口とその下部に薬液供給板を
持つものであれば如何なる形態であってもよい。例え
ば、図27に示す十字型に薬液供給口64(64a〜6
4d)と薬液供給板65(65a〜65d)を配置した
ものであってもよい。このようなノズルでは、1/4回
転で被処理基板に対する薬液の供給が完了する。また、
図25(a)(c)に示される断面構造に限るのではな
く、図6、図7等の構造であってもよく、図25(b)
はそのときの輸送板の形態に応じて変化する。
な基板処理装置を用いてレジスト等を現像液にて現像す
る場合、現像開始後、被処理基板上のチップ内で、どの
場所でも溶解量は同じとは言えず、溶解量が多い部分や
溶解量が少ない部分が存在する。溶解量の多い部分で
は、薬液の消費量が多く、プロセスが進行するに従い溶
解速度が低下する。一方、溶解量が少ない部分では、初
期の溶解速度を維持し続ける。従って、この現象を放置
すると、加工の不均一性をもたらすことになる。
続いて薬液を攪拌した。薬液の攪拌には薬液供給部を用
い、図28に示すように、被処理基板71であるウェハ
を矢印の方向に回転させて、薬液供給板65の背面で薬
液72を移動させる(押す)ようにして行った。なお、
図中の(a1)(b1)は平面図、(a2)(b2)はそれぞれ
(a1)(b1)に対応する側面図である。
rpm程度であることが望ましい。20rpm以下の場
合、薬液の移動は観察されなかった。また、50rpm
以上になるとウェハ上の薬液が遠心力により外に放出さ
れ、むしろ加工均一性は低下した。
攪拌時に被処理基板であるウェハを回転させたが、これ
とは逆に図29に示すように薬液供給部を回転させても
よいし、薬液供給部と被処理基板の両方を回転させても
よい。どのような場合にも、薬液を供給する際の薬液の
供給方向に対して薬液供給部が相反する方向に動作さ
せ、薬液を混合する際には薬液供給板の背面で薬液を押
すように動作させればよい。
記図6、図7に示すような変形が可能である。本実施形
態では、現像工程について示したが、これに限るもので
はなく、ウェットエッチングプロセスにも勿論適用でき
る。
についても適用できる。例えば、第7の実施形態と同様
に、薬液に固形分0.1〜10%の範囲で調整されたレ
ジスト溶液を用い、液膜を被処理基板面上に形成する。
このとき、レジスト膜が不均一である場合、引き続き第
8の実施形態と同様にレジスト液膜の表面を薬液輸送板
の裏面で撫でるように、被処理基板若しくは薬液供給ノ
ズルを回転させる。
板を加熱し不要な溶剤を除去してレジスト膜を形成す
る。この手法は勿論、反射防止膜,SOG等の層間絶縁
膜等のように液体状態で塗布して固化させるあらゆる手
法に対して適用できる。また、この手法は従来の回転塗
布と異なり、固形分の殆どを被処理基板上に留めて膜形
成できるため、大幅にコスト削減できる。
〜図25の構造の基板処理装置を用いた硝酸セリウム
(II)アンモニウム溶液によるウェットエッチング方法
に関する。基本的な方法は先に説明した第2の実施形態
と同様であるが、基板処理装置が薬液輸送板を一方向に
移動させるか、回転させるかの違いがある。
液輸送板に合成石英を用い、薬液輸送板の先端の角度は
11°とし、被処理基板である露光用マスクブランクス
と主面との成す角度は12.3°とした。露光用マスク
ブランクス主面にはCr膜上にレジストパターンが形成
されていた。
輸送板の薬液保持手段に対して薬液の供給を行い、薬液
保持手段を徐々に薬液で満たし、更に薬液保持手段より
溢れ出させる。そして、薬液輸送板主面上での流れが整
った段階で薬液輸送手段を速度8rpm(周速度83m
m/sec)で回転させて、ブランクス主面にエッチン
グ液である硝酸セリウム(II)アンモニウム溶液を供給
した(図29(a1,a2)。
くエッチング液を供給したのと同じ方向に薬液輸送手段
を移動させながら、その背面でエッチング液を除去しつ
つ主面より水を供給しエッチングを停止させた。さら
に、基板全体に基板中心に配置した単一ノズルから純水
を供給し洗浄し、更に乾燥除去した。
ことで加工精度が飛躍的に向上し、寸法精度3σ<7n
mで作成することができた。従来の工程では3σ=15
nmで作成されており、本実施形態の如く露光用マスク
フランクスの加工を行うことで飛躍的にその精度を向上
させることができた。この手法で作成された露光用フラ
ンクスを用いて作られたSRAM,DRAM、ロジック
等の半導体素子についても電気的特性のばらつきを改善
でき、またチップを縮小化できた。
送板主面に設けた薬液保持手段に供給しながら被処理基
板にも薬液を供給したが、供給方式はこれに限るもので
はなく、前記図11、図12のような変形が可能であ
る。さらに、薬液保持手段の一部に排出手段を設け、そ
れにより移動させながら薬液をこぼれさせる方式を用い
てもよい。排出手段としては、第2の実施形態で1)〜
3)に示した例が挙げられる。
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。
液供給手段の薬液吐出部直下に薬液輸送手段を隔絶して
配置し、薬液吐出部から吐出された薬液を薬液輸送面で
一旦受け止め、該輸送面を伝って流れる薬液を被処理基
板に輸送するようにしているので、被処理基板に対して
薬液を供給する際の供給圧力を小さくすることができ、
これにより加工精度の向上をはかることが可能となる。
特に、薬液輸送手段から被処理基板に供給される薬液の
速度と移動手段による相対的な移動速度とをほぼ等しく
することにより、薬液の供給による被処理基板上の薬液
の圧力を限りなく0に近づけることができ、加工精度の
更なる向上をはかることができる。
成を示す図。
の移動状態を示す図。
している状態を示す図。
度及び輸送板角度の関係を示す図。
液の速度が遅くなることを、従来例と比較して示す図。
第2の薬液を供給している状態を示す図。
ハと補助板との関係を示す図。
のプロセスを示す図。
構成を示す図。
す図。
の例を示す図。
浄機能を具備した構造を示す図。
示す図。
示す図。
示す図。
上面図。
斜視図。
断面を示す図。
た例を示す図。
するためのもの、ウェハを回転する例を示す図。
するためのもの、ノズル側を回転する例を示す図。
Claims (9)
- 【請求項1】被処理基板を略水平に保持する基板保持手
段と、 薬液槽から薬液を吐出するための薬液吐出部を有する薬
液供給手段と、 この薬液供給手段の薬液吐出部直下に該吐出部と隔絶し
て配置され、且つ薬液輸送面が前記被処理基板の主面に
対して略平行に配置され、前記薬液吐出部から吐出され
た薬液を該薬液の流速と圧力を落としつつ前記被処理基
板の主面に輸送する薬液輸送手段と、 前記被処理基板と薬液輸送手段を相対的に移動させる移
動手段とを具備してなることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項2】前記薬液輸送手段の前記薬液吐出部直下
に、前記薬液を一時的に保存できる薬液一時保存部を設
けてなることを特徴とする請求項1記載の基板処理装
置。 - 【請求項3】前記薬液輸送手段により前記被処理基板に
供給される薬液の速度と前記移動手段による相対的な移
動速度とをほぼ等しくし、薬液の供給による被処理基板
上の薬液の圧力をほぼ0にしてなることを特徴とする請
求項1記載の基板処理装置。 - 【請求項4】主面が略水平に保持された被処理基板に対
し、薬液槽に接続された薬液吐出部から吐出された薬液
を薬液輸送部を介して輸送すると共に、被処理基板と薬
液輸送部を相対的に移動させることにより、被処理基板
の主面全体にわたって薬液を供給する方法であって、 前記被処理基板の周囲に該基板の主面と略同じ高さに主
面が位置する補助板を配置し、前記被処理基板の一方側
の補助板の位置で薬液の供給を開始し、他方側の補助板
の位置で薬液の供給を停止することを特徴とする基板処
理方法。 - 【請求項5】主面が略水平に保持された被処理基板に対
し、薬液槽に接続された薬液吐出部から吐出された薬液
を薬液輸送部の表面側を介して輸送すると共に、被処理
基板と薬液輸送部を相対的に移動させることにより、被
処理基板の主面全体にわたって薬液を供給する方法であ
って、 前記薬液輸送部の裏面側にガス吹き出し口又は光照射部
を設け、前記被処理基板の主面に薬液を供給する直前に
該基板の主面にガスを吹き付ける、又は光を照射するこ
とにより、該基板の主面を改質することを特徴とする基
板処理方法。 - 【請求項6】主面が略水平に保持された被処理基板に対
し、薬液槽に接続された薬液吐出部から吐出された薬液
を薬液輸送部の表面側を介して輸送すると共に、被処理
基板と薬液輸送部を相対的に移動させることにより、被
処理基板の主面全体にわたって薬液を供給する方法であ
って、 前記被処理基板の主面に供給された第1の薬液を前記薬
液輸送部の裏面側で除去又は移動しながら、前記被処理
基板の主面に前記薬液輸送部の表面側から第2の薬液を
供給することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項7】主面が略水平に保持された被処理基板に対
し、薬液槽に接続された薬液吐出部から吐出された薬液
を薬液輸送部を介して輸送すると共に、被処理基板と薬
液輸送部を相対的に移動させることにより、被処理基板
の主面全体にわたって薬液を供給する方法であって、 前記被処理基板と薬液輸送部との相対移動速度と、前記
薬液輸送部から前記被処理基板に供給される薬液の速度
とをほぼ等しくし、薬液の供給による被処理基板上の薬
液の圧力をほぼ0にすることを特徴とする基板処理方
法。 - 【請求項8】被処理基板の主面を略水平に保持する基板
保持手段と、 薬液槽から薬液を吐出するための薬液吐出部と、この薬
液吐出部直下に該薬液吐出部と隔絶して配置され、該薬
液吐出部より吐出された薬液を該薬液の流速と圧力を落
としつつ被処理基板の主面に輸送する薬液輸送板とを有
し、被処理基板上で該基板中心に対して点対称の位置に
複数配置された薬液供給手段と、 前記被処理基板及び薬液供給手段の少なくとも一方を回
転駆動する駆動手段とを具備してなることを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項9】請求項8記載の基板処理装置を用い、薬液
輸送板を介して被処理基板の主面に供給された薬液を、
薬液輸送板の裏面側で押圧して薬液を攪拌することを特
徴とする基板処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11366099A JP3923676B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 基板処理方法 |
US09/553,480 US6528128B2 (en) | 1999-04-21 | 2000-04-20 | Method of treating a substrate |
TW089107459A TW464920B (en) | 1999-04-21 | 2000-04-20 | Substrate processing device and applicable processing method of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11366099A JP3923676B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 基板処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000306809A true JP2000306809A (ja) | 2000-11-02 |
JP2000306809A5 JP2000306809A5 (ja) | 2005-06-23 |
JP3923676B2 JP3923676B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=14617929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11366099A Expired - Fee Related JP3923676B2 (ja) | 1999-04-21 | 1999-04-21 | 基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6528128B2 (ja) |
JP (1) | JP3923676B2 (ja) |
TW (1) | TW464920B (ja) |
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- 2000-04-20 US US09/553,480 patent/US6528128B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP3923676B2 (ja) | 2007-06-06 |
US20030012889A1 (en) | 2003-01-16 |
TW464920B (en) | 2001-11-21 |
US6528128B2 (en) | 2003-03-04 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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