CN107275258B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供能够抑制基板产生品质不良的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(10)具有：保持基板的基板保持板(20)；处理液保持板(40)，具有排出处理液S的排出口(40a)，并设于与由基板保持板(20)保持的基板W的表面对置并离开的位置，在与由基板保持板(20)保持的基板W的表面之间保持从排出口(40a)排出的处理液S；加热器(41)，设于处理液保持板(40)，加热处理液保持板(40)；升降机构(60)，使处理液保持板(40)以及加热器(41)相对于由基板保持板(20)保持的基板升降；及疏液层(43)，以包围排出口(40a)的方式呈环状设置于处理液保持板(40)的基板W侧的表面，并排斥处理液S。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及基板处理装置。
背景技术
基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中，向晶片或液晶基板等基板表面供给处理液(例如，抗蚀剂剥离液、清洗液等)，对基板表面进行处理的装置。作为该基板处理装置，提出有片式的基板处理装置，该装置为了提高基板处理效率，对旋转的基板上的处理液进行加热，并利用该处理液的性质、热量来处理基板表面。
在该单片式的基板处理装置中，为了均匀地处理基板表面，使基板表面上的液温均匀非常重要。因此，在与基板表面相对置并离开的位置设置处理液保持板，并由加热器对该处理液保持板加热。并且，此时，在基板表面与处理液保持板之间(例如，几mm)存在的处理液被处理液保持板均匀地加热。
详细而言，处理液保持板被设置为供处理液供给管贯通，处理液被从处理液供给管的开口排出。处理液被从该排出口向基板表面供给，并在处理液保持板与基板表面的间隙扩展，被保持于该间隙。该处理液被由加热器加热后的处理液保持板加热。此外，处理液保持板被设置为能够在升降方向上移动。另外，在处理液保持板的与基板侧相反的一侧的表面设置有温度传感器(例如，热电偶等)。
在该基板处理装置中，基板处理结束后，在使处理液保持板上升而从基板表面远离时，也从排出口继续排出处理液。这是为了即使附着在处理液保持板的基板侧的表面上的液滴下落，也能够在基板表面使处理液的层存在从而抑制水印的产生。此外，在处理液保持板从规定的处理位置上升后的状态下，虽然附着在处理液保持板的基板侧的表面的液滴的多数由于处理液保持板进行的加热(加热处理液程度的加热)而渐渐变小并最终蒸发(蒸发需要时间)，但若在其蒸发前液滴彼此接触而成为一体，则有可能向基板表面下落。
例如，在使上述的处理液保持板上升并从基板表面远离后，虽然处理液的排出被停止，但此时，液滴有可能附着在处理液保持板的排出口的周围。有时，附着在排出口的周围的液滴在蒸发前，由于处理液保持板的倾斜或气流等而移动，与附着在处理液保持板的基板侧的表面上的蒸发前的其他液滴接触而一体化，并向基板表面下落。这对于结束了处理的基板表面来说，是造成水印等的品质不良的原因。
另外，处理液的供给停止后，附着在排出口的周围或其他位置的液滴由于处理液保持板的倾斜或气流等而移动，有时附着在处理液保持板的基板侧的表面中与温度传感器对置的检测位置。此时，受液滴的影响，温度传感器变得难以准确地测定处理液保持板的温度。因此，难以使处理液保持板的温度、即加热器温度的控制稳定。这是因为难以将处理液温度维持为所希望的温度，而造成处理不足等品质不良的原因。
此外，即使基板处理结束，加热器也进行驱动，并进行稳定的加热器温度的控制。这是因为若在处理结束后停止加热器，则在处理新的基板时，从开始由加热器进行的加热起至使处理液保持板达到规定的温度为止需要时间。即，需要即使在处理液保持板上升时也进行加热器的温度控制，以便即使搬入新的未处理的基板也能够立刻开始处理。
发明内容
本发明所要解决的课题在于，提供能够抑制基板产生品质不良的基板处理装置。
实施方式的基板处理装置具有保持基板的基板保持部；处理液保持板，具有排出处理液的排出口，并设于与由基板保持部保持的基板的表面对置并离开的位置，在与由基板保持部保持的基板的表面之间保持从排出口排出的处理液；加热器，设于处理液保持板，对处理液保持板进行加热；升降机构，使处理液保持板以及加热器相对于由基板保持部保持的基板升降；以及疏液层，以包围排出口的方式呈环状设置于处理液保持板的基板侧的表面，并排斥处理液。
实施方式的基板处理装置具有：保持基板的基板保持部；处理液保持板，具有排出处理液的排出口，并设于与由基板保持部保持的基板的表面对置并离开的位置，在与由基板保持部保持的基板的表面之间保持从排出口排出的处理液；加热器，设于处理液保持板，对处理液保持板进行加热；升降机构，使处理液保持板以及加热器相对于由基板保持部保持的基板升降；温度传感器，设于处理液保持板，并检测处理液保持板的温度；以及疏液层，以与温度传感器对置的方式设置在处理液保持板的基板侧的面上，并排斥处理液。
根据上述的实施方式的基板处理装置，能够抑制基板产生品质不良。
附图说明
图1为表示第1实施方式所涉及的基板处理装置的概略结构的图。
图2为表示第1实施方式所涉及的处理液保持板的基板侧的表面的俯视图。
图3为表示第1实施方式所涉及的基板处理装置的基板处理的流程的流程图。
图4为表示第1实施方式所涉及的基板处理装置的一部分的剖面图。
图5为表示第2实施方式所涉及的处理液保持板的基板侧的表面的俯视图。
图6为表示第3实施方式所涉及的基板处理装置的一部分的剖面图。
图7为表示第3实施方式所涉及的处理液保持板的基板侧的表面的俯视图。
图8为表示第4实施方式所涉及的基板处理装置的一部分的剖面图。
具体实施方式
＜第1实施方式＞
参照图1至图4说明第1实施方式。
如图1所示，第1实施方式所涉及的基板处理装置10具备基板保持板20、旋转机构30、处理液保持板40、供液部50、升降机构60、以及控制部70。
基板保持板20被置于成为处理室的处理箱(未图示)的大致中央附近，并被设为能够在水平面内旋转。该基板保持板20具有多个销等基板保持部件21，通过这些基板保持部件21以能够装卸的方式保持晶片或液晶基板等基板W。基板保持板20作为保持基板W的基板保持部发挥功能。在该基板保持板20的中央连结有柱状的旋转体22。此外，基板保持板20的形状是与基板W相同的圆形状，基板保持板20的平面的大小比基板W的平面的大小大。
旋转机构30具有将柱状的旋转体22保持为能够旋转的保持部及成为使旋转体22旋转的驱动源的马达(均未图示)等。该旋转机构30通过马达的驱动使旋转体22以及基板保持板20旋转。旋转机构30电连接于控制部70，通过控制部70控制其驱动。
处理液保持板40设置于与基板保持板20上的基板W相对置并离开的位置，并形成为能够通过升降机构60在升降方向上移动。处理液保持板40具有排出处理液S的排出口40a。在该处理液保持板40的周缘部形成有向与基板保持板20相反的一侧竖立的壁40b。处理液保持板40以相对于基板保持板20上的基板W的规定的分离距离(例如，4mm以下)，在与基板保持板20上的基板W之间保持处理液S。处理液保持板40由具有热传导性的材料形成。此外，处理液保持板40的形状是与基板W相同的圆形状，处理液保持板40的平面的大小为基板W的平面以上即可，但优选大于基板W的平面。
供液部50具备处理液供给管51、以及液存积部52。处理液供给管51的一端部被设置为贯通处理液保持板40以及加热器41，并固定于处理液保持板40。该处理液供给管51的开口作为处理液保持板40的排出口40a发挥功能。液存积部52具备存积各种处理液(例如，纯水或硫酸、过氧化氢水、氨水、磷酸等)的处理液槽(未图示)。该液存积部52构成为能够通过多个电磁阀等的开闭从各处理液槽向处理液供给管51流入所希望的处理液S。液存积部52与控制部70电连接，其驱动通过控制部70控制。
这里，在上述的处理液保持板40的与基板侧相反的一侧的面设置有加热器41，并且，设置有多个(在图1的例中为二个)温度传感器42。另一方面，在处理液保持板40的基板侧的面上，疏液层43被设置成环状以包围排出口40a。
加热器41对处理液保持板40的与基板W侧相反的一侧的面均等地加热，将处理液保持板40整体保持为规定温度。作为加热器41，例如使用片状的加热器。该加热器41与控制部70电连接，其驱动通过控制部70控制。
各温度传感器42设置于以基板保持板20的旋转轴A1为中心的圆周上。这些温度传感器42与控制部70电连接，各检测信号(检测温度)被发送至控制部70。控制部70根据各检测温度，调整加热器41的温度以将处理液保持板40整体维持为规定温度。作为温度传感器42，例如使用热电偶等。
如图2所示，疏液层43与圆形的排出口40a的形状相对应地形成为圆环状，并具有规定的宽度。该规定的宽度至少是基板W的半径以下。疏液层43由排斥处理液S的材料(例如，PFA或PTFE等的氟树脂)形成。该区域相对于处理液S的润湿性较其他区域相比较差，是处理液S的液滴难以附着的区域。作为疏液层44的材料，多为作为隔热材料发挥功能的材料。因此，为了从处理液保持板40向处理液导热，优选使疏液层43相对于处理液保持板40的设置区域狭窄。
此外，排出口40a的中心设置于偏离基板保持板20的旋转轴A1的位置(偏心)。由此，能够避免处理液S被持续向基板保持板20上的基板W的旋转中心供给，能够抑制该旋转中心的基板温度与其他位置相比变低。所以，由于抑制了旋转中心的基板温度降低导致的处理液温度局部降低，因此可实现处理液温度的均匀化。但是，排出口40a也可以不偏心，其中心也可以被定位于基板保持板20的旋转轴A1上而形成。
返回图1，升降机构60具有保持处理液保持板40的保持部以及使该保持部在升降方向上移动的、成为驱动源的马达(均未图示)等。该升降机构60通过马达的驱动使处理液保持板40在升降方向上移动。升降机构60与控制部70电连接，其驱动通过控制部70控制。
控制部70具备集中控制各个部的微型计算机、存储有关基板处理的基板处理信息及各种程序等的存储部(均未图示)。该控制部70基于基板处理信息、各种程序来控制旋转机构30及加热器41、供液部50、升降机构60等。例如，控制部70控制基板保持板20的旋转动作、加热器41的加热动作、供液部50的供液动作、处理液保持板40的升降动作等各个动作。
(基板处理工序)
接下来，说明上述的基板处理装置10所进行的基板处理的流程。
首先，作为基板处理前的准备，在处理开始前使加热器41通电，通过该通电了的加热器41对处理液保持板40的与基板W侧相反的一侧的面(上表面)进行均等地加热，处理液保持板40的整体被维持为规定温度(例如，温度范围100℃～400℃内的温度)。该规定温度是能够提高处理液S的处理能力(例如，抗蚀剂去除能力)的温度。
接着，如图3所示，在步骤S1中，在处理液保持板40上升至最高位点的状态下，处理对象的基板W通过机器人搬运装置(未图示)等被搬入该处理液保持板40与基板保持板20之间，基板W的周围部分通过各基板保持部件21而保持，基板W被搬入基板保持板20上。此时，基板W的中心被定位成与基板保持板20的旋转轴A1一致。
在步骤S2中，处理液保持板40通过升降机构60下降至与基板保持板20上的基板W的表面之间形成规定的间隙(例如，4mm以下)的位置(参照图1)。然后，通过旋转机构30，基板保持板20以低速的规定速度(例如，50rpm左右)旋转。由此，基板W与基板保持板20一起以上述的低速的规定速度旋转。
在步骤S3中，在处理液保持板40与基板保持板20上的基板W的分离距离成为规定距离、基板W以低速的规定速度旋转的状态下，处理液S被从处理液保持板40的排出口40a向基板W的表面供给。具体而言，从液存积部52向处理液供给管51流入硫酸以及过氧化氢水。此时，硫酸与过氧化氢水混合，该混合而成的处理液S被通过处理液供给管51从排出口40a向旋转的基板W的表面供给。
向旋转的基板W的表面供给的处理液S由于基板W的旋转产生的离心力而向基板W的表面整体扩展。于是，处理液保持板40与基板W的表面之间的间隙被处理液S填满，由于处理液S的表面张力，处理液S在基板W的表面被保持为层状(参照图1)。该层状的处理液S通过被加热器41加热了的处理液保持板40而整体上被加热并被维持为高温(例如，温度范围100℃～400℃内的温度)。然后，通过被维持为该高温而提高了处理能力(例如，抗蚀剂去除能力)的处理液S，对基板W的表面进行处理。在该状态下，若从处理液供给管51连续地供给处理液S，则尽管基板W的表面的处理液S被新的处理液S替换，但维持层状的形态。到达旋转的基板W的外周部分的处理液S从该外周部分依次作为废液而下落。
这里，伴随上述的基板处理，虽然处理液S被基板W夺取热量(基板W被加热)，但通过处理液保持板40上的加热器41的作用，向温度降低的处理液S供给降低部分的热。该供给热量通过将处理液保持板40的温度保持为恒定来进行控制。虽然处理液S在旋转的基板W的表面上流动，但在从向基板W上供给处理液S起至从外周部分流落为止的期间，能够通过加热器41的温度控制而不使基板W的表面温度降低地以相同的温度条件进行处理。
之后，若从上述的处理液S的供给开始起经过规定的处理时间，则停止处理液S的供给，作为其接下来的处理液S的纯水以与上述相同的方式被向基板W的表面供给，从而清洗基板W的表面。另外，若从纯水的供给开始起经过规定的处理时间，则停止纯水的供给，混合过氧化氢水、纯水以及氨水作为其接下来的处理液S，并将该混合而成的APM向基板W的表面供给。进而，若从APM的供给开始起经过规定的处理时间，则停止APM的供给，作为其接下来的处理液S的纯水以与上述相同的方式被向基板W的表面供给，从而清洗基板W的表面。此时，处理液保持板40的基板W侧的表面也同时由纯水进行清洗。
在步骤S4中，如图4所示，由上述的纯水进行的第二次的清洗处理结束后，从处理液供给管51继续排出处理液S，且处理液保持板40通过升降机构60上升至最高位点，之后，停止处理液S的供给。此时，处理液供给管51内被设为负压，从而能够抑制液滴从排出口40a下落到基板保持板20上的基板W的表面。
此外，在处理液保持板40上升时，持续流出处理液S。这是为了在处理液保持板40上升时，即使附着在处理液保持板40的基板W侧的表面的液滴下落，也会在基板表面使处理液S的层存在从而抑制水印的产生，并且，也为了抑制基板W向处理液保持板40粘附。
这里，上述的处理液保持板40的实际的温度变化取决于处理液S的温度。将过氧化氢水与硫酸的混合液作为处理液S的情况下，在高温处理(100℃～400℃内的温度)中，处理液保持板40的热量被向混合液供给。处理液保持板40的热量虽然被混合液夺取，但混合液由于在混合时产生的反应热而处于高温，因此从处理液保持板40夺取的热量较小，处理液保持板40的温度不会大幅降低。此外，也有时混合液被通过加热器等的加热装置预先加热并供给。另一方面，将纯水(例如，25℃)作为处理液S的情况下，处理液保持板40与纯水的温度差较大，处理液保持板40的热量被纯水夺取。换句话说，若处理液保持板40的基板W侧的表面与纯水接触规定时间、则处理液保持板40的温度大幅降低，处理液保持板40的温度成为90℃～100℃左右。之后，若处理液保持板40上升、则处理液保持板40的基板W侧的表面下降至纯水的液滴能够存在的温度，但由于加热器41的加热导致热量向处理液保持板40的基板W侧的表面传递，因此附着在该表面的液滴渐渐蒸发。
在步骤S5中，基板保持板20通过旋转机构30以高速(例如，1500rpm左右)进行旋转。由此，基板W与基板保持板20一起以高速进行旋转。若基板W高速旋转则残留在基板W上的水分因离心力而飞散，基板W上的水分被除去。
在步骤S6中，若上述的基板W的干燥处理结束，则停止基板保持板20的旋转，通过机器人搬运装置(未图示)等将保持在基板保持板20上的处理完毕的基板W搬出。之后，依次按照与上述相同的顺序(步骤S1～S6)对基板W执行处理。
根据上述的基板处理工序，处理液保持板40被加热器41均等地加热，在保持于基板保持板20上的基板W的表面，处理液S被保持为层状，该层状的处理液S通过处理液保持板40而整体上被加热。由此，能够更高效地加热处理液S。并且，由于在在层状的处理液S始终被保持于基板W的表面的状态下对基板W的表面进行处理，因此能够无浪费而高效地使用该处理液S地处理基板W的表面。
另外，如图4所示，在处理液保持板40从基板W的表面离开、处理液S(纯水)被供给的期间或停止该供给时等，能够通过排出口40a的周缘的疏液层43抑制从排出口40a排出的处理液S附着在排出口40a的周围。换句话说，由于抑制液滴(处理液S)向排出口40a的周围附着这种情况本身，因此能够抑制附着在排出口40a的周围的液滴因处理液保持板40的倾斜或气流等而移动，与附着在处理液保持板40的基板W侧的表面的蒸发前的其他液滴接触而一体化，并向基板W的表面下落。并且，还能够抑制在处理液S的供给停止后、附着在处理液供给管51的壁面的液体从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出，并与附着在处理液保持板40的基板W侧的表面的蒸发前的其他液滴接触而一体化，并向基板W的表面下落。
这里，有时在处理液S的供给停止后，附着在处理液供给管51的壁面的液体由于重力而沿着处理液供给管51的壁面朝向排出口40a流动，并从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出。有时该流出的液体与附着在处理液保持板40的基板W侧的表面的蒸发前的其他液滴接触而一体化，并向基板W的表面下落。这对结束了处理的基板W的表面来说是造成水印等品质不良的原因。此外，有时在处理液S的供给停止后，即使使处理液供给管51内为负压，附着在处理液供给管51的壁面的液体也会沿着该壁面朝向排出口40a流动，并从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出。
如以上说明那样，根据第1实施方式，通过在处理液保持板40的基板W侧的表面将疏液层43设置成包围处理液保持板40的排出口40a的环状，能够抑制处理液S作为液滴附着于排出口40a的周围或从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出。由此，因为能够抑制从处理液保持板40向基板W的表面的液滴下落，因此能够抑制水印等品质不良的发生。
＜第2实施方式＞
参照图5说明第2实施方式。此外，在第2实施方式中，对与第1实施方式的不同点(疏液层的尺寸)进行说明，并省略其他的说明。
如图5所示，第2实施方式的疏液层43a形成为圆环状。该圆环状的疏液层43a包含排出口40a及旋转轴A1所通过的位置，并形成为位于比各温度传感器42更靠基板W的内侧的尺寸。圆环状的疏液层43a的半径大于第1实施方式，作为一个例子，该半径为处理液保持板40的半径以下。这样的圆环状的疏液层43a与第1实施方式相比，由于远离处理液保持板40的排出口40a，因此能够抑制因从排出口40a排出的处理液S导致的疏液层43a的边缘部剥离或损伤。
如以上说明那样，根据第2实施方式，能够获得与第1实施方式相同的效果。并且，与第1实施方式相比，通过使环状的疏液层43a的至少一部分远离排出口40a，能够抑制处理液S导致的疏液层43a的剥离或损伤的发生。
＜第3实施方式＞
参照图6以及图7说明第3实施方式。此外，在第3实施方式中，对与第1实施方式的不同点(疏液层的设置位置)进行说明，并省略其他的说明。
如图6以及图7所示，第3实施方式所涉及的疏液层44在处理液保持板40的基板W侧的面上被设置成与温度传感器42对置，并形成为圆环状。另外，疏液层45也在处理液保持板40的基板W侧的面上被设置成与温度传感器42对置，并形成为圆环状。此外，在第3实施方式中，虽没有设置第1实施方式所涉及的疏液层43，但不限于此，也可以一同设置。
环状的疏液层44、45在图7的俯视中，形成为分别包围所对应的温度传感器42的测温位置。根据这些环状的疏液层44、45，在处理液保持板40为石英等透明或半透明部件的情况下，能够从处理液保持板40的基板W侧的表面目视确认温度传感器42的测温位置。另外，由于在温度传感器42的紧下方未形成疏液层44、45，因此易于通过温度传感器42检测处理液的温度。
此外，疏液层44、45的环形状不限于圆形，也可以是椭圆或长方形等的形状。另外，疏液层44、45也可以形成为在图7的俯视中覆盖温度传感器42的测温位置的圆、椭圆、长方形等形状而非环形状。
疏液层44、45与第1实施方式同样地由排斥处理液S的材料(例如，PFA或PTFE等的氟树脂)形成。这些区域相对于处理液S的润湿性与其他区域相比较差，是处理液S的液滴难以附着的区域。作为疏液层44、45的材料，多为作为隔热材料发挥功能的材料。因此，为了从处理液保持板40向处理液导热，优选使疏液层44、45相对于处理液保持板40的设置区域狭窄。
如上所述那样，环状的疏液层44、45被设置成在处理液保持板40的基板W侧的面中包围与各温度传感器42对置的检测位置。由此，能够抑制附着在排出口40a的周围或环状的疏液层44、45的外部区域(环外的区域)的液滴、以及从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出的液体向环状的疏液层44、45的内部区域(环内的区域)进入，因此能够抑制液滴向与各温度传感器42对置的检测位置附着，能够防止液滴造成的误检测。换句话说，温度传感器42能够准确地测定处理液保持板40的温度。另外，也能够抑制由误检测引起的加热器温度的不稳定的控制。因此，能够使加热器41的温度控制稳定，能够将处理液温度维持为所希望的温度。
此外，在处理液保持板40上升时，即使液滴附着在处理液保持板40的环状的疏液层44、45内，也由于处理液保持板40的加热而渐渐变小并蒸发。在该干燥后，也通过环状的疏液层44、45抑制附着在排出口40a的周围及环状的疏液层44、45的外部区域的液滴、以及从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出的液体，向环状的疏液层44、45的内部区域进入，从而能够抑制液滴向检测位置附着，能够防止液滴引起的误检测。
如以上说明那样，根据第3实施方式，通过在处理液保持板40的基板W侧的面上以与各温度传感器42对置的方式设置环状的疏液层44、45，能够抑制附着在排出口40a的周围及环状的疏液层44、45的外部区域的液滴、以及从排出口40a向处理液保持板40的基板W侧的表面流出的液体，向环状的疏液层44、45的内部区域进入，能够抑制液滴向与各温度传感器42对置的检测位置附着，因此温度传感器42能够准确地测定处理液保持板40的温度。由此，能够使处理液保持板40的温度，即加热器温度的控制稳定。其结果，能够将处理液温度维持为所希望的温度，能够抑制处理不足等品质不良的发生。
此外，也能够组合第3实施方式与第1实施方式或者第2实施方式。即，通过在排出口40a的周围设置疏液层43、43a，并在温度传感器42的周围设置疏液层44、45，从而能够防止处理液向排出口40a的周围及温度传感器42的检测位置附着。
＜第4实施方式＞
参照图8说明第4实施方式。此外，在第4实施方式中说明与第1实施方式的不同点(疏液层的设置位置)说明，并省略其他的说明。
如图8所示，第4实施方式所涉及的疏液层46被设置在处理液保持板40的基板W侧的表面中不与基板W对置的区域，并形成为圆环状。另外，疏液层47设置于处理液保持板40的外周面(侧面)，并形成为圆环状。
疏液层46、47与第1实施方式相同，由排斥处理液S的材料(例如，PFA或PTFE等的氟树脂)形成。这些区域相对于处理液S的润湿性与其他区域相比较差，是处理液S的液滴难以附着的区域。作为疏液层46、47的材料，作为作为隔热材料发挥功能的材料。因此，在处理液保持板40中不与基板W对置的区域设有疏液层46、47。
这里，在未设置疏液层46、47的情况下，处理液S的液滴有时向处理液保持板40的基板W侧的表面中不与基板W对置的外周区域及处理液保持板40的外周面附着。由于处理液保持板40的外周部分(上述的外周区域及外周面)不直接与加热器41接触(来自加热器41的热量难以遍及处理液保持板40的外周部分)、且与空气接触，容易冷却，有时附着在该外周部分的液滴难以蒸发。若该液滴由于通过机器人搬运装置(未图示)搬入或搬出基板W时的动作、振动等而向基板W的表面下落，则发生水印等品质不良。
但是，如上述那样通过在外周区域及外周面设置疏液层46、47，能够抑制液滴向该外周区域及外周面附着，因此能够抑制液下掉落引起的品质不良的发生。
如以上说明那样，根据第4实施方式，能够获得与第1实施方式相同的效果。并且，通过在处理液保持板40的基板W侧的表面中不与基板W对置的外周区域以及处理液保持板40的外周面设置疏液层46、47，能够抑制液滴向该外周区域及外周面附着，能够抑制水印等品质不良的发生。
此外，也可以仅在处理液保持板40的基板W侧的表面中不与基板W对置的外周区域、以及处理液保持板40的外周面中的某一方设置疏液层。另外，还能够将第4实施方式与第1实施方式、第2实施方式、第3实施方式等组合。
＜其他实施方式＞
在上述的各实施方式中，例示了进行最初的处理(例如，抗蚀剂去除处理)后，进行使用纯水的清洗处理、使用APM的清洗处理、进而使用纯水的清洗处理这3次清洗处理，但不限于此，例如，也可以省略APM的清洗处理或第一次的纯水的清洗处理等，对该处理的内容及次数不进行特别的限定。
另外，在上述的各实施方式中，例示了向处理液保持板40与基板W的表面之间连续供给处理液S，但不限于此，例如，也可以在处理液保持板40与基板W的表面之间保持了处理液S的状态下，停止处理液S的供给。例如，在使用具有若超过规定温度则急剧提高处理能力的特性的处理液S的情况下等，优选在处理液保持板40与基板W的表面之间保持了处理液S的状态下，停止处理液S的供给。在这种情况下，停止供给处理液S的新的，在基板W的表面上不替换处理液S而是留存，在其间被加热的处理液S超过上述的规定温度。
另外，在上述的各实施方式中，例示了在处理液保持板40的与基板侧相反的一侧的面设置各温度传感器42，但不限于此，例如，也可能够在处理液保持板40的内部设置各温度传感器42，也可以设为处理液保持板40内置有各温度传感器42。
以上，说明了本发明的几种实施方式，但这些实施方式仅作为例子进行提示，无意限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的要旨的范围内，能够进行各种的省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及要旨中，也包含于权利要求所记载的发明及其等效的范围中。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持部，对基板进行保持；
处理液保持板，在由所述基板保持部保持的所述基板的上方设置于与所述基板的表面对置并离开的位置，且在所述基板侧的表面具有排出处理液的排出口，所述处理液保持板在与由所述基板保持部保持的所述基板的表面之间，保持从所述排出口排出的所述处理液；
加热器，设置于所述处理液保持板，对所述处理液保持板进行加热；
升降机构，在由所述基板保持部保持的所述基板的上方，使所述处理液保持板以及所述加热器相对于所述基板升降；以及
疏液层，仅在所述处理液保持板的所述基板侧的表面的一部分以包围所述排出口的方式呈环状设置，并排斥所述处理液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
排斥所述处理液的环状的疏液层与所述排出口接触地设置。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述排出口为圆形，
环状的所述疏液层与所述排出口的形状相对应地形成为具有规定的宽度的圆环状。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具备：
旋转机构，使所述基板保持部旋转；以及
温度传感器，以位于比所述排出口更靠所述基板的外侧的方式设置于所述处理液保持板，并检测所述处理液保持板的温度，
环状的所述疏液层包含所述排出口以及供所述基板保持部的旋转轴通过的位置，并形成为位于比所述温度传感器更靠所述基板的内侧的尺寸。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
环状的所述疏液层的至少一部分从所述排出口离开。
6.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持部，对基板进行保持；
处理液保持板，在由所述基板保持部保持的所述基板的上方设置于与所述基板的表面对置并离开的位置，且在所述基板侧的表面具有排出处理液的排出口，所述处理液保持板在与由所述基板保持部保持的所述基板的表面之间，保持从所述排出口排出的所述处理液；
加热器，设置于所述处理液保持板，对所述处理液保持板进行加热；
升降机构，在由所述基板保持部保持的所述基板的上方，使所述处理液保持板以及所述加热器相对于所述基板升降；
温度传感器，设置于所述处理液保持板中的与所述基板侧相反的一侧的面或者所述处理液保持板的内部，并检测所述处理液保持板的温度；以及
疏液层，仅在所述处理液保持板的所述基板侧的表面的一部分以与所述温度传感器对置、且在俯视时包围所述温度传感器的测温位置的方式设置，并排斥所述处理液。
7.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备设置于所述处理液保持板的所述基板侧的表面中不与所述基板对置的区域并排斥所述处理液的疏液层。
8.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备设置于所述处理液保持板的侧面并排斥所述处理液的疏液层。
9.如权利要求1、2、6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述疏液层的区域相对于所述处理液的润湿性与其他区域相比更差，是所述处理液难以附着的区域。
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