KR20240060713A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
에칭 처리 후의 노출 부분을 산화막으로 보호함으로써, 제품 불량을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 실시형태의 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 유지하여 회전시키는 회전체(10)와, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행하는 제1 처리액 공급부(40)와, 제1 처리액의 공급에 의한 에칭 처리에 연속하여, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급함으로써 산화막 형성 처리를 행하는 제2 처리액 공급부(50)를 갖는다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판에 적층된 막을, 처리액에 의해 에칭하는 웨트 에칭의 장치로서, 복수 장의 기판을 일괄해서 처리액에 침지시키는 배치(batch)식의 기판 처리 장치가 존재한다. 이러한 배치식의 기판 처리 장치는, 복수 장을 일괄해서 처리할 수 있기 때문에, 생산성이 높다.
단, 배치식의 기판 처리 장치는, 복수 장의 기판을 공통의 조건의 처리액 내에 침지시키기 때문에, 각 기판에 형성된 막 두께 등의 차이에 따라, 기판마다 에칭의 깊이 등을 정밀하게 조정하는 것이 어렵다. 그래서, 기판을 회전시키면서, 기판의 회전 중심 부근에 에칭용의 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액을 전연(展延)시킴으로써, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식(枚葉式)의 기판 처리 장치가 사용되고 있다.
에칭용의 처리액으로서는, 불산이나 인산, 황산 등의 산계의 액체가 이용된다. 예컨대, 실리콘 웨이퍼에서의 폴리실리콘(Poly-Si) 상에, 대기와의 접촉에 의해 자연 산화막(SiO2)이 형성되고, 또한 질화막(SiN)이 적층된 부분을 갖는 기판에 있어서, 타겟막으로서 질화막을 에칭하는 경우, 처리액으로서 인산을 이용하는 기판 처리 장치가 있다.
이와 같이, 인산을 포함하는 처리액에 의해 에칭하는 기판 처리 장치에서는, 산화막과 질화막의 에칭의 선택비를 취하는, 즉 질화막을 에칭하면서, 그 아래의 산화막의 에칭을 억제할 필요가 있다. 이에 대처하기 위해서, 처리액 중에, 소정량의 콜로이달 실리카를 혼입시키는 방법이 있다. 이 방법에 의하면, 전체의 에칭률이 저하되기 때문에, 산화막이 에칭되기 어려워진다.
그러나, 이와 같이 전체의 에칭률을 저하시키는 방법에 의해서도, 산화막은 다소 에칭되어 버린다. 특히, 질화막 아래의 산화막이 얇게 되어 있는 부분에 대해서는, 산화막이 전부 제거되어 버리는 경우가 있어, 산화막 아래의 폴리실리콘이 노출되게 된다. 또한, 애당초 질화막 아래에 산화막이 형성되어 있지 않은 부분에 대해서는, 질화막의 에칭에 의해, 폴리실리콘이 노출된다.
에칭 후에는, 온순수(溫純水)에 의한 린스나 알칼리의 용액인 APM 처리액(암모니아수와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 APM 처리를 행하여, 인산을 포함하는 처리액을 제거하는 세정 처리가 행해지지만, 이와 같이 폴리실리콘이 노출된 상태에서 세정 처리를 행하면, 노출된 폴리실리콘이, 온순수에 의한 열의 작용이나 APM 처리액에 의해 에칭되어 버린다. 즉, 에칭 대상이 되는 타겟막 이외의 것까지 에칭되어 버리게 되기 때문에, 제품 불량으로 이어진다.
본 발명의 실시형태는, 전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서 제안된 것이며, 그 목적은, 에칭 처리 후의 노출 부분을 산화막으로 보호함으로써, 제품 불량을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 실시형태의 기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 회전체와, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행하는 제1 처리액 공급부, 그리고 상기 제1 처리액의 공급에 의한 에칭 처리 후, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급함으로써 산화막 형성 처리를 행하는 제2 처리액 공급부를 갖는다.
본 발명의 실시형태의 기판 처리 방법은, 회전체에 의해 기판을 유지하여 회전시키고, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급하며, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급한다.
본 발명의 실시형태는, 에칭 처리 후의 노출 부분을 산화막으로 보호함으로써, 제품 불량을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시형태의 기판 처리 장치의 전체 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 실시형태의 기판 처리 장치의 산화막 형성 처리를 도시한 설명도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 에칭 장치를 도시한 일부 단면 측면도이다.
도 4는 도 3의 에칭 장치의 유지부의 동작을 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3의 에칭 장치의 처리액 유지부를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 3의 에칭 장치의 제2 처리액의 공급 동작을 도시한 설명도이다.
도 7은 실시형태의 기판 처리 장치의 처리 순서를 도시한 흐름도이다.
도 8은 실시형태의 기판 처리 장치의 변형예를 도시한 도면이다.
도 2는 실시형태의 기판 처리 장치의 산화막 형성 처리를 도시한 설명도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 에칭 장치를 도시한 일부 단면 측면도이다.
도 4는 도 3의 에칭 장치의 유지부의 동작을 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3의 에칭 장치의 처리액 유지부를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 3의 에칭 장치의 제2 처리액의 공급 동작을 도시한 설명도이다.
도 7은 실시형태의 기판 처리 장치의 처리 순서를 도시한 흐름도이다.
도 8은 실시형태의 기판 처리 장치의 변형예를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
[개요]
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 장치(1)는, 각종의 처리를 행하는 장치를 수용한 복수의 챔버(1a)를 구비하고, 전공정에서 카세트(FOUP)(1b)에 복수 장 수용되어 반송되어 온 기판(W)에 대해, 각 챔버(1a) 내에서 1장씩 처리를 행하는 매엽 처리의 장치이다. 미처리의 기판(W)은, 카세트(1b)로부터 반송 로봇(1c)에 의해 1장씩 취출되어, 버퍼 유닛(1d)에 일시적으로 배치된 후, 이하에 설명하는 각종 장치에 의해, 각 챔버(1a)로의 반송 및 처리가 행해진다.
기판 처리 장치(1)는, 에칭 장치(110), 세정 장치(120), 반송 장치(200), 건조 장치(300), 제어 장치(400)를 포함한다. 에칭 장치(110)는, 회전하는 기판(W)의 피처리면에, 에칭 처리용의 처리액을 공급함으로써, 타겟막의 일부를 제거하고, 필요한 막을 남기는 장치이다. 세정 장치(120)는, 에칭 장치(110)에서 에칭 처리된 기판(W)의 처리면에, 세정 처리용의 처리액을 공급함으로써 세정한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 에칭 장치(110)에서도, 세정액의 공급에 의한 세정 처리가 행해지지만, 이것은, 에칭 장치(110)의 챔버(제1 챔버)(1a)와는 다른 챔버(제2 챔버)(1a)에서 행해지는 세정 장치(120)의 세정과는 다른 세정 처리이다.
반송 장치(200)는, 버퍼 유닛(1d)과 각 챔버(1a) 사이, 각 챔버(1a) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 예컨대, 반송 장치(200)는, 에칭 장치(110)에 있어서 처리가 끝난 기판(W)을 세정 장치(120)로 반송하고, 세정 장치(120)에 있어서 세정된 기판(W)을 건조 장치(300)로 반송한다. 반송 장치(200)도, 기판(W)을 파지(把持)하는 로봇 핸드(210)와, 로봇 핸드(210)를 이동시키는 반송 로봇(220)을 갖는다. 건조 장치(300)는, 세정된 기판(W)을 회전시키면서 가열함으로써, 건조 처리를 행한다. 제어 장치(400)는, 상기한 각 장치를 제어한다.
또한, 본 실시형태에 의해 처리되는 기판(W)은, 예컨대, 반도체 웨이퍼이다. 이하, 기판(W)의 패턴 등이 형성된 면을 피처리면으로 한다. 피처리면은, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(100) 상에 폴리실리콘(101), 실리콘 산화막(102), 실리콘 질화막(103)의 순서로 겹쳐져 있는 부분을 갖는다. 이하, 실리콘 산화막(102)은, 간단히 산화막(102), 실리콘 질화막(103)은, 간단히 질화막(103)으로 한다.
에칭 대상의 타겟막은, 질화막(103)이다. 산화막(102)은 대기와의 접촉에 의해 자연스럽게 형성된 막이며, 폴리실리콘(101)을 보호하는 보호막으로서 기능하지만, 산화막(102)이 형성되어 있지 않은 개소도 존재한다. 에칭은, 질화막(103)의 일부에 대해 행하고, 산화막(102)의 에칭은 가능한 한 억제하여, 온존(溫存)된 산화막(102)에 의해 세정 시에 폴리실리콘(101)을 보호하는 것이 바람직하다. 단, 상기한 바와 같이, 에칭 시에 산화막(102)은 제거되기 쉽다[도 2의 (B) 참조]. 또한, 보호 대상이 되는 층은, 폴리실리콘(101)에는 한정되지 않고, 에피택셜 실리콘 등인 경우도 있으며, 실리콘 웨이퍼(100)이면, 실리콘 전반이 대상이 된다.
에칭 처리용의 처리액(제1 처리액)은, 인산(H3PO4)을 포함하는 수용액(이하, 인산 용액으로 함)을 사용한다. 본 실시형태에서는, 에칭 처리 후, 산화막 형성 처리용의 처리액(제2 처리액)을, 회전하는 기판(W)의 피처리면에 공급함으로써, 피처리면을 굳이 산화시킨다. 이것은, 제거된 산화막(102)을 보충하여 보호막으로서의 기능을 유지하고[도 2의 (C) 참조], 존재하지 않았던 산화막(102)을 형성하여 보호막으로서의 기능을 증강하는 역할을 수행한다. 산화막 형성 처리용의 제2 처리액으로서는, 과산화수소수(H2O2) 또는 오존(O3)수를 이용한다.
세정 장치(120)에서는, 세정(린스) 처리를 위한 처리액으로서, 알칼리 세정액(APM), 초순수(DIW), 휘발성 용제(IPA)를 사용한다. APM은, 암모니아수와 과산화수소수를 혼합한 약액이며, 잔류 유기물을 제거하기 위해서 사용한다. DIW는, APM 처리 후, 기판(W)의 피처리면 상에 잔류하는 APM을 씻어 버리기 위해서 사용한다. IPA는, 표면 장력이 DIW보다 작고, 휘발성이 높기 때문에, DIW를 치환하여 표면 장력에 의한 패턴 도괴를 저감하기 위해서 사용한다. 또한, 본 실시형태의 에칭 장치(110)는, 에칭 처리 전의 세정을 위해서, 탄산수(CO2W)를 사용하고, 산화막 형성 후의 세정을 위해서 온순수(Hot DIW)를 사용한다.
본 실시형태의 각 처리부는, 기판(W)을 회전체(10)와 함께 회전시키면서, 기판(W)의 피처리면에 처리액을 공급함으로써, 피처리면을 처리한다. 이하, 주로 에칭 장치(110)에 대해 설명한다.
[에칭 장치]
에칭 장치(110)는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 회전체(10), 회전 기구(20), 유지부(30), 제1 처리액 공급부(40), 제2 처리액 공급부(50), 제어부(60)를 갖는다. 또한, 도 3에서는, 회전체(10), 회전 기구(20), 유지부(30)를 수용하여, 에칭 처리 및 산화막 형성 처리가 행해지는 챔버(1a)(제1 챔버)에 대해서는, 도시를 생략하고 있다.
(회전체)
회전체(10)는, 유지부(30)에 유지된 기판(W)에 간격을 두고 대향하는 대향면(111)을 갖고, 유지부(30)와 함께 회전 가능하게 설치되어 있다. 회전체(10)는, 테이블(11), 베이스(12)를 갖는다. 테이블(11)은, 일단이 대향면(111)에 의해 막혀진 원통 형상이다. 대향면(111)은, 기판(W)보다 큰 직경의 원형의 면이다. 대향면(111)의 중앙에는, 원형의 관통 구멍(11a)이 형성되어 있다(도 4 참조). 테이블(11)의 측면(112)에는, 처리액을 배출하는 관통 구멍인 배출구(11b)가 형성되어 있다.
베이스(12)는, 테이블(11)과 동일 직경이며, 대향면(111)과 반대측에 접속된 원통 형상의 부재이다. 베이스(12)는, 테이블(11)을 지지하는 구조를 갖는 부재이다. 회전체(10)를 구성하는 테이블(11) 및 베이스(12)는, 처리액에 대해 내성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 예컨대, PTFE, PCTFE 등의 불소계의 수지에 의해, 회전체(10)를 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 이러한 회전체(10)는, 도시하지 않은 설치면 또는 설치면에 설치된 가대(架臺)에 고정된 고정 베이스(13) 상에, 후술하는 회전 기구(20)에 의해 회전 가능하게 설치되어 있다. 고정 베이스(13)에는, 방호벽(13a)이 설치되어 있다. 방호벽(13a)은, 베이스(12)와 동심이며, 고정 베이스(13) 상에 세워진 이중의 원통형의 벽이고, 베이스(12)의 하측 가장자리를 비접촉으로 사이에 두도록 덮고 있다. 이에 의해, 방호벽(13a)과 베이스(12) 사이에, 굴곡된 경로인 래버린스(labyrinth) 구조가 형성되고, 베이스(12)의 외벽을 따라 흘러내리는 처리액이, 베이스(12)의 내부로 유입되기 어려운 구성으로 되어 있다.
또한, 챔버(1a) 내의 회전체(10) 주위에는, 회전하는 기판(W)으로부터 비산하는 각종의 처리액을, 기판(W) 주위로부터 받는 컵(14)이 설치되어 있다.
(회전 기구)
회전 기구(20)는, 회전체(10)를 회전시키는 기구이다. 회전 기구(20)는, 고정축(21), 구동원(22)을 갖는다. 고정축(21)은, 회전체(10)와 동축으로 배치된 원통 형상의 부재이다. 고정축(21)의 하단부는, 후술하는 구동원(22)과 함께, 고정 베이스(13)에 고정되어 있다.
구동원(22)은, 중공의 회전자와 이것을 회전시키는 고정자를 갖는 중공 모터이다. 구동원(22)은, 고정축(21)과 함께, 고정 베이스(13)에 고정되어 있다. 구동원(22)은, 고정자의 코일에 통전함으로써, 회전자가 회전함으로써, 베이스(12)와 함께 테이블(11)을 회전시킨다.
(유지부)
유지부(30)는, 대향면(111)과 평행하게 또한 간격을 두고, 기판(W)을 유지한다. 유지부(30)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 회동 부재(31), 유지 핀(32), 구동 기구(33)를 갖는다. 회동 부재(31)는, 기판(W) 주위를 따라, 등간격으로 복수 배치된 원기둥 형상의 부재이다. 회동 부재(31)는, 고정축(21)과 평행한 축을 중심으로 회동 가능하게 설치되어 있다. 회동 부재(31)의 상면은, 대향면(111)으로부터 노출되어 있다.
유지 핀(32)은, 회동 부재(31)의 상면의 회동의 중심으로부터 편심한 위치에 세워져 설치되어 있다. 유지 핀(32)은 원기둥 형상이고, 기판(W)의 가장자리부가 끼워지는 잘록부를 갖는다. 유지 핀(32)은, 회동 부재(31)의 회동에 따라, 기판(W)의 가장자리부에 접함으로써 기판(W)을 유지하는 유지 위치[도 4의 (A) 참조]와, 기판(W)의 가장자리부로부터 멀어짐으로써 기판(W)을 해방하는 해방 위치[도 4의 (B) 참조] 사이를 이동한다.
구동 기구(33)는, 회동 부재(31)를 회동시킴으로써, 유지 핀(32)을 유지 위치와 해방 위치 사이에서 이동시킨다. 구동 기구(33)는, 구동축(331), 소기어(332), 대기어(333)를 갖는다.
구동축(331)은, 회동 부재(31)의 상면과 반대측에, 회동 부재(31)의 회동의 축과 동축으로 설치된 원기둥 형상의 부재이다. 소기어(332)는, 구동축(331)의 회동 부재(31)와 반대측의 단부에 설치된 섹터 기어이다. 대기어(333)는, 소기어(332)에 대응하여, 기어홈이 간헐적으로 형성된 기어이다. 대기어(333)는, 베이스(12) 내에 베어링(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 형성되어 있다. 대기어(333)는, 소기어(332)와 대응하는 간격으로, 6개의 볼록부가 둘레 방향으로 소정 간격으로 형성되어 이루어지고, 각 볼록부의 선단 외주면에, 소기어(332)에 맞물리는 기어홈이 형성되어 있다.
대기어(333)는, 도시하지 않은 스프링 등의 가압 부재에 의해, 도 4의 (A)에 화살표 α로 나타내는 회전 방향(반시계 방향)으로 가압되어 있다. 이에 의해, 소기어(332)는, 화살표 β1로 나타내는 시계 방향으로 가압되기 때문에, 소기어(332)의 회동에 회동 부재(31)가 연동하여, 유지 핀(32)이 회전체(10)의 중심 방향으로 이동하여, 기판(W)에 접촉하는 유지 위치에 유지된다. 또한, 기판 처리 시에는, 이 유지 위치를 유지한 상태에서, 회동 부재(31), 구동축(331), 유지 핀(32), 소기어(332), 대기어(333)는, 회전체(10)와 함께 회전한다.
또한, 대기어(333)는, 도시하지 않은 스토퍼 기구에 의해, 회전이 저지된다. 대기어(333)의 회전이 저지된 상태에서, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 회전체(10)를 화살표 γ 방향으로 회전시키면, 회전이 저지된 대기어(333)에 맞물려 있는 소기어(332)가, 화살표 β2로 나타내는 반시계 방향으로 회동한다. 이에 의해, 회동 부재(31)가 회동하기 때문에, 유지 핀(32)이 기판(W)의 가장자리부로부터 멀어지는 방향으로 이동하여, 해제 위치에 온다.
(제1 처리액 공급부)
제1 처리액 공급부(40)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 피처리면, 즉 유지부(30)에 유지된 기판(W)의 대향면(111)과 반대측의 면에, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행한다. 제1 처리액 공급부(40)는, 처리액 공급 기구(41), 처리액 유지부(42), 승강 기구(43), 가열부(44)를 갖는다.
처리액 공급 기구(41)는, 3종의 처리액을 공급하는 공급부(411, 412, 413)를 갖는다. 공급부(411)는, 처리액으로서 탄산수를 공급한다. 공급부(412)는, 처리액으로서 인산 용액을 공급한다. 이 인산 용액이, 에칭 처리용의 제1 처리액이다. 공급부(413)는, 온순수를 공급한다. 공급부(411, 412, 413)는, 각각의 처리액을 저류하는 처리액조(處理液槽; 41a)를 갖고 있다. 또한, 탄산수 및 온순수는, 세정(린스) 처리를 위한 세정액이다. 이 때문에, 본 실시형태의 제1 처리액 공급부(40)의 일부는, 세정액 공급부로서 구성되어 있다.
각 처리액조(41a)로부터는, 개별 송통관(送通管; 41b)이 병렬적으로 처리액 공급관(41c)에 결합되어 있다. 처리액 공급관(41c)은, 그 선단부가 유지부(30)에 유지된 기판(W)에 대향하고 있다. 이에 의해, 각 처리액조(41a)로부터의 처리액은, 개별 송통관(41b) 및 처리액 공급관(41c)을 통해, 기판(W)의 표면에 공급된다.
각 개별 송통관(41b)에는, 각각 유량 조정 밸브(41d), 유량계(41e)가 설치되어 있다. 각 유량 조정 밸브(41d)를 조정함으로써, 대응하는 처리액조(41a)로부터 처리액 공급관(41c)으로 유입되는 처리액의 양을 조정한다. 각 개별 송통관(41b)을 흐르는 처리액의 양은, 대응하는 유량계(41e)에 의해 검출된다. 또한, 각 처리액조(41a)에 저류되는 처리액의 생성 설비 및 생성 방법은 특정한 것에는 한정되지 않는다.
처리액 유지부(42)는, 기판(W)에 접근하여 기판(W)과의 사이에 처리액을 유지한다. 처리액 유지부(42)는, 기판(W)보다 대직경의 원형이고, 둘레 가장자리부에 회전체(10)와 반대측으로 기립한 벽이 형성됨으로써, 쟁반 형상을 이루고 있다. 처리액 유지부(42)는, 내열성과 내액성을 양립시키기 위해서, 이중 구조로 되어 있다. 즉, 내열성을 갖는 재료에 의해 기체(基體)가 형성되고, 그 주위가 처리액에 대해 내성이 있는 재료로 덮여져 있다. 예컨대, 석영을 기체로 하고, 그 주위에 PTFE, PCTFE 등의 불소계의 수지의 커버를 형성함으로써, 처리액 유지부(42)가 구성되어 있는 것이 바람직하다. 처리액 유지부(42)의 외저면(外底面)은, 기판(W)에 대향하고 있다.
처리액 유지부(42)에는, 처리액 공급관(41c)의 선단이 삽입 관통되어, 기판(W)측으로 노출되는 토출구(42a)가 형성되어 있다. 토출구(42a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 회전체(10)의 회전의 축으로부터 어긋나 있다. 이것은, 기판(W)의 회전에 따라, 기판(W)에서의 토출구(42a)와의 대향 부분을 축차 변화시킴으로써, 처리액의 온도의 균일화에 기여하기 위함이다.
승강 기구(43)는, 처리액 유지부(42)를, 기판(W)에 대해 접촉 및 분리하는 방향으로 이동시키는 기구이다. 승강 기구(43)로서는, 예컨대, 실린더, 볼 나사 기구 등, 회전체(10)의 축에 평행한 방향으로 처리액 유지부(42)를 이동시키는 여러 가지 기구를 적용 가능하지만, 상세한 내용은 생략한다.
상방에 대기하고 있는 처리액 유지부(42)와 대향면(111) 사이에는, 로봇 핸드(210)에 지지된 기판(W)이 반입 가능해지고, 후술하는 제2 처리액 공급부(50)에 의한 제2 처리액의 분출의 방해가 되지 않는 간격(D1)이 형성된다. 승강 기구(43)는, 처리액 유지부(42)를, 기판(W)의 표면과의 사이에 간격(D2)이 형성되는 위치까지 하강시킨다. 이 간격(D2)은, 예컨대, 4 ㎜ 이하인데, 처리액이 흐르도록, 처리액 유지부(42)와 기판(W)은 비접촉이 유지된다.
가열부(44)는, 제1 처리액 공급부(40)에 의해 기판(W)의 피처리면 상에 공급된 처리액을 가열한다. 가열부(44)는, 처리액 유지부(42)의 기판(W)에 대향하는 면과 반대측의 면에 설치된 히터(441)를 갖는다. 이에 의해, 가열부(44)는, 처리액 유지부(42)와 함께 승강 기구(43)에 의해, 기판(W)에 대해 승강한다. 히터(441)는, 원형의 시트형이다. 히터(441)는, 발열량을 개별적으로 제어 가능한, 예컨대, 3개의 히터편에 의해 구성되어 있다. 즉, 원형 형상의 히터편의 외측에, 원환형의 2개의 히터편이 동심으로 배치되어 있다. 이러한 히터(441)에 의하면, 동심으로 배치된 3개의 히터편의 발열량을 개별적으로 제어함으로써, 동심형의 부분마다 처리액의 온도를 변경할 수 있다. 또한, 가열부(44)의 직경은, 기판(W)의 외주측의 온도 저하를 억제하기 위해서, 기판(W)의 직경 이상, 즉 동등하거나 보다 큰 직경인 것이 바람직하다.
히터(441)에는, 처리액 공급관(41c)이 삽입 관통된 관통 구멍(441a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(441a)의 위치는, 처리액 유지부(42)의 토출구(42a)에 겹쳐 연속되는 위치이고, 회전체(10)의 축으로부터 어긋나 있다. 또한, 처리액은, 제1 처리액 공급부(40)에서의 도시하지 않은 가열 장치에 의해 미리 설정된 온도까지 가열되어 있고, 기판(W)에 공급되어 가열부(44)에 의해 가열된다. 이에 의해, 기판(W)에 공급된 처리액을, 미리 설정된 온도를 유지한 채로 기판(W)의 전면으로 널리 퍼지게 할 수 있다. 특히, 외주측의 히터(441)를 고온으로 함으로써, 온도 저하되기 쉬운 기판(W)의 외주측의 온도를 올리는 효과가 얻어진다.
(제2 처리액 공급부)
제2 처리액 공급부(50)는, 기판(W)의 피처리면에, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급함으로써, 산화막 형성 처리를 행한다. 이 제2 처리액의 공급은, 상기한 에칭 처리에 연속하여 행해진다. 제2 처리액 공급부(50)는, 공급 노즐(51), 매스 플로우 컨트롤러(이하, MFC로 함)(52)를 갖는다. 공급 노즐(51)은, 제2 처리액으로서, 제2 처리액인 과산화수소수를 공급한다. 또한, 제2 처리액으로서는, 상기한 바와 같이 오존수를 이용할 수도 있다. 공급 노즐(51)은, 도 6의 (A), (B)에 도시된 바와 같이, 챔버(1a) 내의 회전체(10)의 외측 가장자리 근방에, 승강하는 처리액 유지부(42)에 간섭하지 않는 위치에 설치되어 있다. 공급 노즐(51)은, 한 쌍으로 설치되며, 한쪽의 선단이 기판(W)의 중심을 향하고, 다른 쪽의 선단이 기판(W)의 외주를 향하도록 배치되어 있다.
MFC(52)는, 제2 처리액의 공급 장치와 공급 노즐(51) 사이에 접속된 배관에, 제2 처리액의 단위 시간당의 공급량을, 개별적으로 조정하는 조정부이다. MFC(52)는, 유체의 유량을 계측하는 질량 유량계와 유량을 제어하는 전자 밸브를 갖는다.
(제어부)
제어부(60)는, 기판 처리 장치(1)의 각부를 제어한다. 제어부(60)는, 기판 처리 장치(1)의 각종의 기능을 실현하기 위해서, 프로그램을 실행하는 프로세서와, 프로그램이나 동작 조건 등의 각종 정보를 기억하는 메모리, 각 요소를 구동하는 구동 회로를 갖는다. 즉, 제어부(60)는, 회전 기구(20), 처리액 공급 기구(41), 승강 기구(43), 가열부(44), MFC(52) 등을 제어한다.
본 실시형태의 제어부(60)는, 회전 기구(20)에 의해 회전체(10)와 함께 기판(W)을 회전시키면서, 기판(W)의 피처리면에 대해, 처리액 공급 기구(41)에 의해 제1 처리액을 공급시켜 에칭 처리를 행하고, 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 에칭 처리에 연속하여, 공급 노즐(51)로부터 회전하는 기판(W)의 중심 및 외주를 향해, 제2 처리액을 분출시킴으로써, 산화막 형성 처리를 행한다. 제2 처리액의 공급량은, 제어부(60)가 MFC(52)를 제어함으로써 행할 수 있다. 즉, 제어부(60)는, 토출구(42a)로부터 제1 처리액을 토출시키면서, 가열부(44)를 기판(W)에 접근시킴으로써, 제1 처리액을 가열하여 에칭 처리를 행하게 하고, 에칭 처리에 연속하여, 가열부(44)를 이격시키고, 공급 노즐(51)에, 제2 처리액을 기판(W)의 중심을 향해 토출시킨다.
[동작]
이상과 같은 본 실시형태의 기판 처리 장치(1)의 동작을, 상기한 도 1 내지 도 6에 더하여, 도 7의 흐름도를 참조하여 설명한다. 또한, 이하와 같은 순서에 의해 기판(W)을 처리하는 기판 처리 방법도, 본 실시형태의 일 양태이다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 처리액 공급부(40)의 처리액 유지부(42)는 상방의 대기 위치에 있다. 이때, 처리액 유지부(42)와 대향면(111) 사이에는, 반송 장치(200)의 로봇 핸드(210)(도 1 참조)에 지지된 기판(W)이 반입 가능해지는 간격(D1)이 형성되어 있다. 또한, 기판(W)의 이면과 대향면(111) 사이에는, 기판(W)을 지지하는 로봇 핸드(210)를 삽입 가능한 간격(d1)이 형성되어 있다. 즉, 기판(W)의 반입 시 및 반출 시, 로봇 핸드(210)가 기판(W)의 이면과 회전체(10) 사이에 삽입될 때에 방해가 되지 않는다.
또한, 미리 히터(441)에 통전함으로써, 처리액 유지부(42)의 기판(W)에 대향하는 면과 반대측의 면이 가열되어, 처리액 유지부(42)가 소정 온도(예컨대, 온도 범위 180℃∼225℃ 내의 온도)로 유지되어 있다.
이 상태에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 로봇 핸드(210)에 탑재된 기판(W)이, 처리액 유지부(42)와 회전체(10) 사이에 반입되어, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 그 둘레 가장자리가 복수의 유지 핀(32)에 지지됨으로써, 회전체(10)의 대향면(111) 상에 유지된다(단계 S01). 이때, 기판(W)의 중심과 회전체(10) 회전의 축이 합치하도록 위치 결정된다.
계속해서, 회전체(10)가, 비교적 고속인 소정 속도(예컨대, 200 rpm∼300 rpm 정도)로 회전한다. 이에 의해, 기판(W)이 유지부(30)와 함께 상기 소정 속도로 회전한다(단계 S02). 그리고, 처리액 유지부(42)의 토출구(42a)로부터, 탄산수가 기판(W)의 표면에 공급된다(단계 S03). 회전하는 기판(W)의 표면에 탄산수가 공급되면, 그 탄산수가 기판(W)의 외주를 향해 순차 이동하기 때문에, 기판(W)의 표면이 세정된다. 소정의 처리 시간이 경과하면, 처리액 유지부(42)는, 탄산수의 공급을 정지한다(단계 S04).
처리액 유지부(42)가, 도 6의 (A)에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 표면과의 사이에 소정의 간격(D2)(예컨대, 4 ㎜ 이하)이 형성되는 위치까지 하강한다(단계 S05). 회전체(10)가 비교적 저속인 소정 속도(50 rpm 정도)로 회전함으로써, 기판(W)을 저속으로 회전시키면서, 처리액 유지부(42)의 토출구(42a)로부터 인산 용액을, 처리액 유지부(42)와 기판(W)의 표면 사이의 간극에 공급한다(단계 S06). 이와 같이, 처리액 유지부(42)와 기판(W)의 표면 사이에 공급되는 인산 용액은, 히터(441)에 의해 가열되는 처리액 유지부(42)에 의해 가열되어 고온으로 되어 있다.
이 상태에서, 인산 용액이 처리액 유지부(42)의 토출구(42a)로부터 연속적으로 공급되면, 기판(W)의 표면에, 인산 용액이 기판(W)의 외주를 향해 순차 이동함으로써, 기판(W)의 표면의 탄산수가 인산에 의해 치환되면서, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 질화막(103)의 일부가 에칭되어 제거된다. 소정의 처리 시간이 경과하면, 처리액 유지부(42)는, 인산 용액의 공급을 정지한다(단계 S07).
다음으로, 도 6의 (B)에 도시된 바와 같이, 처리액 유지부(42)가, 기판(W)의 표면과의 사이에 소정의 간격(D1)이 형성되는 위치까지 상승한다(단계 S08). 그리고, 제2 처리액 공급부(50)는, 공급 노즐(51)로부터, 과산화수소수를, 회전하는 기판(W)의 중심 및 외주를 향해 분출한다(단계 S09). 기판(W)의 중심을 향해 분출된 과산화수소수는, 기판(W)의 외주를 향해 순차 이동함으로써, 기판(W)의 표면의 인산 용액을 과산화수소수에 의해 치환하면서, 산화막(102)을 형성한다. 즉, 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이, 에칭에 의해 산화막(102)이 제거된 부분에, 산화막(102)이 형성된다. 또한, 산화막(102)이 존재하지 않았던 부분에 대해서도, 산화막(102)이 형성된다. 소정의 처리 시간이 경과하면, 공급 노즐(51)은, 과산화수소수의 공급을 정지한다(단계 S10).
다음으로, 회전체(10)가, 비교적 고속인 소정 속도(예컨대, 200 rpm∼300 rpm 정도)로 회전하고, 처리액 유지부(42)가, 온순수를 토출구(42a)로부터 기판(W)의 표면에 공급한다(단계 S11). 회전하는 기판(W)의 표면에 온순수가 공급되면, 그 온순수가 기판(W)의 외주를 향해 순차 이동함으로써, 기판(W)의 표면의 과산화수소수, 인산이 치환된다. 그리고, 소정의 세정 시간이 경과하면, 처리액 유지부(42)는, 온순수의 공급을 정지한다(단계 S12).
기판(W)이 회전을 정지하고(단계 S13), 로봇 핸드(210)가 기판(W) 아래에 삽입되며, 도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 유지부(30)에 의한 기판(W)의 유지가 해방되어, 로봇 핸드(210)에 의해 기판(W)이 반출된다(단계 S14).
그 후, 반송 장치(200)는, 에칭 처리가 끝난 기판(W)을 세정 장치(120)에 반입하고, 챔버(1a) 내에 있어서, 회전하는 기판(W)에, APM, DIW, IPA를 순차 공급함으로써, 세정 처리를 행한다(단계 S15). 또한, 반송 장치(200)는, 세정 처리가 끝난 기판(W)을, 세정 장치(120)로부터 반출하여, 건조 장치(300)에 반입한다. 건조 장치(300)는, 세정된 기판(W)을 회전시키면서 가열함으로써, 건조 처리를 행한다(단계 S16).
[효과]
(1) 이상과 같은 본 실시형태의 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 유지하여 회전시키는 회전체(10)와, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행하는 제1 처리액 공급부(40), 그리고 제1 처리액의 공급에 의한 에칭 처리에 연속하여, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급함으로써 산화막 형성 처리를 행하는 제2 처리액 공급부(50)를 갖는다.
본 실시형태의 기판 처리 방법은, 회전체(10)에 의해 기판(W)을 유지하여 회전시키고, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급하며, 회전체(10)에 의해 회전하는 기판(W)의 피처리면에 대해, 산화막 형성 처리용의 제2 처리액을 공급한다.
이 때문에, 에칭 처리에 의해 산화막(102)이 제거되어 버린 부분, 원래 산화막(102)이 없는 부분에, 산화막(102)을 형성할 수 있기 때문에, 보호 대상이 되는 층이 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 그 후의 각종 처리에 있어서, 보호 대상이 되는 층이 산화막(102)에 의해 보호된다. 따라서, 제품 불량의 발생을 저감할 수 있다.
(2) 본 실시형태는, 산화막 형성 처리에 연속하여, 피처리면에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 갖는다. 에칭 처리에 연속하여 산화막 형성 처리가 행해지고 있기 때문에, 세정 처리를 행해도, 산화막(102)이 보호막이 되어, 보호 대상이 되는 층이 보호된다. 예컨대, 에칭 처리 후에, 공통의 챔버(1a) 내에 있어서 온순수에 의해 세정을 행하는 경우에, 세정 전에 형성된 산화막(102)에 의해, 세정에 의한 폴리실리콘(101)의 깎임이 방지된다.
(3) 회전체(10)를 수용하며, 에칭 처리 및 산화막 형성 처리가 행해지는 챔버(1a)(제1 챔버)를 갖고, 이것과는 다른 챔버(1a)(제2 챔버)에 있어서, 제2 처리액의 공급에 의해 형성된 산화막(102)을 갖는 피처리면을 세정하는 세정 장치(120)를 갖는다. 에칭 처리에 연속하여 산화막 형성 처리가 행해지고 있기 때문에, 세정 장치(120)에 의한 세정 처리를 행해도, 산화막(102)이 보호막이 되어, 보호 대상이 되는 층이 보호된다. 예컨대, 에칭 장치(110)로부터 반출되어, 다른 챔버(1a)에 있어서 세정 장치(120)에 있어서 APM 등에 의해 세정을 행하는 경우에도, 이미 형성된 산화막(102)에 의해, 세정에 의한 폴리실리콘(101)의 깎임이 방지된다.
(4) 제1 처리액 공급부(40)는, 제1 처리액을 기판(W)에 토출하는 토출구(42a)와, 기판(W)의 피처리면 상에 공급된 제1 처리액을 가열하는 가열부(44)와, 가열부(44)를 기판(W)에 대해 승강시키는 승강 기구(43)를 갖고, 제2 처리액 공급부(50)는, 제2 처리액을, 피처리면의 중심을 향해 공급하는 공급 노즐(51)을 가지며, 제1 처리액 공급부(40) 및 제2 처리액 공급부(50)를 제어하는 제어부(60)가, 토출구(42a)로부터 제1 처리액을 토출시키면서, 가열부(44)를 기판(W)에 접근시킴으로써, 제1 처리액을 가열하여 에칭 처리를 행하게 하고, 에칭 처리에 연속하여, 가열부(44)를 이격시키고, 공급 노즐(51)로부터, 제2 처리액을 기판(W)의 피처리면의 중심을 향해 토출시킨다.
이와 같이, 가열된 제1 처리액의 공급에 의한 에칭 처리에 연속하여, 회전하는 기판(W)의 중심을 향해 제2 처리액을 공급함으로써, 제2 처리액을 피처리면 전체에 효율적으로 널리 퍼지게 하여, 산화막 형성 처리를 고속으로 행할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 또한 기판(W)의 외주에 공급하는 공급 노즐(51)을 갖고 있는데, 이에 의해, 중심으로부터 외주에 도달하기 전에 제2 처리액을 외주에 공급할 수 있어, 보다 고속으로 산화막 형성 처리를 행할 수 있다.
(변형예)
(1) 제2 처리액을, 피처리면에의 공급 전에 가열하는 가열부를 설치해도 좋다. 가열부로서는, 예컨대, 제2 처리액의 공급 장치의 공급 탱크 또는 배관을 가열하는 히터 등을 설치한다. 이에 의해, 제2 처리액의 공급량이 동등해도, 산화막(102)의 형성 속도를 빠르게 할 수 있다. 또한, 상기한 처리액 공급 기구(41)에, 제2 처리액을 공급하는 공급부를, 개별 송통관(41b)을 통해 처리액 공급관(41c)에 접속함으로써, 처리액 유지부(42)의 토출구(42a)로부터, 제2 처리액을 공급하는 구성으로 해도 좋다. 이 경우에도, 가열부(44)에 의해, 가열된 제2 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 또한, 가열부(44)에 의한 가열이 불충분한 경우에는, 공급부측에 가열부를 설치하여, 미리 가열해도 좋다.
(2) 제2 처리액 공급부(50)의 양태는, 상기와 같은 공급 노즐(51)에는 한정되지 않는다. 피처리면의 외주에 공급하는 공급 노즐(51)을 생략해도 좋다. 또한, 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 선단에 공급 노즐(51)이 각각 설치된 한 쌍의 요동 아암(53)을, 기판(W)의 피처리면의 중심 및 외주 부근에 대향하는 공급 위치와, 그 공급 위치로부터 퇴피하여 기판(W)의 반입이나 반출을 가능하게 하는 퇴피 위치로 이동시키는 요동 기구(54)를 설치해도 좋다. 이 경우에도, 중심에 제2 처리액을 공급하는 요동 아암(53)만으로 할 수도 있다.
(3) 기판 처리 장치(1)의 처리의 내용 및 처리액은, 상기에서 예시한 것에는 한정되지 않는다. 처리 대상이 되는 기판(W) 및 막에 대해서도, 상기에서 예시한 것에는 한정되지 않는다.
[다른 실시형태]
이상, 본 발명의 실시형태 및 각부의 변형예를 설명하였으나, 이 실시형태나 각부의 변형예는, 일례로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 전술한 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 특허청구의 범위에 기재된 발명에 포함된다.
1: 기판 처리 장치 1a: 챔버
1b: 카세트 1c: 반송 로봇
1d: 버퍼 유닛 10: 회전체
11: 테이블 11a: 관통 구멍
11b: 배출구 12: 베이스
13: 고정 베이스 13a: 방호벽
14: 컵 20: 회전 기구
21: 고정축 22: 구동원
30: 유지부 31: 회동 부재
32: 유지 핀 33: 구동 기구
40: 제1 처리액 공급부 41: 처리액 공급 기구
41a: 처리액조 41b: 개별 송통관
41c: 처리액 공급관 41d: 유량 조정 밸브
41e: 유량계 42: 처리액 유지부
42a: 토출구 43: 승강 기구
44: 가열부 50: 제2 처리액 공급부
51: 공급 노즐 53: 요동 아암
54: 요동 기구 60: 제어부
100: 실리콘 웨이퍼 101: 폴리실리콘
102: 산화막 103: 질화막
110: 에칭 장치 111: 대향면
112: 측면 120: 세정 장치
200: 반송 장치 210: 로봇 핸드
220: 반송 로봇 300: 건조 장치
331: 구동축 332: 소기어
333: 대기어 400: 제어 장치
411, 412, 413: 공급부 441: 히터
441a: 관통 구멍
1b: 카세트 1c: 반송 로봇
1d: 버퍼 유닛 10: 회전체
11: 테이블 11a: 관통 구멍
11b: 배출구 12: 베이스
13: 고정 베이스 13a: 방호벽
14: 컵 20: 회전 기구
21: 고정축 22: 구동원
30: 유지부 31: 회동 부재
32: 유지 핀 33: 구동 기구
40: 제1 처리액 공급부 41: 처리액 공급 기구
41a: 처리액조 41b: 개별 송통관
41c: 처리액 공급관 41d: 유량 조정 밸브
41e: 유량계 42: 처리액 유지부
42a: 토출구 43: 승강 기구
44: 가열부 50: 제2 처리액 공급부
51: 공급 노즐 53: 요동 아암
54: 요동 기구 60: 제어부
100: 실리콘 웨이퍼 101: 폴리실리콘
102: 산화막 103: 질화막
110: 에칭 장치 111: 대향면
112: 측면 120: 세정 장치
200: 반송 장치 210: 로봇 핸드
220: 반송 로봇 300: 건조 장치
331: 구동축 332: 소기어
333: 대기어 400: 제어 장치
411, 412, 413: 공급부 441: 히터
441a: 관통 구멍
Claims (9)
- 기판을 유지하여 회전시키는 회전체와,
상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행하는 제1 처리액 공급부, 그리고
상기 제1 처리액의 공급에 의한 에칭 처리에 연속하여, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 산화 처리용의 제2 처리액을 공급함으로써 산화막 형성 처리를 행하는 제2 처리액 공급부
를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 산화막 형성 처리에 연속하여, 상기 피처리면에 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전체를 수용하며, 상기 에칭 처리 및 상기 산화막 형성 처리가 행해지는 제1 챔버를 갖고,
상기 제1 챔버와는 다른 제2 챔버에 있어서, 상기 제2 처리액의 공급에 의해 형성된 산화막을 갖는 상기 피처리면을 세정하는 세정 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 처리액은, 인산을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 기판의 피처리면은, 질화막 및 산화막을 포함하고,
상기 에칭 처리는, 상기 질화막을 대상으로 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 처리액은, 과산화수소수 또는 오존수를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 처리액을, 상기 피처리면에의 공급 전에 가열하는 가열부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 처리액 공급부는,
상기 제1 처리액을 기판에 토출하는 토출구와,
기판의 피처리면 상에 공급된 제1 처리액을 가열하는 가열부, 그리고
상기 가열부를 기판에 대해 승강시키는 승강 기구
를 갖고,
상기 제2 처리액 공급부는, 상기 제2 처리액을, 상기 피처리면의 중심을 향해 공급하는 공급 노즐을 가지며,
상기 제1 처리액 공급부 및 상기 제2 처리액 공급부를 제어하는 제어부가,
상기 토출구로부터 상기 제1 처리액을 토출시키면서, 상기 가열부를 상기 기판에 접근시킴으로써, 상기 제1 처리액을 가열하여 에칭 처리를 행하게 하고,
에칭 처리에 연속하여, 상기 가열부를 이격시키고, 상기 공급 노즐에, 상기 제2 처리액을 상기 기판의 피처리면의 중심을 향해 토출시키는
것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 회전체에 의해 기판을 유지하여 회전시키고,
상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 에칭 처리용의 제1 처리액을 공급함으로써 에칭 처리를 행하며,
상기 에칭 처리에 연속하여, 상기 회전체에 의해 회전하는 상기 기판의 피처리면에 대해, 산화막 형성 처리용의 제2 처리액을 공급하는
것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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| JP2015041753A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社東芝 | ウェハの洗浄方法 |
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Patent Citations (1)
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| JP2012074601A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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|---|---|---|---|
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